万国半导体股份有限公司
该申请人涉及专利文献：696，涉及专利：371件
覆盖主要的IPC大类包括：H01(343)、H02(31)、H03(13)、G01(9)、G11(2)、G06(2)、B05(1)、H05(1)、B23(1)、G09(1)
专利类型分布状况：发明公开(369)、实用新型(2)
专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(303)、无效专利(38)、失效专利(30)
该领域主要的发明人有：马督儿·博德(49)、薛彦迅(46)、雪克·玛力卡勒强斯瓦密(46)、弗兰茨娃·赫尔伯特(43)、安荷·叭剌(42)、冯涛(34)、孙明(33)、李亦衡(32)、雷燮光(32)、管灵鹏(22)
详细地址：美国 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号
相关专利文献 (696件)
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明授权 | 一种多芯片叠层的封装结构及其封装方法 | CN107680950B |
| 发明授权 | 一种监控外延层几何形状发生漂移的方法 | CN107204283B |
| 发明授权 | 功率器件及制备方法 | CN107046010B |
| 发明授权 | 横向超级结MOSFET器件及端接结构 | CN106298932B |
| 发明授权 | 含有利用倾斜注入工艺制备的超级结结构的半导体器件 | CN105448738B |
| 发明授权 | 与MOSFET集成的增强型耗尽积累/反转通道器件 | CN105702676B |
| 发明授权 | 一种封装器件及制备方法 | CN106373932B |
| 发明授权 | 通过功率MOSFET的分裂栅极中的贯穿多晶硅接头实现分裂多晶硅连接 | CN105047697B |
| 发明授权 | 无需最大占空因数控制就能扩展降压开关转换器占空比的系统及方法 | CN106558989B |
| 发明授权 | 功率半导体器件及制备方法 | CN105448871B |
近10年该领域专利申请趋势
专利分类情况
IPC分类
核心专利文献
相关企业
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 万国半导体股份有限公司 | 696 |
相关发明人
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 马督儿·博德 | 49 |
| 2 | 薛彦迅 | 46 |
| 3 | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 | 46 |
| 4 | 弗兰茨娃·赫尔伯特 | 43 |
| 5 | 安荷·叭剌 | 42 |
| 6 | 冯涛 | 34 |
| 7 | 孙明 | 33 |
| 8 | 李亦衡 | 32 |
| 9 | 雷燮光 | 32 |
| 10 | 管灵鹏 | 22 |
相关代理机构
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 上海信好专利代理事务所 | 280 |
| 2 | 上海新天专利代理有限公司 | 201 |
| 3 | 上海申新律师事务所 | 159 |
| 4 | 上海申汇专利代理有限公司 | 45 |
| 5 | 北京市金杜律师事务所 | 10 |
| 6 | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 | 1 |
相关代理人
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 张静洁 | 320 |
| 2 | 徐雯琼 | 188 |
| 3 | 王敏杰 | 179 |
| 4 | 竺路玲 | 95 |
| 5 | 白璧华 | 44 |
| 6 | 张妍 | 42 |
| 7 | 吴俊 | 40 |
| 8 | 翁若莹 | 32 |
| 9 | 贾慧琴 | 18 |
| 10 | 董科 | 16 |
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