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辐射窗口

阅读：1034发布：2020-05-24

专利汇可以提供辐射窗口专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且根据本发明的示例方面，提供了一种方法，包括：获得在第一侧面上包括掩模的第一硅晶片，在第一硅晶片的第一侧面上附着第二硅晶片，以及蚀刻晶片中的一个以部分地暴露沉积在相对的硅晶片上的窗口层，并形成由支撑窗口层的掩模限定的结构。，下面是辐射窗口专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种方法，包括：
-获取在第一侧面上包括掩模的第一硅晶片；
-在所述第一硅晶片的所述第一侧面上附着第二硅晶片，以及
-蚀刻其中一个硅晶片，以部分地暴露沉积在相反的硅晶片上的窗口层，并形成由支撑所述窗口层的掩模限定的结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述窗口层沉积在其中一个硅晶片的非附着侧面上。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述结构由其中一个硅晶片的硅形成。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括至少部分地移除所述掩模。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括在所述窗口层的不面对所述结构的侧面上沉积至少一个表面层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述至少一个表面层包括铝层。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述至少一个表面层包括石墨烯层。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，在附着所述第二硅晶片之前，根据所述掩模将所述第一硅晶片的硅的部分从所述第一侧面蚀刻。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，在所述窗口层和所述第二硅晶片之间设置蚀刻停止层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述蚀刻停止层至少部分被移除。
11.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，提供第三硅晶片并附着在所述窗口层上，其中，第二掩模设置在所述第三硅晶片上，并且其中，根据所述第二掩模对所述第三硅晶片进行蚀刻以在所述窗口层上形成第二结构。
12.一种辐射窗口结构，包括：
-支撑结构上的连续窗口层，所述支撑结构位于所述窗口层的第一侧面上而非第二侧面上；
-其中，所述窗口层在所述第二侧面上被连续地暴露，并且其中，所述窗口层部分地暴露在所述第一侧面上，以及
-其中，所述支撑结构包括第一硅层和第二硅层，在所述第一硅层和所述第二硅层之间设置有掩模层。
13.根据权利要求12所述的辐射窗口结构，其中，所述掩模层覆盖所述第二硅层的在所述第一侧面上的暴露部分。
14.根据权利要求12所述的辐射窗口结构，其中，所述窗口层在所述第二侧面上设置有至少一个铝表面层。
15.根据权利要求12所述的辐射窗口结构，其中，所述窗口层在所述第二侧面上设置有至少一个石墨烯表面层。
16.根据权利要求12-15中任一项所述的辐射窗口结构，其中，所述掩膜层已从所述第二硅层在所述第一侧面上的暴露部分移除。
17.根据权利要求12-16中任一项所述的辐射窗口结构，其中，所述窗口层由以下清单中的至少一种材料组成：氮化硅、A12O3、AlN、SiO2、SiC、TiO2，TiN、金属-碳-氮化物、石墨烯、热解碳和聚合物。
18.根据权利要求11-16中任一项所述的辐射窗口结构，其中，所述窗口层位于单个平面中。
19.一种方法，包括：
-获取第一硅晶片，所述第一硅晶片上包括氧化硅层；
-在所述第一硅晶片上附着第二硅晶片，所述第二硅晶片具有设置在其上的窗口层，所述氧化硅层包括腔体，并且在附着之后，所述窗口层被嵌入所述腔体中，以及
-蚀刻穿过所述第一硅晶片以暴露所述窗口层，并且根据掩膜蚀刻穿过所述第二硅晶片，以构造用于所述窗口层的支撑结构。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，蚀刻穿过所述第二硅晶片部分地暴露所述窗口层。
21.根据权利要求19-20中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括在所述窗口层的侧面上沉积表面层。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述表面层包括铝层。
23.根据权利要求21所述的方法，其中，所述表面层包括石墨烯层。

