发光装置
阅读：29发布：2020-05-11
专利汇可以提供发光装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种发光装置包含设于一发光 像素 上的一视窗和一 准直 元件。发光像素对入射环境光线的光反射效能是藉由使所述视窗呈现具有至少二区域而设置，其中上述至少二区域中的一区域对入射环境光线的透光度小于另一区域。发光像素包含多个子像素，彼此以一空间隔开，且空间小于一人类眼睛的解析度。，下面是发光装置专利的具体信息内容。
1.一种发光装置，其特征在于，包含：
一视窗，设于一发光像素上，其中所述发光像素对一入射环境光线的一光反射效能是藉由使所述视窗呈现具有至少二区域而设置，其中所述至少二区域中的一区域对所述入射环境光线的透光度小于所述另一区域，其中所述发光像素包含多个子像素，彼此以一空间隔开，且所述空间小于一人类眼睛的解析度；以及
一准直元件，设于所述发光像素上。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述视窗包含一光致变色材料。
3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光像素为单色像素。
4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包含一共用电极，其位于所述这些子像素下方。
5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，每一子像素与位于其下方的一电极区段接触。
6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，每一子像素的所述电极区段分别连接至一导电栓。
7.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述准直元件包括一第一区和一第二区，其中所述第一区和所述第二区对一来自所述发光像素的光线的准直度不同。
8.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包含围绕所述准直元件的一黑体。
9.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述准直元件设于所述视窗之上。
10.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述准直元件设于所述视窗之下。
11.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，相较于一参考介质，所述准直元件包括一高折射率材料。
12.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述准直元件至少包括一图案化光学膜、光学准直透镜、光纤或其组合。
13.一种发光装置，其特征在于，包含：
一发光阵列，包含多个发光像素；
一光学视窗，位于所述这些发光像素至少一者上方，其中所述所述光学视窗包含至少一第一区块及一第二区块，其中所述第一区块与所述发光像素的一第一区域垂直排列，且所述第二区块与所述发光像素的一第二区域垂直排列，其中所述第一区块与所述第二区块间对一入射环境光线之一透光度不同；
一准直元件，位于所述这些发光像素至少一者上方；以及
一电极，位于所述光学视窗与所述发光像素间。
14.如权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述准直元件包含至少一第一区及一第二区，其中所述第一区与所述第一区块垂直排列，且所述第二区与所述第二区块垂直排列。
15.如权利要求14所述的发光装置，其特征在于，所述准直元件的所述第一区的一折射率大于所述准直元件的所述第二区的一折射率。
16.如权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述准直元件至少包括一图案化光学膜、光学准直透镜、光纤或其组合。
17.如权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述准直元件部分覆盖所述光学视窗。
18.一种发光装置，其特征在于，包含：
一光学视窗，设于一发光像素上，其中所述发光像素对一来自所述发光像素的一光线的一光准直程度是藉由使所述光学视窗呈现具有至少二区而设置，其中所述至少二区中的一区对所述光线的准直度大于所述另一区，且所述发光像素为单色像素。
19.如权利要求18所述的发光装置，其特征在于，所述至少二区中的一区的一面积与所述另一区不同。
20.如权利要求18所述的发光装置，其特征在于，所述发光像素包含多个子像素，彼此以一空间隔开，且所述空间小于一人类眼睛的解析度。
