最新中国发明专利第2013-10-23期 - 专利汇|PatentHub专利检索|专利查询网|发明专利查询分析

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CN103368355A	一种直流自动加速弹射器一种直流自动加速弹射器，特征是：定子绕组3绕在定子铁心4上用铁心螺栓8安于U形固定架1圆圈内；两组串联定子绕组3组合为一组S－N磁极组，N极定子绕组3左边正极接驱动开关12电源，右边负极接U形固定架1下端导电片19；S极定子绕组3左边负极接储电器11负极，右边正极接U形固定架1下端导电片17；动子绕组13绕在动子铁心9上用铁心螺栓10安于固定件14圆圈外，两组串联动子绕组13组合为一组S－N磁极组对接，对接的S－N磁极组两端正负极各接磙式电刷18；导向轴6安导向轮7安在U形固定架1上端槽轨19内，滑动轴16安滑动轮15安在U形固定架1下端槽轨19内；牵引架5安于固定件14上中端，U形固定架1上安甲板2。
CN103368352A	一种摇摆发电装置本发明公开了一种摇摆发电装置，包括壳体和摆头，所述摆头通过摆线吊设在所述壳体内顶部的一连接点上使所述摆头可以向四周任意方向摆动；所述壳体上设有第一电磁感应体，所述摆头上设有第二电磁感应体；所述摆头相对所述壳体摆动时，所述第一电磁感应体和所述第二电磁感应体相对运动发生电磁感应生成电能，再提供给其他低功率电器，可大大降低外接电能的消耗，节能环保；由于摆头可向四周任意方向摆动，可充分利用震源使摆头摆动，提高发电效能。
CN103368348A	直流电动机和具有该直流电动机的车辆提供一种具有良好的换向特性、并能够抑制输出系数的降低的直流电动机和具有该直流电动机的车辆。直流电动机（1）包括磁轭（3）、励磁磁铁（4）、电枢（30）。轴（10）配置在电枢的中心轴上。多个换向片（7）配置在轴（10）的周方向上。多个电枢槽部（21）形成在电枢铁心（2）的外周。匝数Na的上层线圈（5a）安装在隔着一定数目的电枢槽部（21）而分离的两个上述电枢槽部（21）的开口部一侧。匝数Nb的下层线圈（5b）与上层线圈（5a）并联连接，安装在这两个上述电枢槽部的底部一侧。匝数Na比匝数Nb小。
CN103368345A	启动/发电机及其运行方法本发明涉及一种用于汽车、摩托车的启动/发电机，包括能作为启动机和发电机运行，含内转子或外转子结构的三相鼠笼式电机，和包括输出含附加启动频率和电机额定频率三相交流电源的逆变器，由该逆变器输出的含附加启动频率和电机额定频率的三相交流电，使启动电机以软启动方式使发动机启动至高转速运转，电机自动转为超同步发电方式运行，将所发三相交流电经逆变器三相桥式整流电路整流为直流电反馈向蓄电池充电。
CN103368344A	一种双电位承转电机本发明提供了一种双电位承转电机，其特征在于：所述的双输出轴电机包括壳体部分（1），定子部分（2），输出轴一（3），输出轴二（4），底座（5），安装孔（6），散热片（7）；定子部分（2）位于壳体部分（1）内，输出轴一（3）与输出轴二（4）穿过壳体部分（1）的中心，伸出壳体部分（1）的外部，底座（5）上带有安装孔（6），散热片（7）位于壳体部分（1）的外部。所述的双输出轴电机的输出轴一（3）与输出轴二（4）为整体结构。
CN103368343A	一种直流电机电枢不平衡量校正装置和校正方法本发明公开了一种用于电机制造领域的直流电机电枢不平衡量校正装置，分为支架部分和校正部分；所述支架部分包括：顶尖、电枢支架、底板和支撑架；所述支撑架设置于所述底板的轴向中部，所述顶尖和所述电枢支架分别对称设置在所述底板的轴向两端，其中所述电枢支架位于所述顶尖和所述支撑架之间；所述校正部分设置于所述支撑架与所述底板之间，所述校正部分包括：压块和液压千斤顶；其中所述压块的底面为弧面。本发明还公开了一种用于电机制造领域的直流电机电枢不平衡量校正方法，包括下列步骤：不平衡量测试步骤以确定直流电机电枢的铁心径向跳动值最大处所在的位置、数据比较步骤、不平衡量校正步骤和校验步骤。
CN103368342A	水轮发电机定子框型线圈制造工艺本发明提供水轮发电机定子框型线圈制造工艺，特征是：本发明分为五个步骤：(1)调取设计蓝图进行框型线圈造型；(2)利用三维软件模拟定子装配；(3)三维制模；(4)仿真加工；(5)组装模具工装。本发明解决了水轮发电机定子框型线圈制造过程中的设计及工装模具问题引起的水轮发电机定子框型线圈与定子装配的干涉问题，利用三维软件设计制作水轮发电机定子框型线圈效率大大提高，出错几率很小，立体感强，设计人员不容易看图错误等，且能利用软件携带的CAM(仿真加工)功能准确的进行仿形加工，制出的工件精确，无需手工修造模，缩短了生产周期，提高了生产效率，避免了装配干涉现象。
CN103368340A	一种贯流机组铜环引线夹固定安装方法本发明提供一种贯流机组铜环引线夹固定安装方法，特征是：在固定贯流机组铜环引线夹时，将所有的贯流机组铜环引线夹零件一件地套在双头螺柱上，垫上单耳止动垫圈，用螺母拧紧，螺母与双头螺柱需靠增加一个止动棍来提高止动效果。本发明在安装贯流机组铜环引线夹时省时又省力，提高了安装效率，且止动牢固。
CN103368336A	驱动设备一种驱动设备（1），包括马达单元（20）和电子控制单元（30）。马达单元（20）包括第一端部框架（21）、第二端部框架（22）、定子（23）、转子（24）和轴（25）。控制单元（30）控制轴（25）的驱动。定子（23）的外壁表面（231）暴露于第一端部框架（21）与第二端部框架（22）之间。因此使得定子（23）能够直接地接触外部空气，从而改进定子（23）的热辐射特征。
CN103368331A	一种发电机组上的热交换器本发明公开了一种发电机组上的热交换器，它包括左、右侧板，低温散热器和高温散热器置放在左、右侧板里，膨胀水箱设置在侧板的上面，膨胀水箱中间用隔板隔开，分为低温膨胀水箱和高温膨胀水箱，所述的低温膨胀水箱上连有低温补水管与低温散热器相连，所述的高温散热器上连有高温补水管与高温膨胀水箱相连。本发明配套于发电机组上使用，能有效地对其内部的高温水进行散热，具有传热效率高，结构紧凑、适应性强等特点。
CN103368329A	一种汽车的电动机本发明公开了一种汽车的电动机，包括超动电机前盖、安装固定在前盖上的定子、位于定子内的电枢及一端伸出于定子外的电枢轴，在电动机前盖内还设置有悬伸减速输出器，其由内齿圈、输出轴、行星齿轮及单向器组成，其中，行星齿轮通过行星齿轮轴均匀布置安装在输出轴后端的圆盘上，该圆盘位于套装在输出轴后端的内齿圈内，并使行星齿轮与内齿圈啮合；单向器套装在输出轴上，通过花键与输出轴连接，使单向器可随输出轴旋转并可相对于输出轴沿输出轴轴向向外移动，单向器一端设置有齿轮且伸出于电动机前盖之外，输出轴前端伸出于单向器该齿轮端之外。本发明一种汽车的电动机，在低温环境下能正常启动发动机。
CN103368326A	一种低功耗磁悬浮飞轮储能装置本发明公开了一种低功耗磁悬浮飞轮储能装置，包括能量存储与转化部分、磁悬浮支撑部分和辅助部分，所述能量存储与转化部分包括飞轮、电机；所述磁悬浮支撑部分包括轴向传感器、上下保护轴承，轴向磁轴承，径向传感器，上下永磁磁力轴承；所述辅助部分包括壳体，安装轴；其中，轴向传感器、上保护轴承、轴向磁轴承、径向传感器、电机、上永磁磁力轴承、飞轮、下永磁磁力轴承与下保护轴承在安装轴的轴向上从上到下依次排布，所述能量存储与转化部分、磁悬浮支撑部分和辅助部分的安装轴密封在辅助部分的壳体内部，壳体内部保持真空状态。该装置结构简单，临界转速高，功耗低，在电网调频、电网安全稳定控制、电能质量控制及高功率脉冲等领域具有广阔的应用前景。
CN103368324A	用于飞轮能量存储的轻质量复合材料的安全容纳装置本发明公开了一种用于飞轮装置的装置，并且本发明涉及大体圆柱形的容纳层以及容纳方法，飞轮装置包含被定向为容纳冲击的多个可预测变形的托架。每个托架都具有用于吸收冲击的多层和表面，表面提供了沿冲击方向的从大约0.1°到大约5°的掠射角。
CN103368320A	一种自减震电机本发明公开了一种自减震电机，包括电机、电机支架，在所述电机转轴端头设有减震橡胶圈，所述减震橡胶圈由支架紧固块支撑，通过减震橡胶圈上端的螺栓进行固定。在所述电机的后端盖也设有减震橡胶圈，并设有螺栓进行固定。与传统电机相比，自减震电机不但结构简单，操作方便，能够大幅度地减轻电机在运行过程中震动的情况，保证了电机的安全，并且不占用其他的空间，直接在电机上操作，便于安装拆卸。
CN103368317A	主轴电机本发明提供一种主轴电机，该主轴电机包括：轴；第一轴套，通过流体动压可旋转地支撑轴；第二轴套，设置在第一轴套的外部；定子芯，安装在第二轴套的外表面上；底座构件，包括安装部分，所述安装部分沿着轴向向上突出并固定到第一轴套和第二轴套中的至少一个。
CN103368315A	马达一种能够将轴承部件和端板配置在恰当角度位置的马达。在马达（1）中，在定子（3）的马达轴线（L）方向的至少一个端部具有将转子（2）支承为能够旋转的轴承部件（7），以及将轴承部件（7）保持在其与定子（3）之间的端板（8）。轴承部件（7）具有板状部（71）和卡合部（72），板状部（71）具有比定子（3）的内形尺寸小的外形尺寸且其厚度方向的至少一部分位于定子（3）的内侧，卡合部（72）从板状部（71）向径向外侧突出且与定子（3）的端面重叠。端板（8）具有与旋转轴（21）的轴端抵接的弹簧部（85），且端板（8）与板状部（71）在定子（3）的相反侧重叠从而将轴承部件（7）保持在端板（8）与定子（3）之间。
CN103368311A	封闭电动机和真空泵本发明提供一种封闭电动机，能够将树脂制的容器的厚度降低。与真空泵连结且作为真空泵的旋转驱动源而使用的封闭电动机具有：定子铁心；配置在定子铁心的内侧的转子；和非导电性的容器，该容器配置在定子铁心与转子之间，且将定子铁心和转子隔离，并以树脂、陶瓷、或者这些的复合材料为材料。容器通过粘结剂与定子铁心粘结。
CN103368308A	电机壳体改良结构一种电机壳体改良结构，包括左壳体和右壳体，所述左壳体和右壳体对称安装于定子上，所述左壳体和右壳体可拆卸固定连接。该电机壳体改良结构改变现有电机壳体一体设计为分开设计，不仅利于成型，而且可使电机体积更小，重量也轻，从而缩小成本，另外，该电机壳体也更加美观。
CN103368304A	车载用电动机及使用了该车载用电动机的电动动力转向装置本发明提供一种能够应对车载用电动机的多极化的车载用电动机。例如，提供一种臂部的个数不会被臂部的长度制约，且能够充分地确保相对于振动的可靠性的车载用电动机。如下这样构成车载用电动机：具备连接集中绕组的多个定子线圈(7)的母线(9)，母线(9)在相对于该母线(9)的长度方向呈直角方向上具有臂部(9ue1～9ue4)，在臂部的前端设有线圈保持部(9ua1～9ua4)，在臂部(9ue1～9ue4)设有机械性的扭转部分。
CN103368301A	一种大型灯泡贯流式水轮发电机转子磁轭的固定方法本发明提供一种大型灯泡贯流式水轮发电机转子磁轭的固定方法，特征是：一种大型灯泡贯流式水轮发电机转子磁轭的固定结构，特征是：转子支架为斜支臂结构，磁轭叠片由A磁轭冲片、B磁轭冲片、C磁轭冲片叠压而成；以拉紧螺杆拉紧磁轭叠片；以薄螺母在磁轭上游侧固定制动环板，在制动环板和上游磁轭压板之间加一周Φ35浸桐马胶涤纶条；以径向螺杆、拉紧螺杆垫圈配合中心柱，用A磁轭键、A磁轭调整片在径向固定磁轭，A磁轭键、A磁轭调整片压于转子支架的立筋板上；B磁轭键、B磁轭调整片、定位垫圈、定位螺钉用于磁轭叠片时磁轭键的定位；圆螺母、大圆螺母通过止动棍止动。
CN103368296A	磁体部件、具有其的转子组件、机电换能器和风力涡轮机本发明涉及磁体部件、具有其的转子组件、机电换能器和风力涡轮机。描述一种用于机电换能器（140，240，340）的转子组件（150，250，350，450，550，650）的磁体组件（270，370，470，570，670）。磁体组件（270，370，470，570，670）包括：磁体部件（272），其包括永磁材料（272）；以及热绝缘结构（274，374，678），其覆盖磁体部件（272）的表面的至少一部分以便使磁体部件（272）热去耦合在机电换能器（140，240，340）内生成的热。还描述了转子组件（270，370，470，570，670）、机电换能器（140，240，340）和风力涡轮机（100），它们都配备有至少一个这样的磁体组件（270，370，470，570，670）。
CN103368294A	永磁式旋转电机提供一种永磁式旋转电机，实现构成永久磁铁制磁极的扇形磁铁的基于电枢反作用、过电流的耐去磁性的提高。永磁式旋转电机具有定子和转子，该定子具有多个齿，该转子将永久磁铁制的扇形磁铁作为磁极，其中，将多个扇形磁铁构成为在相互之间隔着非磁性空间沿圆周方向排列，且将各扇形磁铁的与上述励磁空隙对置的一侧的圆周方向角部的形状形成为上述齿（3）的前端所描绘的旋转圆筒面与扇形磁铁（9）的角部（9a）之间的对置间隔随着趋向相邻的扇形磁铁（9）而逐渐扩大的曲面形状。
CN103368293A	电机转子结构及具有该结构的电机本发明提供了一种电机转子结构及具有该结构的电机。本发明的电机转子结构，包括：转子铁芯；磁瓦，覆盖在转子铁芯的外周面上；其中，转子铁芯和磁瓦之间设置有用于限定磁瓦在转子铁芯上的位置的凹凸配合结构。本发明的主要优点是，通过设计截面有凹凸配合结构的磁瓦和转子铁芯，增大了与转子铁芯的粘合面积并提高了磁瓦的粘贴生产效率，上述设计使磁瓦结构在满足永磁电机长期高速旋转的情况下，具有较高的稳定性，承受荷载能力强。
CN103368291A	转子装置本发明公开了转子装置。用于发电机(1)的转子装置(4)，该转子装置(4)包含具有多个周向毗邻布置的磁性元件(6)的转子(3)，其中，至少一个轴向延伸的垫块元件(10)布置在至少两个周向毗邻布置的磁性元件(6)之间。
CN103368285A	一种定子本发明公开了一种定子，其特征在于：包括一基座，由一本体部以及多个辅极部所组成，本体部的外环周缘为多个不同半径的圆弧周缘所组成，辅极部自本体部延伸出来；一定子部件，包含有多个磁极部，当定子部件设于基座上时，每两个磁极部之间有辅极部之一穿过；以及一线圈，缠绕于定子部件上。本发明一种定子结构合理、生产容易、生产成本低。
CN103368277A	电力接收装置及其控制方法以及电力输送系统本发明涉及一种电力接收装置，包含：电力接收线圈，设置在由来自电力输送装置的磁场感应产生接收电压的位置；测量线圈，设置在由所述磁场感应产生作为与所述接收电压对应的电压的监测感生电压的位置；以及外物检测部分，根据所述电力接收线圈的监测感生电压和感生电流生成所述电力接收线圈的阻抗的变化量，由此基于所述变化量检测磁场中的外物。
CN103368272A	一种无线能量传输系统本发明为克服现有无线能量传输系统系统能量传输距离的缺点，提供一种无线能量传输系统，通过沿能量传输方向依次设置多个磁共振接收模块，使能量传输能相继级联式传输，以获得更远距离的无线能量传输，特别对于一些如水下作业、矿井等特殊应用领域的供电系统而言，具有安全、方便的优点。
CN103368264A	一种变电站继电保护室安全运检平台本申请公开了一种变电站继电保护室安全运检平台，包括：用于接收操作指令的管理平台；安装在继电保护室内，且与所述继电保护室内各个屏柜设备相连接，用于检测各个屏柜设备故障情况并生成故障检测报告的故障检测系统；分别与所述管理平台、故障检测系统相连接，并且与所述继电保护室内各个屏柜设备的控制系统相连接，用于将所述故障检测系统生成的故障检测报告上传给管理平台，且将所述操作指令发送给对应屏柜设备的控制系统的现场操作平台。该变电站继电保护室安全运检平台，可以实现对变电站屏柜设备的统一运行进行监控、数据的集中管理，提高继电保护室工作安全以及变电检修的工作效率。
CN103368261A	变电站用在线监测和巡检系统本发明公开了一种变电站用在线监测和巡检系统，其包括便携式超声局放仪、便携式振动监测仪、便携式红外仪、掌上电脑、铁心监测单元、避雷器在线监测单元、断路器动作特性监测单元、套管监测单元、变压器振动在线监测单元、变电增容监测单元，便携式超声局放仪、便携式振动监测仪、便携式红外仪、掌上电脑、铁心监测单元、避雷器在线监测单元、断路器动作特性监测单元、套管监测单元、变压器振动在线监测单元、变电增容监测单元都与一个一体化平台连接。本发明实现对主要一次设备的综合监测、分析，还实现设备状态评价、缺陷定性、故障定位，以及实现采集数据的实时、自动上传一体化平台，同时完成就地智能组件柜的组建。
CN103368258A	一种变电所测控装置遥信量测试系统对遥信变位测试的方法本发明揭示了一种变电所测控装置遥信量测试系统对遥信变位测试的方法，该系统设有向一个变电所内所有自动化设备输出对时信号的卫星授时装置，所述的卫星授时装置设有多路定时脉冲单元，且同时输出1PPD空接点信号至所述自动化设备中的测控装置，所述的测控装置遥信单元在接受到该脉冲后将其产生的SOE变位信息传送至变电所计算机监控系统并通过远动通信设备向变电所外的上一级自动化系统输出。本发明构建简单，建设成本低，扩展方便，能够对不同电压等级、国内外不同厂家的测控装置、变电所计算机监控系统及其上一级系统（集控站自动化系统或各级电网调度自动化主站系统）都开展科学有效的遥信量相关技术指标、功能定时自动测试。
CN103368256A	一种可检测的浪涌保护器本发明涉及一种可检测的浪涌保护器，主要由防雷模块和底座构成，防雷模块插接在底座上，底座上设有检测单元与防雷模块连接，通过通信线路连接上位机。通过设置开关电路对浪涌保护器件的工作状态进行检测，并将简单的开关量信号转换为总线方式或网络方式传输至上位机，实现集中组网监控管理，并在故障时报警。实现了浪涌保护器的智能检测，使浪涌保护器处于实时有效的状态，更加保证了设备安全。
CN103368251A	列车辅助电源扩展供电电路及控制方法和设计方法本发明涉及一种列车辅助电源扩展供电电路及控制方法和设计方法，包括多组用电单元、用于给所述用电单元负载供电的多台辅助电源，一台所述辅助电源向一组所述用电单元供电，每个所述辅助电源的输出端连接一个故障状态继电器，每相邻的两个所述辅助电源的输出端通过接触器相互隔离，所述继电器通过逻辑控制电路控制所述接触器闭合实现扩展供电。本发明电路结构简单，控制可靠，确保车辆负载的正常用电，且设计方法简单快速，并可提高逻辑电路的准确性和完整性。
CN103368248A	低功率消耗的备援电力系统一种低功率消耗的备援电力系统，包括有一连接外部电力输入源并产生一转换电力的电力转换单元，电性连接该电力转换单元的一第一供电电路与一第二供电电路，以及一连接该第一、第二供电电路的电力来源切换电路。该第一供电电路接收该转换电力并输出一第一输出电力。该第二供电电路包含有一储存由一充电单元充入的该转换电力并输出一第二输出电力的储能单元。该电力来源切换电路根据取得该电力转换单元的正常转换电力与否，决定直接由该第一供电电路输出该第一输出电力，或者决定由该第二供电电路的储能单元输出该第二输出电力。
CN103368247A	不断电电源供应器的电力使能电路一种不断电电源供应器的电力使能电路，包括有一主供电系统，一备援供电系统，以及一电力使能控制电路。该主供电系统电性连接于一外部电力源以转换输出一转换电力，在正常输出该转换电力下产生一第一电力良好信号。该备援供电系统在该主供电系统无法输出该转换电力时输出一备援电力。该电力使能控制电路接收该主供电系统输出的该第一电力良好信号以模拟产生一相对应的第二电力良好信号，包含有一输出该第二电力良好信号给一主机板的正常供电状态，以及一接收该备援电力而持续输出该第二电力良好信号给该主机板的备援供电状态。
CN103368245A	一种不用蓄电池的可持续供电电源本发明公开了一种可持续供电的电源系统，宽电压输入电路接收外部输入的电压，电压输出电路进行电压输出，自动识别电路检测被供电设备有无电源接入，当检测到被供电设备无电源接入时，控制电压输出电路输出电压至被供电设备，当检测到被供电设备有电源接入时，则继续维持现有电源供应，当电压输出电路出现长时间的输出端短路时，输出短路保护电路自动恢复对外电源供应，当电压输出电路的输出端窜入高电压或输出端出现较高的感应雷电压时，输出超压保护电路继续维持对外电源供应；该电源系统自动化水平较高，保护功能完善，实现了对设备的可持续供电，结构简单，实用性强，具有较强的推广与应用价值。
CN103368241A	电力供给设备、电力供给方法、逆变器以及电动车辆本发明提供了一种电力供给设备、电力供给方法、逆变器以及电动车辆。其中，该电力供给设备包括：蓄电装置；以及控制部，被配置为根据峰值移位命令、负载电力、蓄电装置的剩余容量中的至少一个，控制蓄电装置的输出与外部电力系统的电力彼此混合的处理，其中，在混合处理中形成交流电。在电力供给设备进一步包括发电设备时，控制将发电设备的输出、蓄电装置的输出以及外部电力系统的电力彼此混合的处理。
CN103368237A	充电器本发明公开了一种充电器，包括塑胶外壳、底座以及置于外壳与底座之间的线路板，底座一体设有散热结构，所述底座与散热结构的导热率大于外壳的导热率。优选的，所述底座与散热结构均为铝质结构。优选的，所述散热结构为多层通透式栅栏结构。本发明充电器通过在底座上一体设置散热结构，从而不需要风扇就能很好地散热，结构简单，不易损坏。
CN103368233A	多电池组太阳能供电系统一种多电池组太阳能供电系统，由主-副双太阳能电池板、多个锂电池组储能元件、前端DC/DC电压变换电路、充-供电管理电路、后端DC/DC电压变换电路、电量检测电路、相应的电池保护电路和中央处理单元（CPU）构成，本发明采用多个锂电池组作为储能元件，采用CPU分别对每个锂电池组进行能量管理，即使某锂电池异常也不影响系统正常工作，同时采用主-副双太阳能电池板工作模式，现场应用时根据需要配置副太阳能电池板，从而完成电池板选型灵活配置。本发明在充电时按照MPPT控制方法高效的给锂电池组充电，试用表明电源系统运行良好，为动态提高输电线路容量、系统的稳定性和可靠性提供有力保证。
CN103368226A	电气设备和用于驱动电气设备的方法在用于驱动电气设备的方法中，该电气设备具有第一蓄电池组、第二蓄电池组和电负载，在任何时刻最多只有一个蓄电池组放电来驱动负载。在此，根据第一蓄电池组的温度和第二蓄电池组的温度和/或根据第一蓄电池组的内阻和第二蓄电池组的内阻来选择要放电的蓄电池组。
CN103368225A	向便携式电子装置提供射频(RF)信号的感应充电器本发明涉及向便携式电子装置提供射频(RF)信号的感应充电器，提供了一种用于便携式电子装置的感应充电器。便携式电子装置具有配置用于接收输出RF信号的射频(“RF”)天线以及二次线圈。感应充电器包括配置用于形成磁通的一次线圈。磁通被配置用于耦接到便携式电子装置中的二次线圈以感应电流。感应充电器包括接收输入RF信号的RF耦接组件。RF耦接组件被配置成辐射基于输入RF信号的输出RF信号。感应充电器包括配置成接收来自RF耦接组件的输出RF信号的辐射器。辐射器被配置成将输出RF信号辐射到便携式电子装置的RF天线。
CN103368224A	非接触充电系统以及充电装置本发明提供一种非接触充电系统。其通过对在规定的平面内布线的供电用导线施加规定的频率的交流电压，来利用产生以规定的频率变动的磁场的充电装置对电子设备进行非接触充电，该电子设备具备在包含环状框架的外壳内部设置的受电线圈、和与该受电线圈连接的蓄电机构，供电用导线以使在两个区域的各个中产生的磁场的朝向相反的方式进行图案配置，该两个区域为将载置所述框架的范围分成两部分后得到的区域。
CN103368219A	电池系统和能量存储系统本申请公开一种电池系统和能量存储系统。该电池系统包括：包括至少一个单电池的电池；分压电路，被配置为接收所述电池的第一电压、根据所述第一电压生成第二电压以及输出所述第二电压；联接在所述电池和所述分压电路之间的隔离电路，所述隔离电路被配置为根据控制信号使所述电池与所述分压电路电隔离；以及联接至所述分压电路的电池管理系统。所述电池管理系统包括：被配置为生成所述控制信号的隔离电路控制单元；和被配置为测量所述第二电压的测量单元。
CN103368217A	应用于锂离子电池及锂离子电池组的充电管理系统本发明提供了一种应用于锂离子电池及锂离子电池组的充电管理系统，其包括外部电源、单节锂离子电池或锂离子电池组和串联在两者之间的智能充电管理电路，该电路包括Buck-Boost模块、检压检流模块、电源检测模块、电芯电压和温度检测告警模块、逻辑控制模块、反馈模块和充电电流设置模块。通过本发明提供的充电管理系统，能够设置充电电流最大值；当外部电源在一定电压范围内时，能够实现限压恒流充电；在充电过程的前期，可进行大电流恒流充电；当接近充满时，可自动逐级减小充电电流设置值进行小电流限压恒流浮充；也实现了输入低压、输入高压、电芯过压、充电过流和电池过温保护。
CN103368214A	电动巴士充电站的设置方法本发明涉及一种电动巴士充电站设置方法，通过在电动巴士的中间停靠站点设置充电站，使得电动巴士可以在行驶过程中进行多次能量补充，这样可以提高电网安全性，降低电动巴士的成本以及有利于电动汽车的推广。
CN103368207A	一次调频的优化方法及装置本申请实施例公开了一种一次调频的优化方法及装置，方法包括：安装在电气网频柜上的频率变送器接收电网的电网频率，并将所述电网频率转换成电流信号，将所述电流信号送入分散控制系统DCS；所述DCS根据所述电流信号输出一次调频动作信号，并将所述一次调频动作信号发送给汽轮机组，所述汽轮机组根据所述一次调频动作信号执行一次调频动作。一次调频动作考核标准是以网频为目标，本发明实施例使用频率变送器，因此可以达到一次调频的网调一致性，提高一次调频动作的准确率。
