台湾积体电路制造股份有限公司
该申请人涉及专利文献：26120，涉及专利：17389件
覆盖主要的IPC大类包括：H01(12700)、H10(1418)、G11(1079)、G03(962)、G06(766)、H03(392)、G01(367)、G02(290)、B81(219)、C23(186)
专利类型分布状况：发明公开(15945)、实用新型(1444)
专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(7470)、无效专利(3837)、实质审查(3440)、失效专利(2604)、公开(38)
该领域主要的发明人有：余振华(547)、廖忠志(341)、陈宪伟(200)、庄学理(195)、江国诚(184)、张哲诚(171)、林俊成(118)、蔡俊雄(109)、林孟汉(108)、杨育佳(106)
详细地址：台湾 中国台湾新竹
相关专利文献 (26120件)
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明授权 | 碳纳米管生长、催化剂去除、氮化硼纳米管壳形成方法 | CN116184766B |
| 发明授权 | 用于调节气体流的处理装置和方法 | CN115188689B |
| 发明授权 | 用于形成SRAM存储单元结构的半导体器件和方法 | CN114725110B |
| 发明授权 | 影像感测器装置与其形成方法 | CN114695402B |
| 发明授权 | 封装结构、半导体器件及其制造方法 | CN114121836B |
| 发明授权 | 半导体元件的形成方法 | CN113257741B |
| 发明公开 | 半导体器件及其形成方法 | CN122349314A |
| 发明公开 | 纳米结构晶体管的栅极电介质及其形成方法 | CN122349244A |
| 发明公开 | 动态调节薄膜沉积参数的系统和方法 | CN122344719A |
| 发明授权 | 形成半导体器件的方法和半导体结构 | CN114765134B |
近10年该领域专利申请趋势
专利分类情况
IPC分类
核心专利文献
相关企业
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 26111 |
| 2 | 中国台湾积体电路制造股份有限公司 | 8 |
| 3 | 中台湾积体电路制造股份有限公司 | 1 |
相关发明人
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 余振华 | 547 |
| 2 | 廖忠志 | 341 |
| 3 | 陈宪伟 | 200 |
| 4 | 庄学理 | 195 |
| 5 | 江国诚 | 184 |
| 6 | 张哲诚 | 171 |
| 7 | 林俊成 | 118 |
| 8 | 蔡俊雄 | 109 |
| 9 | 林孟汉 | 108 |
| 10 | 杨育佳 | 106 |
相关代理机构
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 10090 |
| 2 | 隆天知识产权代理有限公司 | 3057 |
| 3 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 3016 |
| 4 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 1905 |
| 5 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 1874 |
| 6 | 北京德恒律师事务所 | 1233 |
| 7 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 1129 |
| 8 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 897 |
| 9 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 720 |
| 10 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 545 |
相关代理人
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 章社杲 | 10153 |
| 2 | 李伟 | 7681 |
| 3 | 徐金国 | 2801 |
| 4 | 孙征 | 2442 |
| 5 | 顾伯兴 | 1420 |
| 6 | 陆鑫 | 1248 |
| 7 | 陈晨 | 1188 |
| 8 | 黄艳 | 1182 |
| 9 | 刘新宇 | 720 |
| 10 | 姜燕 | 704 |
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