1 |
一种MEMS压力传感器 |
CN202211461552.3 |
2022-11-21 |
CN118057134A |
2024-05-21 |
马清杰 |
本发明提供一种MEMS压力传感器,其包括:结构层,其具有正面和背面,在结构层形成有敏感结构、应变薄膜、第一导电结构和第二导电结构;第三绝缘层,其设置于结构层的正面;多个导电窗口,其自第三绝缘层远离结构层的一侧表面至少贯穿所述第三绝缘层,以暴露第二导电结构;导电层,其填充并覆盖导电窗口,以及覆盖第三绝缘层远离结构层的一侧表面,导电层在导电窗口的对应区域外围被分割形成多个相互间隔的导电通道,每个导电通道的一端位于对应的导电窗口内,并与暴露的第二导电结构电接触,另一端与对应的金属电极电接触。与现有技术相比,本发明不仅可以提高传感器性能,而且可以降低加工技术难度、提高产品良率、降低产品成本。 |
2 |
具有高热性能的纳米定位装置 |
CN202311381072.0 |
2023-10-24 |
CN118056641A |
2024-05-21 |
泽柏澔; 维尔温 |
本发明提供一种能够以纳米级精度定位物体的纳米定位装置。该纳米定位装置包括托架组件和致动器,该致动器通过轴耦接到托架组件,用于精确地控制托架组件相对于致动器的位置。托架组件包括前夹具和后夹具。托架组件可相对于附接至底座的轴位移。致动器包括压电叠层和轴,该轴从压电叠层延伸以耦接到前夹具和后夹具,以粘滑驱动托架组件。轴包括多个陶瓷板。多个陶瓷板中的每个陶瓷板均被抛光并且由陶瓷材料制成。多个陶瓷板与前夹具和后夹具接触以实现用于驱动托架组件的摩擦界面。 |
3 |
用于制造MEMS器件帽的方法和系统 |
CN202280067109.X |
2022-07-29 |
CN118055901A |
2024-05-17 |
李大成; A·卡斯伯森 |
一种器件,包括:衬底,该衬底包括第一支座、第二支座、第三支座、第一腔体、第二腔体、以及接合材料,该接合材料覆盖第一支座、第二支座和第三支座的部分。第一腔体被定位在第一支座与第二支座之间,并且第二腔体被定位在第二支座与第三支座之间。第一腔体包括由衬底的突出到第一腔体的部分分开的第一腔体区域和第二腔体区域,并且其中与第一腔体区域相关联的深度大于与第二腔体相关联的深度。第一腔体的表面覆盖有吸气剂材料。 |
4 |
一种晶圆键合对准装置 |
CN202410001811.7 |
2024-01-02 |
CN118053798A |
2024-05-17 |
时磊; 张羽成 |
本发明提供了一种晶圆键合对准装置,包括:热盘,支撑板,限位机构,隔片机构及对准机构;热盘的侧部形成限位槽;对准机构包括浮动板,抵持组件,径向抵靠于抵持组件的顶推组件及第三驱动机构;浮动板横向设置形成于限位槽下方并具导引面的导引支架;顶推组件包括立柱,滚动体,立柱向热盘折弯形成折弯部,浮动板在第三驱动机构的驱动下作升降运动,滚动体在导引面的导引下滑动,折弯部沿限位槽作径向同步伸缩运动,以由折弯部同步对贴合后的第一晶圆与第二晶圆的边缘执行对准,折弯部包括刚性折弯部与柔性折弯部。本申请显著地提高了晶圆同心度对准效果,消除了二次同步对准过程中所产生的横向误差并避免了在键合面上形成空洞。 |
5 |
一种MEMS压阻式加速度计及其制备方法 |
CN202410129504.7 |
2024-01-31 |
CN118050540A |
2024-05-17 |
王德奇; 蒋治国; 董叶飞; 王飞翔 |
本公开的实施例提供一种MEMS压阻式加速度计及制备方法,加速度计包括:下基底;第一衬底,设置于下基底,第一衬底设置有贯穿其厚度的空腔;第二衬底和钝化层,第二衬底设置于第一衬底的上表面,钝化层设置于第二衬底的上表面;其中,第二衬底和钝化层对应空腔的部分共同形成敏感梁;压敏电阻,嵌设于第二衬底;压敏电阻与由第一衬底、第二衬底和支撑框构成的框架或质量块电连接;至少一个金属电极,排布于压敏电阻;引出电极,设置于钝化层,引出电极与金属电极电连接;质量块,位于空腔内,质量块设置于第二衬底的下表面;永磁体,设置于质量块;支撑框,设置于第二衬底上表面;上基底,盖置于支撑结构的上端口。 |