CN103368202A	零碳建筑多能互补综合能源利用系统本发明提供一种零碳建筑多能互补综合能源利用系统，其特征在于，它由综合监控微网系统装置、太阳能发电装置、风力发电装置、储存电能装置、用电装置及辅助装置经电连接联成一有机整体。它的效果在于：1、能源综合利用完善，用能与能源供应可做到协调统一；2、基本可满足建筑内的常规用电需求；3、具有并网功能；4、具有同时融合并网运行和离网网运行的功能；5、综合监控系统装置将可再生能源发电和节能设备完美融合在一起使用，达到能源的综合利用最优化，本系统可广泛用于离网、并网性需求的居民住宅、别墅、工厂、学校、医院、岛屿、旅游景点等场所。
CN103368201A	一种高压直流输电型并网光伏发电系统本发明公开了一种高压直流输电型并网光伏发电系统，包括一个以上的光伏直流升压站、高压直流输电线路、第三级DC/AC变流器、变压器和高压交流网，所述光伏直流升压站经高压直流输电线路与第三级DC/AC变流器的输入端相连，所述第三级DC/AC变流器的输出端经变压器与高压交流网相连。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、安装使用方便、效率高、适用范围广等优点。
CN103368199A	可并联大型能量回馈装置节电装置本发明的名称为一种可并联大型能量回馈装置节电装置。属于电机节能技术领域。它主要是解决现有能量回馈装置用于功率较大场合存在难度较大的问题。它的主要特征是：包括由三相逆变桥、LC三相滤波电路构成的模块，以及控制电路；三相逆变桥直流侧端用于与变频器的直流母线连接，三相逆变桥交流输出侧与LC滤波电路中和电容不相连的一侧电抗连接，电抗的另一端用于与三相电网连接；控制电路由采样电路和DSP处理器组成，DSP处理器输出端分别与三相逆变桥中的控制端连接。本发明能将电机制动产生的直流电能转化为交流电返回电网，具有响应速度快、均流效果好、可靠性高特点，主要用于皮带机、离心机、提升机电机等制动电能较大的场合。
CN103368198A	用于控制太阳能转换系统的系统和方法提供太阳能转换系统。该系统包括用于产生直流（DC）电力的光电模块。该系统还包括用于将DC电力转换成交流（AC）电力的电力转换器，其中电力转换器中的每个包括本地控制器并且这些本地控制器中的至少一些能单独地操作为用于向余下的本地控制器提供中央控制信号的中央控制器，并且来自至少一些本地控制器的本地控制器中的恰好一个在给定时间点能操作为中央控制器。
CN103368194A	基于蚁群算法的电池储能电站功率控制方法及其系统本发明提出一种基于蚁群算法的电池储能电站功率控制方法及其系统，该方法包括A、实时读取电池储能电站的相关数据，并对数据进行存储；B、通过蚁群算法实时确定出电池储能电站中参与本次功率分配的储能机组；C、计算出参与本次功率分配的储能机组功率命令值；D、将步骤C计算出的储能机组功率命令值进行存储后输出。该系统包括通讯模块、数据存储与管理模块、蚁群算法控制模块和功率分配控制模块。本发明的控制方法和系统通过位于工控机中的各模块完成基于蚁群算法的电池储能电站功率控制方法，并将数据传至外部监控平台进行监控，可实现对兆瓦级电池储能电站实时功率的有效控制和分配目的。
CN103368193A	用于跟踪计划出力的电池储能电站实时功率分配方法本发明提出一种用于跟踪计划出力的电池储能电站实时功率分配方法和系统，该方法包括以下步骤：实时读取电池储能电站的相关数据，并通过上述数据进行存储和管理；计算当前电池储能电站的总功率需求命令值；计算电池储能电站中各储能机组功率命令值；将各储能机组功率命令值汇总后输出至外部监控平台。该系统包括本发明通过设置于工控机的通讯模块、数据存储与管理模块、跟踪计划控制模块和遗传算法控制模块与外部监控平台完成用于跟踪计划出力的电池储能电站实时功率分配方法，可实现应用电池储能电站来支持跟踪计划曲线功能，并实现对兆瓦级锂电池储能电站实时功率的有效控制和分配目的。
CN103368191A	一种微电网多逆变器并联电压不平衡补偿方法本发明公开了一种微电网多逆变器并联电压不平衡补偿方法，该方法包括不平衡补偿环、功率下垂控制环及电压电流环三个部分。在传统功率下垂控制基础上，通过检测三相负序电压和电流，并引入一个负序无功电导Q--G不平衡下垂控制环，合成并修正指令电流参考值，以实现微电网电压的不平衡补偿。通过P-f、Q-E以及Q--G下垂控制，各分布式电源逆变器能独立调节输出基波频率、电压幅值和不平衡补偿电导，并能实现各逆变器之间有功、无功均衡分配。电压电流控制环采用准谐振PR控制实现电压的无静差控制、采用无差拍控制实现内环电流的精准控制。本发明的方法使微电网中的三相逆变器具备不平衡补偿能力，从而维持微电网三相电压平衡。
CN103368186A	一种风电系统无功优化方法本发明提供了一种风电系统无功优化方法，包括以下几个步骤：S1：建立风机的数学模型；S2：对各节点的电压进行初始化；S3：建立无功规划的数学模型；S4：输入原始数据；S5：形成初始粒子群；S6：进行潮流计算；S7：对优秀粒子采用云条件发生器和云模型对其进行更新；S8：对其他普通粒子采用常规粒子群寻优更新粒子群；S9：结合步骤S7、S8更新后的粒子群，调整约束方程，计算更新；S10：迭代条件为迭代次数或位置最小阈值；S11：停止迭代，输出最优节点电压和有功网损。采用本发明所述的风电系统无功优化方法，能够有效地降低风电系统中劣性粒子比例，从而改善粒子分布、增强搜索精度，提高系统的电压水平，减小网损。
CN103368182A	模块化多机并联式大功率APF控制系统和实现方法本发明公开了一种模块化多机并联式大功率APF的控制系统和实现方法，利用上下层控制器的协调配合以期达到合理分配补偿容量以及提高补偿精度的效果；上层控制器负责对各功率模块进行协调与投切控制，包括按照负载需求对需要投入的功率模块数量进行运算和监测、对功率模块按照规则进行编号、应用载波相移来消除开关次谐波等；下层控制器负责接收来自上层控制器的补偿指令和前一序号控制器的同步信号，并将功率模块的状态信息反馈回上层控制器。本发明合理分配了功率模块的补偿容量以及控制系统上下层的运算量，能够使整个系统稳定有序的运行，避免因某台功率模块出现故障而导致整个系统停机，具有很好的可行性和实用价值。
CN103368179A	一种混合电力滤波器一种混合电力滤波器，其特征是由供电电源、有源电力滤波器、单级LC无源滤波器和非线性负载组成，其中供电电源与有源电力滤波器和单级LC无源滤波器并联后与非线性负载串联。其中LC无源滤波器主要起到谐波和无功补偿的作用；而有源电力滤波器所补偿的对象是无源滤波器滤除之后的系统电流，这时系统电流中的谐波含量大大减少，因此，对有源电力滤波器的容量要求不高，并且有源滤波器还能对LC无源滤波器的滤波特性起到改善作用，克服其易受电网阻抗影响和易与电网阻抗发生谐振的缺点。本发明不易受电网阻抗干扰，结构简单，且对有源滤波器容量要求很小的混合型有源滤波器。
CN103368173A	含柔性直流输电的交直流并列系统有功潮流优化分配方法本发明公开了一种基含柔性直流输电的交直流并列系统有功潮流优化分配方法，解决柔性直流输电交直流并列运行方式下，交直流系统有功潮流合理分配问题。该法包括：获取要分析电网的基本参数；根据获得的电网基本参数，以交直流设备损耗、规避并列环流、电网安全稳定、交直流设备利用率和故障率等因素为目标条件，建立相应的目标函数；根据建立的各个目标函数，确立多目标优化函数；根据模糊理论，给每个目标函数指定一个隶属度函数，采用模糊算法，求多目标函数优化解。该方法考虑了多种目标条件的约束，通过求解多目标优化函数，得到柔性直流输电系统交直流并列运行下最优的有功功率控制参考值，相比依靠经验设定有功参考值的方法更加合理。
CN103368171A	直流微网中分布式电源对交流重要负荷的供电方法本发明公开了一种直流微网中分布式电源对交流重要负荷的供电方法，其特征是设置AC/DC双向变换器，AC/DC双向变换器的直流端连接在直流母线上，其交流端通过开关元件组连接至交流母线，通过开关元件组的开关控制，实现AC/DC双向变换器的交流并网运行状态，或实现由AC/DC双向变换器将直流微网直供交流重要负荷的运行状态。本发明有效解决了各AC/DC双向变换器之间协调控制及直流微网与主电网保护与调度控制难以配合的问题。
CN103368167A	一种单相接地故障基波电流全补偿装置与方法本发明公开了一种单相接地故障基波电流全补偿装置与方法，通过在故障相的超前相接入电感和电阻可实现单相接地故障基波电流的全补偿，包括有功电流和无功电流，可消除电网参数不平衡对接地电流的影响。由于全补偿偏置原价强行将零序电压钳制至故障相电源相电势，因而消除间歇性电弧重燃的可能性。本发明需要设备成本低廉，补偿效果好。
CN103368161A	具有过压保护的开关装置具有过压保护的开关装置。在不改变总最低耐压强度的情况下，安全开关应在其结构形式方面缩小。因此建议一种开关装置，其具有第一开关接点（P1）和第二开关接点（P2）以及连接在第一开关接点（P1）和第二开关接点（P2）之间的开关元件（K1），其中当由开关元件（K1）非导通地连接第一和第二开关接点时，在第一和第二开关接点之间得出预先确定的总最低耐压强度。至少一个电子器件（5）连接在第一开关接点（P1）和开关元件（K1）之间。限制电压的器件（VDR）与开关元件（K1）并联，并且开关元件（K1）拥有最低耐压强度，该最低耐压强度小于在第一和第二开关接点（P1，P2）之间的总最低耐压强度。
CN103368157A	浪涌保护装置本发明公开了一种浪涌保护装置，包括并联在电网的火线与零线之间的第一压敏电阻，和并联在电网的零线与地线之间的第二压敏电阻，和并联在电网的火线与地线之间的第三压敏电阻，还包括串联所述第一压敏电阻下端的第一浪涌检测电路，用以检测所述第一压敏电阻的浪涌冲击次数；串联在所述第二压敏电阻和第三压敏电阻下端的第二浪涌检测电路，用以检测所述第二压敏电阻和/或第三压敏电阻的浪涌冲击次数。本发明能够检测浪涌冲击次数，以提醒设备维护人员及时更换新的压敏电阻，避免压敏电阻失效而损坏用电设备。
CN103368149A	低压配电系统故障监测方法一种低压配电系统故障监测方法，包括以下步骤：对低压输出开关进行监控；获取电流过低警报时所述低压输出开关的状态信息；根据所述低压输出开关的状态信息确定低压配电系统的故障类型。在上述低压配电系统故障监测方法中，通过对低压输出开关的监控，实时了解其状态。在系统发出电流过低警报时，根据低压输出开关的状态信息快速判断出故障的类型，省去了相关技术人员前往生产线现场检查所延误的时间，减少了因延误所造成的损失。
CN103368145A	电池系统的继电器熔敷检测装置、以及使用该装置的电池系统本发明的课题是即使使用机械式继电器来构筑电池系统也可提供安全性高的电池系统。本发明涉及的电池系统，其特征在于，具有：将多个电池单元串联连接的电池模块；与所述电池模块串联连接的开关电路；控制所述开关电路的控制装置；以及对所述开关电路的熔敷进行诊断的熔敷诊断电路，在该电池系统中，所述开关电路为第一继电器开关和第二继电器开关串联连接而构成，所述熔敷诊断电路具有对所述第一继电器开关和所述第二继电器开关之间的电压进行测量的电压测量器。
CN103368144A	过压保护电路本发明提供一种过压保护电路，包括过压保护芯片及充电芯片，所述过压保护芯片用于将一电压检测引脚上的电压与一参考电压进行比较，当所述电压检测引脚上的电压小于所述参考电压时，所述过压保护芯片使能所述充电芯片，以驱动所述充电芯片对所述高压电池进行充电；当所述过压检测引脚上的电压等于或者大于所述参考电压时，所述过压保护芯片停止对所述充电芯片的使能，使得所述充电芯片停止对所述高压电池的充电。本发明的过压保护电路一旦监控到高压电池的充电电压超过其最高电压时，立即停止对该充电芯片的使能，以停止对该高压电池的充电，进而实现对所述高压电池的过压保护。
CN103368137A	一种基于网络的自修复的多端数据同步差动保护方法一种基于网络自修复的多端数据同步差动保护方法。该方法基于平衡传输网络，差动保护网络内的任何一台差动保护装置都可以通过竞争成为主时钟属性的保护装置，竞得主时钟属性的保护装置定期（2S）发出时钟同步邀约，从时钟属性的保护装置接收主时钟的时钟同步报文以及随后的时间校正报文，并且通过与主时钟之间的请求、应答机制获取网络时延，从而精确完成自身时钟与主时钟的同步。差动保护网络系统内各保护装置之间的采样时钟差别优于4us。本发明差动保护装置的时钟精确度不受保护装置安装点在网络中的位置影响。差动保护网络内的各差动保护装置按照各自同步后的时钟步调完成数据采集，实现高精度的数据采集与传输。
CN103368136A	一种处理电网失电的方法和装置本发明公开了一种处理电网失电的方法和装置，该方法包括：监测电网的参数信号；根据所述参数信号，判断所述电网是否存在失电故障；当确定出所述电网存在失电故障时，切断并网发电设备向所述电网的供电。该方法可以提高供电安全性和可靠性，进而提高供电质量。
CN103368133A	具有相线间小电流故障保护的漏电保护断路器一种漏电保护断路器，包括相间漏电流保护部件，相间漏电流保护部件包括：第一电流互感器(CT1)，包含匝数为N1的第一线圈(CT1-N1)、匝数为N3的第三线圈(CT1-N3)以及用于驱动的匝数为N5的第五线圈(CT1-N5)，该第一线圈串联连接在第一相线(L1)的输入端处；第二电流互感器(CT2)，包含匝数为N2的第二线圈(CT2-N2)以及匝数为N4的第四线圈(CT2-N4)，该第二线圈串联连接在第一相线(L1)中的接近负载的位置处；保护继电器(RLY)，基于第五线圈(CT1-N5)的电流而动作，断开各个相线(L1、L2)的连接；其中，第一电流互感器(CT1)的第三线圈(CT1-N3)与第二电流互感器(CT2)的第四线圈(CT2-N4)串联成闭合回路，其中，N1＝N2，N3＝N4。
CN103368128A	机车辅助电源系统接地故障保护装置和电力机车本发明提供一种机车辅助电源系统接地故障保护装置和电力机车，该接地故障保护装置包括：依次连接的控制单元、供电设备和负载，且负载通过接地线路接地，该接地故障保护装置还包括电流互感器、采样电阻和电压传感器，电流互感器的一次绕组输入端子连接于所述接地线路中；采样电阻连接于所述电流互感器的二次绕组输出端子两端；电压传感器连接于所述采样电阻两端，用于采集所述采样电阻上的电压并输出电压信号以作为接地故障信号传送给所述控制单元，以供所述控制单元控制所述供电设备停止工作。该机车辅助电源系统接地故障保护装置中，只要负载发生接地故障，可及时的检测负载接地故障，可保障辅助电源系统安全运行。
CN103368127A	基站过流保护装置本发明涉及一种基站过流保护装置，包括电流检测电路，所述电流检测电路包括用以将毫伏级的电流信号放大至伏级的电压信号的放大电路、连接所述放大电路正输入端和负输入端的第一电容、与所述第一电容并联后连接电流检测信号的可调电位器、串联至所述放大电路输出端上的第一电阻、以及第二电容，所述第二电容一端与所述第一电阻用以连接单片机的外连接端连接，另一端模拟接地。通过本发明所述的基站过压保护装置可以预先判断电流是否超出基站预先设定的过流阀值，从而保护基站，利于基站的正常工作，进而可节约人力和物力。
CN103368119A	母线槽插孔装置本发明涉及一种空气型母线槽插接口装置，插脚组件与铜排为插拔式结构，可实现先组装插孔母线主体及附件，最后一道工序组装插孔组件，插孔插脚组件改变了传统的预装方式，母线主体与插孔组件分开安装。
CN103368114A	电线保持件的固定结构本发明涉及一种电线保持件的固定结构（1），其具有：布线于车辆的电线（3）、用于保持电线（3）的电线保持件（5）、和设置于电线保持件（5）并固定于车辆上的固定部件（7），保持件（5）具有使电线（3）贴紧并使电线穿过的索环索环（9）、和压缩并覆盖索环索环（9）的外周的保护器（11），在保护器（11）和固定部件（7）之间设置有卡合部（13），该卡合部能够改变固定部件（7）相对于保护器（11）的配置位置，并能够将固定部件（7）保持在期望的相对于保护器（11）的配置位置上。
CN103368113A	一种简易桌面线夹本发明公开了一种简易桌面线夹。所述简易桌面线夹由一体式的具有弹性的材料制得，包括夹紧部位（1）及开放式弧形结构（3，所述开放式弧形结构（3）上开设多条夹缝（2），所述夹紧部位（1）开口小于桌面厚度。本发明通过夹紧部位夹在桌子的边缘，然后将各种线缆夹在夹缝中，简单方便。
CN103368110A	非承力接续线夹的带电安装与拆卸施工方法本发明提供一种非承力接续线夹的带电安装与拆卸施工方法，采用地电位作业法，安装步骤主要有：安全检查、绝缘隔离、非承力接续线夹上安装引流线、托举非承力接续线夹使其挂上配电线路母线、非承力接续线夹与配电线路母线固定连接和绝缘隔离措施拆除；拆卸施工的主要步骤有：安全检查、绝缘隔离、用绝缘装配杆将非承力接续线夹的母线紧固件旋松、托举、非承力接续线夹使其离开配电线路带电母线、拆开非承力接续线夹上的引流线和拆除绝缘隔离措施。本发明使非承力接续线夹的安装与拆卸方便快捷、省时省力，提高工作效率；在不停电的情况下直接施工，有效避免因停电施工带来的经济和社会不必要的损失；拓展了配网带电作业的作业项目及作业范围。
CN103368106A	线材绝缘层激光旋转剥线机本发明提供一种线材绝缘层激光旋转剥线机，包括二氧化碳激光器、设在二氧化碳激光器的输出端的第一全反镜、柔性夹持装置、线材定位机构、激光聚焦点调节机构、光路旋转机构、直线运动机构。线材柔性夹持装置及直线运动机构固定于机架上，光路旋转机构固定于直线运动机构上，激光聚焦点调节机构固定于光路旋转机构上。光路旋转机构用于将第一全反镜片反射的激光光束反射至线材，并可使激光光束绕着线材轴心旋转，实现激光围绕线材进行360°旋转切割。直线运动机构用于使固定在其上的光路旋转机构产生直线运动，使线材被激光轴向切割。本发明设计合理，结构紧凑，对不同直径线材绝缘层能进行无伤痕无残留剥离，大幅提高线材加工的质量。
CN103368105A	洁净厂房的电气安装方法和钻孔设备及钻孔方法本发明公开了洁净厂房的电气安装方法和钻孔设备及钻孔方法，其中，洁净厂房的电气安装方法，包括彩钢板墙体线管安装步骤，彩钢板墙体线盒安装步骤，灯具密封安装步骤。本发明的优点在于：电气施工的积尘区域极少，符合洁净厂房的施工要求，生产成本低，生产施工方式便捷。
CN103368097A	用于固体绝缘开关装置的开关一种用于固体绝缘开关装置的开关，包括：外壳，其是固体绝缘的并且包括电源侧套管部、电负载侧套管部、以及具有在其内填满空气的容纳主体部；主电路开关，其为各个电极而安装，并且具有通过接收来自共用致动器的切换驱动力而对电源电路进行切换的真空断续器；以及接地开关，其包括：待接地的第一固定接触器；第二固定接触器，其电连接至电源侧连接导体；以及活动片，其连接到所述共用致动器，并且借助于来自所述共用致动器的切换驱动力能移动到用于接触所述第一固定接触器的第一位置和用于接触所述第二固定接触器的第二位置。
CN103368096A	固体绝缘环网柜本发明公开了一种固体绝缘环网柜，包括高压开关单元，高压开关单元包括真空灭弧室和隔离接地开关装置，隔离接地开关装置包括绝缘腔体，绝缘腔体上设有出线端、接地端及与所述动导电杆电连的进线端，绝缘腔体中或外侧固设有接地用真空开关管，接地用真空开关管的静触头与接地端电连、其动触头具有接地接线部，接地用真空开关管的动触头上传动连接有接地操动机构，绝缘腔体中还设有隔离刀闸，隔离刀闸的一端为铰接在出线端上的铰接端、另一端为接触端，隔离刀闸上传动连接有驱动机构。通过控制隔离刀闸的摆动和接地用真空开关管中动、静触头的通断状态，实现隔离接地开关装置处于不同的工况。
CN103368094A	可远距离操作的40.5KV程序化开关柜本发明公开了一种可远距离操作的40.5KV程序化开关柜，包括柜体、手车、接地开关，手车与柜体底部的电动推进机构连接；所述电动推进机构包括机构推进槽，机构推进槽中装推进丝杆，推进丝杆上套装丝杆螺母，丝杆螺母与和手车底板连接的推进机构挡块连接，丝杆通过第一齿轮脱扣组合式传动机构与第一电机连接；所述接地开关包括接地开关本体，接地开关本体与接地开关操作轴连接，接地开关操作轴与接地开关电动操作机构连接，接地开关电动操作机构为第二电机驱动的第二齿轮脱扣组合式传动机构。本发明结构合理，操作方便，准确、安全，并可实现远距离操作。
CN103368080A	气体绝缘的高压组合电器本发明提供的是一种气体绝缘的高压组合电器，包括安装在底座上的左母线和右母线，在左母线上连接有左隔离开关、右母线上连接有右隔离开关，在左隔离开关和右隔离开关的上方与一个水平布置的断路器的右下端连通，断路器的左下端依次连接电流互感器、隔离开关、电缆头，在电缆头的上部与底座之间有固定支架；其特征在于，左隔离开关、右隔离开关和接地开关安装在同一个壳体内，在所述的壳体右端设置一个操动机构。为此，增加了气体绝缘的高压组合电器的美感、组装方便、还有利于实现智能化控制。
CN103368079A	一种内设亮灯系统的电控箱本发明公开了一种内设亮灯系统的电控箱，其包括箱体、与箱体转动连接的箱盖、排布在箱体内的电控元件、蓄电池、设置在箱盖上用于放置蓄电池的电池盒、设置在箱体上的接触开关、设置在箱体内的多个照明灯、以及用于将蓄电池、接触开关和多个照明灯相连通的第一导电线。本发明在箱盖上设有蓄电池，同时在箱体内设有接触开关和照明灯，当箱盖与箱体相对打开时，控制开关控制蓄电池与照明灯形成回路，当箱盖与箱体相对闭合时，控制开关控制蓄电池与照明灯形成断路，从而使得在维修时候，由照明灯照亮整个箱体，便于维修工作的人员的操作，也降低了安全事故反生的概率。
CN103368078A	一种船用母线式断路器适配器本发明提供了一种船用母线式断路器适配器，其特征在于：包括外壳，在外壳的底部设有三个横向槽，母线卡入槽内，在每个横向槽上再设有一个矩形孔，其位置与母线相对应，六个接线座设于外壳内部，各接线座通过螺钉与外壳固定。其中三个接线座利用软联结与其相应的接线端子连接，接线端子利用软联结的柔性从外壳底部的矩形孔中伸出，与母线安装位置相对应。本发明通过伸出外壳的接线端子，直接用螺钉安装在母线上，使接线端子与母线紧密贴合，从而使适配器与母线的电连接性能实现稳定可靠，且能避免船上恶劣的使用环境带来的不良影响。
CN103368077A	一种负离子器、负离子风装置及冰箱除臭装置本发明涉及冷藏设备技术领域，更具体地，涉及一种负离子器、负离子风装置及冰箱除臭装置。本发明负离子器包括发射极、集电极以及为其产生动力的高压电源，所述发射极为针状发射极，其连接高压电源的负极端，发射极的针状尖端指向集电极；所述集电极连接高压电源的正极端，所述集电极为渡边孔式集电极，其采用导电板冲孔，孔的外边缘涂覆平整的绝缘层。本发明离子风装置、冰箱除臭装置可产生大风量负离子风，更快速有效的去除冰箱内的异味、病毒以及各类细菌，保持空气清新，使食物更保鲜健康。
CN103368070A	一种带指示光的光纤耦合半导体激光器及其封装方法本发明公开了一种带指示光的光纤耦合半导体激光器，包括封装管壳、在封装管壳内安装有半导体激光器、部分反射镜、反射镜a、反射镜b、反射镜c、增益介质和倍频晶体；在半导体激光器出光方向上，由近而远设置部分反射镜和反射镜a；在部分反射镜的下方设置有反射镜b，在反射镜a下方设置有反射镜c；在反射镜b和反射镜c之间设置有增益介质和倍频晶体；在光路上且在封装管壳上设置有出光孔。本发明所示的半导体激光器，用单个管芯实现同时输出红外光和可见光，减少了可见光电源的引入，并且减小了输出光纤的直径，增加了激光器的整体寿命。
CN103368069A	一种降低高阶模的激光器结构本发明涉及激光技术领域，公开了一种降低高阶模的激光器结构，包括半导体激光器、耦合透镜和组合光纤依次串联耦合，该组合光纤包括两段相同的多模光纤对接耦合，两多模光纤之间引入空气间隙或无芯光纤；或者该组合光纤包括一段多模光纤和一单模光纤熔接，单模光纤的模场直径与该多模光纤的通光直径相同；半导体激光器发出的激光经耦合透镜耦合进入组合光纤的多模光纤段，之后由组合光纤的另一多模光纤或单模光纤输出。该结构通过多模光纤之间引入无芯光纤或空气间隙，或是多模光纤与同模场直径单模光纤熔接的结构来减少高阶模的输出，在提高输出功率的同时降低了激光高阶模的输出，提升了输出光斑质量，为激光的应用带来很大的便利。
CN103368064A	用于制造照射装置的方法和照射装置一种制造照射装置的方法，在第一基板（10）上布置产生第一电磁射线（13）的第一射线源（12），在第一基板上在第一电磁射线的射线路径中这样布置用于使第一电磁射线转向的第一转向元件（16），即第一电磁射线在远离第一基板的方向上转向。提供第二基板（50），在预设的额定位置上设计第一耦合输出区域。测定第一耦合输出区域的实际位置。检测转向的第一电磁射线（17），由此能测定该第一电磁射线的射线路径。第一射线源和第一转向元件取决于第一耦合输出区域的测定的实际位置相对彼此和相对于第一基板这样在其上调整，即在第二基板布置在第一基板上的情况下，转向的第一电磁射线的射线路径延伸穿过第一耦合输出区域。第二基板布置在第一基板上。
