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一种电子电器服役环境腐蚀性的测量方法

阅读:51发布:2024-02-26

专利汇可以提供一种电子电器服役环境腐蚀性的测量方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 电子 电器服役环境 腐蚀 性的测量方法,其通过在受测量电子电器服役环境中放置 铜 测试片,并通过 阴极 还原法还原铜测试片表面的腐蚀产物膜,再计算出Cu2O腐蚀产物平均厚度CuO腐蚀产物平均厚度TCuO和Cu2S腐蚀产物平均厚度最后通过计算出作为最终测量结果的表面腐蚀产物膜总厚度平均值来查询获得受测量电子电器服役环境的腐蚀性,因此,本发明能够在不影响电子电器服役环境的情况下,对电子电器服役环境的微弱腐蚀性进行准确的测量,避免了 现有技术 中因采用铜挂片失重法求算腐蚀速率而造成测量 精度 低的问题。,下面是一种电子电器服役环境腐蚀性的测量方法专利的具体信息内容。

1.一种电子电器服役环境腐蚀性的测量方法,其特征在于:所述的测量方法包括:
步骤S1、制备测试片,所述铜测试片为纯度在99.99%以上、表面积在15cm2至30cm2之间的无铜;
步骤S2.1、将至少三片所述铜测试片安装到受测量电子电器服役环境中,使得各所述铜测试片在受测量电子电器服役环境中被腐蚀,经过预设的监测时间后,按步骤S3所述的方法对各块被腐蚀后的铜测试片进行测试,得到该次测试中各块所述铜测试片的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 其中,所述监测时间在初次执行所述步骤S2.1时预设为30天;
步骤S2.2、判断所述步骤S2.1得出的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 与预设的表面腐蚀产物膜总厚度上限值 和表面腐蚀产物膜总厚度下限值 的大小关
系:如果 则将当前的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 作为最终测量结果,如果 则将所述监测时间调整为90天并采用新的铜测试片重复所述步骤S2.1,且将重复所述步骤S2.1得出的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 作为最终测量结果,如果则将所述监测时间调整为14天至21天之间并采用新的铜测试片重复所述步骤S2.1,且将重复所述步骤S2.1得出的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 作为最终测量结果;
步骤S2.3、以所述步骤S2.2所判断的最终测量结果按步骤S4查询出所述受测量电子电器服役环境的腐蚀性;
步骤S3、表面腐蚀产物膜总厚度平均值 测量步骤,包括:
步骤S3.1、分别用阴极还原法还原一次所述测试中每一块所述被腐蚀后的铜测试片表面的腐蚀产物膜,并且,在每一块所述铜测试片对应的阴极还原法实验过程中,记录特征还原电位与实验时间的特征曲线,其中,所述阴极还原法采用0.1mol/L的氯化溶液作为电解液、采用所述被腐蚀后的铜测试片作为工作电极、采用铂片作为对电极、采用由3.5mol/L氯化钾溶液与浸泡在其中的表面有氯化薄膜的多孔金属银构成的电极作为参比电极、采用0.05mA/cm2的还原电流密度
