万国半导体股份有限公司
该申请人涉及专利文献：696，涉及专利：371件
覆盖主要的IPC大类包括：H01(343)、H02(31)、H03(13)、G01(9)、G11(2)、G06(2)、B05(1)、H05(1)、B23(1)、G09(1)
专利类型分布状况：发明公开(369)、实用新型(2)
专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(317)、无效专利(38)、失效专利(16)
该领域主要的发明人有：马督儿·博德(49)、薛彦迅(46)、雪克·玛力卡勒强斯瓦密(46)、弗兰茨娃·赫尔伯特(43)、安荷·叭剌(42)、冯涛(34)、孙明(33)、李亦衡(32)、雷燮光(32)、管灵鹏(22)
详细地址：美国 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号
相关专利文献 (696件)
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明授权 | 一种多芯片叠层的封装结构及其封装方法 | CN107680951B |
| 发明授权 | 紧凑型占空调制器 | CN106877845B |
| 发明授权 | 集成齐纳二极管的场效应晶体管 | CN105932022B |
| 发明授权 | 回收光化学材料以降低成本和环境影响的涂覆晶圆的装置及方法 | CN105405789B |
| 发明授权 | 用于高压器件的低成本的掩膜还原方法及器件 | CN105931983B |
| 发明公开 | 自对准工艺制备的半导体功率器件以及更加可靠的电接触 | CN108400161A |
| 发明授权 | 具有厚底部屏蔽氧化物的沟槽DMOS器件的制备 | CN104701183B |
| 发明授权 | 用于MOSFET应用的可变缓冲电路 | CN104052458B |
| 发明授权 | 制备应用在倒装安装工艺上的半导体器件的方法 | CN104124176B |
| 发明授权 | 用于功率MOSFET应用的端接沟槽 | CN104009083B |
近10年该领域专利申请趋势
专利分类情况
IPC分类
核心专利文献
相关企业
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 万国半导体股份有限公司 | 696 |
相关发明人
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 马督儿·博德 | 49 |
| 2 | 薛彦迅 | 46 |
| 3 | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 | 46 |
| 4 | 弗兰茨娃·赫尔伯特 | 43 |
| 5 | 安荷·叭剌 | 42 |
| 6 | 冯涛 | 34 |
| 7 | 孙明 | 33 |
| 8 | 李亦衡 | 32 |
| 9 | 雷燮光 | 32 |
| 10 | 管灵鹏 | 22 |
相关代理机构
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 上海信好专利代理事务所 | 280 |
| 2 | 上海新天专利代理有限公司 | 201 |
| 3 | 上海申新律师事务所 | 159 |
| 4 | 上海申汇专利代理有限公司 | 45 |
| 5 | 北京市金杜律师事务所 | 10 |
| 6 | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 | 1 |
相关代理人
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 张静洁 | 320 |
| 2 | 徐雯琼 | 188 |
| 3 | 王敏杰 | 179 |
| 4 | 竺路玲 | 95 |
| 5 | 白璧华 | 44 |
| 6 | 张妍 | 42 |
| 7 | 吴俊 | 40 |
| 8 | 翁若莹 | 32 |
| 9 | 贾慧琴 | 18 |
| 10 | 董科 | 16 |
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