CN103368063A	激光模块本发明的课题在于提供易于小型化的激光模块。激光模块（100）的激光部（20）配置了多个出射激光的半导体激光器元件（21～27）。准直透镜（2）接收从激光部（20）出射的各个激光，使各个激光成为平行光而出射。光电二极管（31、32）接收从准直透镜（2）出射的各个平行光，输出与各个平行光的强度对应的信号。进而，光电二极管（31、32）被配置于从准直透镜（2）出射的平行光传输的路径上、并且针对所出射的各个平行光的全部接收平行光的一部分的位置。
CN103368060A	波长调节装置一种波长调节装置，包括：一第一温度传感器，一取样电阻，一激光功率采集单元，一第二温度传感器，第一温度传感器、取样电阻、激光功率采集单元与第二温度传感器通过一信号调理单元连接一处理器的输入端，处理器的输出端连接一数字电位器的输入端，数字电位器的输入端连接一PID控制器的输入端，PID控制器的输出端连接一TEC控制器的输入端，且第一温度传感器还通过另一信号调理单元直接连接PID控制器的输入端。通过对泵浦温度精确控制，使光纤激光器输出功率变化过程中泵浦工作波长保持基本不变，有源光纤工作在最佳吸收波长，提高激光器的工作效率和功率稳定性。
CN103368054A	光纤激光器锁模自启动快速反馈控制方法及系统本发明公开了一种光纤激光器锁模自启动快速反馈控制方法及系统，其方法应用精密电压驱动的光纤挤压式电控偏振控制器连接于光纤激光器腔内，使模式失锁的光纤激光器智能化地实现锁模自启动，或者实现光纤激光器的锁模状态间的切换。通过监测和反馈光纤激光器输出光光强、重复频率和光谱等信息，可以精密地扫描光纤挤压式电控偏振控制器的驱动电压，使光纤激光器腔内的偏振状态得以精密控制。该方法有效的弥补了传统手动偏振控制器的调节精度与可恢复性等的高精度量化，并且大大提高了调节效率和缩短了调节时间。同时，该方法也可使光纤激光器在周围环境变化的情况下，可以保证其每次开机时模式锁定状态的建立。从而可以提高光纤激光器在工业应用中的稳定性和可靠性。
CN103368053A	一种LD泵浦的单频脉冲1645nm固体激光器一种LD泵浦的单频脉冲1645nm固体激光器，涉及雷达的光源系统领域。本发明是为了解决现有1.6μm激光器不能输出单频脉冲激光的问题。本发明所述的一种LD泵浦的单频脉冲1645nm固体激光器，选用单掺Er:YAG晶体作为激光介质，波长为1532nm的激光二极管作为泵浦光源，运用注入锁定技术，在调Q重复频率为100Hz时，得到了雷达系统所需的单脉冲能量达到2.6mJ的单频脉冲1645.2nm激光，该激光线宽为42kHz，脉冲宽度为210ns。本发明全部采用固态器件，得到了全固态、小型化的激光器。本发明所述的一种LD泵浦的单频脉冲1645nm固体激光器能够为相干多普勒测风雷达提供适合的光源。
CN103368046A	线偏振激光输出高功率光纤放大器及输出控制方法本发明为线偏振激光输出高功率光纤放大器及输出控制方法，该光纤放大器包括光隔离器、泵浦合束器、双包层有源光纤、光纤准直器、起偏器、泵浦激光器和泵浦激光器驱动控制电路。起偏器有主与副偏振轴输出端。泵浦激光器驱动控制电路的微处理器接泵浦驱动电路，后者接泵浦激光器，接于副偏振轴输出端口的光电探测器和监控泵浦驱动电流的电流检测器均接微处理器。控制方法为先获得并存储总功率-电流函数P(I)和主副偏振轴的插入损耗；由光电探测器得副偏振轴输出功率，偏振态变化时，计算泵浦驱动电流，调节放大器输出总功率，本发明实现主偏振轴激光功率恒定输出，不受环境因素影响。且无需光功率分光器件，实现反馈控制，降低成本。
CN103368045A	基于全光纤慢光元件的窄线宽单频光纤激光器一种基于全光纤慢光元件的窄线宽单频光纤激光器，由泵浦光源、高反射率的光纤布拉格光栅、有源增益光纤、输出光隔离器和光纤环结构的慢光元件组成。本发明产生的单频激光具有几十Hz甚至更窄的激光线宽，是全光纤的紧密结构，性能稳定，强度噪声和频率噪声较低。
CN103368044A	基于温控机制的同步双频脉冲微片激光器装置本发明涉及一种基于温控机制的同步双频脉冲微片激光器装置。本发明装置包括双频激光产生装置和同步双频激光脉冲输出装置。双频激光产生装置包括微片激光器的抽运源、传输光纤、自聚焦透镜、微片增益介质和半导体温控；同步双频激光脉冲输出装置包括滤波片、分束器、偏振分束片、数字示波器、准直器、耦合器、RF分析仪和频谱分析仪。本发明装置通过采用预抽运、对抽运源和微片增益介质的热沉进行温控，移动增益谱线和激光振荡波长，进而调节双频激光脉冲的相对增益以调整激光脉冲的出光时间，得到时间同步的双频激光脉冲输出。本发明得到的时间同步的双频激光脉冲，为下一步光生毫米波应用于光载无线通信（ROF）打下了基础。
CN103368043A	一种旋转的激光器本发明涉及一种旋转的激光器，其结构包括：激光器装置、套件、电机转子、电机、激光器安装孔、激光器、锂电池；套件的底端固定安装在电机转子上，激光器装置安装在套件的上的激光器安装孔内；激光器装置由激光器和锂电池组成，锂电池安装在激光器的底端，锂电池为激光器供电；套件上设置有3个激光器安装孔。本发明提出的一种旋转的激光器，采用套件将激光器设备安装在电机上的独特巧妙设计，使得其应用更加广泛。本发明的结构简单，设计巧妙合理，成本较低，具有广阔的市场前景。
CN103368041A	一种漆包线焊接辅助装置本发明公开了一种漆包线焊接辅助装置，包括第一底板（1）、第二底板（2）和安装在两底板上的去漆膜装置（8），所述第二底板（2）的底部设有轨道（7），所述第二底板（2）沿轨道（7）滑动。通过上述方式，本发明能够在去除两根漆包线漆膜后，迅速把需要焊接的两根漆包线放置在一起，为焊接做好准备。
CN103368038A	一种免银焊的弯式连接器的制作方法本发明属于通讯设备领域，具体涉及一种免银焊的弯式连接器的制作方法。其步骤为：（1）用机床加工出A外壳、B外壳和螺纹端盖；（2）用机床加工出A外壳的右圆筒内壁的内螺纹；（3）再用机床加工出A外壳的右圆筒外壁的防转动滚纹；（4）用机床加工出螺纹端盖的外螺纹；（5）将A外壳的右圆筒与B外壳插接在一起；（6）将螺纹端盖与A外壳的右圆筒螺纹连接；（7）调整A和B外壳之间的位置，并旋紧螺纹端盖。3本发明将A外壳穿过B外壳，并通过螺纹端盖进行固定，极大的增加了它的可靠性，相比过盈连接和焊接，方便拆卸，同时连接牢固，外形美观。在A外壳的右圆筒的外壁设有防转动滚纹，同时保证了A外壳与B外壳的固定。
CN103368036A	一种射频连接器的制作方法本发明属于通讯设备领域，具体涉及一种射频连接器的制作方法，该射频连接器的制作方法，其步骤为：（1）确定射频连接器的外导体1内壁上内侧凸起，也就是内侧倒钩4的具体位置；（2）使用机床在内导体上切出与外导体1内壁上的内侧倒钩4相适配的凹槽6；（3）确定射频连接器的内导体2外壁上外侧凸起，也就是外侧倒钩5的具体位置；（4）使用机床在介质3上切出与内导体2外壁上的外侧倒钩5相适配的凹槽6。本发明射频连接器的制作方法，步骤简单，操作方便。
CN103368035A	卡连接器的制造方法本发明提供用于制造卡连接器的制造方法，该卡连接器能够实现低背化并且在壳体中插入卡体时触头能稳定地动作。在经过对具备一方的触头（4）和经由连结片（13）与一方的触头连结的被滑动接触部件（12）的一方的冲压部件（P1）、和具备另一方的触头（5）的另一方的冲压部件（P2）进行成型的冲压加工工序后，使两冲压部件（P1）、（P2）移动而使得另一方的触头（5）的可动端（33）配置于被滑动接触部件（12）上，在该状态下进行嵌入成型，将一方的触头（4）、被滑动接触部件（12）以及另一方的触头（5）装入由绝缘性合成树脂构成的底板部（8），然后，切断连结一方的触头（4）和被滑动接触部件（12）的连结片（13）。
CN103368029A	一种时钟弹簧、转向器总成及其汽车本发明的一种时钟弹簧、转向器总成及其汽车，包括壳体以及可转动的安装于所述壳体内的转盘，所述转盘与壳体之间形成一环形腔，所述环形腔内至少设置有一根可随所述转盘转动而相对移动的扁带，所述扁带上设置有磁化部，所述壳体上设有可检测所述磁化部的检测组件，所述转盘转到中位时，所述磁化部移动至可被所述检测组件检测到的位置。
CN103368027A	电容器载体本发明涉及受到外部冲击时可以防止电容器流动并保护电路板的电容器载体。本发明实施例的电容器载体包括：设置部，一面开放，另一面为设置电容器而在其内周面形成凸坎；支架，安装于所述设置部的两端而支承所述设置部；支架上部导线，在支架的上部形成且能接触到所述电容器的导线；支架下部导线，与支架下部连接，且连接于所述支架上部导线从而接触到电路板。
CN103368025A	通过电缆传输高速数据的设备本发明为一转接器，用以连接一Thunderbolt®规格接头与一可插拔光学传输器主机板上的可插拔光学传输器接头，该可插拔光学传输器接头用以连接一可插拔光学传输器与一非Thunderbolt®规格接头；该转接器具有一第一接头，用以连接该可插拔光学传输器接头与一连接Thunderbolt®规格接头的第二接头。
CN103368022A	可编程存储控制器组件的正面插头本发明涉及一种用于SPS组件（112）的正面插头（100），其中，该正面插头（100）具有上接触端子板（104）和下接触端子板（106），其中，下接触端子板（106）通过铰链（102）与上接触端子板（104）铰接，用于使上接触端子板在开启和闭合状态之间进行转换，其中在闭合状态时，上接触端子板（104）和下接触端子板（106）的触点（108；120）电绝缘地在侧面彼此错开地布置，并且能够实现与需要通过正面插头（100）连接的SPS组件（112）的配合触点（110；114）的接触，其中，与配合触点（110；114）的接触至少部分地在下接触端子板（106）的背离顶侧的一侧上实现。
CN103368020A	电子装置本发明提供一种电子装置，其包括一壳体及固定设置于该壳体内的一电路板，该电路板上固定有至少一接口，该电子装置还包括固定至壳体上的一防护罩，该防护罩包括一定位部，该定位部包括至少一定位腔，该至少一定位腔的形状和尺寸分别与上述至少一接口的形状和尺寸相吻合并用于容置上述至少一接口与其内。本发明的防护罩能够相对定位电路板上的接口，进而能够避免接口在反复插拔过程中左右晃动造成与电路板松动甚至脱离。
CN103368019A	一种快速固定型插线板本发明提出了一种快速固定型插线板，包括插头、电缆和插排，电缆一端与插头连接，电缆另一端与插排连接，在电缆上设有一个或多个用于快速固定电缆的第一橡胶吸盘，和/或，在插排背面设有一个或多个用于快速固定插排的第二橡胶吸盘。本发明中，通过设置橡胶吸盘能够对插线板的电缆和/或插排进行快速固定，插线板的电缆可以按照设计线路进行布线，使得电缆布置更加整洁合理，插线板的插排稳定地固定起来可以确保用电安全，并且通过吸盘对插线板进行固定，吸盘能够重复多次使用并保持良好的固定效果，因此可以根据具体需要快速地更换固定位置，满足了复杂应用场景的要求。
CN103368017A	一种断电保护插座本发明公开了一种断电保护插座，包括插座本体，插座本体另设断电保护电路，断电保护电路与市电输入端并联后与插座本体串联，断电保护电路由转换可控硅、逆变器、蓄电模块、充放电控制器及报警器，转换可控硅、逆变器、蓄电模块、充放电控制器及报警器均置于插座本体内部，转换可控硅输入端及控制端均与市电电气连接，输出端与逆变器电气连接，逆变器另通过充放电控制器与蓄电模块电气连接，充放电控制器另与报警器电气连接。本发明有效的使插座具有了一定的断电报警保护能力，且较之传统的UPS电源系统具有结构简单、小巧轻便、运行稳定、断电保护迅速及使用寿命长的特点，从而进一步避免了因突然断电而造成的用电器损害，提高用电器运行安全稳定性。
CN103368009A	连接器本发明提供一种连接器，能防止端子零件在空腔内错位。壳体（20）具有供端子零件（10）从后方插入的空腔（25）。可挠曲的矛形件（27）向前方突出而形成在空腔（25）的内表面，在端子零件（10）被正常插入到空腔（25）内的情况下，矛形件（27）弹性地卡定端子零件（10）的矛形件支撑部（15）。前方部件（60）从前方组装于壳体（20），具有导向部（71），该导向部（71）位于矛形件（27）的前方并与被向空腔（25）内插入的中途的端子零件（10）相抵接，能够将该端子零件（10）引导到空腔（25）内的正常插入位置。
CN103368007A	一种保护工业设备串口接头的方法及其装置本发明涉及一种保护工业设备串口接头的方法及其装置，包括安全加固串口接头，所述安全加固串口接头外部连接一个线路监测装置，该安全加固串口接头内部安装内置固定螺丝，安全加固串口接头外表面设置带锁外壳；其中的线路监测装置内置一个断路监测单元，线路监测装置上开设串口固定接口并且通过该串口固定接口将原串口接头接入到线路检测器内部，再采用另一个带锁外壳将原串口接头与线路监测装置进行防拆卸保护。本发明有益效果为：有效防止网络中的核心串口零部件遭恶意拆除、拔断或中止，能对正在实施的拆除、拔断或中止行为进行告警；解决了工业自动控制网络专用串口实时通信网络的物理及功能安全问题；适合大面积推广使用。
CN103367999A	连接器组合本发明公开一种连接器组合，其包含一第一连接装置及一第二连接装置。第一连接装置包括一第一电路板、一绝缘本体及多个端子。绝缘本体设在第一电路板，具有一基壁及两侧壁，三者共同界定出一对接空间。多个端子设在绝缘本体，且各端子具有一位于对接空间的弹性接触部。第二连接装置包括一第二电路板及多个导接垫。第二电路板具有一对接部。多个导接垫直接形成于第二电路板的对接部表面。通过第二电路板的对接部设置于对接空间，使各导接垫与相对应的各端子的弹性接触部相接触，而使第一电路板与第二电路板形成电连接。
CN103367997A	电源连接器组合结构及转接插头本发明关于一种电源连接器组合结构及转接插头，电源连接器组合结构包含电源插头以及转接插头。该电源插头具有至少两第一导电端子，其中每一第一导电端子具有通孔。转接插头包含壳体、切换元件、至少两第二导电端子以及至少两卡扣元件。每一卡扣元件具有凸部。当切换元件位于第一位置时，卡扣元件的凸部容置于对应的第一导电端子的通孔，使卡扣元件处于一锁扣状态。于该锁扣状态时，第一导电端子与对应的卡扣元件相互耦接，且第一导电端子与对应的第二导电端子相互电连接。
CN103367994A	一种台阶式密封电缆连接器本发明属于通讯设备领域，具体涉及一种台阶式密封电缆连接器，该台阶式密封电缆连接器，包括密封圈、连接螺母和接头；所述连接螺母的内壁设有一圈台阶形的凹槽，所述密封圈设置在连接螺母的内壁上，密封圈与连接螺母的台阶形凹槽相适配；所述接头与连接螺母相连。本发明台阶式密封电缆连接器，在密封圈上增加了台阶使得密封圈能够定位，使得密封圈受到连接螺母和电缆的双重压力从而起到密封作用，密封性好；同时省去了热缩套管，使得安装起来十分方便。
CN103367993A	一种置入式密封连接器本发明属于通讯设备领域，具体涉及一种置入式密封连接器，该置入式密封连接器，包括外壳、压接套管、密封圈和热缩套管；所述外壳包括左右两个圆筒，右圆筒的外部设有压接套管，压接套管的外部设有热缩套管；所述密封圈包括A密封圈和B密封圈，A密封圈设置在压接套管与外壳的连接处，B密封圈设置在右圆筒的最右端与压接套管最右端的中间位置，且A和B密封圈均设置在压接套管的内壁上。本发明置入式密封连接器，在压接套管与外壳连接处和压接套管与电缆的连接部分设置了密封圈，密封圈受到压力产生变形而起到密封效果，使得这种压接方式保证了产品的密封性，即使在户外也可以使用这种连接器与电缆连接，成本较低。
CN103367990A	水密式插座盖板本发明涉及一种插座盖板，其用于覆盖圆柱形插口型的插座。插座盖板提供了一种用于船舶应用并且也可用于汽车应用的水密式盖板。插座盖板包括具有凸缘的底座。直立环从底座向上延伸，环形槽的直径小于直立环的外径。盖帽具有将底座结合到盖帽的系绳。盖帽中的环形肋适用于与底座上的环形槽配合。环形肋包括部分地穿过它的槽，其适用于当环形肋与底座上的槽配合时收容系绳。
CN103367987A	电连接器一种电连接器组件，包括可安装于第一电路板的第一连接器及可安装于第二电路板并与第一连接器配合的第二连接器，两连接器均包括设有收容腔的塑料本体和安装于收容腔内并垂直于电路板的片状导电端子，所述塑料本体具有平行于片状导电端子的两侧壁，垂直连接两侧壁的顶壁与底壁，所述塑料本体的至少一侧壁设有垂直贯穿所述侧壁的若干开槽，所述开槽连通收容腔与连接器外界空气，所述侧壁外侧面设有将所述若干开槽与外界空气连通的凹槽，所述凹槽的上侧设有遮挡所述开槽的遮挡部。
CN103367986A	电连接器一种电连接器，包括金属壳体、绝缘本体及复数个端子。金属壳体具有顶壁、两侧壁、底壁、复数个撕破式固定脚及复数个延伸式固定脚，顶壁、两侧壁及底壁共同形成容置空间、第一开口及第二开口，各撕破式固定脚在侧壁形成破槽，各延伸式固定脚自侧壁位于第二开口处之一侧缘相对于侧壁向外延伸，且撕破式固定脚的宽度小于延伸式固定脚的宽度。本创作因将金属壳体中位置靠近于电连接器前端第一开口处之传统下料式固定脚改为撕破式固定脚，且撕破式固定脚在金属壳体侧壁所形成的破槽宽度极小，符合安规要求，不需对破槽贴胶带，可节约成本。
CN103367984A	一种内置式螺丝装置本发明揭示了一种内置式螺丝装置，包括螺钉掩盖装置以及固定螺钉掩盖装置的配线架和底板，所述的螺钉掩盖装置设置于配线架一侧，所述的螺钉掩盖装置的底边与配线架接触一侧设置有两个凸块，所述的凸块勾住配线架底边固定配合，所述的螺钉掩盖装置顶部设置有一个长方形凹槽，所述的凹槽下方设置有一块塑料片，所述的塑料片底部设置有一个向上的回勾。该装置可掩藏螺钉，使得配线架、螺钉掩盖装置具有一致性，使产品造型更加流畅典雅，同时，拆卸起来也比较方便，另外表面设置的数字标示与图形标示减少了很多麻烦，可方便工作人员查找和使用。
CN103367981A	连接器的按压式壳体及包含该壳体的快速连接器本发明公开了连接器的按压式壳体及包含该壳体的快速连接器，壳体包括壳本体，所述壳本体呈腔体结构而设置有用于安装导电连接体的容腔，壳本体的前侧壁上设置有容许导线穿入与导电连接体连接的导线插孔，其中一个容腔对应一个导线插孔，每一所述容腔的上腔壁上设置有并行的两个开口槽，该两个开口槽之间的腔壁形成弹性按压部，所述弹性按压部中间高两端低而呈拱桥形状，弹性按压部位于所述容腔中的内表面向下延伸设置有可挤压导电连接体的压块，摒弃了传统技术中的悬臂式弹性按钮结构，具有较好的连接强度、容易按压、整体美观性好等特点。
CN103367978A	电连接器组装体、插塞式连接器以及插座式连接器本发明提供电连接器组装体、插塞式连接器以及插座式连接器。该电连接器组装体具有插座式连接器和与其嵌合连接的插塞式连接器，插塞式连接器的壳体的嵌合部为难以损坏的结构。插塞式连接器（2）具有安装于端子排列方向上的嵌合部的端部的加强零件（60），该加强零件通过对作为一个部件的金属板进行弯曲而制作，具有：基部（61），在上述插塞式连接器（2）的嵌合部朝向下方的姿势下通过相对于连接器插拔方向成直角的板面来覆盖上述嵌合部的端部的下表面；侧板部（63），通过与上述端子排列方向以及连接器插拔方向两个方向平行的板面来覆盖上述端部的两侧面；以及端板部，通过相对于上述端子排列方向成直角的板面来覆盖上述端部的端面。
CN103367976A	电连接器本发明揭示了一种电连接器，可安装至外部电路板，所述电连接器包括设有收容腔的绝缘本体及收容于绝缘本体内的端子模组，所述绝缘本体包括可安装于外部电路板的底壁，所述端子模组包括若干对接端子，该等对接端子设有延伸入收容腔内用以与对接连接器导电配合的接触部，所述底壁于对接端子的接触部的正下方设有一凹陷部，用以增加对接端子的接触部向下运动的空间。
CN103367971A	连接器本发明涉及一种连接器，包括：壳体（10），该壳体由合成树脂制成，并且形成有端子容纳腔（11）。可弹性变形的锁定矛杆沿所述端子容纳腔的内壁表面向前构成悬臂，并且锁定突起（15）形成在所述锁定矛杆上。端子接头（30）从后方插入到所述端子容纳腔中，并且具有锁定孔（33），该锁定孔被构造成：当所述端子接头插入到所述端子容纳腔中时，该锁定孔与所述锁定突起接合。加强肋（20）整体形成在所述锁定矛杆上，并且在所述锁定矛杆的弹性变形方向上的与所述端子容纳腔相对的方向上突起。
CN103367969A	电连接器一种电连接器，包括金属壳体、固定于金属壳体内的绝缘本体、固定于绝缘本体内的导电端子、及固定于金属壳体外的绝缘外壳；所述导电端子包括有露出于绝缘本体的舌板表面的接触部、固定部及延伸出绝缘本体的连接部；其所述绝缘外壳后端延伸形成有压接部；所述导电端子的连接部固持于压接部内，连接部表面暴露于压接部表面，且所述导电端子的连接部上设有固持于绝缘本体的压接部内的固持脚，本发明电连接器可保证导电端子与对接电路板之间的电性接触稳定。
CN103367968A	简易型电源插头简易型电源插头是一种便于安装导线和绝缘外壳的插头，它是将两片触头固定在外壳的上半部，触头中的固线螺丝平行向上。结构简单，实用。该技术方案要点是：将两片触片固定在防护盖的上半部，当与导线连接时，打开防护盖的下半部不需取出触头就可以与导线连接。触头的固线螺丝眼做了平行90°旋转改进。达到方便连接导线和安装防护盖的目的。
CN103367952A	卡槽本发明提供一种具有能够实现低高度化的结构的卡槽。基本上通过金属制的基框(100)构成卡槽的基体部分。除用于保持触点(300)的壳体(200)或用于保持第二开关片(620)的开关片保持用壳体(700)等最低限度必需的部分以外不使用树脂。由此，能够保持卡槽的强度并使树脂薄壁化，因此能够使卡槽的结构简单并实现低高度化。
CN103367951A	数码卡固定装置本发明实施例公开了一种数码卡固定装置，包括：托盘和卡座；托盘包括：第一凹槽，用于容置第一数码卡；第二凹槽，与第一凹槽正交垂直设置，用于容置第二数码卡；第一凹槽与第二凹槽具有部分重叠的镂空部分；卡座包括：第一弹片和第二弹片；其中，当托盘插入卡座中时，第一弹片和第二弹片从镂空部分露出；当第一数码卡容置于第一凹槽时，第一弹片与第一数码卡的金属触点相接触；当第二数码卡容置于第二凹槽时，第二弹片与第二数码卡的金属触点相接触。本发明实施例实现了一种能够兼容SIM卡和SD卡的数码卡固定装置，在不增加布局空间的前提下，通过一个数码卡固定装置来灵活满足用户的不同用卡需求。
CN103367948A	用于在壳体的壳体开口中装配的插塞连接器本发明涉及一种用于在壳体（3、3a）的壳体开口（2）中装配的插塞连接器（1），其包括：用于容纳至少一个电接触元件（5）的具有插塞侧端部（6）的插塞器壳体（4），该端部（6）用于将接触元件与互补的插塞连接器插塞连接，适配器壳体（7），其构造用于与插塞器壳体（4）形状锁和连接，依据本发明设置如下，即设置有至少一个卡锁连接机构（8），其用于将适配器壳体（7）与插塞器壳体（4）卡锁连接，适配器壳体（7）具有带有在其上成形的壳体固定件（10）的基体（9），并且壳体固定件（10）构造有至少一个部分地沿周向环绕的容纳槽（11），其用于至少部分面锁合地容纳壳体开口（2）的边缘区域。
CN103367946A	电连接器本发明公开了一种电连接器（100），其包括绝缘本体（1）及导电端子(2)，所述绝缘本体(1)具有可收容导电端子的端子槽(13)，端子槽贯穿绝缘本体的上面及下面，导电端子具有安装部(21)及接触臂部(22)，安装部平齐于绝缘本体的下面，所述电连接器还包括位于绝缘本体下面的电性连接件(4)，电性连接件具有绝缘载体(40)以及设于绝缘载体上、下两表面的导电垫(41)，两表面的导电垫通过穿过绝缘载体设置的通孔(411)连接，电性连接件的上表面的导电垫接触导电端子的安装部，可确保电性连接件与导电端子之间准确、可靠电性连接。
CN103367943A	带载流环的铜铝过渡设备线夹本发明公开了一种带载流环的铜铝过渡设备线夹，涉及电力传输制造技术领域，包括铝制的线夹本体、铝制的压块、穿过所述本体和所述压块的紧固螺栓组，在所述线夹本体和所述压块的相向一面通过所述紧固螺栓组固定有一端封闭一端开口的载流环，所述线夹本体与所述载流环接触的面覆有一层铜片，所述压块与所述载流环接触的面履有一层铜片，所述载流环由纯铜T2制成；本发明增加了铜铝过渡设备线夹的导电性能，大大减少了大电流通过时造成线夹上的紧固螺栓发热烧损的情况发生，并能有效避免铜铝过渡设备线夹折断造成的线路故障，对保障电网安全运行、可靠供电具有重要作用。
CN103367941A	线缆连接器一种线缆连接器(100)，其包括插头(1)、与所述插头(1)电性连接的线缆(2)、包覆于所述插头(1)的第一固持管(4)、包覆于所述线缆(2)的第二固持管(5)以及包覆所述第一固持管(4)、第二固持管(5)的外壳(6)；所述外壳(6)可拆卸，使所述第二固持管(5)可以在前后方向上移动，并可以使其与所述外壳(6)在至少两个前后不同位置上定位。
CN103367933A	一种天线装置本发明涉及卫星天线领域，提供了一种天线装置，包括，反射面，位于反射面之上、从上到下依次排布的第一频段辐射面，第一频段介质层，第二频段辐射面，第二频段介质层，其通过固定探针连接在反射面上；其中第一频段辐射面位于第一频段介质层上，第二频段辐射面位于第二频段介质层；所述第二频段辐射面大于第一频段辐射面；所述第一频段辐射面通过第一频段馈电探针连接至第一频段馈电网络；所述第二频段辐射面通过第二频段馈电探针连接至第二频段馈电网络；所述第一频段馈电网络和第二频段馈电网络连接低噪声放大电路；所述第一频段馈电网络、第二频段馈电网络以及低噪声放大电路位于屏蔽盒和反射面之间。本发明的技术方案实现了多系统兼容。