6 |
气流传感器及气流传感器封装结构 |
CN202311252105.1 |
2023-09-26 |
CN116982758B |
2024-05-17 |
孟燕子 |
本发明提供了一种气流传感器及气流传感器封装结构,其中,气流传感器包括层叠设置的基底、振动电极以及固定电极,所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔,旨在通过在气流传感器上设置有至少一个均压结构,并且均压结构与间隙层物理相隔离,以在气流传感器的背腔与气流传感器之外的空间建立连续的流动路径,不仅能够实现在非工作状态下,振动电极的朝向背腔的一侧表面与振动电极的远离背腔的一侧表面的压力均衡,以防止与气流传感器相连接的ASIC检测到信号,从而引起其它部件的误触发,还能够防止从均压孔进入的污染物扩散至振动电极与固定电极之间的间隙层中,降低了产品的失效率。 |
7 |
一种压电微机械超声换能器封装结构及其封装方法 |
CN202310335081.X |
2023-03-28 |
CN116393348B |
2024-05-17 |
吴国强; 刘崇斌; 王向阳 |
本发明属于水下传感器技术领域,公开了一种压电微机械超声换能器封装结构及其封装方法,本发明中的压电微机械超声换能器包括带有贯穿空腔的硅衬底层、位于贯穿空腔上方的换能器薄膜结构,本发明将压电微机械超声换能器固定在载板上,将载板固定在第二封装介质上,第二封装介质围封的空间形成第一腔室,利用第一封装介质充满第一腔室并完全包覆压电微机械超声换能器形成第一封装单元,第一封装介质为声阻匹配的液体介质,第二封装介质为透声固态介质。本发明能够提高压电微机械超声换能器在水下的耐压能力。 |
8 |
MEMS驱动器件及其形成方法 |
CN202010335036.0 |
2020-04-24 |
CN113548636B |
2024-05-17 |
张兆林; 许继辉; 刘国安; 辛淼 |
本发明提供了一种MEMS驱动器件及其形成方法。通过键合具有第二绝缘层和第二导电材料层的第二衬底,从而可精确去除第二衬底,避免对第二导电材料层造成损耗,使得保留的第二导电材料层的厚度可以被精确控制;并且,在去除第二衬底时,是优先利用研磨工艺再结合刻蚀工艺,从而可避免研磨工艺中的机械应力作用在第二导电材料层上,有效改善了在第二导电材料层中容易出现隐裂的问题。 |
9 |
降低到附接MEMS裸芯的应力传递的方法和附接层结构 |
CN201810305348.X |
2018-04-08 |
CN108946653B |
2024-05-17 |
W.C.朗; J.L.阮 |
一种将MEMS裸芯附接到基部的方法,包括选择附接材料(x),确定由于传递到MEMS裸芯的安装应力而引起的最大可接受压力改变(dPtarget),使用等式dPmaxx=h*Bx+Cx确定随着所述附接材料(x)的厚度(h)变化的所述附接材料(x)的最差情况压力差传递函数,其中B=压力变化/厚度(h),且C=压力变化,用dPtarget替代压力差传递函数中的dPmax,并求解等式得到h,其中h=(dPtarget‑Cx)/Bx,以及使用具有至少所计算的厚度(h)的所选择的附接材料(x)将所述MEMS裸芯附接到基部。 |
10 |
具有多层纹理的模具及其制作方法 |
CN202211422578.7 |
2022-11-14 |
CN118033980A |
2024-05-14 |
刘晓宁; 杨颖; 韩春芳; 沈悦; 王钦华; 周文辉; 任佳莹; 伍新华; 衡楠 |
本发明涉及一种具有多层纹理的模具及其制作方法。具有多层纹理的模具的制作方法包括如下步骤:步骤一、提供基模,基模的表面具有第一层纹理,第一层纹理包括至少一种微纳结构;步骤二、将基模表面的第一层纹理复制到具有UV胶的基底上,得到UV胶底纹模具;步骤三、在UV胶底纹模具的具有第一层纹理的表面上形成光刻胶层,之后对光刻胶层进行光刻形成第二层纹理,且露出至少部分第一层纹理,得到具有多层纹理的UV胶底纹模具;以及步骤四、将具有多层纹理的UV胶底纹模具表面的多层纹理复制到底模上,得到具有多层纹理的模具。 |