说明书全文

辐射窗口

技术领域

[0001] 本发明涉及对辐射(例如X射线)至少部分透明的窗结构。

背景技术

[0002] 辐射测量装置通过测定检测器装置对入射辐射的感应来操作。例如，X射线照相机可以接收X射线并根据二维电荷耦合装置CCD阵列上的位置确定它们的强度。另一方面，光谱仪可以被构造为确定入射辐射的光谱特性，例如构造成确定天体物理红移或识别元素的特征发射峰以分析样品的元素组成。

[0003] 当测量软X射线(指的是例如具有低于约1keV 能量的X射线)时，向检测器提供辐射存在挑战。例如，空气会散射软X射线和许多材料会吸收软X射线，因此最方便地通过真空将辐射传送到检测器，其中检测器可以设置在真空中。

[0004] 当在大气环境中操作时，可以布置合适的窗口以允许软X射线进入真空，在真空中可以布置检测器以分析辐射。理想情况下，这种窗口对于软X射线是透明的并且结构耐用，并且不透气以保护检测器单元。

[0005] 通过减小窗口的厚度可以增加透明度。例如，已经使用了铍窗，其中窗口越薄，通过窗口容许射入的辐射的部分越大。另一方面，窗户越薄，在现实环境中破坏的可能性越大。

[0006] 为了增加窗户的耐久性，窗户可以用机械网格支撑，或者它可以夹在支撑结构之间。支撑结构可以采用似网状支撑结构的形式，其部分地覆盖并部分地暴露窗口材料。在窗户材料的通过支撑结构暴露的部分中，窗口对入射辐射最大程度地透明。

发明内容

[0007] 本发明由独立权利要求的特征限定。一些特定实施例在从属权利要求中限定。

[0008] 根据本发明的第一方面，提供了一种方法，包括获得在第一侧面上包含掩模的第一硅晶片，在第一硅晶片的第一侧面上附着第二硅晶片，以及蚀刻其中一个晶片，以部分地暴露沉积在相对的硅晶片上的窗口层，并形成由支撑窗口层的掩模限定的结构。

[0009] 第一方面的各种实施例可以包括来自以下项目符号列表的至少一个特征：

[0010] ·窗口层沉积在一个硅晶片的非附着侧面上

[0011] ·该结构由其中一个硅晶片的硅形成

[0012] ·窗口层沉积在第二硅晶片的非附着侧面上

[0013] ·该结构由第二硅晶片的硅形成

[0014] ·该方法还包括至少部分地移除掩模

[0015] ·该方法还包括在窗口层的不面对该结构的一侧面上沉积至少一个表面层[0016] ·至少一个表面层包括铝层

[0017] ·至少一个表面层包括石墨烯层

[0018] ·在附着第二硅晶片之前，根据掩模从第一侧面蚀刻第一硅晶片的部分硅[0019] ·在窗口层和第二硅晶片之间提供蚀刻停止层

[0020] ·至少部分地移除蚀刻停止层

[0021] ·提供第三硅晶片，其附着到窗口层，其中第二掩模设置在第三硅晶片上，并且其中根据第二掩模蚀刻第三硅晶片以在窗口层上形成第二结构。

[0022] 根据本发明的第二方面，提供一种辐射窗结构，包括在支撑结构上的连续窗口层，该支撑结构位于窗口层的第一侧面而非第二侧面，并且其中窗口层是连续地暴露在第二侧面上，并且其中窗口层部分地暴露在第一侧面。

[0023] 第二方面的各种实施例可以包括来自以下项目符号列表的至少一个特征：

[0024] ·窗口层在第二侧面上设置至少一个表面层

[0025] ·至少一个表面层包括铝层

[0026] ·至少一个表面层包括石墨烯层

[0027] ·支撑结构由硅组成

[0028] ·窗口层由以下清单中的至少一种材料组成：氮化硅、A12O3、AlN、SiO2、SiC、TiO2，TiN、金属-碳-氮化物、石墨烯、热解碳和聚合物

[0029] ·窗口层位于单个平面中。

[0030] 根据本发明的第三方面，提供了一种方法，包括：获得其上包括氧化硅层的第一硅晶片，该氧化硅层包括腔体；在第一硅晶片上附着第二硅晶片，该第二硅晶片具有设置在其上的窗口层，该窗口层因此插入腔体中；以及蚀刻穿过第一硅晶片以暴露窗口层，并根据掩模蚀刻穿过第二硅晶片，以构造用于窗口层的支撑结构。