步骤S3.2、从所述特征曲线获取每一块所述铜测试片的Cu2O腐蚀产物还原时间、CuO腐蚀产物还原时间和Cu2S腐蚀产物还原时间,其中,所述特征还原电位为所述参比电极相对于所述工作电极的电位,所述Cu2O腐蚀产物还原时间为所述特征曲线中550mV至750mV特征还原电位区间所对应的实验时间长度,所述CuO腐蚀产物还原时间为所述特征曲线中750mV至900mV特征还原电位区间所对应的实验时间长度,所述Cu2S腐蚀产物还原时间为所述特征曲线中1000mV至1150mV特征还原电位区间所对应的实验时间长度;
步骤S3.3、计算每一块所述铜测试片的Cu2O腐蚀产物平均厚度 CuO腐蚀产物平均厚度TCuO和Cu2S腐蚀产物平均厚度 该三种腐蚀产物的平均厚度均按以下公式一进行计算,并且,按以下公式二计算出每一块所述铜测试片在本次测试对应的监测时间下所产生表面腐蚀产物膜的表面腐蚀产物膜总厚度T总:
式中,T表示相应腐蚀产物的平均厚度,单位为 i表示还原电流,单位为mA,还原电流i的取值为所述0.05mA/cm2的还原电流密度与铜测试片表面积a的乘积;t表示所述相应腐蚀产物对应的还原时间,单位为s;M表示所述相应腐蚀产物的摩尔质量,单位为g/mol;a表示所述铜测试片的表面积,单位为cm2;N表示还原一个分子需要的电子数, TCuO和 的计算中N均取值为2;F表示法拉第常数,其值96485.34C/mol;d表示所述相应腐蚀产物的块状固体密度,单位为g/cm3;
步骤S3.4、将每一块所述铜测试片的表面腐蚀产物膜总厚度T总换算成该铜测试片在监测时间为30天时所产生表面腐蚀产物膜的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te,当所述铜测试片对应的监测时间为30天时,该铜测试片的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te=T总,当所述铜测试片对应的监测时间非30天时,该铜测试片的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te按照以下公式三进行换算:
式中,D表示所述铜测试片所对应的监测时间,单位为天;A表示换算因子,换算因子A的取值为0.3或0.5或1.0,并且,换算因子A的取值满足以下公式四所示规则:
式中,Te范围表达式中的数值单位均为
步骤S3.5、将本次测试中各块所述铜测试片的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te取平均值,该平均值记为本次测试中各块所述铜测试片的表面腐蚀产物膜总厚度平均值步骤S4、将作为所述最终测量结果的表面腐蚀产物膜总厚度平均值Te按照ANSI/ISA 
71.04标准进行比对查询,查询结果即为所述受测量电子电器服役环境的腐蚀性。
2.根据权利要求1所述的测量方法,其特征在于:所述的步骤S1中,所述铜测试片采用尺寸为90mm*12mm*0.5mm的铜片形状。
3.根据权利要求1所述的测量方法,其特征在于:所述的步骤S1中,所述铜测试片依次按照以下步骤进行表面处理
步骤S1a、用240号金相砂纸加润滑蜡对所述铜测试片进行研磨
步骤S1b、用400号金相砂纸加润滑蜡对所述铜测试片进行研磨;
步骤S1c、用600号金相砂纸加润滑蜡对所述铜测试片进行研磨;
步骤S1d、用花蘸热的试剂级丙对所述铜测试片进行擦洗;
步骤S1e、将所述铜测试片进行浸入热的试剂级异丙醇中。
4.根据权利要求1所述的测量方法,其特征在于:所述铜测试片在受测量电子电器服役环境中的安装位置位于所述受测量电子电器服役环境所安装电子电器的内部或外部。