CN103367929A	一种动中通天线本发明公开了一种动中通天线，所述动中通天线包括与水平面平行设置的超材料平板及设置在超材料平板上方的馈源，所述超材料平板包括核心层及设置在核心层一侧表面的反射层，所述核心层包括一个核心层片层或多个相同的核心层片层，每一个核心层片层包括片状的第一基材以及设置在第一基材上的多个第一人造微结构，通过精确设计超材料平板的折射率分布，使得特定角度的平面波经超材料平板后能够在馈源处汇聚。根据本发明的动中通天线，由片状的超材料平板代替传统的抛物面天线，制造加工更加容易，成本更加低廉。
CN103367926A	一种基于全息阻抗表面的多波束天线设计方法本发明提出了一种基于全息阻抗表面的多波束天线设计方法，所述设计方法基于全息阻抗表面技术，所述全息阻抗表面是由彼此之间有间隙的金属贴片单元构成，通过调整金属贴片单元之间的间隙来改变贴片单元的阻抗值；结合微波全息术中干涉图的原理，确定天线表面的阻抗分布；由一个全向辐射的单极子天线，经过阻抗干涉图的调制之后出射设计要求的天线方向图。本发明设计方法，适用于微波、毫米波和太赫兹波波段。
CN103367925A	一种动中通天线本发明公开了一种动中通天线，包括呈正梯台状的超材料中空结构及设置在超材料中空结构中的馈源，所述超材料中空结构包括位于其侧面上的四个相同的呈梯形的超材料平板及位于其顶部的超材料平板，每一超材料平板对应一个馈点，所述馈源能够在伺服系统的控制下在该五个馈点位置切换且使得馈源开口始终正对相应的超材料平板，通过精确设计核心层片层的折射率分布，使得由馈源发出的电磁波经超材料平板后能以平面波的形式出射，或者是从卫星上来的特定角度的平面波经超材料平板后能够在馈源处汇聚。根据本发明的动中通天线，由五个片状的超材料平板组合代替传统的抛物面天线，制造加工更加容易，成本更加低廉。
CN103367922A	一种超材料及MRI磁信号增强器件本发明提供一种超材料，包括多个阵列排布的超材料单元，超材料单元由两层基板和三个人造微结构组成，基板与人造微结构间隔层叠排列，相邻两个人造微结构通过金属过孔相连，人造微结构为圆形螺绕环。该超材料具有高负磁导率，基于该高负磁导率超材料，本发明还提供一种MRI磁信号增强器件，MRI磁信号增强器件利用负磁导率超材料的磁导率为负这一特性，达到信号增强的效果，使MRI成像设备成像效果更好。
CN103367919A	低频宽带双极化四脊喇叭天线本发明公开了一种低频宽带双极化四脊喇叭天线，主要解决现有技术无法满足低频率天线的测试要求，重量很重，不容易移动转动，加工困难的问题。它包括天线壁（1）、脊（2）、短路板（3）、同轴接头（4）、馈电探针（5）、聚四氟乙烯板（6）、短路柱（7）、矩形槽（8）、圆柱槽（9）和过渡锥（10）；四个脊（2）的内壁均采用镂空结构，每个脊的顶部均设有切角，四个脊的中间固定有聚四氟乙烯板（6）；短路板（3）的一侧开有矩形槽（8）；每个馈电探针（5）的顶部设为锥形结构，末端表面镀有银或锡这种软导电材料。本发明具有重量轻，结构稳定，且最低频率能够稳定在75MHz的优点，可适用于低频率天线测试的源天线。
CN103367917A	移动装置本发明公开一种移动装置，至少包括介质基板、天线阵列，以及收发器。天线阵列包括第一天线、第二天线，以及第三天线。第三天线位于第一天线和第二天线之间，用以减少第一天线和第二天线之间的耦合。第一天线、第二天线，以及第三天线皆内嵌于介质基板中，并大致排成一直线。第一天线和第二天线分别为一传送天线且第三天线为一接收天线，或者是第一天线和第二天线分别为一接收天线且第三天线为一传送天线。收发器耦接至天线阵列，用以传送或接收信号。
CN103367916A	多模多频圆极化卫星定位接收天线本发明公开了一种多模多频圆极化卫星定位接收天线，主要解决现有微带天线采用单辐射贴片无法实现多频点接收的问题。该天线主要由自下而上叠合的三个介质板组成，其中第一介质板（1）上设置有底板电极片（4）和馈电网络（5），第二介质板（2）上设置有两个馈电电极片（6），第三介质板（3）上设置有辐射电极片（7），馈电网络（5）的信号输入端连接到外部定位终端的通信模块中，信号输出端通过一组探针（8）接到两个馈电电极片（6）上，通过双点耦合将能量传输至辐射电片（7），以实现多频点接收。本发明不仅在高低频端都具有较好的对称性和圆极化特性，而且能保证天线的阻抗带宽，同时具有天线结构简单，体积小的优点。
CN103367915A	一种高转换效率的基片集成波导缝隙整流天线本发明涉及一种高转换效率的基片集成波导缝隙整流天线。它包括接收天线阵和整流电路。其中接收天线是由基片集成波导缝隙二元天线阵构成；整流电路由微带阶跃型低通滤波器、微带T型阻抗匹配枝节、整流二极管、微带扇形直通滤波器和直流负载组成。基片集成波导缝隙天线阵和整流电路置于双面覆铜介质基片的上层金属层，通过金属通孔与下层金属层相连；整流二极管串联在整流电路中。该整流天线增益高、剖面低、重量轻、易于和设备集成；适合用印刷电路技术大批量生产，成本低；且采用基片集成波导缝隙天线阵，在毫米波段介质损耗小。可以有效解决无线传感器网络节点、RFID的不间断供能问题，用于医疗和城市基础设施的监测及军事探测等的无线供能方面。
CN103367914A	移动终端的天线装置提供了移动终端的天线装置，在具有金属材料壳体的移动终端中确保天线性能。移动终端的天线装置包括：天线模块，用于辐射电波；以及壳体，用于形成移动终端的外形，由金属材料制成，在金属材料的一部分中具有狭缝，电连接至天线模块和移动终端的接地中的每一个，并通过狭缝作为辐射器操作。
CN103367912A	一种超材料天线罩及天线系统本发明公开一种超材料天线罩，其包括具有相对两侧表面的基板以及周期排布于所述相对两侧表面的多个人造金属微结构，所述基板被虚拟划分多个超材料单元，所述超材料单元相对两侧表面各附着有一个人造金属微结构；所述人造金属微结构包括具有开口的开口金属环分支，设置于所述开口金属环分支内部且共端点的三条直线金属分支，所述三条直线金属分支彼此所成角度为120°。本发明超材料天线罩的反射系数S21较纯ABS材料天线罩的反射系数要少0.9至1.1dB，透射系数S11高5至40dB，尤其在12.8至13.6GHZ下，本发明超材料天线罩的透射系数S11较纯ABS材料天线罩的透射系数要高20至40dB，极大地提高了天线罩的电磁性能，还能不损害天线罩的机械性能。
CN103367911A	超材料基站天线罩和天线系统本发明涉及超材料基站天线罩和天线系统，超材料基站天线罩罩设于天线上，包括至少一个超材料片层，每一超材料片层包括基板和阵列排布在所述基板上的多个人造微结构；所述基板可划分为多个超材料单元，其中每一超材料单元上排布有一个所述人造微结构；每一人造微结构包括设置于超材料单元中心的十字形结构以及分别设置于十字形结构所划分的四个象限内的四个圆环结构。本发明在基板上附着特定形状的人造微结构，调节人造微结构的形状、尺寸来改变材料的相对介电常数、折射率和阻抗，加强电磁波的透射，提高天线的方向性和增益。
CN103367910A	超材料基站天线罩和天线系统本发明涉及超材料基站天线罩和天线系统，超材料基站天线罩设于天线上，包括至少一个超材料片层，每一超材料片层包括基板和阵列排布在所述基板上的多个人造微结构；每一人造微结构包括四个阵列排布的口字形结构，其中每一口字形结构的靠近人造微结构中心的拐角处开设有缺口；所述口字形结构为边长相等的正方形结构；基板可划分为多个超材料单元，每一超材料单元上排布有一个人造微结构，每一超材料单元划分为四个面积相等的象限，四个口字形结构的中心位于超材料单元四个象限的中心。本发明在基板上附着特定形状的人造微结构，调节人造微结构的形状、尺寸来改变材料的相对介电常数、折射率和阻抗，加强电磁波的透射，提高天线的方向性和增益。
CN103367908A	超材料基站天线罩和天线系统本发明涉及超材料基站天线罩和天线系统，超材料基站天线罩罩设于天线上，包括至少一个超材料片层，每一超材料片层包括基板和阵列排布在所述基板上的多个人造微结构；所述基板可划分为多个超材料单元，其中每一超材料单元上排布有一个所述人造微结构；所述人造微结构为设置于超材料单元中心的十字形结构，每一十字形结构的尺寸相同且每两个相邻的十字形结构之间有间隙；所述十字形结构由两条垂直平分且尺寸相同的金属丝构成，所述金属丝的长度小于超材料单元的边长的一半。本发明在基板上附着特定形状的人造微结构，调节人造微结构的形状、尺寸来改变材料的相对介电常数、折射率和阻抗，加强电磁波的透射，提高天线的方向性和增益。
CN103367906A	定向传播天线罩和定向天线系统本发明涉及定向传播天线罩和定向天线系统，所述定向传播天线罩罩设于天线上，所述定向传播天线罩包括与所述天线对立设置的超材料面板，所述超材料面板包括至少一个超材料片层，以每个超材料片层上的其中一点为圆心形成多个折射率圆，若干同心的折射率圆形成一个圆环形折射率分布区；以折射率圆的圆心为极点O、平行于所述超材料片层的任一条以所述极点O为端点的射线Oy为极轴建立极坐标系，则所述超材料片层上任一半径为y的折射率圆的折射率n(y)满足如下公式：通过设计折射率分布，使得天线馈源发出的电磁波经超材料面板后能够形成平面波，制造加工容易，使得本不具备定向功能的天线能够实现定向传播，满足定向需求，提高了信号强度和天线增益。
CN103367905A	超材料基站天线罩及基站天线系统本发明涉及一种超材料基站天线罩，其包括用于形成容置基站天线的空腔的超材料板材，每一超材料板材包括至少一超材料片层，每个超材料片层包括一第一介电基板和排布于所述第一介电基板上的多个人工微结构，每个人工微结构包括一圆环和三条自所述圆环的中心点延伸至所述圆环的圆周的直线段。经测试，所述超材料基站天线罩的等效阻抗接近于空气的阻抗，也即与空气的阻抗相匹配，从而具有反射小、透波率高的电磁性能。本发明还提供了一种基站天线系统，其包括所述超材料基站天线罩和容置于所述超材料基站天线罩内的基站天线。
CN103367903A	一种超材料天线罩及天线系统本发明公开一种超材料天线罩，其包括具有相对两侧表面的基板以及周期排布于所述相对两侧表面的多个人造金属微结构；所述人造金属微结构包括第一金属分支、中点设置于所述第一金属分支两端且垂直于第一金属分支的第二金属分支和第三金属分支，所述第二金属分支两端向第三金属分支方向垂直延伸有第四金属分支，所述第三金属分支两端也向第二金属分支方向垂直延伸有第四金属分支，各条第四金属分支向所述第一金属分支方向垂直延伸有不与第一金属分支相交的第五金属分支。本发明超材料天线罩的反射系数S21较纯ABS材料天线罩的反射系数少0.7至0.9dB，透射系数S11高10至35dB，极大地提高了天线罩的电磁性能，还能不损害天线罩的机械性能。
CN103367901A	美化天线罩本发明涉及一种美化天线罩，其包括底座、顶座、连接于所述底座和顶座之间并围合形成用于容纳天线的空腔的多块板材和结合于所述多块板材上的多个支架，由于所述支架增强了由所述板材围合而成的罩体的强度，可满足高强度的需求。
CN103367897A	小型化高隔离度宽频带双极化印刷偶极子天线本发明公开了一种小型化高隔离度宽频带双极化印刷偶极子天线，属一种偶极子天线，包括反射板、第一天线介质板以及呈交叉固定的第二天线介质板与第三天线介质板，所述的第二天线介质板与第三天线介质板安装在反射板上，所述的第一天线介质板通过定位孔固定在第二天线介质板与第三天线介质板的上方，所述第一天线介质板与反射板平行，且由至少三个支撑柱固定并分别置于第二天线介质板与第三天线介质板的上端面和下端面。本发明最大的创新在于，将三角形偶极子臂和矩形偶极子臂结合，实现了小尺寸的印刷形式的偶极子天线，并且同时获得了宽频带、高隔离度、低交叉极化等优良性能。
CN103367893A	高隔离宽频带两天线系统一款高隔离宽频带两天线系统，属移动终端多天线技术领域。包括介质板，第一折叠单极子结构(3)和第三折叠单极子结构(5)构成的左天线单元a，第二折叠单极子结构（4）和第四折叠单极子结构（6）构成的右天线单元b，蘑菇型电磁带隙结构（7），变形的双倒L形结构（8）和（9），金属地（10）。辐射天线单元a、b位于印刷电路板的正面；微带馈线（1）和（2）位于印刷电路板的正面；蘑菇型电磁带隙结构的辐射片位于印刷电路板的正面，金属过孔位于辐射片中心，穿过介质板，连接辐射片与地面；金属地（10）位于印刷电路板的背面，包括变形的双倒L形结构（8）和（9）。具有高隔离、宽频带、低成本、易集成，特别适用于无线通信移动终端的特点。
CN103367885A	宽带天线及其相关射频装置一种宽带天线及其相关射频装置。该宽带天线，包含有一接地元件，电性连接于一地端；一馈入元件，用来馈入一射频信号；一辐射元件，电性连接于该馈入元件，用来辐射该射频信号；至少一超材料结构，每一超材料结构电性连接于该辐射元件与该接地元件之间。
CN103367884A	一种基于全息原理和阻抗表面的低剖面锥形出射方向图天线本发明公开了一种基于全息原理和阻抗表面的低剖面锥形出射方向天线，该天线由阻抗表面和单极子天线构成。阻抗表面为印刷电路板(Printed Circuit Board，简称PCB)上正面刻蚀不同贴片单元组成，该PCB半背面为金属，中间为介质层。其中阻抗表面的设计使用了全息原理，阻抗表面的单元为不同尺寸的金属贴片，阻抗分布满足全息干涉图强度分布。全息干涉图由物波和参考波干涉生成，参考波为单极子天线激励而在阻抗表面上产生的表面波，物波为方向图成锥形出射的波。
CN103367882A	一种全向天线本发明公开了一种全向天线，包括天线体；所述天线体包括由金属材质制作的外导体和内导体；所述外导体内部空心，所述内导体位于所述外导体的内部；所述外导体上设有多个开槽，所述多个开槽间隔一定的距离排布，所间隔的距离大于0mm。本发明实施例提供的全向天线的结构简单，高增益，容易生产，且成本低。
CN103367880A	一种频率可调控的可拉伸液态金属天线及其制备方法本发明公开了一种频率可调控的液态金属天线，包括可拉伸基板，可拉伸基板上加工有曲线形状的液态金属微流道，液态金属微流道内填充液态金属或液态金属合金；当可拉伸基板受到横向拉伸时，曲线形状的微流道内的液态金属或液态金属合金在纵向和横向均存在变形，通过预先设定纵向与横向变形间的比例关系以控制液态金属天线在受到拉伸后的长度变化，从而实现液态金属天线在横向拉伸后的工作频率调整。本发明还提供了准备上述液态金属天线的制备方法。本发明通过预先设定天线的纵向与横向变形间的比例关系以控制液态金属天线在受到拉伸后的长度变化，从而实现液态金属天线在横向拉伸后的工作频率调整。
CN103367878A	电子不停车收费系统的双通信天线本发明公开了一种用于电子不停车收费系统路侧单元的双通信天线，主要解决现有电子不停车收费系统中易出现跟车干扰的问题。该天线包括两个金属辐射贴片(1和2)、介质基板(3)、金属地板(4)和人工电磁媒质覆层(6)。两个金属贴片(1和2)对称设置在介质基板(3)上表面中心的两侧，并通过50Ω的馈电接头(5)与同轴线相连；金属地板(4)附着在介质基板(3)的下表面；人工电磁媒质覆层(6)固定在介质基板(3)的正上方，并与介质基板(3)之间形成FP谐振腔；通过对金属辐射贴片(1和2)分别馈电，得到主瓣方向不同的两个波束，以控制近远区通信。本发明能实现对不同通信区域的读写控制，避免电子不停车收费系统中的跟车干扰，保证通行车辆正常扣费。
CN103367877A	移动装置本发明公开一种移动装置，其至少包括一介质基板、一天线阵列，以及一收发器。该天线阵列至少包括一第一天线和一第二天线。该第一天线和该第二天线内嵌于该介质基板中。该第一天线和该第二天线具有不同的极化方向。该收发器耦接至该天线阵列，用以传送或接收一信号。该天线阵列的极化方向可通过控制该第一天线和该第二天线之间的一相位差来进移动态调整。
CN103367876A	多频带天线装置的设计方法本发明提供一种能在短时间内设计具有期望的特性的多频带天线装置的多频带天线装置的设计方法。在第1步骤中，对于接地导体决定低频带用辐射元件和高频带用辐射元件的配置，并决定包含了辐射元件分支电路的各部分的电长度。在第2步骤中，分别规定分支点与低频带用辐射元件之间的第1电长度、分支点与高频带用辐射元件之间的第2电长度、以及分支点与供电点之间的第3电长度，以决定低频带的谐振频率、高频带的谐振频率、以及反谐振频率。在第3步骤中，对供电电路与供电点之间所负载的VSWR改善用阻抗转换元件进行规定。
CN103367875A	半波阵子阵元及其组成的微带阵列天线本发明公开一种半波阵子阵元及其组成的微带阵列天线，所述阵元包括覆铜的基板，所述基板上设有两个半波阵子，半波阵子的正面设有阻抗匹配开孔和阻抗匹配开槽，半波阵子的背面设有传输微带线，传输微带线上端穿过阻抗匹配开孔之后与阻抗匹配开槽相连，传输微带线下端与馈电接口相连，传输微带线下端还连有匹配电阻。本方案中，通过处理器完成天线采样信号的合成，并利用数字信号处理技术，调整若干微带阵列中个微带阵元的幅度及相位，在空间形成所需的方向图，不再需要机械转动系统。
CN103367871A	一种动中通天线本发明公开了一种动中通天线，包括与水平面平行设置的多个超材料平板及馈源，多个超材料平板处于同一水平面，每一超材料平板对应一个馈点，馈源能够在伺服系统的控制下在该多个馈点位置切换，每一超材料平板包括核心层及设置在核心层一侧表面的反射层，核心层包括一个核心层片层或多个相同的核心层片层，每一个核心层片层包括片状的第一基材以及设置在第一基材上的多个第一人造微结构，多个超材料平板具有相同的折射率分布规律，通过精确设计超材料平板的折射率分布，使得特定角度的平面波经超材料平板后能够在馈源处汇聚。根据本发明的动中通天线，由片状的超材料平板代替传统的抛物面天线，制造加工更加容易，成本更加低廉。
CN103367867A	通信装置本发明公开了一种通信装置，其具有一上盖及一下盖，并包括一导电机壳及一天线元件。导电机壳具有第一导电面及第二导电面，第一导电面位于上盖的表面，第二导电面位于下盖的表面，第一导电面及第二导电面互相耦接，且第一导电面的一第一边缘邻近第二导电面的一第二边缘。天线元件大致位于第一边缘与第二边缘之间，并激发产生第一频带及第二频带。天线元件包括接地部、第一辐射部及第二辐射部。接地部耦接至第二导电面。第二辐射部的一端为起始端，耦接至信号源及第一辐射部。第二辐射部的另一端为接地端，耦接至接地部。本发明不但免去导电机壳为了安装天线所开的天线窗，且通信装置还可以具有美观和薄形化的外型。
CN103367856A	一种谐振子本发明涉及一种谐振子，包括至少一个超材料片层，每个超材料片层包括基板和附着在所述基板表面上的多个导电材料制成的人造微结构，且所述多个人造微结构沿所述基板表面的边缘围成一周。本发明的谐振子由于具有高介电常数、低损耗的优点，因此可以非常适用于腔体滤波器。上述谐振子相对于传统谐振子材料，具有相接近甚至更高的介电常数，能够降低滤波器的谐振频率进而减小滤波器的体积；同时，由于损耗更低，因此将减小滤波器的Q值降低量。
CN103367853A	双频带可重构功率分配器本发明公开了一种双频带可重构功率分配器，主要解决现有功率分配器存在单频工作，频带窄且频带固定的问题。其包括上层微带结构（1）、中间层介质基板（2）、下层接地金属板（3）、可控元件（4）、隔离元件（5）和输入/输出端口（6）；上层微带结构（1）附着在中间层介质基板（2）的上表面，中间层介质基板（2）的下表面为下层接地金属板（3），隔离元件（5）连接在上层微带结构（1）中；可控元件（4）位于第一组微带线段和第二组微带线段的开路枝节末端，用于调节两个工作频带的中心频率；上层微带结构（1）由上下对称的第一组微带线段和第二组微带线段组成，这两组微带线段共用一个输入端口。本发明具有双频带、频带宽、频率可重构的优点，可用于对频率选择性要求高的雷达和微波测量系统中。
CN103367851A	分工器一种分工器，包含有一输入端；一第一输出端；一第二输出端；一第一传输元件，包含有一第一微带线，耦接于该输入端与一第一节点之间；一第二微带线，耦接于该输入端与一第二节点之间；以及一电阻，耦接于该第一节点与该第二节点之间；以及一第二传输元件，包含有一第三微带线，耦接于该第一节点与该第一输出端之间；一第四微带线，耦接于该第二节点与该第二输出端之间；以及一电阻，耦接于该第一输出端与该第二输出端之间。其中，该第一微带线及该第二微带线的长度相关于一第一频率，该第三微带线及该第四微带线的长度相关于一第二频率。
CN103367847A	一种对斜入射电磁波的过滤方法一种对斜入射电磁波的过滤方法，该方法由两种阵列的组合体来实现，其中一种阵列是金属线阵列，另一种阵列是金属片阵列；在每个金属线阵列中，各个金属线平行排列，各个金属线同一侧的端点在同一平面上，形成一个端面，该端面与金属线垂直；在每个金属片阵列中，金属片表面平整，各个金属片表面相互平行；在组合体中，各个金属线阵列的端面和各个金属片的表面均相互平行。
CN103367836A	一种基于烧结热管的动力电池热管理系统本发明公开了一种基于烧结热管的动力电池热管理系统，包括模块箱体、模块箱体顶盖，在模块箱体内放置有至少两个电池组单体壳体，每个电池组单体壳体内放置有两块以上由电池单体串连或者并联构成的电池模块组，其中，所述每两块电池单体之间设有呈排状的烧结热管，所述烧结热管分为蒸发端和冷凝端，所述蒸发端设在电池单体表面，所述冷凝端伸出电池单体表面之外。本发明具有散热量大、散热效率高、加工简单的特点，能高效的解决动力电池高温散热、低温加热保温以及热量循环利用的技术问题。
CN103367834A	一种电动汽车的动力电池水冷式散热系统本发明公开了一种电动汽车的动力电池水冷式散热系统，包括电池箱和多个电池组，所述多个电池组安装于电池箱内，还包括脉动热管、相变材料和水冷装置，所述相变材料填充于电池箱内，所述脉动热管和电池组均插入相变材料中，所述脉动热管位于相邻两个电池组，且所述脉动热管的冷凝段依次穿过电池箱和水冷装置。本发明利用水冷的方式对脉动热管进行冷却作用，提高散热效率，且节能环保；同时，还保证散热的稳定性和持续性，避免电池组因热量累积过多而引发事故。
CN103367832A	由流体循环冷却系统包裹的电池组件本发明提供一种由流体循环冷却系统包裹的电池组件。电池组包括：至少一个蛇形流体循环管，在多个电单体的外周部分附近延伸。管的第一部分和第二部分布置为与第一组的多个电单体的第一边缘和第二边缘相邻。各组电单体以交替布置方式布置。第一翅片和第二翅片布置在每个电单体之间。翅片具有包裹在管的各部分附近的回折。翅片具有布置在电单体和管的各部分之间的内端。通过在电单体和管附近折叠翅片或者通过执行限定热翅片的折叠板并从电单体的相对侧将折叠板装配在管的各部分上，可装配电池组。
CN103367831A	电池系统本发明的课题在于提供能在效率良好地使用发电剩余功率的同时还能向系统提供稳定的功率的电池系统。为了达成上述目的，本发明的电池系统具有：具有多个电池单元的多个电池模块；电阻器；冷却所述多个电池模块的冷却器；控制流过所述冷却器以及所述电阻器的电流的控制装置，所述控制装置在该电池系统的充电状态为能使用的充电状态的上限值以上、且功率被充电到电池系统中的情况下，使所述冷却器的消耗功率增加，进而使所述电阻器的消耗功率增加。
CN103367829A	一种自散热器件及其制备方法本发明提供了一种自散热器件，包括器件本体以及位于器件本体表面的散热袋，所述散热袋内密封有散热剂；所述散热剂包括碳原子数为12-18的烷氧基叔胺、碳原子数为6-12的脂肪酸、碳原子数为7-12的脂肪醇和水。同时，本发明还公开了上述自散热器件的制备方法。本发明提供的自散热器件散热效果好，提高了器件本体的寿命及使用的安全性；并且该自散热器件多次使用后，自散热效果仍然优异。
CN103367828A	一种自散热器件及其制备方法本发明提供了一种自散热器件，包括器件本体以及位于器件本体表面的散热盒体，所述散热盒体内密封有散热剂；所述散热剂包括碳原子数为12-18的烷氧基叔胺、碳原子数为6-12的脂肪酸、碳原子数为7-12的脂肪醇和水。同时，本发明还公开了上述自散热器件的制备方法。本发明提供的自散热器件散热效果好，提高了器件本体的寿命及使用的安全性；并且该自散热器件使用多次后，自散热效果仍然优异。
CN103367823A	一种电池的充电方法和移动终端本发明实施例提供一种电池的充电方法，涉及电子技术领域，为减小充电时间而发明，所述方法包括：移动终端确定待充电电池的规格参数；所述移动终端根据所述确定的规格参数，确定所述规格参数相应的充电参数；所述移动终端根据确定的充电参数，对所述待充电电池进行充电。本发明实施例还提供相应的移动终端。本发明用于移动终端的充电。
CN103367821A	控制二次电池的短路电阻的方法本发明提供了一种控制二次电池的短路电阻的方法，所述方法包括以下步骤：测量二次电池的开路电压VOC；利用测量的开路电压VOC来计算短路电阻RSC；利用计算的短路电阻RSC来计算根据时间的发热值W；利用发热值W的根据时间的变化来计算具有最大瞬时发热值的时间；将具有最大瞬时发热值时的短路电路RSC确定为临界短路电阻；根据所确定的临界短路电阻来调整在二次电池中使用的聚合物电解质的量。
CN103367820A	保护电路模块及电池组本发明的目的之一是提供一种降低了电池组的保护电路中的电流截断用开关所使用的晶体管的泄漏电流的安全且长使用寿命的保护电路模块及电池组。本发明的一个方式是一种保护电路模块，其包括保护电路、充电控制用开关以及放电控制用开关。充电控制用开关及放电控制用开关与保护电路电连接。保护电路检测二次电池的电压并将其与预定电压进行比较，并根据上述比较结果对充电控制用开关或放电控制用开关输出控制信号，以便使充电控制用开关或放电控制用开关变为开启或关闭。充电控制用开关及放电控制用开关具有：包括氧化物半导体的晶体管；以及与包括氧化物半导体的晶体管并联的二极管。