发光装置
技术领域
[0001] 本揭示内容是关于发光装置，特别是有机发光装置。
背景技术
[0003] 一种发光装置包含设于一发光像素上的一视窗，其中所述发光像素对入射环境光线的光反射效能是藉由使所述视窗呈现具有至少二区域而设置，其中上述至少二区域中的一区域对入射环境光线的透光度小于另一区域。
[0004] 在某些实施方式中，所述视窗包含一光致变色材料。在某些实施方式中，所述视窗为内嵌于发光装置中的图样化薄膜。在某些实施方式中，所述视窗与发光像素接触。在某些实施方式中，所述发光像素为单色像素。在某些实施方式中，所述发光像素包含多个子像素，彼此以一空间隔开，且所述空间小于人眼的解析度。在某些实施方式中，所述发光装置还包含一共用电极，位于所述这些子像素下方。在某些实施方式中，每一子像素与位于其下方的一电极区段接触。在某些实施方式中，每一子像素的电极区段分别连接至一导电栓。在某些实施方式中，所述发光装置还包含围绕导电栓的一黑体。在某些实施方式中，所述这些子像素间的总面积不同。
[0005] 一种发光装置包含一发光阵列，其具有多个发光像素。所述发光装置亦具有位于所述这些发光像素中至少一者上方的一光学视窗，其中所述光学视窗包含至少一第一区块及一第二区块，其中第一区块与发光像素的第一区域垂直排列，且第二区块与发光像素的第二区域垂直排列，其中第一区块与第二区块间对于入射环境光线的透光度不同。在某些实施方式中，所述光学视窗包含一光致变色材料。在某些实施方式中，所述第一区块进一步延伸而使其总面积大于第一区域的总面积。在某些实施方式中，所述光学视窗包含滤色器及偏光片其中至少一者。在某些实施方式中，所述光学视窗被介电层所围绕。在某些实施方式中，所述发光装置还包含一电极，其是位于光学视窗与发光像素间。在某些实施方式中，所述电极经图样化而仅覆盖发光像素的发光层。在某些实施方式中，所述发光层为有机发光层。附图说明
[0006] 图1为发光装置的中间产物的剖面图。
[0007] 图2为与图1对应的俯视图。
[0008] 图3为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0009] 图4为与图3对应的俯视图。
[0010] 图5为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0011] 图6A为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0012] 图6B为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0013] 图6C为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0014] 图7为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0015] 图8为与图7对应的俯视图。
[0016] 图9为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0017] 图10为图9的一部分的放大图。
[0018] 图11为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0019] 图12为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0020] 图13为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0021] 图14为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0022] 图15为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0023] 图16为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0024] 图17为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0025] 图18为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0026] 图19为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0027] 图20为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0028] 图21为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