说明书全文

一种电子电器服役环境腐蚀性的测量方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种电子电器服役环境腐蚀性的测量方法。

背景技术

[0002] 随着信息化和自动化时代的到来,大型的精密电子电器系统逐步应用到生活生产中,如网络的服务器系统中心,新闻媒体导播室,生产车间的控制中心,实验室的实验设备系统等。精密电子电器多采用高纯作为导电材料,铜的腐蚀将影响其导电性,导致电子元件损坏或故障,这不仅影响电器设备的工作效能,而且很难排查,维修费用高。
[0003] 针对上述情况,如何有效地对电子电器服役环境的腐蚀性进行测量,并开展针对性的预防或控制措施,显得尤为重要。电子电器服役环境的腐蚀性相对微弱,腐蚀产物膜在几个纳米到几百个纳米之间,采用传统的铜挂片失重法求算腐蚀速率往往精度不够,未能有效地对电子电器服役环境的腐蚀性进行测量。
[0004] 因此,十分有必要开展电子电器服役环境腐蚀性测量方法研究,更加准确地测量环境的腐蚀性,从而对电子电器采取适当的防护措施。

发明内容

[0005] 本发明所要解决的技术问题是:提供一种电子电器服役环境腐蚀性的测量方法。
[0006] 解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案如下:
[0007] 一种电子电器服役环境腐蚀性的测量方法,其特征在于:所述的测量方法包括:
[0008] 步骤S1、制备铜测试片,所述铜测试片为纯度在99.99%以上、表面积在15cm2至30cm2之间的无铜;
[0009] 步骤S2.1、将至少三片所述铜测试片安装到受测量电子电器服役环境中,使得所述各铜测试片在受测量电子电器服役环境中被腐蚀,经过预设的监测时间后,按步骤S3所述的方法对所述各块被腐蚀后的铜测试片进行测试,得到该次测试中所述各块铜测试片的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 其中,所述监测时间在初次执行所述步骤S2.1时预设为30天;
[0010] 步骤S2.2、判断所述步骤S2.1得出的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 与预设的表面腐蚀产物膜总厚度上限值 和表面腐蚀产物膜总厚度下限值 的大小关系:如果 则将当前的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 作为最终测量结
果,如果 则将所述监测时间调整为90天并采用新的铜测试片重复所述步骤S2.1,且将重复所述步骤S2.1得出的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 作为最终测量结果;如果则将所述监测时间调整为14天至21天之间并采用新的铜测试片重复所述步骤S2.1,且将重复所述步骤S2.1得出的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 作为最终测量结果;
[0011] 步骤S2.3、以所述步骤S2.2所判断的最终测量结果按步骤S4查询出所述受测量电子电器服役环境的腐蚀性;
[0012] 步骤S3、表面腐蚀产物膜总厚度平均值 测量步骤,包括:
[0013] 步骤S3.1、分别用阴极还原法还原一次所述测试中每一块所述被腐蚀后的铜测试片表面的腐蚀产物膜,并且,在每一块所述铜测试片对应的阴极还原法实验过程中,记录特征还原电位与实验时间的特征曲线,其中,所述阴极还原法采用0.1mol/L的氯化溶液作为电解液、采用所述被腐蚀后的铜测试片作为工作电极、采用铂片作为对电极、采用由3.5mol/L氯化钾溶液与浸泡在其中的表面有氯化薄膜的多孔金属银构成的电极作为参比电极、采用0.05mA/cm2的还原电流密度
[0014] 步骤S3.2、从所述特征曲线获取每一块所述铜测试片的Cu2O腐蚀产物还原时间、CuO腐蚀产物还原时间和Cu2S腐蚀产物还原时间,其中,所述特征还原电位为所述参比电极相对于所述工作电极的电位,所述Cu2O腐蚀产物还原时间为所述特征曲线中550mV至750mV特征还原电位区间所对应的实验时间长度,所述CuO腐蚀产物还原时间为所述特征曲线中750mV至900mV特征还原电位区间所对应的实验时间长度,所述Cu2S腐蚀产物还原时间为所述特征曲线中1000mV至1150mV特征还原电位区间所对应的实验时间长度;