11 |
一种CMOS MEMS双模态气体压力传感器及制备方法 |
CN202410202479.0 |
2024-02-23 |
CN118026086A |
2024-05-14 |
王晓毅; 丁厚伯; 谢会开 |
本发明公开的一种CMOS MEMS双模态气体压力传感器及制作方法,属于传感器领域。双模态气体压力传感器,包括硅衬底层和二氧化硅结构层;二氧化硅结构层设置于硅衬底层上方;二氧化硅结构层包括禁锢区域和设置于中央的电容式与压阻式双模态的压力传感结构。本发明通过压阻式与电容式的双模态检测来实现高压与低压兼容的高线性度的精确检测,并利用压阻式与电容式压力传感器各自的压力传感优势,能够同时实现低压以及高压的精确检测,增大传感器的气压检测范围。本发明还公开双模态气体压力传感器的制作方法,利用CMOS工艺在同一传感器垂直方向上同时制作电容式与压阻式两种压力传感结构,且本发明制作无需掩模的Post‑CMOS工艺,避免复杂的光刻步骤。 |
12 |
具有减薄部的PMUT结构、其制造方法及包含其的电子设备 |
CN202211370497.7 |
2022-11-03 |
CN118023099A |
2024-05-14 |
庞慰; 牛鹏飞; 张孟伦 |
本发明涉及具有减薄部的PMUT结构、其制造方法及包含其的电子设备。该PMUT结构包括:基底,基底设置有空腔;PMUT,包括第一电极层、压电层和第二电极层,压电层的一侧和另一侧分别设置第一电极层和第二电极层;至少一个空隙部,空隙部沿PMUT厚度方向贯穿至少压电层且与空腔在PMUT厚度方向至少部分重叠,空隙部的靠近空腔的开口端与空腔相通;和阻挡层,其中:阻挡层覆盖空隙部的远离空腔的开口端面。本发明还涉及一种PMUT结构的制造方法以及一种电子设备。 |
13 |
传感器结构及其制备方法、电子设备 |
CN202111014713.X |
2021-08-31 |
CN113666328B |
2024-05-14 |
肖素艳; 穆培祥; 胡维 |
本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备,该传感器结构包括:硅基底;设置在硅基底一侧的膜层结构,其中,硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔;封装基板,封装基板设置在硅基底远离膜层结构的一侧;连接层,设置在硅基底与封装基板之间,连接层中形成有第一空隙,第一空隙用于连通空腔与传感器结构之外的环境。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率以及降低成本。 |
14 |
惯性传感器及其制备方法 |
CN202110791961.9 |
2021-07-13 |
CN113401862B |
2024-05-14 |
庄瑞芬; 胡维; 李刚 |
本申请提供了一种惯性传感器及其制备方法,解决了现有技术中批量生产的惯性传感器的性能均一性较差和电互联难度高的问题。其中,惯性传感器的制备方法包括:提供第一基板,第一基板包括第一导电层;提供第二基板,第二基板包括第一衬底,第一衬底的材料为单晶材料;将第一导电层和第一衬底结合在一起,形成结合界面;形成可动元件,可动元件包括至少部分第一衬底。 |
15 |
骨传导传感器芯片 |
CN202110616380.1 |
2021-06-02 |
CN113277464B |
2024-05-14 |
徐復; 梅嘉欣; 庄瑞芬 |
本申请提供了一种骨传导传感器芯片,解决了现有技术中的骨传导传感器芯片的灵敏度不稳定的问题。其中,骨传导传感器芯片包括:振动膜;质量块,位于振动膜的一侧;以及止挡结构,用于限制质量块在平行于振动膜的方向上的振动幅度。 |
16 |
一种微器件的电磁脉冲微体积高速成形增力结构 |
CN202110517490.2 |
2021-05-12 |
CN113247858B |
2024-05-14 |
崔俊佳; 柳泉潇潇; 朱聪聪; 蒙奕帆 |