[0029] 图22为另一种发光装置的中间产物的剖面图。
具体实施方式
[0030] 在使用发光装置时，其对比度会大幅受到环境光线的影响。举例来说，若在室内温和的环境光线下使用发光装置，进入所述发光装置的光线相较于在户外阳光下使用时来得少。发光装置运用某些具有高反射性的内嵌结构(譬如电极、金属薄膜)来反射从外界进入发光装置中的光线，而此种反射的环境光线会和发光装置本身发出的光线竞争。当在艳阳下使用发光装置时，其对比度会降低，使用者甚至可能看到显示屏幕变黑。
[0031] 某些现有技术采用了不同的解决方案，包含在发光装置加入光学材料譬如滤色器、偏光片或光致变色材料，以降低进入的环境光线的影响。在某些情形中，将此类光学材料设置并未用以接收发光像素的区域，举例来说，图样或像素定义层或(pattern or pixel defined layer，PDL)。此种方案可部分减低进入装置的环境光线，然而通常因不可避免的高反射电极而贡献最多反射的发光像素会被包围。在另一些例子中，将光学材料以没有选择性的方式设置于整个区域中。如此一来，可以有效降低来自高反射性内嵌结构的反射，但却牺牲了发光装置的发光效率。
[0032] 本揭示内容提出一种解决方案，其是在发光装置中针对相对应的发光像素形成一视窗。所述视窗位于发光装置中，且可将其设置于装置中的多种位置上。所述视窗具有至少两个区块，且每一区块对环境光线的透光度不同。在某些实施方式中，所述视窗包含一光学材料。在某些实施方式中，所述视窗设于一预定位置上，而进入的环境光线可行经所述预定位置。在某些实施方式中，将所述视窗界定为一区域。在某些实施方式中，所述视窗设于一预定位置上，而发光像素发出的光线可行经所述预定位置。
[0033] 于本揭示内容中，「一发光像素」一词是指经设置可发出一种单色(monochrome)光线的发光单元。在某些实施方式中，一发光像素是指一「单一个」发光像素。在某些实施方式中，一发光像素包含在一范围中成群排置的数个子像素。所述子像素经设计可发出相同的单色光，但彼此在发光层上物理上隔开。上述成群排置的范围可小于50um，且当以人类肉眼观察时，会将所述这些子像素视为一个发光像素。然而，可在设备(譬如光学显微镜(optical microscope，OM))的辅助下鉴别这些成群的子像素。在本揭示内容中，可将单色光称为包含数种波长的光线，但光线经会聚后使用者肉眼可观察到单一色彩。
[0034] 图1为发光装置10的简化示意图，其包含一代表性的发光像素100。发光像素100可位于发光装置10的发光像素阵列中。以虚线箭头表示来自周围并进入发光装置10的光线。一视窗200设于环境光线通过的路径上。可视需要而采用一遮罩300，以使位于发光装置10中的结构和周围隔开。来自周围的光线通过视窗200后进入发光装置10。在某些实施方式中，视窗200是原位形成于发光装置10中的薄膜。发光像素100对入射环境光线的光反射效能受到经设置有至少二区域的视窗的调节。一区域对入射环境光线的透光度小于另一区域。
[0035] 发光像素100包含第一电极102及第二电极104。发光像素100亦具有设于第一电极102及第二电极104的间的发光层103。在某些实施方式中，发光层103包含有机发光材料。在某些例子中，第一电极102包含金属材料。在某些例子中，第二电极104包含金属材料，譬如Cu、Al、Ag、Au等。在某些例子中，第二电极104包含透明导电材料。在某些实施方式中，第一电极102为阴极而第二电极104为阳极。
[0036] 于本实施方式中，视窗200设于发光像素100上方。视窗200有第一区块202与第二区块204。在某些实施方式中，在发光像素100上方设置一薄膜，之后再将视窗200图样化以形成不同区块，进而制得视窗200。在某些实施方式中，可采用光刻或蚀刻制程以将薄膜图样化而形成不同区块。第一区块202与第二区块204的薄膜厚度可以不同。在某些实施方式中，移除薄膜的一部分以形成第二区块204，而使得第二区块204比第一区块来得薄。在某些实施方式中，第二区块204的薄膜厚度约为0。
[0037] 第一区块202与第二区块204间的一个主要区别特征在于对进入的环境光线的光学响应不同。第一区块202经设置而使其对进入的环境光线的透光度低于第二区块204。从俯视图来看，发光像素100的光学效能被分成两个部分，如图2所示。发光像素100的发光区域被第一区块202覆盖，而受覆盖的区域的光学效能会受到第一区块202的影响。相似地，发光像素100的发光区域位于第二区块204下，且受其覆盖区域的光学效能会受到第二区块204的影响。