[0015] 步骤S3.3、计算每一块所述铜测试片的Cu2O腐蚀产物平均厚度 CuO腐蚀产物平均厚度TCuO和Cu2S腐蚀产物平均厚度 该三种腐蚀产物的平均厚度均按以下公式一进行计算,并且,按以下公式二计算出每一块所述铜测试片在本次测试对应的监测时间下所产生表面腐蚀产物膜的表面腐蚀产物膜总厚度T总:
[0016]
[0017]
[0018] 式中,T表示相应腐蚀产物的平均厚度,单位为 i表示还原电流,单位为mA,还原电流i的取值为所述0.05mA/cm2的还原电流密度与铜测试片表面积a的乘积;t表示所述相应腐蚀产物对应的还原时间,单位为s;M表示所述相应腐蚀产物的摩尔质量,单位为g/mol;a表示所述铜测试片的表面积,单位为cm2;N表示还原一个分子需要的电子数, TCuO和的计算中N均取值为2;F表示法拉第常数,其值96485.34C/mol;d表示所述相应腐蚀产物的块状固体密度,单位为g/cm3;
[0019] 步骤S3.4、将每一块所述铜测试片的表面腐蚀产物膜总厚度T总换算成该铜测试片在监测时间为30天时所产生表面腐蚀产物膜的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te,当所述铜测试片对应的监测时间为30天时,该铜测试片的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te=T总,当所述铜测试片对应的监测时间非30天时,该铜测试片的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te按照以下公式三进行换算:
[0020]
[0021] 式中,D表示所述铜测试片所对应的监测时间,单位为天;A表示换算因子,换算因子A的取值为0.3或0.5或1.0,并且,换算因子A的取值满足以下公式四所示规则:
[0022]
[0023] 式中,Te范围表达式中的数值单位均为
[0024] 步骤S3.5、将本次测试中所述各块铜测试片的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te取平均值,该平均值记为本次测试中所述各块铜测试片的表面腐蚀产物膜总厚度平均值[0025] 步骤S4、将作为所述最终测量结果的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 按照ANSI/ISA 71.04标准进行比对查询,查询结果即为所述受测量电子电器服役环境的腐蚀性。
[0026] 作为本发明的优选实施方式:所述的步骤S1中,所述铜测试片采用尺寸为90mm*12mm*0.5mm的铜片形状。
[0027] 作为本发明的优选实施方式:所述的步骤S1中,所述铜测试片依次按照以下步骤进行表面处理
[0028] 步骤S1a、用240号金相砂纸加润滑蜡对所述铜测试片进行研磨
[0029] 步骤S1b、用400号金相砂纸加润滑蜡对所述铜测试片进行研磨;
[0030] 步骤S1c、用600号金相砂纸加润滑蜡对所述铜测试片进行研磨;
[0031] 步骤S1d、用花蘸热的试剂级丙对所述铜测试片进行擦洗;
[0032] 步骤S1e、将所述铜测试片进行浸入热的试剂级异丙醇中。
[0033] 与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
[0034] 第一,本发明通过在受测量电子电器服役环境中放置铜测试片,并通过阴极还原法还原铜测试片表面的腐蚀产物膜,再计算出Cu2O腐蚀产物平均厚度 CuO腐蚀产物平均厚度TCuO和Cu2S腐蚀产物平均厚度 最后通过计算出作为最终测量结果的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 来查询获得受测量电子电器服役环境的腐蚀性,因此,本发明能够在不影响电子电器服役环境的情况下,对电子电器服役环境的微弱腐蚀性进行准确的测量,避免了现有技术中因采用铜挂片失重法求算腐蚀速率而造成测量精度低的问题;
[0035] 第二,本发明的测量速度快、操作方便、易行,铜测试片体积小,可置于电子电器内部,对内部环境进行监测。附图说明
[0036] 下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明:
[0037] 图1为本发明应用于某配电室,监测3个月后对铜测试片进行阴极还原测试的特征还原电位与实验时间的特征曲线。

