中国科学院半导体研究所
该申请人涉及专利文献：8994，涉及专利：6048件
覆盖主要的IPC大类包括：H01(2819)、G01(937)、G02(775)、H04(505)、G06(428)、C23(223)、C30(210)、H03(197)、H10(126)、A61(125)
专利类型分布状况：发明公开(5857)、实用新型(159)、发明申请(28)、外观设计(4)
专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(1897)、无效专利(1800)、失效专利(1246)、实质审查(1035)、公开(70)
该领域主要的发明人有：郑婉华(239)、李明(234)、林学春(177)、张文涛(120)、刘建国(100)、王晓亮(80)、裴为华(74)、李卫军(71)、祝宁华(70)、陈弘达(61)
详细地址：中国 北京市 海淀区 北京市海淀区清华东路甲35号 100083
相关专利文献 (8994件)
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明授权 | 量子阱激光器及其制备方法 | CN119560889B |
| 发明授权 | 多模态神经元结构 | CN118468949B |
| 发明授权 | 制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件 | CN114628554B |
| 发明公开 | 一种高性能面入射硅基锗探测器结构及其制备方法 | CN122002916A |
| 发明公开 | 具有片上复合腔结构的半导体激光器及其制备方法 | CN122000789A |
| 发明授权 | 基于线性激光雷达的模拟前端接收装置 | CN116466329B |
| 发明公开 | 基于非均匀和空间感知特性的视觉模型量化方法及装置 | CN121962298A |
| 发明授权 | 一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法 | CN117117626B |
| 发明授权 | 一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法 | CN116380891B |
| 发明授权 | 晶圆键合的欧姆接触电极退火方法 | CN116344664B |
近10年该领域专利申请趋势
专利分类情况
IPC分类
核心专利文献
相关企业
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 中国科学院半导体研究所 | 9018 |
| 2 | 中国科学院半导体研究所职工技术协会 | 3 |
| 3 | 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 | 1 |
相关发明人
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 郑婉华 | 239 |
| 2 | 李明 | 234 |
| 3 | 林学春 | 177 |
| 4 | 张文涛 | 120 |
| 5 | 刘建国 | 100 |
| 6 | 王晓亮 | 80 |
| 7 | 裴为华 | 74 |
| 8 | 李卫军 | 71 |
| 9 | 祝宁华 | 70 |
| 10 | 陈弘达 | 61 |
相关代理机构
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 8608 |
| 2 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 194 |
| 3 | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 118 |
| 4 | 中国科学院专利事务所 | 27 |
| 5 | 北京林业大学专利事务所 | 17 |
| 6 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 17 |
| 7 | 中科专利代理有限责任公司 | 10 |
| 8 | 北京万新知识产权代理有限公司 | 6 |
| 9 | 三友专利事务所 | 3 |
| 10 | 北京沃知思真知识产权代理有限公司 | 2 |
相关代理人
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 汤保平 | 1893 |
| 2 | 任岩 | 1609 |
| 3 | 周国城 | 807 |
| 4 | 宋焰琴 | 718 |
| 5 | 周天宇 | 564 |
| 6 | 吴梦圆 | 381 |
| 7 | 王文思 | 369 |
| 8 | 肖慧 | 300 |
| 9 | 李婉婉 | 295 |
| 10 | 孙蕾 | 186 |
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