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一种5G天线板材料内层过粗化工艺

阅读:11发布:2020-05-08

专利汇可以提供一种5G天线板材料内层过粗化工艺专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种5G天线板材料内层过粗化工艺,包括以下步骤:步骤一, 板面 开料;步骤二,内层蚀刻;步骤三,板面检查;步骤四,化学除胶;步骤五,棕化处理;步骤六,整体压合;利用高锰酸 钾 除去基材表面胶层,并使粘接面变得粗糙,再利用RO4450F的百折胶将基材和芯板整体压合。本发明在压合工艺中,使用的RO4450F百折胶流动性差,是不留胶PP;在内层蚀刻光板后,对内层光板用化学除胶法,粗化陶瓷填料的板面,增加百折胶与 基板 之间的结合 力 ,百折胶半 固化 片 熔化 后溢胶渗填到到粗糙的凹面内,不会爆板分层,解决了压合分层难题。,下面是一种5G天线板材料内层过粗化工艺专利的具体信息内容。

1.一种5G天线板材料内层过粗化工艺,包括以下步骤:步骤一,板面开料;步骤二,内层蚀刻;步骤三,板面检查;步骤四,化学除胶;步骤五,棕化处理;步骤六,整体压合;其特征在于:
所述步骤一中,板面开料包括以下步骤:
1)按照工程生产指示,核对材料按要求尺寸下料;
2)将开好的板整齐放置,小心折皱及压伤;
所述步骤二中,内层蚀刻包括以下步骤:
1)利用微蚀剂将板面化层及面杂质去除后洗,并烘干;
2)按照0.5OZcu7-10hz;1.0OZcu12-15hz的蚀刻速度将板面的铜蚀刻掉,露出线路;
所述步骤三中,利用自动光学检测检查板面是否光滑,以及有无蚀刻不净、侧蚀现象;
所述步骤四中,化学除胶包括以下步骤:
1)利用高锰酸在70℃下浸泡5min,粗化基材光面,除去表面留胶;
2)利用100mL/L的硫酸溶液对基材进行中和后水洗,并烘干;
所述步骤五中,对基材进行常规棕化处理,使其内层铜箔表面生成一层氧化层;
所述步骤六中,利用RO4450F的百折胶将基材和芯板整体压合。
2.根据权利要求1所述的一种5G天线板材料内层过粗化工艺,其特征在于:所述步骤一
1)中,开料时需戴手指套。
3.根据权利要求1所述的一种5G天线板材料内层过粗化工艺,其特征在于:所述步骤二
1)中,微蚀剂为双氧水、硫酸质、过硫酸铵或过硫酸钠,且品质至少应是CP级的。
4.根据权利要求1所述的一种5G天线板材料内层过粗化工艺,其特征在于:所述步骤二
2)中,做出首件后,其余以首件参数为准。
5.根据权利要求1所述的一种5G天线板材料内层过粗化工艺,其特征在于:所述步骤四
1)中,高锰酸钾溶液的浓度为60g/L。
6.根据权利要求1所述的一种5G天线板材料内层过粗化工艺,其特征在于:所述步骤五中,棕化处理前需用600号以上的砂纸打磨。
7.根据权利要求1所述的一种5G天线板材料内层过粗化工艺,其特征在于:所述步骤六中,压合作业过程中上、下均垫有50μm的离型膜
8.根据权利要求1所述的一种5G天线板材料内层过粗化工艺,其特征在于:所述步骤六中,所述RO4450F的百折胶和芯板压合后的厚度为1.87±0.15mm,且最终成品的厚度为1.97±0.19mm。

说明书全文

一种5G天线板材料内层过粗化工艺

技术领域

[0001] 本发明涉及5G天线板生产技术领域,具体为一种5G天线板材料内层过粗化工艺。

背景技术

[0002] 业内5G的天线板要求用RO4730G3(JXR)的材料,基于这种材料的特性,白色陶瓷面很光滑,由于是光滑的表面,压合压不紧,导致有分层的险,由于5G天线的电器性能要求的材料的DK值为3.0,电信号是高频传输,芯板选用RTF箔,压合用的4450F的陶瓷填料的PP,它属于不留胶PP, 流动性差的特性,陶瓷料太光滑,所以才会有填胶不足缺胶的风险;三层板,光基材面,压合无法压紧而分层;用RTF铜箔的芯板,铜箔蚀刻后,基材面光滑无铜压,4450F的PP很难和光滑的基材面结合,在常规的设计与做法,内层不除胶,很少有三层板设计,在5G天线时代,GERBER设计都是三层板设计,结构发生了变化,导致工艺需要同步跟着改变,因此设计一种5G天线板材料内层过粗化工艺是十分有必要的。