具体实施方式

[0038] 本发明的电子电器服役环境腐蚀性的测量方法,包括:
[0039] 步骤S1、制备铜测试片,铜测试片为纯度在99.99%以上、表面积在15cm2至30cm2之间的高导电性无氧铜,该铜测试片优选采用尺寸为90mm*12mm*0.5mm的铜片形状,且该铜测试片依次按照以下步骤进行表面处理,使得铜测试片的表面应无肉眼可见的凹坑、无腐蚀产物、无油渍和灰尘等污染物:
[0040] 步骤S1a、用240号金相砂纸加润滑蜡对铜测试片进行研磨;
[0041] 步骤S1b、用400号金相砂纸加润滑蜡对铜测试片进行研磨;
[0042] 步骤S1c、用600号金相砂纸加润滑蜡对铜测试片进行研磨;
[0043] 步骤S1d、用棉花蘸热的试剂级丙酮对铜测试片进行擦洗;
[0044] 步骤S1e、将铜测试片进行浸入热的试剂级异丙醇中。
[0045] 步骤S2.1、将至少三片铜测试片安装到受测量电子电器服役环境中,使得各块铜测试片在受测量电子电器服役环境中被腐蚀,经过预设的监测时间后,按步骤S3方法对各块被腐蚀后的铜测试片进行测试,得到该次测试中各块铜测试片的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 其中,所述监测时间在初次执行所述步骤S2.1时预设为30天;
[0046] 步骤S2.2、判断步骤S2.1得出的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 与预设的表面腐蚀产物膜总厚度上限值 和表面腐蚀产物膜总厚度下限值 的大小关系:如果 则判断铜测试片的表面腐蚀程度合适,测量结果准确,应将当前的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 作为最终测量结果,如果 则判断铜测试片的表面腐蚀过于轻微,测量结果不准确,应将监测时间调整为90天并采用新的铜测试片重复步骤S2.1,且将重复步骤S2.1得出的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 作为最终测量结果,如果则判断铜测试片的表面腐蚀过于严重,测量结果不准确,应将监测时间调整为14天至21天之间并采用新的铜测试片重复步骤S2.1,且将重复步骤S2.1得出的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 作为最终测量结果;
[0047] 步骤S2.3、以步骤S2.2所判断的最终测量结果按步骤S4查询出受测量电子电器服役环境的腐蚀性;其中,监测时间在初次执行步骤S2时预设为30天;在 即判断铜测试片的表面腐蚀过于严重时,可在重复步骤S2的第14天开始观察铜测试片的表面颜色变化,在14天至21天之间根据铜测试片的表面颜色决定监测时间的天数,以确保铜测试片的表面腐蚀程度合适。
[0048] 上述步骤S2中,铜测试片在受测量电子电器服役环境中的安装位置可以位于受测量电子电器服役环境所安装电子电器的内部或外部,并且,将铜测试片安装到受测量电子电器服役环境时,铜测试片的安装位置应尽可能靠近电子电器,使铜测试片和电子电器所处的环境基本一致,并且,安装过程中以及监测过程中应避免触碰铜测试片表面,以防铜测试片的表面被污染而影响测量的准确性;另外,铜测试片的安装度可根据电子电器的安装角度来进行调整,以最大限度的减少外部因素对测量结果的影响,例如,对于竖向放置的电子电器,铜测试片也应竖向放置,以减少灰尘在铜测试片上的积累,尽量避免灰尘对测量结果的影响;又如,对于平放的电子电器,铜测试片也应平放,以在铜测试片上模拟出灰尘对电子电器的影响。
[0049] 步骤S3、表面腐蚀产物膜总厚度平均值 测量步骤,包括:
[0050] 步骤S3.1、分别用阴极还原法还原一次测试中每一块被腐蚀后的铜测试片表面的腐蚀产物膜,并且,在每一块铜测试片对应的阴极还原法实验过程中,记录特征还原电位与实验时间的特征曲线,其中,阴极还原法采用0.1mol/L的氯化钾溶液作为电解液、采用被腐蚀后的铜测试片作为工作电极、采用铂片作为对电极、采用由3.5mol/L氯化钾溶液与浸泡在其中的表面镀有氯化银薄膜的多孔金属银构成的电极作为参比电极、采用0.05mA/cm2的还原电流密度;
[0051] 步骤S3.2、从特征曲线获取每一块铜测试片的Cu2O腐蚀产物还原时间、CuO腐蚀产物还原时间和Cu2S腐蚀产物还原时间,其中,特征还原电位为参比电极相对于工作电极的电位;在电子电器服役环境中,铜测试片表面腐蚀产物膜的主要成分多为Cu2O、CuO和Cu2S,当某种腐蚀产物还原时,还原电位将处于相应的特征还原电位区间内;当一种腐蚀产物还原结束,另一种腐蚀产物发生还原时,还原电位将跃迁到相应的特征还原电位区间。由此可判别腐蚀产物以及相应的还原时间,Cu2O腐蚀产物还原时间为特征曲线中550mV至750mV特征还原电位区间所对应的实验时间长度,CuO腐蚀产物还原时间为特征曲线中750mV至900mV特征还原电位区间所对应的实验时间长度,Cu2S腐蚀产物还原时间为特征曲线中