[0038] 举例来说，若第一区块202包含一滤光片，其对预定波长光谱的吸收率约为70％，而第二区块204则经设置为对可见光实质上为透明的。当在户外操作发光装置10时，进入发光装置10的光线在到达发光像素100之前会碰到视窗200。行经第一区块202的光线会被大幅吸收，且只有预定波长光谱的光线才能通过第一区块202，因此，来自被第一区块202覆盖的像素区域的反射会远低于被第二区块204覆盖的像素区域。虽然来自被第二区块204覆盖侧的反射并未改变，可透过运用视窗200来减少发光像素100的反射。虽然发光像素的大部分被视窗200所覆盖，但可以改善发光装置10的抗反射与及对比度。在某些实施方式中，第一区块202包含与发光像素100对应的滤色器。举例来说，发光像素100为红色像素，而第一区块202包含一红色滤色器。
[0039] 在某些实施方式中，第一区块202包含一光致变色材料。所述光致变色材料在黑暗中是无色的，而当受到太阳光或紫外光照射时，光致变色材料的分子结构会改变并显露出颜色。当移除相关光源时，颜色也会消失。若在太阳光下使用发光装置10，进入的太阳光的一部分会在到达发光像素100前被第一区块202挡住。因此，可以减少来自发光像素100的反射。在某些实施方式中，第一区块包含一偏光片。
[0040] 在某些实施方式中，第二区块204为视窗200的空白区域，如图3所示。以虚线绘制第二区块204，以表示在剖面图中所述区域并无实体材料存在。第一区块202的总面积小于发光像素100的发光区域总面积。发光像素100部分受到第一区块202的调控。图4为图3的俯视图，并显示出发光像素100的一部分由虚拟的第二区块204露出。
[0041] 在某些实施方式中，视窗200与发光像素100的第一电极102接触。在某些实施方式中，视窗200位于发光像素100的第一电极102上方，并有一介电质沿着垂直方向设于视窗200与第一电极102间。在某些实施方式中，一封装材料包含氧化物或氮化物沿着垂直方向设于视窗200与第一电极102间。在某些实施方式中，一聚合物材料沿着垂直方向设于视窗
200与第一电极102间。所述垂直方向在此是指沿着发光像素100与视窗200堆叠的方向。
200与第一电极102间。所述垂直方向在此是指沿着发光像素100与视窗200堆叠的方向。
[0042] 在图6A中，视窗200与发光像素100接触。视窗200亦位于一介电质250与发光像素100间。在某些例子中，视窗200在第一侧与发光像素100接触，在与第一侧相反的另一侧和介电质250接触。
[0043] 在图6B中，视窗200位于发光像素100上方，但被介电质250围绕。在某些实施方式中，视窗200在第一侧与发光像素100接触，在与第一侧相反的另一侧和介电质250接触。在某些实施方式中，视窗200完全被介电质250围绕而并未与发光像素100有任何接触。
[0044] 在图6C中，视窗200位于发光像素100上方，但被一材料层270围绕。在某些实施方式中，所述材料层是和介电质250不同的另一种介电质。在某些实施方式中，材料层包含氧化物。在某些实施方式中，材料层经设置为发光装置的遮罩层。在某些实施方式中，材料层包含聚合物材料。
[0045] 在某些实施方式中，视窗200在第一侧与介电质250接触，在与第一侧相反的另一侧和材料层270接触。在某些实施方式中，视窗200完全被材料层围绕而并未与介电质250有任何接触。
[0046] 在某些实施方式中，一发光像素可包含数个子像素，如图7所示。发光像素100具有至少两个子像素110及120。子像素110与子像素120分别用以发出具有相同波长光谱的光线。在某些实施方式中，子像素110与120的载子传输层与载子注入层相同。在某些实施方式中，子像素110与120间的水平间隔S小到人类肉眼无法区别。因此，从使用者的角度而言，子像素110与120是以「单一」单色发光像素的型式运作。
[0047] 在某些实施方式中，所述间隔S小于约50um。在某些实施方式中，所述间隔S小于约30um。在某些实施方式中，所述间隔S小于约20um。在某些实施方式中，所述间隔S小于约
10um。在某些实施方式中，所述间隔S小于约8um。在某些实施方式中，所述间隔S小于约5um。
在某些实施方式中，所述间隔S为0。在某些实施方式中，所述间隔小于人眼从25公分的距离观看时的解析度。
10um。在某些实施方式中，所述间隔S小于约8um。在某些实施方式中，所述间隔S小于约5um。
在某些实施方式中，所述间隔S为0。在某些实施方式中，所述间隔小于人眼从25公分的距离观看时的解析度。
[0048] 运用于多子像素组态中的视窗200和图1-6的实施例所用的视窗200类似。此处的光学视窗200亦具有两个区块。一第一区块202实质上与子像素110垂直排列，而一第二区块204实质上与子像素120垂直排列(如图7和8所示)。第一区块202的透光度和第二区块204不同。在某些实施方式中，由子像素110反射的光线反射远少于来自子像素120的光线反射，因为第一区块202包含至少一滤光片、偏光片、光致变色材料或其他光学材料。