[0031] 第三方面的各种实施例可包括来自以下项目符号列表的至少一个特征：

[0032] ·第二硅晶片部分地暴露窗口层

[0033] ·方法还包括在窗口层的一侧面上设置表面层

[0034] ·表面层设置在窗口层的不面向支撑结构的一侧面上

[0035] ·表面层包括铝层

[0036] ·表面层包括石墨烯层。

[0037] 根据本发明的第四方面，提供了一种方法，包括：获得其中包含掩埋氧化硅层的硅晶片；使用掩埋氧化硅层作为蚀刻停止从硅晶片的第一侧面蚀刻；将窗口层沉积到硅晶片中进入通过蚀刻形成的腔体中；并且从硅晶片的第二侧面蚀刻以在窗口层上构建支撑结构。

[0038] 第四方面的各种实施例可以包括来自以下项目符号列表中的至少一个特征：

[0039] ·窗口层由以下清单中的至少一种材料组成：氮化硅、Al2O3、AlN、SiO2、TiO2、TiN、金属-碳-氮化物、石墨烯、热解碳和聚合物

[0040] ·该方法还包括在硅晶片的第二侧面上设置一层，并将该层图案化成限定支撑结构形状的掩模

[0041] ·该层包括氮化硅层

[0042] ·该方法还包括完成窗口层，该窗口层在第一侧面上连续暴露并且在第二侧面上部分地暴露。附图说明

[0043] 图1示出了能够与本发明的至少一些实施例一起操作的示例系统；

[0044] 图2A-图2E示出了根据本发明的至少一些实施例的示例性制造过程；

[0045] 图3A-图3E示出了图2A-2E的过程的变体。

[0046] 图4A-图4E示出了根据本发明的至少一些实施例的示例性制造过程。

[0047] 图5A-图5E示出了根据本发明的至少一些实施例的示例性制造过程；

[0048] 图6是根据本发明的至少一些实施例的方法的流程图，以及

[0049] 图7是根据本发明的至少一些实施例的方法的流程图。

具体实施方式

[0050] 辐射窗可受益于设置在其上的层，以增强其所需的特性，例如，其可包括不透气性、光学性质或光谱选择性。为了便于提供这样的层，根据本发明的至少一些实施例的辐射窗口设置有支撑结构，其增强了它们在一侧面和在另一侧面上的一层或多层的结构坚固性。可以留下具有一层或多层的辐射窗口的侧面而没有增强坚固性的支撑结构，以便于形成连续的高质量层。这种层的实例包括铝、石墨烯、Al2O3、SiO2、SiC、诸如AlN的氮化物膜、氮化硅、BN、TiN、诸如TiAlCN的金属-碳-氮化物、热解碳和诸如聚酰亚胺的聚合物。

[0051] 图1示出了能够与本发明的至少一些实施例一起操作的示例系统。所示系统涉及x射线荧光，本发明不限于此，而是根据本发明构建的窗口也可以更广泛地应用。

[0052] 图1示出了分析装置110，其包括x射线检测器120。在该示例中，X射线检测器120被构造为确定入射在其自身上的X射线的光谱特性，例如以基于特征发射进行元素成分分析。

[0053] 在使用中，图1的布置用来自主x射线源140的主x射线102照射样品130，刺激包含在样品130中的物质以通过荧光放射次级x射线辐射103，其光谱特性至少部分地在x射线检测器120中被确定。