CN103367819A	电池系统本发明提供一种即使构筑具有多个层级结构的电池系统也可抑制通信和处理的延迟的电池系统。该电池系统具有：电池模块，其具有多个单电池、和收集多个单电池的电池信息的电池模块控制装置；电池包，其具有多个电池模块、和收集多个电池模块的信息的电池包控制装置；及电池块，其具有多个电池包、和收集多个电池包的信息的电池块控制装置。所述电池模块控制装置和所述电池包控制装置经由第一通信线路进行通信，所述电池包控制装置和所述电池块控制装置经由第二通信线路进行通信，所述电池模块控制装置和所述电池块控制装置具有不通过所述电池包控制装置而是直接进行通信的通信线路。
CN103367818A	电池系统本发明是提供一种电池系统，包含有可扩充数量的若干电池模组与一控制单元，该电池模组包含一框架，其上设有多数个容纳槽，用以可容纳多数第一电池芯与第二电池芯，各该第一、第二电池芯是不同类型的电池，二导电片，相对设置于该框架内并电连接各第一、第二电池芯，该控制单元是电连接各导电片与电动车辆的行车电脑，用以可视电动车辆的不同操作型态促使特定的第一或第二电池芯供电给电动车辆；借此，可视电动车辆的电力需求而扩增电池模组的数量，更可利用控制各该第一、第二电池芯于不同时机供电给电动车辆的方式，获得最佳的供电效率及电动车辆运作效率。
CN103367816A	镍氢二次电池本发明提供一种镍氢二次电池(2)，其中收纳有电极组(22)和碱性电解液，所述收纳有电极组(22)由隔着间隔物而相互重叠的正极(24)和负极(26)构成；正极(24)具有包括含氢氧化镍的基体粒子(38)、和覆盖基体粒子(38)的表面且由含Li的Co化合物构成的导电层(40)的正极活性物质粒子(36)；负极(26)具有包含稀土类元素、Mg及Ni的稀土类-Mg-Ni系储氢合金(44)；电池(2)内存在的Li的总量在将Li换算成LiOH、且以正极的每1Ah容量对应的质量计算时为15～50(mg/Ah)。
CN103367814A	一种新型锂离子动力电池的电芯构造本发明属于化学电源领域，具体涉及一种新型锂离子动力电池的电芯构造。本发明包括正极片、隔膜、负极片，电芯的负极极耳关于正极极耳对称布置，或者正极极耳关于负极极耳对称布置；正极片与负极片交替叠加，且正极片与负极片间垫有隔膜，用铝螺栓将正极片紧固在一起形成正极极耳，用铜螺栓将负极片紧固在一起形成负极极耳。把20Ah本发明单体电池与常规叠片设计电池相比，温度场分布更加均匀；当放电倍率达到10C时，极耳附近电池表面的温度降低了7～8℃，电池中心温度降低6～7℃，电池表面整体温度平均降低了6～8℃。
CN103367811A	一种大容量高功率聚合物锂离子电池生产方法一种大容量高功率聚合物锂离子电池生产方法，含有正极片、隔膜袋、负极片、正极双电池、正极单电池、负极双电池、负极单电池。该方法能有效的避免电池正负极片接触造成的短路，减少了电池组装过程中的手工操作，减少了人为因素对电池质量的影响，提高了生产效率及产品质量，降低了生产成本，保证电池的使用寿命及安全性能。为电池组装的机械化生产提供了工艺基础理论的支持，为今后锂电池的装备制造提供了依据。
CN103367808A	锂离子二次电池本发明提供锂离子二次电池，所述锂离子二次电池在负极使用硅，循环特性充分高。本发明的锂离子二次电池的负极为硅，并且在满充电状态的负极中用差示扫描量热仪在210℃～380℃的范围内测量的发热量为850J/g以下，电解液中使用含有碳酸亚乙酯的环状碳酸酯，以及由化学式R1-O-CO-OR2表示的，其中R1和R2为碳原子数为2以上的烷基的链状碳酸酯。
CN103367806A	一种新型锂离子电池的电解液体系本发明公开了一种新型锂离子电池的电解液体系，包含电解质和溶剂，所述溶剂为混合溶剂，为(a)醚类溶剂与碳酸酯类溶剂的混合溶剂，所述醚类溶剂与碳酸酯类溶剂的质量比例为(1-x)∶x，其中0≤x≤0.9；或(b)两种或两种以上的醚类溶剂的构成的混合溶剂。本发明还公开了可以使用该电解液体系的锂离子电池。本发明的电解液体系，与现有的锂离子电池符合很好，不需要更换薄膜、电极材料、外壳，在动力电池和储能电池领域具有广泛的应用前景。
CN103367804A	一种锂离子电池用非水电解液及使用该非水电解液的锂离子电池本发明公开了一种高性能的锂离子电池用非水电解液。该锂离子电池用非水电解液包括：锂盐；有机溶剂；以及含不饱和键的硅酸酯化合物。该硅酸酯化合物的添加有助于在电极表面形成稳定致密的钝化膜（SEI），阻止了溶剂分子的进一步分解。按照本发明的方案得到的电解液可以改善电池的高温储存性能及循环性能。
CN103367802A	锂离子二次电池用非水电解液和锂离子二次电池本发明提供锂离子二次电池用非水电解液和锂离子二次电池。本发明提供一种抑制气体产生的锂离子二次电池。在本发明中，使用含有换算成钒离子为0.1～20ppm的钒并且含有环状碳酸酯和链状碳酸酯的锂离子二次电池用非水电解液。
CN103367801A	能提高锂离子电池高温性能的电解液本发明公开了一种能提高锂离子电池高温性能的电解液，其特点是由以下成份组成：（A）锂盐，（B）碳酸酯类和/或醚类/或羧酸酯类有机溶剂，（C）高温添加剂和（D）其他功能添加剂；其中（A）锂盐在电解液中的摩尔浓度范围是：0.001-2摩尔/升，（C）高温添加剂在电解液中的质量分数范围是0-20%，但不为0，（D）其他功能添加剂在电解液中的摩尔浓度范围是：0-0.5摩尔/升；添加了高温添加剂的锂离子电解液能大大提高电解液的高温性能，有利于锂离子电池的循环寿命和储存寿命的提高。
CN103367797A	可充电的纽扣式锂离子电池及其制造方法本发明提供一种可充电的纽扣式锂离子电池，包括正极片、负极片、隔膜、电解液以及封装壳体，所述隔膜设置于所述正极片及所述负极片之间，所述正极片由正极集流体以及附着在所述正极集流体上的正极活性材料构成，所述负极片由负极集流体以及附着在所述负极集流体上的负极活性材料构成，所述正极集流体和所述负极集流体各焊接有一导电金属带。本发明还提供一种制造所述的可充电的纽扣式锂离子电池的方法，本发明提供的可充电的纽扣式锂离子电池具有防水、防腐蚀、耐高温及防压的优点，并且体积小，体积容量密度大，使用寿命长。
CN103367794A	锂离子二次电池本发明提供一种抑制了气体产生的锂离子二次电池。在本发明中使用正极含有作为活性物质的Lia(M)b(PO4)cFd（M=VO或V，0.9≦a≦3.3，0.9≦b≦2.2，0.9≦c≦3.3，0≦d≦2.0）、以及1～300ppm的硫的锂离子二次电池。
CN103367788A	一种铸焊蓄电池折极耳装置本发明公开了一种铸焊蓄电池折极耳装置，所述装置是折极耳板，所述折极耳板上设有若干个正极耳定位槽、负极耳定位槽，负极耳定位槽的两短侧壁向槽中心方向倾斜30～45°，所述负极耳定位槽的两长侧壁向槽中心方向倾斜15～25°。本发明结构简单，折极耳角度准确，有利于铸焊成型，保证产品品质；且易操作，降低劳动强度，提高生产效率。
CN103367787A	蓄电元件及蓄电元件的制造方法以及蓄电装置本发明涉及蓄电元件及蓄电元件的制造方法以及蓄电装置。本发明的课题是提供一种在同一平面内设置正极及负极的蓄电元件以及一种在同一平面内配置有该蓄电元件的蓄电装置。本发明的一个方式是一种蓄电元件，包括形成在同一平面内的正极集电体层及负极集电体层、正极集电体层上的正极活性物质层、负极集电体层上的负极活性物质层以及至少接触于正极活性物质层及负极活性物质层的电解质层。此外，本发明的一个方式是一种蓄电装置，其中在同一平面内配置有多个该蓄电元件，通过布线将该多个蓄电元件电连接，并且蓄电元件被串联连接或并联连接的蓄电装置。
CN103367784A	一种单室无膜壁式空气阴极微生物燃料电池装置本发明公开了一种单室无膜壁式空气阴极微生物燃料电池的装置，包括发酵罐、石墨碳棒阳极、载铂碳布空气阴极、导线和电阻箱；发酵罐顶部的盖子上设置取样口，用于取样测试以监测反应进行的程度并用于排放反应过程中产生的气体；石墨碳棒阳极设置在发酵罐内腔中，在发酵罐的壁面上设置一个孔，用于固定载铂碳布空气阴极，载铂碳布空气阴极的一侧置于发酵罐内腔与微生物燃料电池的底物接触，另一侧暴露在空气中，利用空气中的氧气作为电子受体，石墨碳棒阳极与载铂碳布空气阴极之间通过导线串联电阻箱构成回路。本发明的优点：反应器体积小，制作简单，制造成本低，运行周期较短，装卸维护简单，污染物降解效果好，产电功率较高。
CN103367783A	一种Ni-Cu包覆电解质材料的制备方法一种Ni-Cu包覆电解质材料的制备方法，属于固体氧化物燃料电池阳极材料技术领域。本发明提出一种用活性碳纤维为模板，使用化学方法包覆电解质材料，经过浸渍-烘干-煅烧等途径，用多元醇还原法与硬模板法制备Ni、Cu包覆YSZ的阳极材料的方法。本技术方案增大了催化金属与电解质的接触面积，有利于形成独立导电网络，进而提高燃料电池抗积炭性能，制备过程简单易行。
CN103367777A	燃料电池本发明提供一种燃料电池，其通过简单且经济的结构就能够使反应气体沿着反应气体流路顺畅且均匀地流通。燃料电池(10)具备发电单元(12)，并且在构成所述发电单元(12)的第一电解质膜-电极结构体(16a)的外周部设有第一树脂框构件(58)。在第一树脂框构件(58)的一方的面上设有与第一氧化剂气体流路(26)连结的入口缓冲部(62a)及出口缓冲部(62b)。在第一树脂框构件(58)的另一方的面上设有与第一燃料气体流路(34)连结且与所述入口缓冲部(62a)及所述出口缓冲部(62b)独立地形成的入口缓冲部(68a)及出口缓冲部(68b)。
CN103367774A	内流场直接醇类燃料电池电极本发明属于燃料电池领域，涉及一种燃料传质阻力小，隔膜中电解质浓度高，反应物的浓度分布均匀，放电性能好的内流场直接醇类燃料电池电极。其包括流场，以及由外向内依次设置的扩散层，催化层和隔膜；通过在催化层与隔膜间设置带有燃料入口的内流场，使混合燃料首先进入到内流场，由于内流场与隔膜相接触，促使隔膜的电解质浓度更高，从而提高了隔膜的电导率，内流场的混合物进入到催化层，并在催化层间发生化学反应，反应完后产物穿过扩散层到达外流场排出；这种反应物和产物的顺流传输模式，克服了传统工艺采用的逆流传输模式存在的上下游燃料分布不均，燃料传质阻力大，隔膜中电解质浓度较低等不足，大幅提高了电池性能，具有较好的应用前景。
CN103367771A	燃料电池用金属隔板及其制造方法本发明提供一种能够使膜电极结构体的湿润环境均衡化的燃料电池用金属隔板及其制造方法。燃料电池用金属隔板为金属制的第一隔板(14)，其层叠于在固体高分子电解质膜(120)的两侧设有一对电极的膜电极结构体(12)上，所述燃料电池用金属隔板及其制造方法的特征在于，第一隔板(14)被成形为具有凹凸的波板状，在第一隔板(14)的凸部(145)上形成有贵金属薄膜(147)，在贵金属薄膜(147)上形成有使第一隔板(14)露出的孔部(148)。
CN103367768A	一种制备质子交换膜燃料电池双层催化层结构的方法一种用于制备质子交换膜燃料电池双层催化层结构的方法，此双层催化层结构由催化层A和催化层B组成。此方法包括以下步骤：首先在质子交换膜上分散一层碳载铂催化剂作为催化层B，然后在催化层B上分散一层碳粉层，再将上述质子交换膜以催化层B所在面朝上的方式浸入含有铂前驱体和弱还原剂的溶液中，从而在碳粉层上生长形成铂纳米线，最后在铂纳米线上喷涂电解质树脂溶液，即制得催化层A。将该双层催化层与扩散层热压，可制成质子交换膜燃料电池的气体扩散电极。与采用传统结构的催化层结构的质子交换膜燃料电池相比，该双层催化层结构电池的输出性能得到较大提升。
CN103367766A	微生物燃料电池用石墨烯/导电聚合物阳极的制备方法本发明公开了微生物燃料电池用石墨烯/导电聚合物阳极的制备方法，包括如下步骤：将导电聚合物单体与石墨烯氧化物水悬浮溶液混合，室温下搅拌并超声；采用恒电压电镀法将导电聚合物单体/石墨烯氧化物导电复合物电化学聚合沉积在阳极表面，再采用循环伏安法，在电极上原位电还原为导电聚合物/电化学还原石墨烯氧化物修饰阳极,用去离子水清洗及室温晾干，制得微生物燃料电池用石墨烯/导电聚合物阳极。本发明制备的电池阳极相较于传统化学修饰方法，减少了有毒试剂的使用及繁琐的处理，制备成本低，易于实现电极制作的产业化，修饰后的电极用于电池，显著地提升了微生物燃料电池的产电能力，促进微生物燃料电池的发展应用。
CN103367765A	多层石墨的制备方法和应用该多层石墨制备锂空气电池阴极的方法多层石墨的制备方法和应用该多层石墨制备锂空气电池阴极的方法，本发明涉及一种应用于锂空气电池阴极的石墨材料的制备方法。它要解决现有石墨材料的孔容积低和以石墨材料作为锂空气电池阴极的放电比容量低的问题。多层石墨制备：一、称取原料；二、浓硫酸与乙酸混合，加入高锰酸钾和石墨，抽滤后烘干，置于高温惰性气体保护下膨胀，得到膨胀石墨；三、膨胀石墨分散于无水乙醇中超声分散，得到多层石墨。本发明多层石墨的孔容积可达98%以上。制备电池阴极：将多层石墨与粘结剂搅拌成膏状，均匀涂在集流体上，经干燥后压制成型，得到锂空气电池阴极。制备得到的锂空气电池阴极材料的比容量超过6000mAh/g。
CN103367764A	复合导电电极及其制造方法本发明涉及复合导电电极及其制造方法，属于钒电池制造领域。所述复合导电电极制造方法采用碳毡作为导电基体，用导电树脂作为所述碳毡空间的连接物质，以此增强所述碳毡的导电特性，所述导电树脂包括导电塑料或环氧树脂。通过上述方案制备成的复合导电电极，导电性能显著提高，导电电极结构致密，不易变形，大大增强了导电电极在稳定状态下的使用寿命。
CN103367763A	一种利用磁控溅射法制备固体氧化物燃料电池纳米薄膜阴极的方法一种利用磁控溅射法制备固体氧化物燃料电池纳米薄膜阴极的方法，本发明涉及固体氧化物燃料电池纳米薄膜阴极的制备方法。本发明要解决现有固体氧化物电池粉末阴极材料在700℃以下电催化活性低，极化电阻高的问题。方法：一、制备溅射薄膜用的La0.8Sr0.2MnO3靶材；二、制备溅射薄膜用的钇稳定氧化锆基底；三、放置钇稳定氧化锆基底和La0.8Sr0.2MnO3靶材；四、制备薄膜；五、制备La0.8Sr0.2MnO3纳米薄膜阴极。本发明方法制备的纳米阴极薄膜材料在500-700℃温度范围内极化电阻低，电化学性能高，纳米薄膜阴极的极化过电位低。本发明主要用于固体氧化物燃料电池纳米薄膜阴极的制备。
CN103367762A	具有整合的增强层的电极组件电极组件和制造电极组件的方法。该方法的一种实施方案包括将离聚物溶液涂覆到催化剂包覆的扩散介质上，以形成湿离聚物层，和将多孔增强层施加到该湿离聚物层上，以使得该湿离聚物层至少部分地浸渍该增强层。干燥该带有浸渍的增强层的湿离聚物层，和将它结合到催化剂包覆的扩散介质上形成组件，该组件包括整合增强的质子交换膜层。这个层可以另外结合到其它离聚物层和其它催化剂包覆的扩散介质上，由此形成膜电极组件。
CN103367760A	被动式直接甲醇燃料电池膜电极及其制备方法本发明提供了一种被动式直接甲醇燃料电池膜电极及其制备方法，膜电极的尺寸为（2.0～4.0）cm×（1.0～2.0）cm，且周长与面积的比值大于2。与现有技术相比，本发明对膜电极的尺寸进行了调整，在膜电极中间本体，二氧化碳气体从催化剂上脱附之后依次通过催化层、微孔层与碳纸的微孔通道排出至燃料腔，气体在通过微孔通道向外传输过程中会受到毛细压力的作用而导致传输较慢，而在膜电极边缘附近，可以通过较短的传输路径排出，受到的阻力较小，因此膜电极周长与面积的比值越大，气体从边缘排出更顺畅，催化剂被气体封闭越少，催化剂的利用率越高，同时气体易排出也减少了阴极与阳极间气压差，使得甲醇溶液透过减少，电池性能较好。
CN103367757A	三级梯度催化的燃料电池膜电极及其制备方法本发明涉及用于质子交换膜氢燃料电池的膜电极(MEA)，特别是含具有三级梯度分布的催化层的膜电极，及其制备方法。该膜电极包括从左至右依次排列阳极电极、阳极憎水层、阳极催化层，质子交换膜、阴极催化层、阴极憎水层和阴极电极；并且，该阳极催化层和阴极催化层中均具有三级梯度分布的催化剂载量，在从原料进口至出口的宽度方向上，催化剂的载量逐级提高。
CN103367754A	一种软包装水系磷酸铁锂动力电池及其制备方法本发明公开了一种软包装水系磷酸铁锂动力电池，正极材料包括溶剂、磷酸铁锂、导电剂、和正极水性粘合剂，其质量比为（70-100）：（85-92）：（4-7）：（3-10）；负极材料包括溶剂、活性物质、导电剂、和负极水性粘合剂，其质量比为（100-130）：（90-95）：（1-3）：（3-7）；所述活性物质为中间相炭微球或石墨或硅碳合金或钛酸锂；所述导电剂为碳黑导电剂或石墨导电剂；所述正极水性粘合剂为丙烯腈多元共聚物的水分散液；所述负极水性粘合剂为丁苯橡胶和羧基纤维素钠；所述电池为叠片结构软包装电池。本发明解决了油系锂离子电池粘合剂短缺的问题，在保证电池性能的前提下，有效降低电池制作成本。
CN103367753A	一种石墨烯分散液改性的铅酸电池负极铅膏及其制备方法本发明涉及一种石墨烯分散液改性的铅酸电池负极铅膏及其制备方法，其重量份比组成为：铅粉3000份、纤维2-5份、石墨烯水系分散液450-600份、乙炔黑10-20份、硫酸钡20-25份、硫酸250-300份和使铅膏视密度控制在4.0±0.5g/cm3的水；所述的纤维为涤纶纤维，所述石墨烯水系分散液是将亲水处理的石墨烯与水按照重量比9-15:1000混合超声分散而成。本发明将石墨烯导电浆料作为负极添加剂添加在负极板中，显著提高了负极板的导电能力，使得负极板的充电接受能力提高，增大了铅酸电池的比能量，放电容量显著高于无添加和添加碳纳米管的铅酸电池。
CN103367752A	电池电极用粘合剂及包含该粘合剂的组合物以及电极电池电极通过涂布包含比表面积为0.05～100m2/g的活性物质、干燥膜的凝胶含量为5～70％且95℃的储存弹性模量为1.6×103N/cm2以下的电池电极用水性粘合剂的电池电极用组合物并使其干燥而获得。
CN103367750A	一种炭包覆磷酸铁锂材料的制备方法本发明涉及一种炭包覆磷酸铁锂材料的制备方法，具体地讲是涉及一种能够实现炭均匀包覆的磷酸铁锂材料的制备方法。其步骤为在锂源化合物、铁源化合物和磷源化合物的混合物中加入炭源化合物和溶剂，球磨至浆料中固体不溶物平均粒径为20-500nm；将所述浆料进行喷雾干燥，在惰性气氛下热处理即得。其中炭源化合物为本身粘性低或能在干燥受热瞬间固化收缩均匀包覆在干燥微粉的表面的有机化合物。本发明工艺相对简单，避免了原材料浆料干燥时粘壁导致包覆剂配比精度低等问题，实现炭源在磷酸铁锂表面的均匀包覆，提高了产品质量的一致性并使大生产能够顺利进行。
CN103367749A	一种湿法球磨制备锂离子电池人造石墨负极材料的方法本发明公开了一种湿法球磨制备锂离子电池人造石墨负极材料的方法，本发明包括以下步骤：将电极原材料粉碎得到中间产物，然后将中间产物和水、分散剂剂以及研磨球按一定比例加入搅拌球磨机进行搅拌球磨，再将球磨后的浆料经过离心或压滤后，得到含有微量水分的负极活性物质，再通过干燥、旋风分离出其中的细小颗粒，最后根据原材料的种类决定是否需要进行石墨化处理，最后得到本发明所述负极材料。本发明与现有技术相比，采用液相球磨的方法，可以大幅度的改善材料的形貌，提高其振实密度以及改善电极加工过程中的加工性能，保证产品的批次稳定性，提高材料的成品率，降低生产成本，极大的减少了对环境的粉尘污染，操作简单、生产效率高。
CN103367743A	锂离子二次电池用正极材料、锂离子二次电池用正极以及锂离子二次电池本发明提供锂离子二次电池用正极材料、锂离子二次电池用正极以及锂离子二次电池。本发明的目的是改善2C以上的高速率放电中的特性。本发明的锂离子二次电池用正极材料，其特征在于含有Li3V2(PO4)3所表示的化合物以及选自氧化钒和磷酸钒锂中的一种以上的化合物。
CN103367742A	制备碳纳米管橄榄石型磷酸锰锂复合物的方法本发明提供了一种制备碳纳米管橄榄石型磷酸锰锂复合物的方法和一种使用其的锂二次电池。所述方法包括通过向碳纳米管加入酸溶液来酸处理碳纳米管以纯化碳纳米管，形成碳纳米管和橄榄石型磷酸锰锂的金属前驱体的前驱体混合物，以及热处理前驱体混合物。碳纳米管橄榄石型磷酸锰锂复合物可以提供每单位体积的高能量密度并且可以改善输出特性。
CN103367741A	一种负极活性材料及其制备方法和一种锂离子电池本发明提供了一种负极活性材料及其制备方法，负极活性材料包括焦磷酸亚锡以及位于焦磷酸亚锡表面的锡和碳。本发明制备的负极活性材料不仅电池可逆比容量提升明显，其作为电池负极活性材料的首次效率高，而且结构稳定，热稳定性能好，循环稳定性好，同时材料的振实密度明显提高。本发明制备的负极活性材料为非晶态，在嵌锂的过程中体积变化小，质量比容量能达到现在商业化的石墨理论比容量的2倍。同时此材料简单易得，易制备，成本低，易商业应用，为锂离子电池的发展奠定了基础。
CN103367740A	一种氟化钙包覆镍钴锰酸锂正极材料的方法本发明提出了一种氟化钙包覆镍钴锰酸锂正极材料的方法，包括如下步骤：a）将镍钴锰酸锂正极材料溶于去离子水中，分散；b）将步骤a中分散后的镍钴锰酸锂正极材料中先后加入硝酸钙溶液和氟化铵溶液，硝酸钙溶液与氟化铵溶液的物质的量比为1∶2，反应生成氟化钙；c）将步骤b中得到悬浮液在温度75～85℃搅拌2～4小时，悬浮液蒸干，温度120℃恒温干燥12小时；d）将步骤c中干燥后的物质置于马弗炉内进行焙烧热处理，自然冷却，即得氟化钙包覆镍钴锰酸锂正极材料。本发明采用氟化钙包覆镍钴锰酸锂正极材料，其维持了镍钴锰酸锂正极材料自身较高的初始容量，抑制镍钴锰酸锂正极材料中过渡金属在充放电循环过程中在电解质中的溶解，改善该正极材料的容量保持率。
CN103367737A	高密度锂电池正极材料尖晶石型锰酸锂的制备方法本发明公开了一种高密度锂电池正极材料尖晶石型锰酸锂的制备方法，包括如下步骤：一、将含有锰离子的水溶液，在强力搅拌的情况下，滴加到碱性溶液中；得到沉淀产物MnOOH；将沉淀产物MnOOH分离、洗涤、干燥；二、将制得的MnOOH与锂盐、或者锂盐和其他金属氧化物一起混合，再经过高温煅烧制备得到球形或类球形的尖晶石型锰酸锂；并且所得到的尖晶石型锰酸锂颗粒的粒径在1-10um的范围内。上述方法制备的球形或类球形尖晶石型LiMn2O4或一元或多元其他金属元素掺杂的化合物LiMxMn2-xO4若应用于离子电池，能够提升电池电极密度，增加电池的体积比能量密度，从而显著地提高电池的整体性能。
CN103367730A	活性物质和锂离子二次电池本发明提供一种发电容量高而且在充放电循环特性方面表现优异的活性物质和锂离子二次电池。本发明所涉及的活性物质具有层状结构并具有由下述式（1）表示的组成，粉末X射线衍射图中的（003）面的半高宽FWHM003与（104）面的半高宽FWHM104之比由下述式（2）表示，并且一次粒径为0.2μm～0.5μm。LiyNiaCobMncMdOx……（1）[在上述式（1）中，元素M是选自Al、Si、Zr、Ti、Fe、Mg、Nb、Ba以及V中的至少一种元素；1.9≤（a+b+c+d+y）≤2.1；1.0＜y≤1.3；0＜a≤0.3；0＜b≤0.25；0.3≤c≤0.7；0≤d≤0.1；1.9≤x≤2.1]。FWHM003/FWHM104≤0.57……（2）。
CN103367729A	锂离子二次电池及其制备方法提供了一种锂离子二次电池及其制备方法。所述锂离子二次电池包括具有由式(1)表示的正极活性材料的正极、负极和电解质，其中，通过利用从4.5V到4.7V的范围内的电压执行第一次充电操作来活化正极活性材料，并且锂离子二次电池在小于4.5V的电压下使用：aLi2MnO3-(1-a)LiMO2......(1)其中，M是从由Ni、Co和Mn组成的组中选择的至少一种，并且0＜a＜1。
CN103367726A	硅碳复合材料及其制备方法、锂离子电池本发明公开了一种硅碳复合材料及其制备方法、锂离子电池，该方法包括以下步骤：（1）在单质的碳基材料上形成二氧化硅，得到二氧化硅-碳基复合材料；（2）用活泼性大于硅的金属将二氧化硅-碳基复合材料中的二氧化硅还原成硅，得到金属氧化物-硅-碳基复合材料；（3）用酸将金属氧化物-硅-碳基复合材料中的金属氧化物腐蚀掉，得到硅碳复合材料。该方法先在碳基材料上形成二氧化硅，当将二氧化硅还原成硅后在碳基材料与硅之间有孔隙，由于碳基材料本身就为好的导电材料，所以该碳基材料成为了硅的导电骨架。这样在由该硅碳复合材料做成的锂离子电池在嵌锂时，增大的体积可容纳在碳基材料与硅间的孔隙内，从而降低体积效应对极片的破坏作用。
CN103367725A	负极活性物质、含有其的电极、使用该电极的锂离子二次电池本发明提供高速率下也具有充分高的放电容量的负极活性物质、含有其的电极、使用该电极的锂离子二次电池。在以硅和氧化硅为主成分的负极活性物质中，使用氩激光拉曼光谱中具有950±30cm-1（A）和480±30cm-1（B）的峰值，其强度比（B/A）为1～10的负极活性物质。