[0049] 虽然视窗200的第一区块202会减少来自子像素110的入射环境光线的反射，由子像素110向使用者发出的光强度也会减低。对于第二区块204，有更多的环境光线进入子像素120并被反射(相较于子像素110)，然而，子像素120的发光强度下降(luminous intensity drop)远低于子像素110。
[0050] 在多子像素组态中，可针对每一使用者依其偏好模式而调整每一发光像素的反射与发光强度。于本揭示内容中，有多种方式可以平衡每一像素的平衡反射与发光强度。
[0051] 在某些实施方式中，子像素110的总发光面积和子像素120的总发光面积不同。图8为图7的俯视图，而图7是沿着图8中AA线段的剖面图。由俯视图可以看出，视窗200的第一区块202实质上设于子像素110上方，且第二区块204实质上设于子像素120上方。以实线矩形方块标示每一子像素的总有效发光区域。在某些实施方式中，子像素的总有效发光区域是如图1中第一电极102覆盖于发光层103的总区域。在某些实施方式中，子像素110的总有效发光面积大于子像素120的总有效发光面积。
[0052] 在某些实施方式中，子像素110的总有效发光面积大于子像素120的总有效发光面积。在某些实施方式中，子像素110的总有效发光面积比子像素120的总有效发光面积高出两倍。在某些实施方式中，子像素110的总有效发光面积比子像素120的总有效发光面积高出四倍。在某些实施方式中，子像素110的总有效发光面积比子像素120的总有效发光面积高出六倍。
[0053] 可基于对视窗200的设计需求，将发光像素第二电极设置为各种型式。如图9所示，第二电极104的厚度不均匀。在与第一区块202垂直排置的区域中，第二电极经设置以具有至少两个垂直堆叠的层。层104a堆叠于层104b上。在某些实施方式中，层104a包含透明导电材料譬如ITO、IZO等，而层104b为金属导电薄膜。在某些实施方式中，层104a对可见光的透光度高于层104b的透光度。在某些实施方式中，层104a的薄片电阻(sheet resistance)高于层104b的薄片电阻。在与第二区块204垂直排置的区域中，第二电极经设置为具有一层，即层104a。在某些实施方式中，层104a为透明导电材料。在某些实施方式中，可将在水平方向上测量的第二电极104的有效薄片电阻大致上分为高电阻部分(与视窗200的第二区块204垂直排置)以及低电阻部分(与视窗200的第一区块202垂直排置)。图10为图9的第二电极104的放大图。层104b沿着水平方向延续地延伸并共形地设于层104a上。层104b的一部分有一底面，与层104a的底面共平面。
[0054] 在运用多子像素组态的实施方式中，可将每一子像素的第二电极104区分成多个区段，如图11所示。这些区段彼此以聚合物材料150隔开。在某些实施方式中，聚合物材料150经设置为一像素/子像素定义层(PDL)。在某些实施方式中，聚合物材料150具有光敏感性。在某些实施方式中，聚合物材料150包含黑体(black material，BM)。不同区段的总面积不同。在某些实施方式中，每一区段的总面积正比于相应子像素的总有效发光面积。在某些实施方式中，每一区段的总面积大于相应子像素的总有效发光面积。
[0055] 在某些实施方式中，第二电极104的一区段设于发光子像素110下方，且位于子像素110下方的区段有一透明导电层104a与一金属导电层104b。视窗200的第一区块202经设置与大致上与子像素110及电极区段104a/b并排。进入发光装置的光线可通过层104a，但会被层104b反射。然而，反射的光线在进入使用者眼睛前会先被第一区块202减少。第二电极104的另一区段设于发光子像素120下方。位于子像素120下方的电极区段仅具有透明导电层104a，而不具有高反射性层104b。在某些实施方式中，由于来自子像素120侧的反射比起子像素110来得低，第二区块204可包含高透光度材料。在某些实施方式中，可以实际上由视窗200中移除第二区块204。
[0056] 在某些实施方式中，每一电极区段连接至一导电栓。子像素110得电极区段和导电栓142接触，而子像素120的电极区段和导电栓144接触。在某些实施方式中，导电栓142与导电栓144电性连接。在某些实施方式中，导电栓142与导电栓144经设计具有相同的电位。
