沟槽栅极
专利汇是一家知识产权数据服务商，提供沟槽栅极专利，沟槽栅极专利的相关文章和专利信息，以及相关的新闻资讯，为你解答沟槽栅极专利的相关疑问，是您身边的专利检索分析管家。具体相关文章，请看下面专利汇精心整理的专利条目。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 形成半导体器件的方法 | 2020-05-08 | 420 |
| 晶体管器件和用于形成用于沟槽栅极电极的凹部的方法 | 2020-05-08 | 885 |
| OLED显示面板 | 2020-05-11 | 30 |
| 沟槽型功率MOSFET及其工艺方法 | 2020-05-11 | 228 |
| 一种沟槽型MOSFET功率器件及其制备方法 | 2020-05-08 | 580 |
| 沟槽栅功率MOSFET及其制造方法 | 2020-05-08 | 189 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 2020-05-08 | 783 |
| 屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法 | 2020-05-08 | 485 |
| 具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET | 2020-05-08 | 145 |
| 新型共漏双MOSFET结构 | 2020-05-11 | 325 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