CN103367724A	一种核壳结构的磷酸铁锂电池材料及其制备方法本发明涉及一种核壳结构的磷酸铁锂电池材料及其制备方法，材料的结构表达式为C1/Li1-xMxFePO4/C2，其中x=0～0.1，M为锂位掺杂的金属元素，C1为碳内核，是包裹在磷酸铁锂体相中的纳米碳微球，C2为包覆在材料表面的有机物裂解碳。其制备方法为：先制备内核为纳米级别的有机高分子微球或无机碳微球的磷酸铁，然后加入锂源、有机碳源、掺杂金属化合物，以酒精为分散剂，研磨混匀，干燥，再在高纯氮气气氛下焙烧得到具有核壳结构的磷酸铁锂电池材料。本发明工艺简单，适合大规模工业化生产，通过此方法制备的磷酸铁锂，活性质利用率高、比容量高。
CN103367723A	一种氟磷酸钙包覆镍钴锰酸锂正极材料的方法本发明提出了一种氟磷酸钙包覆镍钴锰酸锂正极材料的方法，包括如下步骤：a）将镍钴锰酸锂正极材料溶于去离子水中，分散；b）将步骤a中分散后的镍钴锰酸锂正极材料中先后加入硝酸钙溶液和氟化铵溶液，硝酸钙溶液与氟化铵溶液的物质的量比为1:2，反应生成氟磷酸钙；c）将步骤b中得到悬浊液在温度75～85℃搅拌2～4小时，待溶剂蒸干，温度120℃恒温干燥12小时；d）将步骤c中干燥后的物质置于马弗炉内进行焙烧热处理，自然冷却，即得氟磷酸钙包覆镍钴锰酸锂正极材料。本发明采用氟磷酸钙包覆镍钴锰酸锂正极材料，其维持了镍钴锰酸锂正极材料自身较高的初始容量，抑制该正极材料中过渡金属在充放电循环过程中在电解质中的溶解，改善该正极材料的容量保持率。
CN103367720A	石墨烯与多孔氧化铁复合材料的制备方法本发明公开了一种石墨烯与多孔氧化铁复合材料的制备方法。本发明的原理特征是以含铁无机盐为铁源，与氧化石墨烯进行反应，一步制得石墨烯与多孔氧化铁复合材料；或者先制得石墨烯与多孔氧化铁的前驱体，随后在空气或惰性气体下进行煅烧制得石墨烯与多孔氧化铁复合材料。此方法所制得的复合材料具有独特的孔结构，高的比表面积和优良的导电性，可望在电池、超电容材料及绿色环保汽车等领域中得到广泛应用。本发明方法具有设备工艺简单、生产成本低、适于工业化生产和环境友好等特点。
CN103367718A	一种碳包覆的四氧化三铁纳米微球的制备方法一种碳包覆的四氧化三铁纳米微球的制备方法，属于碳与金属氧化物复合纳米微球技术领域。本方法首先利用天然高分子阿拉伯树胶对Fe3O4纳米微球的粘附作用，通过乙二醇溶剂热一锅法制备了阿拉伯树胶包覆的Fe3O4纳米微球。然后通过在氮气保护下热处理的方法将其转化为碳包覆的Fe3O4纳米微球。以这种碳包覆的Fe3O4纳米微球为电活性材料组装锂电池，该电池表现出了良好的稳定性和倍率性能。这说明以本方法制备的碳包覆的Fe3O4纳米微球在锂电池领域具有一定的应用前景。
CN103367717A	一种锂离子电池正极材料LiFePO4/C复合材料的制备方法及产品本发明提供了一种锂离子电池正极材料LiFePO4/C复合材料的制备方法，具体为：（1）将碳酸锂、磷酸铁和草酸加入聚合物水溶液中搅拌，得到混合物；（2）对混合物进行球磨，在球磨过程中，草酸作为还原剂将磷酸铁锂化，制备出无定型的前驱体；（3）对前驱体进行煅烧，在煅烧过程中，通过聚合物的高温分解将前驱体进一步还原锂化，并且聚合物作为碳源合成出LiFePO4/C复合材料。本发明方法环境友好，制备过程简单，制备成本低，制备产物颗粒均匀，易实现工业化生产。
CN103367715A	正极活性物质、正极、二次电池、电池组以及电动车辆本发明提供了正极活性物质、正极、二次电池、电池组以及电动车辆。所述正极活性物质是具有层状盐型晶体结构的富锂的含锂化合物。以m2/g计的比表面积S和以μm计的微晶直径D的乘积SD等于或大于约1.4×10-6m3/g。
CN103367710A	负极和锂离子二次电池本发明提供即便在高倍率下也具有足够高的放电容量的负极和锂离子二次电池。本发明使用一种负极，其是使用以硅和氧化硅为主要成分的负极活性物质的负极，负极活性物质层的膜厚和负极活性物质的粒度分布D99的比为1.2～2.0，D99的值为7～27μm，并且负极活性物质层的密度为1.2～1.6g/cm3。
CN103367706A	基板及蓄电池本发明的实施方式涉及蓄电池用基板及蓄电池。提供一种可提高蓄电功能的蓄电池用基板及使用了该基板的蓄电池。根据实施方式，提供一种包含含有氧化钨粉末（4）的半导体层（1）的蓄电池用基板。氧化钨粉末（4）在拉曼光谱分析中，在268～274cm-1的范围具有第一峰值、在630～720cm-1的范围具有第二峰值及在800～810cm-1的范围具有第三峰值。半导体层（1）的厚度为1μm以上。半导体层（1）的空隙率为20vol%以上且80vol%以下。
CN103367704A	梯度分布的复合多元材料前驱体及其制备方法和应用本发明涉及一种锂离子电池用梯度分布的复合多元正极材料前驱体及其制备方法和在制备锂离子电池正极材料中的应用。该前驱体具有以下分子式组成：NixCoyMnzM1-x-y-z(OH)2，其中，0.2＜x＜0.8，0.1＜y＜0.5，0＜z＜0.6，M为掺杂金属离子，包括Mg、Ca、Zn、Al、Cr、Zr、Ti其中一种或几种；该前驱体包括核心部分和多层依次包覆于核心的外层壳部分；所述核心部分的分子式组成为NikConMnmM1-k-n-m(OH)2，其中，0.5＜k＜1，0.05＜n＜0.5，0＜m＜0.6；所述外层壳部分通过控制原料成分的配比以及制备工艺使外层壳部分的材料组成呈现梯度分布。与内部结构均一的三元材料相比，本发明锂离子电池正极材料既发挥了较高的放电比容量，同时材料的循环稳定性、高温循环稳定性和倍率性能也有较大提高。
CN103367700A	锂离子二次电池用负极和锂离子二次电池本发明提供一种充放电循环特性良好的锂离子二次电池用负极和锂离子二次电池。在本发明中，使用具有以硅和氧化硅为主成分的负极活性物质层的负极的拉伸强度与厚度的积为3.8～9.0N/mm且负极的拉伸强度与厚度的积除以负极集电体的拉伸强度与厚度的积的值为1.06～1.29的锂离子二次电池用负极。
CN103367698A	一种极片冲切机构及一种极片制作装置本发明公开了一种极片冲切机构及一种极片制作装置，极片冲切机构包括冲切驱动机构、上下固定板、支撑平台、外导柱、上下模板、凸模和凹模，还包括压料板和弹性部件，弹性部件设置于上固定板和压料板之间以施加向下的弹性作用力于压料板；凸模包括左凸模和右凸模，凹模包括左凹模和右凹模，压料板包括左压料板、右压料板及中压料板，弹性部件包括左弹性部件、右弹性部件和中弹性部件；在开模状态下，左、右压料板的下表面低于左、右凸模的下表面，两者的高度差介于0.05-0.1mm之间；中压料板的下表面低于左、右压料板的下表面，且中压料板与左凸模和右凸模的下表面的高度差均小于1mm。本发明具有冲切效率高、精度高、毛刺小的优点。
CN103367696A	正极片、其制备方法及锂离子电池本发明属于电池领域，其公开了一种正极片、其制备方法以及锂离子电池；该正极片包括集流体以及涂覆在集流体上包含有以石墨烯衍生物为组份的正极活性材料。本发明制得的正极片具有如下有益效果：(1)由于石墨烯衍生物本身不含锂，不需要对石墨烯衍生物进行工艺复杂的储锂操作，简化了操作工艺，降低制造成本；(2)该正极片与金属锂负极组成电池时，其充放电时，不易产生枝晶，也就避免了电池内部短路问题；(3)该正极片与不含金属锂的负极组成电池时，其充放电时，不易产生枝晶，也就避免了电池内部短路问题。
CN103367694A	蓄电池自动注液排气冷却系统本发明涉及铅酸蓄电池，具体是一种蓄电池自动注液排气冷却系统。包括蓄电池、电液箱，所述蓄电池上盖上装有去掉针头的医用注射器，所述医用注射器推杆塞端位于蓄电池箱体内部，且推杆塞尾端装有液漂，所述液漂漂浮在电解液液面上，所述医用注射器针头端位于蓄电池箱体外部，且通过注液管与所述电液箱内部连通；所述蓄电池上盖上还装有排气管，所述排气管外端口通过连接软管与安装在所述电液箱内部的排气冷却管下端口连通，排气管内端口位于电解液液满位置。本发明解决了人工补充电解液存在的加多加少难以控制的问题，且具有补液方便、精准、环保的效果；蓄电池充电过程中蒸发的电解液能够循环利用，节省电解液。
CN103367691A	电解液注入方法以及电解液注入装置本发明提供一种电解液注入方法以及电解液注入装置，不混入空气、气泡并且也不混入水分地在电池(特别是锂离子电容器)的单元容器内注入非水系电解液。该电解液注入装置具备循环注液部(16)、吹扫部(18)、真空部(20)以及控制器(22)。循环注液部(16)具有：缓冲罐(24)，其临时储存电解液(EL)；去往路径(26)，其在缓冲罐(24)的出口(24a)与单元容器(10)的第一端口(12)之间形成流路；返回路径(28(28A、28B))，其在缓冲罐(24)的回收口(24b)与单元容器(10)的第二端口(14)之间形成流路；泵(30)，其设置于去往路径(26)；以及注液监视用的液量变化监视部(32)和气泡监视部(34)。
CN103367690A	温度保险丝以及其制造方法本发明的目的在于提供一种通过改善温度保险丝的密封性而能够小型化的温度保险丝。温度保险丝包括：基膜(12)；在基膜(12)上以在顶端部设置间隔的方式对置配置的一对带状端子部(13)；在一对端子部(13)之间以桥接的方式接合的可熔体(14)；涂敷在可熔体(14)上的助熔剂(17)；以及以覆盖涂敷了助熔剂(17)的可熔体(14)的方式设置的覆盖薄膜(15)，至少在温度保险丝(11)的长度方向上延伸的封装部(16)在封装部(16)的内缘端(18)和外缘端之间被切断，并且，其切断面上的基膜(12)和覆盖薄膜(15)再次进行熔接。
CN103367687A	一种蓄电池端子定位装置本发明公开了一种蓄电池端子定位装置，该装置包括极柱和端子，所述极柱设有孔，所述端子底部设有凸台，所述端子通过凸台固定在所述孔中，所述凸台的个数为三个，三个凸台形成一个三角形。本发明与现有技术相比，通过在端子底部设有三个凸台，且三个凸台形成一个三角形，从而使端子焊接入蓄电池上盖的极柱孔后，端子的位置固定，进而在端子焊接后可以直接进行极柱孔部位的密封，提高了生产效率，省去了端子的校正操作步骤，降低了劳动成本。
CN103367685A	电池端子及应用该电池端子的电池组件本发明提供了一种电池端子，其包括：主体部、折弯所述主体部形成的安装部、自所述主体部相对两侧延伸出的第一夹持臂与第二夹持臂；所述第一夹持臂与第二夹持臂之间定义夹持空腔，所述第一夹持臂与第二夹持臂相对延伸，以调整所述夹持空腔的尺寸。与现有技术相比，本发明所提供的电池端子及应用该电池端子的电池组件，通过相对的第一夹持臂与第二夹持臂配合夹持电子产品的供电端，使得电池与电子产品紧密结合，同时电池质量受损时，可及时有效的替换电池，可经历多次拆卸，替换能力更强，取代原有的焊接连接方式，具有很好的市场前景。
CN103367684A	可再充电电池组本发明公开了一种电池组。可再充电电池组包括多个单电池、保护电路模块、柔性印刷电路板和壳体。多个单电池由可再充电电池构成，并且被划分为第一组单电池和第二组单电池。保护电路模块对单电池进行电学保护。柔性印刷电路板将单电池连接到保护电路模块。壳体配备有单电池、保护电路模块和柔性印刷电路板。柔性印刷电路板形成对应于第一组单电池和第二组单电池中的一组单电池中的正极引线接线片或负极引线接线片缩回的凹槽，并且包括对应于凹槽的弯曲部分。
CN103367683A	一种大容量电容锂离子电池引流体一种大容量电容锂离子电池引流体，采用欧姆定律设计而成，通过焊接引流体——导电金属带箔，增加导电面积，增强集流体极耳与导电端子的连接强度，降低电阻，提高导电率，保护集流体极耳与导电端子在超声波焊接时受伤粉化及活性物质的脱落掉粉。有效地减少电池与电容内部发热，具有良好的散热效果，大电流经过时，可预防电池与电容因接触不良，接触电阻增大，产生热量高而引起的燃烧爆炸等危险事故。制造方便，使用安全，性能可靠，延长电容电池的使用寿命，利于提高产品的一致性。
CN103367679A	电池单元本发明提供一种能够提高将连接线缆与电池模块的电极端子连接时的作业性，且能够减轻组装作业者的负担的电池单元。所述电池单元中，将多个电池模块(40A～40D)以电极端子(Tp、Tn)朝向同侧的方式收纳在电池箱(14)内。在多个电池模块(40A～40D)的存在电极端子(Tp、Tn)的一侧的面上重叠引导板(42)。在引导板(42)上设有使电极端子(Tp、Tn)露出的开口(48)。在引导板(42)的与电池模块(40A～40D)相反侧的面上设有保持连接线缆(41a～41f)的引导爪(49a、49b、49c、49e)、带状的布线显示标记(50a～50f)。
CN103367676A	电池连接构件本发明提供一种电池连接构件，所述连接构件的结构为一体成型，其包括：本体，所述本体上设置有按照电池电极排布分布的，用于与电池电极焊接的至少两组焊接部，每组焊接部上凸设有若干凸包。本发明的电池连接构件与电池电极连接后，整体体积较小，有利于电子产品向小型化、便携式的方向发展。同时，本发明的电池连接构件与电池电极焊接牢固，提高了电子产品的质量稳定性。
CN103367673A	一种用于锂电池的隔离膜及其制造方法本发明关于一种使用于锂电池的隔离膜，且特别关于一种利用打孔制程形成隔离膜中间层的锂电池隔离膜及其制造方法。锂电池的隔离膜包括具有第一微孔结构的第一聚烯烃层、具有第二微孔结构的第二聚烯烃层以及具有第三微孔结构的高分子微孔膜，该高分子微孔膜包括中间层、第一粘着层以及第二粘着层，其中，该第三微孔结构为利用打孔方式形成。本发明的隔离膜利用打孔方式于高分子膜材上打孔形成中间层，相较于经延伸膜材于高分子膜材上造孔的方式，使得本发明的隔离膜的中间层不易发生膜材收缩。因此，通过本发明打孔制程的方式形成的隔离膜，在高温环境中，具有良好的稳定性与高的机械强度的特性。
CN103367672A	一种电池的密封组件及其制作方法、以及一种锂离子电池本发明涉及一种电池的密封组件，包括：金属环、陶瓷环和芯柱，所述金属环套接于所述陶瓷环的外侧，所述陶瓷环的中部设有通孔，所述芯柱穿设于所述通孔内，所述芯柱与所述陶瓷环之间形成连接界面；所述电池的密封组件还包括隔离层，所述隔离层密封所述连接界面的内侧。本发明还涉及上述的电池的密封组件的制作方法，以及采用这种密封组件的锂离子电池。在本发明的电池的密封组件包括隔离层，所述隔离层密封芯柱和陶瓷环的连接界面的内侧，所述隔离层具有较佳的耐电化学腐蚀性能，能够起到保护芯柱和陶瓷环的连接界面不被电解液腐蚀的保护作用，有效延长锂离子电池的寿命。
CN103367671A	一种电极板及包含该电极板的电极组件、蓄电池和电容器本发明涉及一种电极板及包含该电极板的电极组件、蓄电池和电容器。本发明的电极板由至少两个正极板或至少两个负极板和夹在所述至少两个正极板或所述至少两个负极板之间的绝缘膜组成。本发明的电极板能够提高电场强度。包含该电极板的蓄电池相对于现有结构的电池充电时间大大缩短。
CN103367657A	照明装置一种照明装置，其包括发光元件、连接至发光元件以向发光元件供电的电线、以及构造为将发光元件和电线一体地保持的透光树脂。该透光树脂限定照明装置的外观。从发光元件发射的光透过透光树脂从透光树脂的外表面射出。
CN103367644A	一种有机电致发光器件及其制备方法本发明提供了一种有机电致发光器件，依次包括阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和金属阴极，空穴注入层的材质为p型材料、空穴传输材料和增透材料共蒸形成的混合材料，电子注入层的材质为n型材料和电子传输材料共蒸形成的混合材料，p型材料的质量占空穴传输材料总质量的25％～35％，增透材料的质量占空穴传输材料总质量的5％～15％，n型材料的质量占电子传输材料总质量的25％～35％。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。本发明通过分别在空穴注入层和空穴传输层的制备过程中加入低折射率增透材料进行共蒸，增强了出光效果。
CN103367643A	有机发光装置本发明提供一种有机发光装置，其包括一第一基板、一与第一基板平行配置的第二基板以及一配置在第一基板与第二基板之间的有机发光单元。第一基板具有多个第一导光微结构。第一导光微结构的分布密度介于100个/毫米至2000个/毫米之间，其中第一导光微结构位于第一基板内，且第一基板的材质包括光敏感材料。
CN103367639A	一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器及其制备方法本发明涉及一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器，包括：一氧化硅片衬底；一下电极，设置于所述氧化硅片衬底上方；一阻变纳米线，设置于所述下电极上方；一上电极，设置于所述阻变纳米线上方；其中，所述阻变纳米线为铜掺杂的氧化锌纳米线。本发明具有工艺兼容性好、结构简单的特性，由于采用铜作为掺杂物质，增加了氧化锌内部的氧空位，从而降低了写操作电流和电压，功耗也随着减小。
CN103367638A	基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，涉及一种开关型低功率快速开关忆阻器的非易失存储器单元电路，为了解决现有非挥发存储器在硅基材料上制造MOS电容式结构的非易失存储器单元电路中，因MOS晶体管个数较多，导致硅片表面制造电路的电极联接复杂和开关忆阻器的功耗高的问题,本发明所述的MOS晶体管的漏极与纳米结构开关忆阻器的一端串联，纳米结构开关忆阻器由上电极、三层纳米膜和下电极组成；三层纳米膜由N型半导体层、中性半导体层和P型半导体层依次叠加组成；N型半导体层与上电极电气连接，P型半导体层与下电极电气连接，本发明适用于对数据的存储。
CN103367632A	自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法本发明公开了一种自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法，包括：利用计算机控制的磁控溅射设备在硅衬底上溅射形成缓冲层Cr，沉积SmCo5层，沉积铁磁/Cu/铁磁三明治夹层，得到多层膜自旋阀磁电阻传感器材料，用四探针法测量多层膜自旋阀磁电阻传感器材料的磁电阻效应。优点是：上述自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法提出利用稀土永磁对底部铁磁层进行钉扎，从而获得自旋阀磁电阻传感器材料，用稀土永磁材料替代传统反铁磁材料，充分利用了丰富的稀土资源，同时保持较好的磁电阻效应，在室温附近很宽的温度范围内保持磁电阻效应基本不变，将在磁电子学传感器有潜在的使用价值，可望在互联网领域得到应用。
CN103367623A	发光器件及其制作方法本发明提供一种发光器件及其制作方法，所述发光器件包括：散热层（2）、形成于散热层（2）上的缓冲层（4）及形成于该缓冲层（4）上的发光单元（6），所述散热层（2）由石墨烯制成。本发明的发光器件及其制作方法，通过石墨烯制成的散热层有效的将发光单元的发光层散发的热量传导出去，有效降低发光器件的温度，延长发光器件的使用寿命，尤其是当该发光器件为发光二极管时，其发光层采用量子点发光层，有效提高发光二极管的色彩饱和度，提升发光二极管的彩色显示效果。
CN103367622A	全角度发光LED支架与包含该支架的LED灯柱及其制备方法本发明公开了一种全角度发光LED支架，包括间隔设置的第一金属基板(11)与第二金属基板(12)，所述的第一金属基板(11)上设置有多个LED晶片(2)，至少一个位于所述的第一金属基板(11)上的LED晶片(2)通过金线(3)与所述的第二金属基板(12)互连，所述的第一金属基板(11)、第二金属基板(12)作为电极以使各LED晶片(2)之间形成串联或并联。本发明的有益效果是优化了生产制造工艺，实现了高效率批量化生产；降低了生产成本；实现LED由点光源转化成面光源，由单颗集中的高亮刺眼的组合光源转化为较大的面积出光，不会对眼睛造成伤害。
CN103367616A	一种COB封装的LED模块及其制造工艺一种COB封装的LED模块及其制造工艺，模块包括铝基板、光学透镜组和设置在铝基板上表面的LED芯片，光学透镜组包括至少一个光学透镜，所述光学透镜为柱状透镜，光学透镜组设置在铝基板上方，并罩在同一胶壳内的所有LED芯片的上方，光学透镜内的填满透明胶体。本发明光学透镜填充透明胶体，由于透明胶体折射率高于空气，填充透明胶体后的LED模块能有效提高出光效率；且整个LED模块覆盖透明胶体，保证了光色一致性，提升生产良率，从而降低了生产成本。
CN103367615A	发光装置用封装成形体及使用了它的发光装置本发明提供一种能够有效地抑制助焊剂侵入到封装成形体的凹部内、且来自发光元件的热量的散热性优异的封装成形体，以及使用该封装成形体的发光装置。封装成形体(10)具备:具有用于收纳发光元件(40)的凹部(12)的树脂成形体(11)；在树脂成形体(11)的下部所配置的引脚(20、30)，引脚(20、30)的一侧的面(21、31)的一部分从树脂成形体(11)的凹部(12)的底面(121)露出，在另一侧的面(22、32)具有:从树脂成形体(11)的背面(14)露出的露出部、和由内部所填充的树脂使内面整体被覆盖的引脚凹部，形成有从一侧的面跨越到另一侧的面的切口或贯通孔，另一侧的面的切口或贯通孔的在凹部的中央侧的第一端部，位于所述引脚凹部内且由所述树脂覆盖。
CN103367614A	发光二极管的封装结构与其制法本发明提供一种发光二极管的封装结构与其制法。发光二极管的封装结构包括：基板；发光二极管芯片形成于基板上；第一疏水性阻挡层形成于基板上且包围发光二极管芯片；以及第一覆盖层形成于基板上且覆盖发光二极管芯片，其中第一疏水性阻挡层作为第一覆盖层的边界且第一覆盖层的切面与基板之间的夹角为约60-90度。本发明的发光二极管封装结构的制法简单且可利用简单的劈裂机进行单颗芯片分离步骤。
CN103367611A	波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置本发明提供厚度、形状以及使用的无机荧光体的限制少的波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置。无机成型体（波长变换用无机成型体）（1）具有基板（2）和设置在基板（2）上的含有粒状的无机荧光体（31）的荧光体层（3）。另外，粒状的无机荧光体（31）被覆盖无机荧光体（31）的粒子且使该粒子彼此相互固定的由陶瓷构成的覆盖层（32）所覆盖。另外，在荧光体层（3）的内部形成有空隙（33），在荧光体层（3）的表面形成有由无机荧光体（31）的粒子的粒径引起的凹凸形状。
CN103367607A	一种LED光源的封装方法本发明公开了一种白光LED光源的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、固晶：通过固晶机使用导电银浆将两颗发光二极管芯片并联贴在一片支架上；步骤二、焊线：通过焊线机使用纯金线将两颗发光二极管芯片按照并联方式将第一发光二极管芯片的负极与第二发光二极管芯片的正极连在一起，然后再把第一发光二极管芯片的正极、第二发光二极管芯片的负极与支架上的正负极连在一起；步骤三、点硅胶：通过点胶机在发光二极管芯片的表面涂上保护硅胶；步骤四、分光分色：最后通过光电测试仪器进行分光分色、包装。本发明能够在所获得的功率不变的情况下，降低LED光源的驱动电流，从而降低散热和光衰，提高使用寿命。
CN103367604A	发光元件本发明公开一发光元件，其包含一基板；一第一半导体发光结构位于基板上，其中第一半导体发光结构包含一具有一第一导电性的第一半导体层、一具有一第二导电性的第二半导体层，及一第一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间，其中第一活性层可发出一具第一主波长的第一光线；以及一第一热敏层位于第一光线行进路径上，其中第一热敏层具有一材料特性随温度变化而变化。
CN103367600A	发光灯所公开的是一种包括光源模块和容纳光源模块的壳体的发光灯，光源模块包括至少一个光源和布置在基板上以掩埋至少一个光源的光导层，并且至少一个光源包括：具有空腔的主体；第一引线框架，其包括暴露于空腔的一端和穿过主体且暴露于主体的一个表面的另一端；第二引线框架，其包括暴露于主体的表面的一部分的一端、暴露于主体的表面的另一部分的另一端、以及暴露于空腔的中间部分；以及至少一个发光芯片，其包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，并且至少一个发光芯片被布置在第一引线框架上。
CN103367599A	发光二极管封装结构的制造方法本发明提供一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供一基板，在该基板上形成若干凹槽；在凹槽的底面形成电路结构；将发光二极管芯片设置于凹槽中并电连接于凹槽底部的电路结构中；提供一荧光封装层，将荧光封装层放置于基板上；采用热压合的方式将荧光封装层压入基板的凹槽中，使荧光粉均匀分布，制作过程简便。
CN103367598A	发光二极管封装结构一种发光二极管封装结构，包括具有相对设置的顶面和底面的封装基板、设置在封装基板顶面上的发光二极管晶粒、以及设置在封装基板顶面上并覆盖该发光二极管晶粒的透镜，该封装基板上设置有贯穿顶面以及底面的通孔，该透镜对应通孔的位置形成有凸柱，该凸柱穿设过封装基板上的通孔并在封装基板的底面一侧卡持住该封装基板。该种发光二极管封装结构的透镜与基板之间的接合力较强，具有可靠度高的优点。