[0057] 导电栓设于一介电质材料50中。介电质材料50位于第二电极104与子像素下方。在某些实施方式中，介电质材料50包含一光线吸收材料，其可吸收进入装置的光线。在某些实施方式中，介电质材料50包含黑体(BM)。在某些实施方式中，介电质材料50经设置为薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)阵列的平坦化层。TFT阵列(图中未绘示)位于材料50下方。在某些实施方式中，介电质材料50位于薄膜晶体管阵列之互连与第二电极104之间。在某些实施方式中，介电质材料50位于互连电容器与第二电极104之间。
[0058] 图12绘示发光装置中的RGB发光单元，其具有三个发光像素，且每一发光像素有至少两个子像素。红色发光像素100R有子像素110R及子像素120R。绿色发光像素100G有子像素110G及子像素120G。蓝色发光像素100B有子像素110B及子像素120B。可任选地，每一像素上设有一光学视窗。光学视窗区块202R与子像素110R垂直排置，以降低来自子像素110R下方电极的反射。光学视窗区块202G与子像素110G垂直排置，以降低来自子像素110G下方电极的反射。光学视窗区块202B与子像素110B垂直排置，以降低来自子像素110B下方电极的反射。
[0059] 图13为另一种发光装置的中间产物的剖面图。发光装置10还可以包括准直元件400。准直元件400设置在由发光像素100产生的光线可以穿过的路径上。准直元件400用于将来自发光像素100的大角度的发散光准直成小角度的准直光。来自发光像素100的光线通过准直元件400后，才进入外界环境。准直元件400可以协助在特定方向上的光的前进达到近乎平行直进的程度。在来自发光像素100的光通过准直元件400之后，光变为准直光，因此可使光在传播时得以最小程度的扩散。
[0060] 如图13所示，准直元件400可以设置在发光像素100的上方，并设置在视窗200的上方。准直元件400可以与视窗200垂直对齐地设置。来自发光像素100的光穿过视窗200后，进入准直元件400。在来自发光像素100的光通过准直元件400之后，光变为准直光。准直元件400可以部分地或完全地重叠视窗200。
[0061] 图14为另一种发光装置的中间产物的剖面图。如图14所示，准直元件400可以设置在发光像素100上方，并设置在视窗200下方。准直元件400可以与视窗200垂直对齐地设置。来自发光像素100的光通过准直元件400后，进入视窗200。因此，准直光进入视窗200。准直元件400可以部分地或完全地重叠视窗200。
[0062] 准直元件400可包括图案化光学膜、光学准直透镜、光纤或其组合。如图15所示，准直元件400可以包括光学准直透镜，并设置在发光像素100上。可以将准直元件400和发光像素100之间的距离调整成类似于或等于准直元件400的焦距，以使发光像素100位于准直元件400的焦点上。因此，可产生准直光束。在一些实施例中，发光装置10还可以包括黑体450(black material)，设于相邻像素或子像素之间，并与准直元件400相邻。
[0063] 如图16所示，准直元件400可包括图案化光学膜并设置在发光像素100上方。准直元件400可以通过在发光像素100上方设置膜来形成。相较于参考介质而言，准直元件400可包括高折射率材料。例如，准直元件400的折射率可以高于真空或空气的折射率。折射通常伴随部分的反射。当光从较高折射率的介质(光密介质)进入到较低折射率的介质(光疏介质)时，其折射角大于入射角。当入射角增加到大于临界角时，部分反射会变全反射。因此，来自发光像素100的光通过准直元件400时，可以在准直元件400中被反射。因此，可以产生准直光束。
[0064] 如图17所示，准直元件400可以包括光纤且设置在发光像素100上。准直元件400可以与发光像素100接触，但不限于此。来自发光像素100的光在准直元件400的两端之间传输。准直元件400可以作为波导，并且光可以通过全内反射现象保持在其核心中。因此，从发光像素100发射的光变为准直光。在一些实施例中，黑体450可以横向地围绕准直元件400。
[0065] 在一些实施例中，如图18所示，发光装置10可包括复数个准直元件。准直元件400可包括第一准直元件400A和第二准直元件400B。第一准直元件400A和第二准直元件400B可以设置在发光像素100上。第一准直元件400A和第二准直元件400B可以包括相同的材料或不同的材料。在一些实施例中，第一准直元件400A可包括图案化光学膜，而第二准直元件400B可包括光学准直透镜。因此，可以进一步增强从发光像素100发射的光的准直度。
[0066] 可根据设计考量改变复数个准直元件400的设置方式。在一些实施例中，如图2所示，第一准直元件400A和第二准直元件400B可被视窗200分开。在一些实施例中，第一准直元件400A和第二准直元件400B可设置在视窗200之上。选择性地，第一准直元件400A和第二准直元件400B可设置在视窗200之下。
