一种氧化铝二维光子晶体制备方法
专利汇可以提供一种氧化铝二维光子晶体制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 氧 化 铝 二维 光子 晶体制备方法，包括以下步骤：通过对 铝片 进行预处理及 阳极 电化学 抛光 ，进行第一次 阳极氧化 ，去除第一次氧化膜，进行第二次阳极氧化以及扩孔处理，满足在二维光子晶体制备过程中光子晶体样品可控性高、断裂少、有序度高、结晶性好的要求。，下面是一种氧化铝二维光子晶体制备方法专利的具体信息内容。
1.一种氧化铝二维光子晶体制备方法，其特征在于，所述方法包括以下操作步骤：
S1，对铝片进行预处理及阳极电化学抛光；
S2，进行第一次阳极氧化；
S3，去除第一次氧化膜；
S4，进行第二次阳极氧化以及扩孔处理。
2.根据权利要求1所述的氧化铝二维光子晶体制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：将铝片切割成1×2 cm的小片，在管式炉中以500度的高温在氮气保护下退火4 h，退火后取出铝片压平，在丙酮中超声1 h去除表面油脂；处理后的铝片在电解液中进行阳极电化学抛光，电压为17V，温度为4℃，在2 min后获得镜面似的表面。
3.根据权利要求2所述的氧化铝二维光子晶体制备方法，其特征在于，所述电解液包括乙醇和高氯酸，所述电解液的比例乙醇：高氯酸=4:1。
4.根据权利要求1所述的氧化铝二维光子晶体制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：将抛光处理后的铝片作为阳极，惰性金属钛板作为阴极，以0.3M的草酸作为电解液进行阳极氧化反应，控制反应温度在4℃，氧化电压为40V，第一次阳极氧化的时间为4h。
5.根据权利要求1所述的氧化铝二维光子晶体制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：将第一次阳极氧化的铝片浸泡在6%磷酸和4%铬酸混合液中，在60℃中浸泡1h以去除第一次阳极氧化形成的氧化膜，去除后用蒸馏水冲洗。
6.根据权利要求1所述的氧化铝二维光子晶体制备方法，其特征在于，所述步骤S4具体为：在去除第一次氧化膜后，将铝片同第一次阳极氧化相同的条件进行第二次阳极氧化，氧化时间根据后续实验需求进行调整，在第二次阳极氧化后将铝片浸泡在5%磷酸溶液中，控制温度在30℃扩孔处理30 min得到所需孔径的氧化铝二维光子晶体。
一种氧化铝二维光子晶体制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
S2，进行第一次阳极氧化；
S3，去除第一次氧化膜；
S4，进行第二次阳极氧化以及扩孔处理。
附图说明
具体实施方式
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