发明内容

[0003] 本发明的目的在于提供一种5G天线板材料内层过粗化工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
[0004] 为了解决上述技术问题,本发明提供如下技术方案:一种5G天线板材料内层过粗化工艺,包括以下步骤:步骤一,板面开料;步骤二,内层蚀刻;步骤三,板面检查;步骤四,化学除胶;步骤五,棕化处理;步骤六,整体压合;所述步骤一中,板面开料包括以下步骤:
1)按照工程生产指示,核对材料按要求尺寸下料;
2)将开好的板整齐放置,小心折皱及压伤;
所述步骤二中,内层蚀刻包括以下步骤:
1)利用微蚀剂将板面化层及铜面杂质去除后洗,并烘干;
2)按照0.5OZcu7-10hz;1.0OZcu12-15hz的蚀刻速度将板面的铜蚀刻掉,露出线路;
所述步骤三中,利用自动光学检测检查板面是否光滑,以及有无蚀刻不净、侧蚀现象;
所述步骤四中,化学除胶包括以下步骤:
1)利用高锰酸在70℃下浸泡5min,粗化基材光面,除去表面留胶;
2)利用100mL/L的硫酸溶液对基材进行中和后水洗,并烘干;
所述步骤五中,对基材进行常规棕化处理,使其内层铜箔表面生成一层氧化层;
所述步骤六中,利用RO4450F的百折胶将基材和芯板整体压合。
[0005] 根据上述技术方案,所述步骤一1)中,开料时需戴手指套。
[0006] 根据上述技术方案,所述步骤二1)中,微蚀剂为双氧水、硫酸质、过硫酸铵或过硫酸钠,且品质至少应是CP级的。
[0007] 根据上述技术方案,所述步骤二2)中,做出首件后,其余以首件参数为准。
[0008] 根据上述技术方案,所述步骤四1)中,高锰酸钾溶液的浓度为60g/L。
[0009] 根据上述技术方案,所述步骤五中,棕化处理前需用600号以上的砂纸打磨。
[0010] 根据上述技术方案,所述步骤六中,压合作业过程中上、下均垫有50μm的离型膜
[0011] 根据上述技术方案,所述步骤六中,所述RO4450F的百折胶和芯板压合后的厚度为1.87±0.15mm,且最终成品的厚度为1.97±0.19mm。
[0012] 与现有技术相比,本发明在压合工艺中,使用的RO4450F百折胶流动性差,是不留胶PP;在内层蚀刻光板后,对内层光板用化学除胶法,粗化陶瓷填料的板面,增加结合,百折胶半固化熔化后溢胶渗填到到粗糙的凹面内,不会爆板分层,解决了压合分层难题。附图说明
[0013] 附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:图1是本发明的整体工艺示意图。

具体实施方式

[0014] 下面将结合附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0015] 请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种5G天线板材料内层过粗化工艺,包括以下步骤:步骤一,板面开料;步骤二,内层蚀刻;步骤三,板面检查;步骤四,化学除胶;步骤五,棕化处理;步骤六,整体压合;其中在所述步骤一中,板面开料包括以下步骤:
1)按照工程生产指示,核对材料按要求尺寸下料,开料时需戴手指套;
2)将开好的板整齐放置,小心折皱及压伤;
所述步骤二中,内层蚀刻包括以下步骤:
1)利用微蚀剂将板面氧化层及铜面杂质去除后水洗,并烘干,微蚀剂为双氧水、硫酸质、过硫酸铵或过硫酸钠,且品质至少应是CP级的;
2)按照0.5OZcu7-10hz;1.0OZcu12-15hz的蚀刻速度将板面的铜蚀刻掉,露出线路,做出首件后,其余以首件参数为准;
所述步骤三中,利用自动光学检测检查板面是否光滑,以及有无蚀刻不净、侧蚀现象;
所述步骤四中,化学除胶包括以下步骤:
1)利用高锰酸钾在70℃下浸泡5min,粗化基材光面,除去表面留胶,高锰酸钾溶液的浓度为60g/L;
2)利用100mL/L的硫酸溶液对基材进行中和后水洗,并烘干;
所述步骤五中,用600号以上的砂纸打磨基材,对基材进行常规棕化处理,使其内层铜箔表面生成一层氧化层;
所述步骤六中,利用RO4450F的百折胶将基材和芯板整体压合,压合作业过程中上、下均垫有50μm的离型膜,RO4450F的百折胶和芯板压合后的厚度为1.87±0.15mm,且最终成品的厚度为1.97±0.19mm。
[0016] 基于上述,本发明压合工艺中,使用的RO4450F百折胶的流动性差,是不留胶PP;在内层蚀刻光板后,对内层光板用化学除胶法,粗化陶瓷填料的板面,增加结合力,百折胶半固化片熔化后溢胶渗填到到粗糙的凹面内,不会爆板分层,解决了压合分层难题。
[0017] 需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
[0018] 最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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