[0067] 图20为另一种发光装置的中间产物的剖面图。准直元件400可以具有第一区402和第二区404。在一些实施例中，准直元件400可通过在发光像素100上设置膜，然后对膜进行图案化，以形成不同区域的准直元件400。第一区402和第二区404可包括相同的准直元件或不同的准直元件。在一些实施例中，第一区402可包括图案化光学膜，而第二区404可包括光纤。
[0068] 第一区402和第二区404对于来自发光像素100的光线的准直度是不同的。在一些实施例中，第一区402被配置为对于来自发光像素100的光线具有比第二区404更高的准直度。准直元件400的折射率在不同区域中可以是不同的。在第一区402的准直元件400的折射率可以大于在第二区404的准直元件400的折射率。可以通过选择不同的材料或者对应不同的区域修改准直元件400的厚度来调整折射率。在一些实施例中，光学准直透镜的焦距或曲率半径可以在不同区域中不同。替代性地，光纤的半径可以在不同区域中不同。
[0069] 在一些实施例中，准直元件400的第二区404可为空白区域，如图16所示。第二区404在剖面图中以虚线绘制以表示其不存在物理材料。第一区402的总面积小于发光像素
100的总发光面积。发光像素100由第一区402部分地调节。
100的总发光面积。发光像素100由第一区402部分地调节。
[0070] 在本实施例中，第一区402可以与第一区块202垂直排列，第二区404可以与第二区块204垂直排列，但本揭露不限于此。在一些实施例中，第二区404可以与第一区块202垂直排列，并且第一区402可以与第二区块204垂直排列。
[0071] 如图21所示，发光像素100可以包括复数个子像素。发光像素100可为单色像素。发光像素100具有至少两个子像素110和120。如同图7所述，子像素110和子像素120分别被配置为发出具有相同波长光谱的光。在多个子像素配置中使用的准直元件400可类似于在图13-16中所示的实施例中使用的准直元件400。
[0072] 在本实施例中，准直元件400可以与发光像素100接触并且与视窗200相邻。准直元件400的第一区402可以与子像素110垂直对齐排列，准直元件400的第二区404可以与子像素120垂直对齐排列。在一些实施例中，从子像素110发射的光具有比从子像素120发射的光更高的准直度。在其他实施例中，子像素110的面积大于子像素120的面积。因此，可以产生大部分的准直光。
[0073] 图22为另一种发光装置的中间产物的剖面图。如图22所示，光学视窗200可以包括如上所述的准直元件400。光学视窗200位于发光像素100上方。光学视窗200可包括滤光片、偏振片、图案化光学膜、光学准直透镜、光纤或其组合中的至少一种。在一些实施例中，光学视窗200可以被配置为对从发光像素100发射的光具有准直效果。在其他实施例中，光学视窗200可以包括如上所述的第一区202和第二区204(图未示)。
[0074] 上文的叙述简要地提出了本发明某些实施例的特征，而使得本发明所属技术领域具有通常知识者能够更全面地理解本揭示内容的多种态样。本发明所属技术领域具有通常知识者当可明了，其可轻易地利用本揭示内容作为基础，来设计或更动其他制程与结构，以实现与此处所述的实施方式相同的目的和/或达到相同的优点。本发明所属技术领域具有通常知识者应当明白，这些均等的实施方式仍属于本揭示内容的精神与范围，且其可进行各种变更、替代与更动，而不会悖离本揭示内容的精神与范围。
[0075] 符号说明：
[0076] 10 发光装置
[0077] 50 介电质材料
[0078] 100 发光像素
[0079] 100B 蓝色发光像素
[0080] 100G 绿色发光像素
[0081] 100R 红色发光像素
[0082] 102 第一电极
[0083] 103 发光层
[0084] 104 第二电极
[0085] 104a、104b 层
[0086] 110、110B、110G、110R、 子像素
[0087] 120、120B、120G、120R
[0088] 142、144 导电栓
[0089] 150 聚合物材料
[0090] 200 视窗、光学视窗
[0091] 202 第一区块
[0092] 204 第二区块
[0093] 250 介电质
[0094] 270 材料层
[0095] 300 遮罩
[0096] 400 准直元件
[0097] 400A 第一准直元件
[0098] 400B 第二准直元件
[0099] 402 第一区
[0100] 404 第二区
[0101] 450 黑体
[0102] S 间隔
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