[0054] X射线检测器120包括窗口区域115，该窗口区域115被布置成允许X射线进入X射线检测器120。窗口区域115在图1的底部的放大视图115E中示出，其中示出了分析装置110的外壳中的间隙。在间隙中布置有开口，其中设置窗口层117，防止空气从外部分析装置110流入内部分析装置110，同时允许X射线(例如，软X射线)进入分析装置110，使得可以在X射线检测器120中分析这些X射线。例如，窗口层117可以由氮化硅构成。材料窗口层117的其他实例可以包括Al2O3、AlN、SiO2、SiC、TiO2、氮化硅、TiN、诸如TiAlCN的金属-碳-氮化物、石墨烯、热解碳和诸如聚酰亚胺的聚合物。在一些实施例中，窗口区域115可以设置在分析装置110的壳体中，而不是设置在X射线检测器120处。

[0055] 窗口层117由在一侧面上的支撑结构119支撑。虽然在面向X射线检测器120的内侧面的内侧面上示出，但是在其他实施例中，支撑结构119可替代地在朝外侧面上。在一些实施例中，支撑结构119可以存在于一侧面而不存在于另一侧面，换句话说，支撑结构119可以限于窗口层117的一侧面。例如，支撑结构119可以由硅构成。

[0056] 虽然窗口层117和支撑结构119在图1中示出为略微分开，其间具有间隙，但这是为了说明的目的。在本发明的实际实施例中，窗口层117可以附着到支撑结构119，例如通过设置在构成支撑结构119的晶片上。例如，可以通过蚀刻来构造支撑结构119。

[0057] 支撑结构119可以采用适合于在其上支撑窗口层117的形式和形状，以承受大气压力，例如，在X射线检测器120的内部保持在两个压力下，或者实际上，真空或接近真空的情况下。例如，支撑结构119可以包括正方形或矩形布局或蜘蛛网形状，以提供对窗口层117的支撑，同时不遮挡太多的窗口层117。

[0058] 通常，附着到窗口层117的支撑结构119将部分地遮挡并部分地暴露窗口层117。详细地，接触支撑结构119的窗口层117的一部分将被其遮挡，这意味着通过支撑结构119部分地防止在这些位置穿过窗口层117的x射线到达x-射线检测器120。在窗口层117的不接触支撑结构119的部分中，穿透窗口层117的x射线可以直接进入x射线检测器120。窗口层117的与支撑结构119接触并遮挡的部分越大，提供给窗口层117的支撑越强，并且支撑结构119对通过窗口层117进入的x射线的影响越大。因此，支撑结构119的强度可以被视为通过窗口层117的透射率与包括窗口层117和支撑结构119的辐射窗口结构的强度之间的权衡。通常，窗口层117可以在第一侧面上完全暴露并且在第二侧面上部分地暴露，支撑结构在第二侧面上。通过完全暴露或连续暴露，意味着窗口层117以这样的方式暴露，活动使用中的窗口层
117的区域不被连续暴露侧面上的支撑结构遮挡。

[0059] 窗口层117本质上可以是连续的，这意味着该层不会被中断，例如，根据支撑结构。连续层就其位于单个平面中而言可以是平面的。

[0060] 窗口层117可以在纳米范围内是薄的，然而在开口上延伸的尺寸大概为几毫米或几厘米。

[0061] 窗口层117可以具有(例如在不面对支撑结构119的一侧面上)至少一个辅助层。辅助层的实例包括薄铝层和石墨烯层。铝层可以至少部分地阻挡可见光进入窗口层117。另一方面，石墨烯可以增强窗口层117的能力(例如当由氮化硅制成时)以防止气体分子(例如空气)穿透窗口层117。当来自支撑结构的窗口层117的一侧面是透明时，可以更容易地应用这种辅助层，并且所得到的层具有更少的缺陷。这提供了有益的技术效果，即这些层在各自的目的中更好地起作用。备选地，辅助层可以称为表面层。