CN103367597A	一种LED光源本发明公开了一种具有高质量照明光线的LED光源，该LED光源包括LED(1)和LED(1)引出的LED电极引脚(2)，所述LED(1)外设置有球形透明体(3)，所述球形透明体(3)的外圆和LED(1)中心的距离为2.54-12.7mm，所述球形透明体(3)的内表面涂覆有LED荧光粉，所述LED电极引脚(2)从球形透明体(3)引出，本发明的LED光源避免在LED(1)表面直接涂覆荧光粉，利用球形透明体(3)扩大了光源的发光面积，从而使输出光线变得柔和，减少了点光源产生的眩光。
CN103367596A	半导体发光元件本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括层叠体和光学层。层叠体具有主表面并包括发光学层。光学层与主表面接触并包括介电体、第一颗粒以及第二颗粒。光学层包括包含介电体和第一颗粒而不包含第二颗粒的第一区域以及包含介电体和第二颗粒的第二区域。第一颗粒的球等价直径不小于1纳米且不大于100纳米。第二颗粒的球等价直径大于300纳米且小于1000纳米。第一区域的平均折射率大于层叠体的折射率且小于第二颗粒的折射率。
CN103367595A	发光二极管晶粒及其制造方法一种发光二极管晶粒，包括发光结构、形成于发光结构上的透明导电层、以及第一电极和第二电极，所述透明导电层上形成有透明保护层，该透明保护层上形成有若干穿孔，所述透明导电层经由穿孔裸露于透明保护层之外，裸露于穿孔的透明导电层的表面形成有微结构，改善出光效率。本发明还涉及一种发光二极管晶粒的制造方法。
CN103367588A	在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法本发明公开了一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法，包括：取一半导体衬底；在该半导体衬底上生长二氧化硅层；对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有Ga液滴；采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；在As环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成纳米环；利用纳米环作为掩膜生长量子点，并生长盖层。本发明首次实现纳米线侧壁图形化生长量子点，实现了对单根纳米线上量子点数量的定量控制，在纳米线基单光子源方面具有重要的应用前景。
CN103367584A	发光二极管及光学元件本发明提供一种发光二极管，包括：一基底，所述基底包括一外延生长面；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，该第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的外延生长面，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面；一第一电极，该第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极，该第二电极与所述第二半导体层电连接；其中，所述第二半导体层远离活性层的表面具有多个第一三维纳米结构，所述第一三维纳米结构为间隔设置的条形凸起结构，所述条形凸起结构的横截面为弓形。本发明还涉及一种具有所述第一三维纳米结构的光学元件。
CN103367577A	一种高亮度GaN基发光二极管外延片及其制备方法本发明提供了一种高亮度GaN基发光二极管外延片，包括衬底、衬底上表面上方设置一非掺杂GaN层，非掺杂GaN层上表面上方依次设置一N型GaN复合层、有源层和P型GaN复合层，在非掺杂GaN层和N型GaN复合层之间进一步设置一极性转换层，所述极性转换层的材料为Mg元素掺杂浓度为1×1020～5×1020cm-3的P型GaN。本发明的优点在于是一项低成本、简单可控和与传统LED工艺相兼容的N型GaN层表面粗化技术。本发明提出了采用高掺杂P型GaN作为极性转换层，使后面的表面粗化和工艺是在N面实施的，速度更快，效果更好，粗化的表面对DBR的要求也相应降低，因此可以很容易实现界面粗化和高反射率，从而达到上文所述提高GaN基LED光提取效率的目的。
CN103367576A	半导体发光装置、发光二级管阵列与其制法本发明为一种半导体发光装置，包括基板、第一磊晶结构、第一导电层、第二磊晶结构、第二导电层、绝缘层。第一磊晶结构位于该基板上，且包含第一掺杂层、第一发光层、第二掺杂层。第一导电层耦接该第二掺杂层。第二磊晶结构包含第三掺杂层、第二发光层、第四掺杂层。第二导电层耦接该第四掺杂层。绝缘层位于第一导电层与第二导电层之间。
CN103367571A	氮化镓基板及外延晶片本发明提供一种氮化镓基板、以及使用该氮化镓基板而制造的表面的平整性好的外延晶片，所述氮化镓基板即使在表面具有物理性的高低差，也可使具有良好品质的结晶性的外延生长层生长。作为解决本发明课题的方法涉及本发明的一个实施方式，其提供一种氮化镓基板(1)，其为在表面具有多个物理性的高低差(3)的氮化镓基板(1)，表面中存在的全部的物理性的高低差(3)的尺寸为4μm以下，在物理性的高低差的上部(3b)和下部(3a)测定的氮化镓基板(1)的带隙所对应的波长下的阴极发光发光强度之中，将高的一方的数值和低的一方的数值分别设为H、L时，则在全部的物理性的高低差(3)中满足(H-L)/H×100≤80的关系。
CN103367569A	外延结构体本发明涉及一种外延结构体，包括：一基底，所述基底具有一外延生长面，所述外延生长面具有多个第一凸起部与多个第一凹陷部；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述基底的外延生长面，并覆盖所述多个第一凸起部与第一凹陷部，所述碳纳米管层的起伏趋势与所述外延生长面的起伏趋势相同；一外延层，所述外延层形成于所述基底的外延生长面，所述碳纳米管层位于所述外延层与所述基底之间。
CN103367567A	基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束源快门，利用铋元素引起的III族元素互扩散实现非矩形量子阱结构，该方法可有效地控制材料组分，克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变矩形量子阱结构的问题，为量子结构和功能的设计及实现引入更大的自由度；本发明的制备方法适合采用分子束外延、原子层沉积等多种材料生长手段，操作工艺简单方便。
CN103367566A	基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构及固晶机本发明公开了一种基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构及固晶机，为解决现有装置组件数量多、运动平稳性和精度较难保证等问题而设计。本发明基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构包括机架组件、花键轴组件、伺服电机、音圈电机组件、摆杆和复位件。花键轴和花键套设置在机架组件的槽体内；伺服电机联接在机架组件上；音圈电机组件套设在花键轴上；摆杆安装在花键套上；复位件套设在花键轴上。本发明固晶机上安装有上述的基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构。本发明基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构及固晶机结构紧凑，加工精度高，伺服电机安装稳固，所用零部件数量少。
CN103367565A	发光二极管封装方法一种发光二极管封装方法，包括以下步骤:提供一基板，在基板上形成引脚结构和反射杯，所述引脚结构包括相互间隔的第一电极和第二电极，所述反射杯与该引脚结构及基板共同围设形成一凹陷；在该凹陷内的引脚结构上设置发光元件，并将该发光元件电连接至该第一电极和第二电极；在凹陷内形成一封装层以覆盖该发光元件；及用喷砂技术处理封装层及反射杯的上表面。与先前技术相比，上述封装方法利用喷砂技术处理封装层表面，藉由喷料的冲击和切削作用，在去除毛边结构的同时将封装层的表面加工成具有细微凸起的粗糙凹凸面，有效提高了发光二极管的制程良率，同时增强出射光线的散射、降低全反射发生的几率，提升该发光二极管的出光效率。
CN103367563A	发光二极管制造方法一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在所述衬底的一侧形成一磊晶层；沿所述磊晶层的厚度方向进行蚀刻，使所述磊晶层形成若干晶粒，相邻的晶粒之间形成一贯穿的沟槽；提供若干电绝缘的隔离柱，将所述隔离柱放置在相应的沟槽中，并使其连接相邻的晶粒；在每一晶粒远离衬底的一侧表面上形成一阻障保护层；在每一阻障保护层远离衬底的一侧表面涂设一锡膏层；对所述晶粒进行回流焊，使所述每一晶粒的锡膏层形成锡球；除去衬底并将晶粒放入溶液中浸泡至隔离柱消溶；提供若干金属片体，并通过焊接将这些片体分别焊接在对应晶粒的锡球上。
CN103367560A	发光二极管的制备方法本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括：提供一基底预制体，所述基底预制体具有一外延生长面以及一与所述外延生长面相对的出光面；在所述基底预制体的出光面上设置一图案化掩膜层；对所述基底预制体进行刻蚀形成多个第一三维纳米结构，所述第一三维纳米结构为条形凸起结构，所述条形凸起结构的横截面为弓形；去除所述掩膜层；在所述外延生长面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；设置一第一电极与所述第一半导体层电连接；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。
CN103367555A	发光二极管的制备方法本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一具有第一外延生长面的基底；在外延生长面设置一碳纳米管层；在第一外延生长面垂直生长本征半导体层；去除所述碳纳米管层，得到表面具有纳米微结构的外延衬底；将所述外延衬底具有纳米微结构的表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；刻蚀第二半导体层及活性层的部分区域，以暴露部分第一半导体层；以及，形成一第一电极与第一半导体层电连接，同时形成一第二电极与第二半导体层电连接。本发明发光二极管的制备方法工艺简单。
CN103367548A	硅片标记点的制作方法本发明提供了一种硅片标记点的制作方法，该制作方法包括以下步骤：步骤S10：在硅片上进行化学腐蚀以形成标记点。采用腐蚀制作标记点的方式，在腐蚀过程中不会对硅片造成物理损伤，降低了硅片在后续的加工过程中的破损的几率。
CN103367544A	一种具有吸杂作用的多晶硅电池发射极的扩散方法本发明公开了一种具有吸杂作用的多晶硅电池发射极的扩散方法，其特征在于，扩散前在硅片制绒面镀一层二氧化硅膜，扩散为双面扩散并且包含了两步有源扩散和两步吸杂。本发明通过改善扩散工艺，提高硅片少子寿命，从而提高电池片的电性能。特别适用于A区硅片电池发射极的制备。
CN103367542A	一种晶体硅太阳能电池及其制备方法本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，该包括如下步骤：在硅片上形成发射极；在所述发射极上形成钝化层；在所述钝化层上形成掺硼氧化锌薄膜；在所述硅片背面形成背电极和铝背场；在所述硅片正面形成正电极；对所述硅片进行烧结。相应的，本发明还提供一种使用该方法制备的晶体硅太阳能电池。本发明提供的制备方法成本低、工艺简单，适合大规模生产；且得到的太阳能电池质量好，光电转换效率高。
CN103367540A	背钝化太阳能电池及其制作方法本发明提供了一种背钝化太阳能电池的制作方法，在硅片制备完减反射膜后，首先形成具有镂空图案的背面场，再形成背钝化层，之后形成正电极，通过使背面场先于背钝化层形成，减少了激光开槽的步骤，避免了激光开槽对硅片的损伤；背面场为镂空结构，与背钝化层的接触面积减少，减轻了背面场对背钝化层的侵蚀程度，使背钝化层能够很好地发挥钝化作用，减少了电池背面的载流子复合，这些最终均能提高背钝化太阳能电池的转换效率。由于不需要进行激光开槽，所以简化了生产工艺；背面场为镂空结构，减少了制作背面场所需材料的用量，降低了生产成本；镂空结构的背面场能够减少由于硅铝膨胀系数差别导致的应力弯曲，降低了由电池弯曲引起的电池破碎。
CN103367539A	IBC太阳能电池的制作方法及IBC太阳能电池本发明所提供的IBC太阳能电池的制作方法，采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺形成第一导电指区，采用丝网印刷工艺形成第二导电指区，无需丝网印刷阻挡层、刻蚀、再次丝网印刷阻挡层、扩散、去玻璃层、清洗等多个步骤，简化了IBC太阳能电池的制作方法，提高了生产效率，且降低了生产成本。另外本发明所提供的IBC太阳能电池的第二导电指区与硅片基体结合形成电池的发射极，不需要掺杂硼，因此第二导电指区处的硼氧复合作用较弱，光致衰减作用更小，从而电池的转换效率更高。
CN103367537A	形成浆料的方法本发明公开了一种形成浆料的方法包括形成金属离子与金属错合物离子的至少其中之一、形成金属硫化物纳米粒子、形成一第一溶液，使得第一溶液包括金属硫化物纳米粒子以及金属离子与金属错合物离子的至少其中之一，其中金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III或IV族元素、以及在金属硫化物纳米粒子、金属离子及金属错合物离子的金属并不包含一硫化物半导体材料的所有金属元素时，重复金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子的至少其中之一的形成步骤，且形成第一溶液作为浆料。
CN103367536A	加工装置和加工方法本发明涉及一种用于加工多层（5，6，7，8）的工件（4）的加工装置，工件（4）被设计为太阳能模块、LED模块或光学显示器，其中，内部隐藏层（5）由一个或多个金属导体线路构成，加工装置（1）具有切除装置（2），用以构造一个或多个通向内部隐藏的金属导体线路（5）的进入开口（9），在此，切除装置（2）具有：可编程机器人（10），其包括机器人控制器（11）和切除工具、特别是切削工具（12）；和传感装置（14），用于检测金属导体线路（5）和一个或多个其他加载的层（8）在工具（12）进给时的不同特性、特别是硬度差异。本发明还涉及一种利用加工装置（1）加工多层（5，6，7，8）的工件（4）的方法。
CN103367534A	一种太阳电池图案制作方法本发明公开了一种太阳电池图案制作方法，是一种在太阳能电池表面进行任意图案制作的方法。该方法是在分检后的太阳电池片上粘贴具有所需图案的遮挡胶带，在电池片受光面沉积一层薄膜后撕去遮挡胶带。通过本发明可以在太阳电池表面进行任意不同颜色图案的制作，不但颜色均匀一致，而且可以准确地确定最终具有图案的太阳电池效率，方法简便实用，成本低，适用于工业生产。
CN103367533A	一种光伏组件用互联条优化连接方法本发明涉及一种光伏组件用互联条优化连接方法，该方法增加两种较短长度的互联条，用于电池串头尾两端的连接，在单片电池片焊接时，根据电池串的数量，用短互联条焊接在第一片的电池片上，其余的电池片其余用常规长度的互联条依次焊接，最后一片电池片背面焊接短互联条，叠层操作时，将电池串两端超出电池片的互联条部分与汇流条焊接起来并裁剪，即得到连接好的光伏组件。与现有技术相比，本发明具有简化操作、提高生产效率、节约生产成本等优点。
CN103367530A	一种太阳能光伏组件免清洗固定胶带的应用方法本发明涉及一种太阳能光伏组件免清洗固定胶带的应用方法，包括以下步骤：1)将固定胶带贴于太阳能光伏组件引出线的中部，对光伏组件引出线进行固定后进行层叠；2)叠层完毕后，将其放入太阳能组件层压机进行高温层压；3)进行冷却；4)撕下固定胶带。与现有技术相比，本发明具有可靠性高、操作简便、适用范围广等优点。
CN103367527A	一种选择性发射极太阳电池及其制造方法本发明提供一种选择性发射极太阳电池及其制造方法。现有技术采用多次高温热处理形成选择性发射极易使硅片出现退化。本发明的选择性发射极太阳电池的制造方法先在硅片上制作绒面并清洗，再在硅片正面的非电极区域涂敷扩散掩模浆料并烘干，之后将所述硅片置入扩散炉中通入扩散源在其正面扩散形成选择性发射极，接着在所述硅片背面形成背场和背面电极，最后在所述选择性发射极上形成正面栅极。本发明可减轻高温热处理对硅片的损伤，从而有效提高太阳电池的电性能。
CN103367526A	一种背面局部接触硅太阳电池的制造方法本发明提供一种背面局部接触硅太阳电池的制造方法。现有技术或使局部接触与硅片无法形成良好的欧姆接触，或在背面无钝化层直接对背面具有局部接触的硅片进行热处理而降低其电性能。本发明提供的方法先在硅太阳电池对应的硅片上制作绒面并清洗，再通过扩散在硅片正面形成PN结，接着通过刻蚀去除硅片正面区域外的PN结，之后在硅片正面形成减反膜并在背面的局部区域上形成与硅片同类型的局部接触，接着在背面形成钝化层，然后对硅片进行烧结处理使所述局部接触重掺进硅片形成重掺杂区，最后在硅片正面和背面分别形成正面电极和背面电极。本发明可改善局部接触与硅片间欧姆接触且可减少无钝化层热处理所产生的损伤。
CN103367520A	InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备本发明涉及一种InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备方法，该探测器结构由下而上依次包括：InP衬底、高掺杂n型InP缓冲层、吸收层和高掺杂p型InP帽层，所述的吸收层为低掺杂n型InyGa1-yAs1-xBix吸收层，其中0
CN103367518A	一种表面等离激元耦合太赫兹量子阱探测器本发明提供一种表面等离激元耦合太赫兹量子阱探测器，包括：半导体衬底、下电极、多量子阱结构、上电极、以及金属光栅。所述金属光栅用于实现入射光子的极性偏转，调整所述金属光栅的周期、金属条的宽度以及上电极的电子掺杂浓度、上电极的厚度，能使入射光子与所述上电极中的电子相互作用以在所述上电极表面形成表面等离激元。由于器件厚度仅为2~5µm，在太赫兹频段处于亚波长范围，因而，表面等离激元对应的衰逝波在共振频率处能够提高器件子带吸收效率，并且提高器件响应率和工作温度。
CN103367513A	一种多晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法本发明提出一种基于ZnO纳米阵列的n-ZnO/p-Si异质结太阳能电池及其制备方法。电池结构为：FTO或AZO透明导电玻璃衬底/ZnO籽晶层/N型ZnO纳米阵列/P型多晶硅薄膜/金属电极。制备方法为：以溶胶-凝胶法或磁控溅射在FTO或AZO透明导电玻璃衬底上制备ZnO籽晶层，以水热合成法在籽晶层上制备ZnO纳米阵列，再采用金属诱导法在纳米阵列表面沉积P型多晶硅薄膜，最后镀上金属电极形成n-ZnO/p-Si异质结太阳能电池。此结构特征为Si薄膜全面包覆ZnO纳米棒，利用纳米阵列传递载流子提升光伏转换效率；N型ZnO与P型Si共一族掺杂元素，还可利用金属诱导法时金属原子掺杂，形成有效的PN结。
CN103367511A	棱镜阵列式光电、热能混合式电热系统本发明公开了：一种棱镜阵列，该阵列由平行棱镜组成且来自各个方向的入射光线经过该棱镜阵列后的各路出射光线都与该棱镜阵列的中垂面相交；一种阳光接收器，阳光接收器主体为外表面分布太阳能电池的中空柱状体，中空柱状体内有冷却介质流通，阳光接收器一端连接冷却介质进管，另一端连接冷却介质出管。使用该一种棱镜阵列和阳光接收器及其附加装置可组成一种棱镜阵列式光电、热能混合式电热系统。将该混合式电热系统串联可组成一种棱镜阵列式光电、热能混合式电热系统组。该混合式发电、发热系统及其发电、发热系统组具有将太阳能光热能和光电效应发电的各自优点结合起来的优势。
CN103367505A	一种太阳能电池板外框本发明公开了一种太阳能电池板外框，包括连接件和四个边框，所述边框由一底板和一圆弧板连接而成；连接件的截面为圆弧形；边框通过连接件相互连接；边框与连接件的截面相适配，连接件与边框相接触的部分涂覆热熔胶。本发明提供的一种太阳能电池板外框，利用圆弧形的外框结构，使得雨水、露水沿外框流走，不形成积累，避免了对太阳能电池板的侵蚀。
CN103367504A	一种光伏接线盒本发明涉及一种光伏接线盒，包括盒体、与盒体配合的盒盖、设置于盒体内的铜板、以及汇流带，所述盒体包括用于安装铜板的安装部、自所述安装部边缘向上延伸形成的侧部以及贯穿盒体的开口区，所述汇流带位于所述盒体的下方，所述铜板包括设置于安装部上的主体部及自主体部朝开口区内折弯延伸并与汇流带电性连接的金属连接端，从而无需将汇流带伸入至盒内，便于安装操作，实现快速安装汇流带的目的。
CN103367500A	接线盒本发明提供一种接线盒，包括盒体、位于盒体内部的端子及延伸入盒体内部与端子电性连接的电缆，盒体包括侧壁及连接侧壁的前壁，前壁一体向前突设有接头，该接头设有与盒体内部相通的通孔，通孔设有供线缆插入的开口。接头自前壁向前突出并与盒体一体成型，不会在接头与前壁接合处产生缝隙，从而防止水汽进入。
CN103367498A	一种太阳能双玻组件及其封装方法本发明涉及一种太阳能双玻组件及其封装方法，该双玻组件由从下至上依次连接的第一块玻璃、第一层封装材料、电池片、第二层封装材料和第二块玻璃组成，所述的第一层封装材料和第二层封装材料均为UV固化胶；该太阳能双玻组件的封装方法包括1)将第一块玻璃放在操作台上，并清理其表面；2)在第一块玻璃上放电池片的位置喷涂或刷一层膏状UV胶层，作为第一层封装材料；3)在膏状UV胶层上放置电池片等步骤。与现有技术相比，本发明具有固化速度快、初期生产成本低、提高组件综合性能等优点。
CN103367496A	非晶硅薄膜组件及双玻太阳能电池的密封结构一种双玻太阳能电池的密封结构，包括：第一玻璃板表面的边缘的凸缘条；第二玻璃板表面的边缘的凹槽条，所述第一玻璃板表面与第二玻璃板表面贴合时，所述凸缘条嵌入所述凹槽条且两者之间具有间隙；在所述间隙填充的密封胶。此外，本发明还提供了包含该双玻太阳能电池的密封结构的非晶硅薄膜组件。采用本发明的技术方案，可以克服现有的密封结构在形成过程中对对准精度要求高，对密封胶会造成浪费及带来对玻璃的污染、以及造成太阳能电池漏电的安全隐患问题。
CN103367495A	一种胶带型接线盒粘贴模板本发明涉及一种胶带型接线盒粘贴模板，该模板正反面呈对称结构，模板的一侧开设有U形凹槽，另一侧设置硅胶过渡平台，U形凹槽的两侧面上各设置一引出高度基线，端面上设置有两个背板开口宽度基准镂空。与现有技术相比，本发明具有结构简单、制造容易、使用方便等优点。
CN103367493A	光伏组件本发明公开了一种光伏组件，该光伏组件包括用于光电转换的电池板(1)和封装该电池板(1)的玻璃板(2)和背板(3)，所述玻璃板(2)位于所述电池板(1)的上方，所述背板(3)位于所述电池板(1)的下方，所述背板(3)包括承载所述电池板(2)的中心区(31)和从该中心区(31)向四周延伸的边缘区(32)，其中，所述背板(3)包括能够覆盖所述边缘区(32)的反光层(41)。由于本发明提供的背板上设置有反光层，能够将照射到边缘区的太阳光反射到玻璃板，该太阳光在玻璃板内经反射和折射再次被采集到电池板上，有效增加了电池板的采光率，从而提高发电效率。
CN103367491A	一种双面太阳能电池组件本发明涉及一种双面太阳能电池组件，包括层压件和组件边框，所述的层压件设在组件边框内，所述的层压件由玻璃、封装材料、电池片、封装材料和背板依次叠层形成，所述的电池片为双面均能发电的双面电池片，所述的背板为透明背板。与现有技术相比，本发明具有加工工艺简单、外型美观大方、封装效率高等优点。
CN103367488A	太阳能电池板安装组件本发明公开了一种太阳能电池板安装组件，包括底座和安装框，所述安装框由底框和四个边框组成，四个边框相互连接成矩形并安装在底框上；底框的一端与底座相连；所述底座上设有两条导轨，导轨安装在底座上表面的两个侧边上；还设有一升降台，升降台安装在底座上，并且沿导轨滑动。本发明提供的太阳能电池板安装组件，能够调节太阳能电池板的角度，更利于捕捉太阳光，具有良好的散热效果，提高了光电转换的效率。
CN103367484A	太阳能发电装置以及电子表本发明提供一种太阳能发电装置以及电子表。本发明的太阳能发电装置具备：沿平面排列有多个太阳能电池的第一太阳能部；沿平面排列有多个太阳能电池，且在相对于上述第一太阳能部在面方向上位置偏移的状态下，在比上述第一太阳能部靠下侧隔开预定间隔配置的第二太阳能部；以及连结上述第一太阳能部和上述第二太阳能部的连结部，在本太阳能发电装置中，上述连结部具有配置在位于比上述第二太阳能部靠下侧的区域内的连接部，在该连接部设有电连接上述第一太阳能部和上述第二太阳能部的接点端子。