1000mV至1150mV特征还原电位区间所对应的实验时间长度;
[0052] 步骤S3.3、计算每一块铜测试片的Cu2O腐蚀产物平均厚度 CuO腐蚀产物平均厚度TCuO和Cu2S腐蚀产物平均厚度 该三种腐蚀产物的平均厚度均按以下公式一进行计算,并且,按以下公式二计算出每一块铜测试片在本次测试对应的监测时间下所产生表面腐蚀产物膜的表面腐蚀产物膜总厚度T总:
[0053]
[0054]
[0055] 式中,T表示相应腐蚀产物的平均厚度,单位为 i表示还原电流,单位为mA,还原电流i的取值为0.05mA/cm2的还原电流密度与铜测试片表面积a的乘积;t表示相应腐蚀产物对应的还原时间,单位为s;M表示相应腐蚀产物的摩尔质量,单位为g/mol;a表示铜测试2
片的表面积,单位为cm ;N表示还原一个分子需要的电子数, TCuO和 的计算中N均取值为2;F表示法拉第常数,其值96485.34C/mol;d表示相应腐蚀产物的块状固体密度,单位为g/cm3;
[0056] 由于受测量电子电器服役环境的腐蚀性是以铜测试片在受测量电子电器服役环境中监测30天后表面生成的腐蚀产物膜的总厚度为评价指标的,因此,需要将监测时间超过或不足1个月的腐蚀产物膜总厚度换算为监测时间为1个月的腐蚀产物膜总厚度。由于铜的腐蚀是非线性的,经验表明,可按以下步骤S3.4的方法进行转换。
[0057] 步骤S3.4、将每一块铜测试片的表面腐蚀产物膜总厚度T总换算成该铜测试片在监测时间为30天时所产生表面腐蚀产物膜的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te,当铜测试片对应的监测时间为30天时,该铜测试片的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te=T总,当铜测试片对应的监测时间非30天时,该铜测试片的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te按照以下公式三进行换算:
[0058]
[0059] 式中,D表示铜测试片所对应的监测时间,单位为天;A表示换算因子,换算因子A的取值为0.3或0.5或1.0,并且,换算因子A的取值满足以下公式四所示规则:
[0060]
[0061] 式中,Te范围表达式中的数值单位均为
[0062] 步骤S3.5、将本次测试中各块铜测试片的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te取平均值,该平均值记为本次测试中各块铜测试片的表面腐蚀产物膜总厚度平均值[0063] 步骤S4、将作为最终测量结果的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 按照ANSI/ISA 71.04标准进行比对查询,查询结果即为受测量电子电器服役环境的腐蚀性,其中,受测量电子电器服役环境的腐蚀性及腐蚀等级与作为最终测量结果的表面腐蚀产物膜总厚度平均值 的对应关系如下表1所示。
[0064] 表1电子电器服役环境腐蚀性评价
[0065]
[0066]
[0067] 经验证,本发明的测量方法能够较精确地检测出铜测试片的等价表面腐蚀产物膜总厚度Te,本发明的具体实验过程数据举例如下:
[0068] 按步骤和要求制备铜测试片,然后将制备好的铜测试片安装在需要监测的配电室内,记录监测开始时间。监测3个月(90天)后,取出铜测试片,用不透光的密封袋封装,并记录监测结束时间,等待测试。
[0069] 将铜测试片从密封袋中取出,并浸入去离子中。铜测试片完全润湿后,将其作为2
工作电极,采用0.05mA/cm的电流密度进行阴极还原测试,并记录“电位-时间”曲线,如图1所示。
[0070] 在“电位-时间”曲线上,可以清楚地看到,在550-750mV和1000-1150mV两个电位区间内均有一个“平台”,分别对应Cu2O和Cu2S的还原反应过程,反应时间分别为180s和2100s。由此可得腐蚀产物膜中含有Cu2O和Cu2S,没有CuO,并可计算腐蚀产物膜的厚度。
[0071]
[0072]
[0073]
[0074] 换算为监测时间为1个月(30天)的腐蚀产物膜总厚度:
[0075]
[0076] 所以,换算为监测时间1个月的腐蚀产物膜总厚度为 可得该配电室内环境的腐蚀性中等,属于G2等级。本发明不局限于上述具体实施方式,根据上述内容,按照本领域的普通技术知识和惯用手段,在不脱离本发明上述基本技术思想前提下,本发明还可以做出其它多种形式的等效修改、替换或变更,均落在本发明的保护范围之中。
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