[0062] 图2A-图2E示出了根据本发明的至少一些实施例的示例性制造过程。该过程从图2A的情况开始，其中获得硅晶片210，其包括至少第一氧化硅层214和任选的第二氧化硅层
212。

[0063] 随着该过程进展到图2B中所示的情况，通过去除其一部分，第一氧化硅层214已被图案化，以留下限定支撑结构形状的掩模。图案不需要一直穿透通过第一氧化硅层214。在一些实施例中，硅晶片在氧化之前也被图案化，以产生更深的结构。

[0064] 随着该过程进展到图2C中所示的情况，第二硅晶片220已经附着在掩模层214的顶部上。第二硅晶片220在其上设置有窗口层222，该窗口层222可包括例如氮化硅。可选的氮化硅层216可以设置在第一硅晶片210的相对侧面上。在目前的情况下，可以移除第二氧化硅层212以达到图2C中所示的情况。

[0065] 作为该工艺的变体，可选地，第二硅晶片220可以设置有氧化层，该氧化层被图案化以形成掩模。然后，第一硅晶片210可以附着到第二硅晶片220上以覆盖掩模。随后，如下所述，可以蚀刻第一硅晶片210。在第二硅晶片220上提供掩模的优点是附着误差对蚀刻没有影响。

[0066] 随着该过程进展到图2D中所示的情况，第一硅晶片210已经被蚀刻以暴露掩模214，并且部分地，第二硅晶片220被掩模214遮挡。

[0067] 随着该过程进展到图2E中所示的情况，继续蚀刻以从第一硅晶片210侧面部分地暴露窗口层222。在该过程中，支撑结构由第二硅晶片220构成，其支撑窗口层222。可选地，在后续阶段中，可以移除来自掩模214的暴露的氧化硅。

[0068] 因此，总体上，在图2A-2E的过程中，第一硅晶片210设置有掩模214，第二硅晶片220在第一侧面上附着到第一硅晶片210，在这些晶片之间留下掩模214，并且然后，从不同于第一侧面的第二侧面蚀刻第一硅晶片210和第二硅晶片220，以部分地暴露窗口层222。因此，在窗口层222的第二侧面上，由第二硅晶片220形成支撑结构。

[0069] 作为上述工艺的修改，可以在第二硅晶片220和窗口层222之间设置牺牲性地蚀刻停止层(例如1微米的PECVD SiO2或多层结构)，以保护窗口层222，在该过程的硅蚀刻阶段期间的化学和/或机械应力作用期间，窗口层222可以是精细的。

[0070] 图3A-图3E示出了图2A-2E的过程的变体。类似编号表示类似的结构。图3A对应于图2A。

[0071] 图3B的情况对应于图2B的情况。除了使用掩模214部分地蚀刻第一硅晶片210之外，以便于从另一侧面进行后续蚀刻。得到的腔体在图3B中用附图标记310表示。如在进展到图2C中所示的情况那样，进展到图3C所示的情况，第二硅晶片220已经附着在掩模层214的顶部上。第二硅晶片220已经在其上设置有窗口层222，该窗口层222可包括例如氮化硅。可选的氮化硅层216可以设置在第一硅晶片210的相对侧面上。在目前的情况下，可以移除第二氧化硅层212以达到图2C中所示的情况。

[0072] 在图3D的阶段中，来自第一硅晶片210的一定量的硅保留，覆盖掩模214的部分。这是由于先前产生的腔体310而引起。剩余的硅在图3D中以附图标记320表示。可以在该过程的后续阶段中移除该硅。

[0073] 因此，总的来说，在图3A-3E的过程中，第一硅晶片210从第一侧面蚀刻，第二硅晶片220在第一侧面附着到第一硅晶片210，在这些晶片之间留下掩模214，并且然后，从不同于第一侧面的第二侧面蚀刻第一硅晶片210和第二硅晶片220，以部分地暴露窗口层222。因此，在窗口层222的第二侧面上，由第二硅晶片220形成支撑结构。