本发明涉及一种微器件的电磁脉冲微体积高速成形增力结构,该增力结构包括一级放大器、二级放大器、基座、固定柱、一级可调板、倒V形连杆铰链结构、菱形连杆铰链结构;倒V形连杆铰链结构上端与一级放大器底端铰接,左右底端与左右对称分布的两个菱形连杆铰链结构内端分别铰接连接,两个菱形连杆铰链结构的上、下两端分别对称铰接安装在一级可调板、二级放大器上的滑块上,通过滑块能够沿一级可调板、二级放大器表面同步滑动,两个菱形连杆铰链结构的外端分别与左、右固定柱相连接;工件放置在二级放大器输出端正下方基座上。本发明能实现初始的3.7倍增力,且增力倍数随着行程增大而增大,特别有利于微体积成形末段微零件的微细节复制。 |
17 |
悬臂梁及其制造方法 |
CN202010541479.5 |
2020-06-15 |
CN111717880B |
2024-05-14 |
王宁; 徐峰; 薛飞 |
本发明提供一种悬臂梁及其制造方法。本发明的悬臂梁包括沿第一方向(y)延伸的主体和一体地形成于所述主体的所述第一方向的一端的固定端部,该固定端部沿着与所述第一方向大致垂直的第二方向(x)延伸,所述悬臂梁包括沿所述第二方向延伸的纳米微桥,所述悬臂梁的主体通过所述纳米微桥与所述固定端部连接。本发明的制造方法利用聚焦离子束刻蚀技术,对已有的悬臂梁母体进行刻蚀加工来形成本发明的悬臂梁。本发明的悬臂梁的弹性系数相比于现有的悬臂梁大大降低,能够用于极灵敏力探测实验。 |
18 |
用于感测振动、尤其是固体声的微机械模块和方法 |
CN201880009425.5 |
2018-01-10 |
CN110248891B |
2024-05-14 |
M·布林德尔 |
本发明提出一种用于施加到基体(60)上以感测在所述基体(60)中的振动的微机械模块(100),该微机械模块包括:具有空腔(51)的壳体(50),其中,所述空腔(51)是声学有效容积;衬底(40);麦克风(10),该麦克风声耦合到所述空腔(51)上并且设置成用于感测所述振动的横波;和MEMS加速度传感器(20),其中,所述MEMS加速度传感器(20)设置成用于感测所述振动的沿着平行于所述基体(60)的表面(64)的至少一个测量轴线(21)的纵波,并且其中,所述衬底(40)使所述麦克风(10)和所述MEMS加速度传感器(20)相互电地和机械地连接并且具有用于输出的共同接口(43)。 |
19 |
一种基于柔性薄膜的MEMS执行器及其制作方法 |
CN201711383154.3 |
2017-12-20 |
CN107934906B |
2024-05-14 |
黄继宝; 钱金贵; 冮建华; 黄波 |
本发明公开了一种基于柔性薄膜的MEMS执行器,构成包括透明基底(1),透明基底(1)的中部设有铜线圈(2),铜线圈(2)的两端分别连接有设置在透明基底上的导电片(3),透明基底(1)的两侧经间隔层(4)设有硅衬底(7),硅衬底(7)上设有一层柔性薄膜(5),柔性薄膜(5)的内表面上设有一层磁性复合层(6),磁性复合层(6)位于铜线圈(2)的上方。本发明具有优异的柔韧性和高断裂强度,大大增加了设备的稳定性和效能以及使用寿命。本发明还采用磁性复合材料来替代永磁铁的使用,可以同时保证薄膜的柔性和磁力的强度,提高了实用性和便利性。 |
20 |
具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器及其制备方法 |
CN202410129008.1 |
2024-01-31 |
CN118010808A |
2024-05-10 |
陈涛; 杨蕴秀; 蒋治国; 董叶飞 |
本发明提供的具有热磁式测温结构的MEMS微热板式气体传感器及其制备方法,涉及传感器领域;传感器包括衬底和设置在衬底上方的膜片结构;膜片结构包括自下而上层叠设置的钝化层、加热电极、永磁薄膜层、第一传热绝缘层、热检测电极、第二传热绝缘层、气体检测电极和气敏薄膜;工作时,加热电极用作热源产生的分别向传感区和气敏薄膜传递;气敏薄膜接收热流升温至工作温度区间与待测气体发生反应后改变其电阻,经气体检测电极检测后转换为待测气体浓度;永磁薄膜层工作时产生磁场,热检测电极基于能斯托效应将气敏薄膜的反应温度变化转换为输出电压变化,实现实时监测气敏薄膜反应温度。 |