[0074] 作为图2A-2E或图3A-3E的过程的进一步修改，可以在窗口层222的另一侧面上构造第二支撑结构。虽然第二支撑结构可能使得在窗口层222上设置另外的层更加困难，但是在窗口层222的两侧面上具有支撑结构导致所得窗口结构的优异刚性。这种结构可以如上所述结合图2A-图2E或图3A-图3E来构造，进一步地，其中第三硅晶片附着到窗口层222的另一侧面，第三硅晶片上设置有氧化硅层，在顶部图案化以产生第二掩模，并且随后使用第二掩模蚀刻以产生第二支撑结构，并且还从顶侧面部分地暴露窗口层222。可以如上所述结合图2A-2E或图3A-3E来制造另一种支撑结构。

[0075] 图4A-图4E示出了根据本发明的至少一些实施例的示例性制造过程。在图4A和图4B中，第一硅晶片410配备有第一氧化硅层414和任选的第二氧化硅层412。加工第一氧化硅层以在其中获得腔体。第二硅晶片420已经在其上设置有窗口层422，该窗口层422可包括例如氮化硅。

[0076] 转到图4C的情况，第二硅晶片420已附着到第一硅晶片410。例如，这种附着可以仅基于氧化物。关于这种附着，窗口层422插入第一氧化硅层414的腔体中。窗口层422和腔体的底部之间可以留有间隙。此外，在第二硅晶片420的顶部上获得顶部氧化硅层424。

[0077] 转到图4D的情况，顶部氧化硅层423被图案化以在其上赋予支撑结构的形状，顶部氧化硅层423的剩余部分形成掩模。从顶侧面执行蚀刻，以在窗口层422上构造支撑结构，该支撑结构的形状由掩模424限定。在该过程中，窗口层422从顶侧面部分地暴露，其中窗口层422的未暴露部分与支撑结构接触。此外，从底侧面执行蚀刻以暴露第一氧化硅层414。

[0078] 最后，为了获得图4E中所示的结果，移除第一氧化硅层414以从下方暴露窗口层422。因此，窗口层422在底侧面连续地暴露并且由顶侧面上的支撑结构支撑，从而有助于从底侧面在窗口层422上应用至少一个层。合适的层的实例包括铝和石墨烯，如上所述。

[0079] 图5A-图5E示出了根据本发明的至少一些实施例的示例性制造过程。

[0080] 从图5A中所示的情况开始，已经获得硅晶片510，其具有掩埋的氧化硅层516，以及氧化硅层512和514，如图所示。例如，这可以通过将两个晶片彼此附着来获得，使得在这些晶片之一上的氧化硅层留在其间。此外，使用掩埋氧化硅层516作为蚀刻停止层，从底侧面蚀刻硅晶片510。

[0081] 随着该过程进展到图5B中所示的情况，在暴露处蚀刻掩埋氧化硅层516。此外，移除氧化硅层512和514。

[0082] 随着该过程进展到图5C中所示的情况，窗口/掩模层(例如氮化硅)设置在两侧面。这些层被示出为层520和522。

[0083] 随着该过程进展到图5D中所示的情况，顶部掩模层520被图案化为支撑结构的形状，例如支撑栅格或网状结构。

[0084] 随着该过程进展到图5E中所示的情况，从顶侧面蚀刻硅晶片510以从顶侧面部分地暴露窗口层522。作为该蚀刻的结果，支撑结构由硅晶片510构造。掩模层520可以保留在支撑结构上。

[0085] 当窗口层522从底侧面连续暴露时，可以在其上设置一层或多层辅助层，如上所述。

[0086] 图6是根据本发明的至少一些实施例的方法的流程图。

[0087] 阶段610包括获得在第一侧面上包括掩模的第一硅晶片。阶段620包括将第二硅晶片附着在第一硅晶片的第一侧面上。最后，阶段630包括从第一硅晶片的第二侧面蚀刻以部分地暴露设置在第二硅晶片上的氮化硅层，并形成由支撑氮化硅层的掩模限定的结构。该氮化硅层设置在第二硅晶片的非附着侧面，即，不面对第一硅晶片的一侧面。

[0088] 图7是根据本发明的至少一些实施例的方法的流程图。

[0089] 阶段710包括获得其上包括氧化硅层的第一硅晶片，该氧化硅层包括腔体。阶段720包括在第一硅晶片上附着第二硅晶片，该第二硅晶片具有设置在其上的氮化硅层，从而将该氮化硅层插入该腔体中。最后，阶段730包括蚀刻穿过第一硅晶片以暴露氮化硅层，以及根据掩模蚀刻穿过第二硅晶片，以构造用于氮化硅层的支撑结构。

[0090] 应理解，所公开的本发明的实施例不限于本文公开的特定结构，工艺步骤或材料，而是扩展到相关领域的普通技术人员将认识到的其等同物。还应该理解，本文采用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不是限制性的。

[0091] 贯穿本说明书对一个实施例或实施例的引用意味着结合该实施例描述的特定特征，结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书在各个地方出现的短语“在一个实施例中”或“在实施例中”不一定都指代相同的实施例。在使用术语(例如，大约或基本上)参考数值的情况下，还公开了精确的数值。

[0092] 如本文所使用的，为方便起见，可以在共同列表中呈现多个项目，结构元素，组成元素和/或材料。但是，这些列表应该被解释为列表中的每个成员都被单独标识为一个独立且独特的成员。因此，不应将此类列表中的任何独立成员理解为事实上等同于同一列表中的任何其他成员，仅基于它们在共同组中的呈现而没有相反的指示。另外，本文中可以参考本发明中的各种实施例和示例以及其各种组件的替代方案。应当理解，这些实施例，示例和替代方案不应被解释为彼此的事实上的等同物，而是应被视为本发明的单独和自主的表示。

[0093] 此外，所描述的特征，结构或特性可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式组合。在前面的描述中，提供了许多具体细节，例如长度，宽度，形状等的示例，以提供对本发明实施例的透彻理解。然而，相关领域的技术人员将认识到，可以在没有一个或多个具体细节或者利用其他方法，组件，材料等来实践本发明。在其他情况下，未详细示出或描述公知的结构，材料或操作以避免模糊本发明的各方面。

[0094] 虽然前述示例在一个或多个特定应用中说明了本发明的原理，但是对于本领域普通技术人员来说显而易见的是，可以在不执行发明的情况下对实施例的形式，使用和细节进行多种修改，并且不脱离本发明的原理和概念。因此，除了下面提出的权利要求之外，并不意图限制本发明。

[0095] 动词“包含”和“包括”在本文中用作开放限制，既不排除也不要求存在未记载的特征。除非另有明确说明，否则从属权利要求中所述的特征可相互自由组合。此外，应该理解，在整个该文献中使用“一个”或“一个”，即单数形式，并不排除多个。

[0096] 工业实用性

[0097] 本发明的至少一些实施例在测量装置中找到工业应用，例如软X射线测量装置。

[0098] 缩略词列表

[0099] CCD 电荷耦合装置

[0100] 附图标记列表

[0101]

[0102]

标题	发布/更新时间	阅读量
防辐射定向保护系统	2020-05-13	437
无辐射电吹风	2020-05-11	199
一种大功率无辐射电磁炉的消辐射装置	2020-05-13	427
无辐射电吹风的消辐射装置	2020-05-12	394
重型电动辐射防护门	2020-05-12	767
防辐射观察窗	2020-05-11	388
热辐射节能涂料	2020-05-11	131
一种辐射管加工工装	2020-05-12	55
一种防辐射面料	2020-05-11	204
防辐射门	2020-05-11	612

辐射窗口

辐射窗口

技术领域

背景技术

发明内容

具体实施方式

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