CN103367478A	太阳能电池及其制造方法本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：由n型晶体半导体形成的基板；位于基板的第一表面的p型发射极区；位于基板的与第一表面相反的第二表面上的第一介电层；分别位于发射极区和第一介电层上的第二介电层；位于在所述发射极区上的第二介电层上的第三介电层；位于基板的第一表面上并与发射极区连接的第一电极；和位于基板的第二表面上并与基板连接的第二电极。
CN103367475A	浆料成分、硫化物半导体膜、太阳能电池及其形成方法本发明公开了一种浆料成分包含有一溶剂系统、多个金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子的至少其中之一以及钠源。金属离子与金属错合物离子的至少其中之一分布于金属硫化物纳米粒子的表面上，且用于在溶剂系统中分散金属硫化物纳米粒子。钠源分散于溶剂系统中及/或包含于金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子的至少其中之一中。金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III及IV族元素以及钠所构成的组合，并且包含一硫化物半导体材料的所有金属元素。
CN103367474A	硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用，属于太阳能电池技术领域。其中硅纳米管的外半径为20-200nm，内外径之比小于1，长径比大于10，硅纳米管的阵列填充率为0.1-0.785；硅纳米管阵列具有优异的减反陷光性能，可进一步提高陷光效果，并且解决了传统的陷光结构受晶粒取向限制的问题。
CN103367473A	一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器本发明提供一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器，包括：半导体衬底、金属反射层、多量子阱结构、以及金属光栅。所述金属光栅、多量子阱结构与金属反射层组成法布里-珀罗结构的金属共振微腔，调整所述金属光栅的周期、金属条的宽度以及多量子阱结构的厚度，使入射光子在腔体内形成符合法布里-珀罗结构的共振模，可以在金属共振微腔中形成强场区，提高了入射光的有效强度，进而提高器件的响应率、探测灵敏度和工作温度。本发明结构简单，效果显著，实用性强，适用于工业生产。
CN103367469A	太阳能电池一种太阳能电池，包括：一基板、一介电层、至少一配置于该介电层的穿孔、一设于该介电层上的电极、一开口、一第一面积以及一第二面积。该电极包括一个具有一导电段的第一结构以及一设于该穿孔的第二结构。该开口位于该介电层上并由该电极所围绕形成，其中该导电段配置于该开口中。该第一面积为该开口正投影到该基板的总面积。该第二面积为该电极正投影到该基板的总面积并且大于该第一面积。本发明的电极可以限制该基板材料的扩散，使足够多的基板材料与电极材料混合，以形成厚度厚、品质佳的背电场结构，从而提升电池的转换效率。
CN103367466A	硅纳米球颗粒阵列层作为太阳能电池表面减反陷光层的应用硅纳米球颗粒阵列层作为太阳能电池表面减反陷光层的应用，属于太阳能电池技术领域。硅纳米球的直径在100-1000nm之间，填充率在0.05-0.4之间；以填充率为0.09时的硅纳米球阵列为例，可以得出在可见光波段（300-850nm）内，SiNSA的反射率始终保持在0.4%以下，同时具有98%以上的高透过率，表现出优异的减反、陷光性能。这种太阳能电池表面新型陷光结构的应用将进一步提高陷光效果，有助于太阳能电池效率的提高。
CN103367465A	一种有金属反射镜的多结太阳能电池及其制备方法本发明涉及一种有金属反射镜的多结太阳能电池及其制备方法。本发明在多结太阳能电池结构上制作局部接触的欧姆接触电流通道，将其它区域的第二帽子层去掉，依次制备透明导电介质材料和蒸镀金属反射镜、阻挡金属层和键合金属。采用键合技术，将外延片键合到第二衬底上，去除第一衬底后的外延片进行电极蒸镀，光刻电极图形，同时去掉多余的第二帽子层后进行合金，然后蒸镀减反射膜，光刻出电极图形，最后蒸镀背面金属，进行合金。本发明在键合的过程中，制备了金属反射镜，将对光吸收严重的帽子层去掉，多余的光会反射回电池，提高光利用率，提高电池效率。
CN103367462A	一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置及其制备方法本发明公开了一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置，通过沟槽结构，可以实现较深的条状P型半导体硅材料，当器件接反向偏压时，条状的P型半导体硅材料和N型半导体硅材料形成电荷互补，形成超结结构，改变漂移区的电场强度分布，形成平坦的电场强度分布曲线；本发明还提供一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置的制备方法。
CN103367458A	薄膜晶体管及其制造方法本发明揭露一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管含有基板、漏极与源极电极层、半导体层、第一介电层、第二介电层、栅极电极层、保护钝化层以及像素电极层。漏极与源极电极层位于基板上，此漏极与源极电极层划分为漏极区域以及源极区域；半导体层与第一介电层位于漏极与源极电极层上，其中此第一介电层的厚度具有上限；第二介电层位于半导体层与第一介电层之上，其中此第二介电层的厚度具有下限；栅极电极层位于第二介电层之上；保护钝化层位于栅极电极层之上，像素电极层则位于保护钝化层之上。
CN103367453A	一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型阱区及P型阱区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有N型漏区，在P型阱区内设有P型接触区和N型源区，在场氧化层下方设有由P型阱区单元构成的P型阱区阵列，所述P型阱区阵列位于N型缓冲区与P型阱区之间，P型阱区单元的宽度从N型缓冲区到P型阱区逐渐增大，本发明大大的增强了电平移位电路中超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管抗高压寄生效应影响的能力，可以极大的提高智能功率模块的性能。本发明还公开了超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制备方法。
CN103367452A	绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法本发明提供了绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法，其中所提供的一种绿色晶体管包括：半导体衬底，形成于衬底内的第一源极、第二源极、漏极以及形成于衬底表面的栅极；所述漏极形成于栅极底部的衬底内；所述第一源极与第二源极形成于栅极两侧的衬底内，且关于漏极对称；在所述栅极的底部、第一源极内靠近漏极一侧形成有第一口袋注入区；在所述栅极的底部、第二源极内靠近漏极一侧形成有第二口袋注入区；所述第一口袋注入区以及第二口袋注入区的导电类型与漏极相同，且与第一源极以及第二源极相反。并将所述绿色晶体管应用于电阻随机存储器，作为存储单元的选通管，提供较大的读、写操作电流，具有较强的驱动能力，降低功耗。
CN103367447A	具有超级结晶体管和另外的器件的半导体装置本发明涉及具有超级结晶体管和另外的器件的半导体装置。一种半导体装置包括半导体主体以及设置在半导体主体的第一器件区中的功率晶体管。功率晶体管包括至少一个源极区、漏极区和至少一个主体区、至少一个第一掺杂类型的漂移区和至少一个与第一掺杂类型互补的第二掺杂的补偿区以及被设置成邻近所述至少一个主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极。该半导体装置也包括设置在半导体主体的第二器件区中的另外的半导体器件。第二器件区包括包围第一掺杂类型的第一半导体区的第二掺杂类型的阱状结构。所述另外的半导体器件包括设置在第一半导体区中的器件区。
CN103367446A	应力降低的场效应半导体器件和用于形成该器件的方法本发明涉及应力降低的场效应半导体器件和用于形成该器件的方法。提供了一种场效应半导体器件。该场效应半导体器件包括具有限定垂直方向的第一表面的半导体主体。在垂直截面中，该场效应半导体器件进一步包括从第一表面延伸到半导体主体中的垂直沟槽。该垂直沟槽包括场电极、至少部分地被场电极包围的腔体以及基本上包围至少该场电极的绝缘结构。此外，提供了一种用于产生场效应半导体器件的方法。
CN103367445A	带有积累增益植入物的横向双扩散金属氧化物半导体本发明涉及一种横向双-扩散金属-氧化物-半导体晶体管器件，包括一个增益注入区，形成在本体和漂流漏极区之间的P-N结附近的那部分积累区中。增益注入区包括导电类型与漂流漏极区相同的附加掺杂物。在增益注入区和P-N结之间有一个缝隙。
CN103367443A	半导体器件本发明的实施例涉及一种半导体器件。本发明提供一种设计成防止电场集中于槽部附近的半导体器件。该半导体器件包括半导体层、源极区域、漏极区域、源极偏移区域、漏极偏移区域、槽部、栅极绝缘膜、栅极电极和嵌入区域。在平面图中在从源极偏移区域到漏极偏移区域的方向上，在平面图中在半导体层中的源极偏移区域与漏极偏移区域之间的至少一个位置提供槽部。栅极绝缘膜覆盖槽部的侧部和底部。在平面图中仅在槽部内提供栅极电极并且栅极电极接触栅极绝缘膜。
CN103367441A	具有悬空沟道的MOSFET及其形成方法一种器件包括半导体衬底以及位于半导体衬底上方的晶体管的沟道区。沟道区包括半导体材料。气隙设置在沟道区的下方并且与沟道区对准，其中，沟道区的底面暴露于气隙。绝缘区设置在气隙的相对侧上，其中，沟道区的底面高于绝缘区的顶面。晶体管的栅极电介质设置在沟道区的顶面和侧壁上。晶体管的栅电极位于栅极电介质上方。本发明提供具有悬空沟道的MOSFET及其形成方法。
CN103367440A	用于FinFET器件的鳍结构提供一种用于鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍结构。器件包括：衬底、设置在衬底上的第一半导体材料、设置在衬底上方并且形成在第一半导体材料的相对两侧的浅沟槽隔离(STI)区、以及形成在STI区上设置的第一鳍和第二鳍的第二半导体材料，第一鳍与第二鳍间隔第一半导体材料的宽度。鳍结构可以用于通过形成在第一鳍、在第一鳍和第二鳍之间设置的第一半导体材料的顶面、以及第二鳍上方形成的栅极层来生成FinFET器件。
CN103367435A	一种肖特基沟槽MOS半导体装置及其制造方法本发明提出一种肖特基沟槽MOS半导体装置，将肖特基引入到MOS半导体装置中，本发明的半导体装置是制造功率MOSFET器件的基础结构，本发明还提出一种肖特基沟槽MOS半导体装置的制造工艺。
CN103367434A	一种超级结沟槽MOS半导体装置及其制造方法本发明提出一种超级结沟槽MOS半导体装置，将超结结构通过沟槽和PN结引入到半导体装置中，本发明的一种超级结沟槽MOS半导体装置是制造超级势垒整流器和功率MOSFET器件的基础结构，本发明还提出一种超级结沟槽MOS半导体装置的制造工艺。
CN103367433A	一种沟槽超级结MOS半导体装置及其制造方法本发明主要涉及一种沟槽超级结MOS半导体装置，并将超结结构通过栅极和PN结引入到半导体装置中，本发明的沟槽MOS结构半导体装置是超级势垒整流器和功率MOSFET基础结构，本发明还涉及一种沟槽超级结MOS半导体装置的制造工艺。
CN103367432A	多栅极场效应晶体管及其制造方法本发明提供一种多栅极场效应晶体管及制造方法，多栅极场效应晶体管中鳍状结构包括硅锗层和硅层，所述硅锗层上部分小于下部分，所述硅锗层能够形成较佳的应力作用，从而提高鳍状结构中沟道迁移率等性能。所述多栅极场效应晶体管的制造方法通过在利用两次外延生长法的选择性生长的特性和氮化硅层的遮挡，形成的鳍状结构的尺寸易于控制，且形成的界面良好，同时形成工艺简单，易于控制工艺成本。
CN103367429A	二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法本发明公开了一种二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和漏极，钝化层位于源极和漏极之间的势垒层上，该钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极；缓冲层采用GaN，势垒层采用AlGaN；缓冲层上刻蚀有若干周期性排列的宽度为纳米量级的量子线凹槽和量子线凸台，在量子线凹槽和量子线凸台正下方异质结中形成一维电子气。本发明与Si基和GaAs基一维电子气器件相比，具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。
CN103367421A	半导体器件、氮化物半导体晶体及其制造方法本发明涉及半导体器件、氮化物半导体晶体及其制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底之上的成核层；形成在成核层之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的第一氮化物半导体层以及形成在第一氮化物半导体层之上的第二氮化物半导体层，其中在光致发光中黄光发射与带边发射之比为400％或更小，并且X射线摇摆曲线中的扭转值为1000角秒或更小。
CN103367420A	化合物半导体器件及其制造方法本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的电子传输层和电子供给层；形成在电子供给层上的栅电极、源电极和漏电极；以及包埋电极，该包埋电极被提供独立于栅电极、源电极和漏电极的电位以控制缓冲层的电位。
CN103367415A	晶体管本发明获得能够防止高电压施加所导致的破坏的晶体管。在半导体衬底(1)上配置有发射极电极(2)、集电极电极(3)以及基极电极(4)。集电极电极(3)与发射极电极(2)分离。基极电极(4)配置于发射极电极(2)与集电极电极(3)之间。发射极电极(2)具有部分(2a、2b)。散热板(5)不与发射极电极(2)的部分(2a)接合，而与部分(2b)接合。
CN103367414A	纵向夹断的面结型场效应晶体管结构及制造方法本发明公开了一种纵向夹断的面结型场效应晶体管结构及制造方法，具有第一导电类型的硅基板上形成第二导电类型的第一阱区，第一阱区的表面形成具有第一导电类型的第二阱区，第二阱区中形成具有第一导电类型的第一有源区，第一阱区外侧的硅基板中形成具有第一导电类型的第二有源区，第一有源区和第二有源区之间由场氧隔离，并通过金属连接形成栅极，第一阱区的一端通过第三有源区形成源端，另一端通过第四有源区形成漏端，第三有源区和第四有源区具有第二导电类型，第一阱区内形成至少一层具有第一导电类型的注入区。本发明可有效控制纵向沟道的长度，从而得到较低的夹断电压，同时还可以变化第一阱区的宽度得到较大的器件电流。
CN103367412A	反向导通绝缘栅双极型晶体管本发明公开了反向导通绝缘栅双极型晶体管。一种半导体器件包括布置在半导体本体的第一侧与第二侧之间的第一导电类型的漂移区。所述半导体器件还包括沿着平行于第二侧的第一方向相继布置的第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区。所述半导体器件还包括处于第二侧的、与第一和第二区邻接的电极。所述半导体器件还包括布置在漂移区与第一区之间的第二导电类型的第三区。第三区与第二区并且与第二侧间隔开。
CN103367410A	半导体装置本发明提供单芯片化后的IGBT以及二极管的特性良好的半导体装置。其中，IGBT单元和二极管单元形成于一个第一导电型的半导体基板。该半导体装置具备：形成在半导体基板的下面侧表层部的IGBT单元区域中的第二导电型的第一半导体层；形成在半导体基板的下面侧表层部的与IGBT单元区域相邻接的区域中的第一导电型的第二半导体层；在半导体基板的上面侧表层部隔开规定间隔而形成的栅电极；形成在栅电极之间的第一导电型的第三半导体层以及第二导电型的第四半导体层；在IGBT单元区域中形成在第一半导体层上方的第一导电型的第五半导体层；形成在第三半导体层以及第四半导体层上的第一电极；以及设置在半导体基板的下面侧的第二电极。
CN103367407A	不通电的伪栅极本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括在衬底上方形成的不通电的伪栅极。伪栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。半导体器件包括在衬底上方形成的第一功能栅极。第一功能栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。第一功能栅极在与第一方向垂直的第二方向上与伪栅极分离。第一导电接触件形成在第一功能栅极上。半导体器件包括在衬底上方形成的第二功能栅极。第二功能栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。第二功能栅极在第一方向上与伪栅极对准并且与伪栅极物理分离。第二导电接触件形成在第二功能栅极上。本发明提供了不通电的伪栅极。
CN103367405A	半导体装置及其制造方法本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施例，半导体装置包括第一、第二、第三和第四半导体区、控制电极、浮动电极和绝缘膜。第一区包含碳化硅。第二区设置在第一区上且包含碳化硅。第三区设置在第二区上且包含碳化硅。第四区设置在第三区上且包含碳化硅。控制电极设置在第四区、第三区和第二区中所形成的沟槽中。浮动电极设置在控制电极与沟槽的底表面之间。绝缘膜设置在沟槽与控制电极之间、沟槽与浮动电极之间以及控制电极与浮动电极之间。
CN103367399A	晶体管及晶体管的形成方法本发明提供一种晶体管及晶体管的形成方法。所述晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；以及，位于所述半导体衬底内、且位于所述栅极结构两侧的凹槽；位于所述栅极结构一侧凹槽内的源极；以及位于所述栅极结构另一侧凹槽内的漏极，所述凹槽包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述半导体衬底的上表面连接，所述第二部分与所述第一部分贯通连接并延伸至所述栅极结构的下方。所述源极和所述漏极既靠近沟道区，又具有更大的体积，当所述源极和所述漏极由掺杂的应力层充当时，能够对沟道区产生更加明显的应力作用，进一步地提高载流子的迁移率。
CN103367396A	一种超级结肖特基半导体装置及其制备方法本发明公开了一种超级结肖特基半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，第二导电半导体材料与第一导电半导体材料可以形成电荷补偿，形成超结结构，提高器件的反向击穿电压，改善器件的导通或阻断特性；同时当半导体装置接一定的正向向偏压时，第一类型肖特基势垒结(假定第一导电半导体材料层为N型半导体材料)为正向偏压导通，第二类型肖特基势垒结(假定第二导电半导体材料层为P型半导体材料)为反向偏压截止状态，因此器件在正向导通时仍为单个载流子的导电的器件，单个载流子导电的器件不存在少子注入，器件具有良好的开关特性。本发明还提供了一种超级结肖特基半导体装置的制备方法。
CN103367394A	半导体器件及其制造方法本发明公开了半导体器件，包括：在衬底上的第一外延层；在第一外延层上的第二外延层，在第二外延层的有源区中形成MOSFET；反T型的STI，形成在第一外延层和第二外延层中，并且包围有源区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，选择性刻蚀双层外延层从而形成反T型的STI，有效减少器件泄漏电流而同时又不会缩小有源区面积，提高了器件的可靠性。
CN103367387A	可变电阻存储器件本发明公开了一种可变电阻存储器件，所述可变电阻存储器件包括：第一电极对和插入在第一电极对之间的第二电极；第一可变电阻材料层，所述第一可变电阻材料层插入在第一电极中的一个第一电极与第二电极之间；以及第二可变电阻材料层，所述第二可变电阻材料层插入在第一电极中的另一个第一电极与第二电极之间，其中，第一电极对彼此电连接，并且第一可变电阻材料层的第一设定电压和第一复位电压分别与第二可变电阻材料层的第二设定电压和第二复位电压不同。
CN103367386A	一种交流发光二极管本发明公开了一种交流发光二极管，包括：一绝缘衬底；至少一发光二极管组，其具有至少六个发光二极管单元，该发光二极管单元彼此绝缘分离设置于该绝缘衬底上；所述发光二极管单元分为五组，其中四组作为四条整流分支，另外一组作为输出分支，所述输出分支中包括至少两路并联的发光二极管支路；一钝化层，其设置于所述发光二极管单元的侧面和发光二极管单元之间的绝缘衬底上；一金属层，其形成于发光二极管单元和部分钝化层上，所述的金属层使各相邻的发光二极管单元之间形成串联或并联形式的电连接。利用本发明，提高了有源区的面积利用率，改善了电流扩展，提高了提取效率，有效地提高了交流LED芯片的发光效率，降低了交流LED芯片的成本。
CN103367378A	放射线检测设备和放射线检测系统本发明涉及一种放射线检测设备和放射线检测系统。该放射线检测设备包括：基板；像素区域，其在所述基板上由一个或多个包括传感器元件的像素所构成；以及光源，其中，所述光源设置在所述基板的设置了所述像素区域的一侧并且位于所述像素区域外，以及来自所述光源的光入射到所述传感器元件上。
CN103367376A	具有增强离子掺杂的方法及装置本发明涉及具有增强离子掺杂的方法及装置。本发明涉及用于提供展现半导体衬底中改进的掺杂的像素单元的技术。在一实施例中，通过所述半导体衬底的背侧执行第一掺杂。在所述第一掺杂之后，薄化所述半导体衬底以暴露与所述背侧相反的前侧。在另一实施例中，通过经薄化半导体衬底的暴露前侧执行第二掺杂以形成像素单元结构的至少一部分。
CN103367373A	固态成像元件和电子设备本发明提供一种固态成像元件和电子设备，固态成像元件包括形成在半导体基体上的光接收单元和形成在光接收单元上的抗反射膜。抗反射膜具有多层平坦层，其在上层中的平坦层窄于下层中的平坦层。
CN103367369A	半导体存储器件各半导体存储器件可以包括：写入晶体管，其包括用于控制第一源极/漏极端子的第一写入栅极和用于控制沟道区的第二写入栅极；以及读取晶体管，其包括与所述写入晶体管的第一源极/漏极端子连接的存储节点栅极。所述第一写入栅极可以具有第一功函数，并且所述第二写入栅极可以具有与所述第一功函数不同的第二功函数。所述写入晶体管的第一源极/漏极端子可以不具有PN结。
CN103367366A	半导体封装构件本发明公开了一种半导体封装构件，包含有基板，其上设有至少一引线手指；第一半导体芯片，其有源面面向所述基板，设于所述基板上；至少一第一接合垫设于所述第一半导体芯片的有源面；第一导线，将所述第一接合垫电连接至所述基板；第二半导体芯片，其有源面背对所述基板，堆叠于所述第一半导体芯片的背面上；至少一第二接合垫，设于所述第二半导体芯片的有源面；第二导线，将所述第二接合垫电连接至所述基板；第三半导体芯片，其有源面背对所述基板，堆叠于所述第二半导体芯片上；以及第四半导体芯片，其有源面背对所述基板，堆叠于所述第三半导体芯片上。
CN103367361A	具有功率晶体管和高电压器件的半导体装置本发明涉及具有功率晶体管和高电压器件的半导体装置。一种半导体装置包括半导体主体和功率晶体管，该功率晶体管包括设置在半导体主体中的源极区、漏极区、主体区和漂移区，被设置成邻近主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极。该半导体装置进一步包括高电压器件，该高电压器件设置在处于半导体主体中的井状电介质结构内并且包括另外的漂移区。
CN103367357A	使用高压设备的低压ESD箝位一种使用高压设备的低压ESD箝位。一些实施例涉及静电放电（ESD）保护设备。该ESD保护设备包括在第一和第二电路节点之间延伸且包括触发元件的第一电路径。第二电路径在第一和第二电路节点之间延伸。该第二电路径包括分路元件。开关元件被配置为基于触发元件的状态和开关元件的状态二者来触发经过分路元件的电流。
CN103367356A	具有氮化物层的半导体元件根据一个实施方式，提供一种半导体元件，该半导体元件具有半导体基板、氮化物的第一至第四半导体层、第一至第三电极以及栅电极。上述第一半导体层直接或隔着缓冲层设置在上述半导体基板上。上述第二半导体层从上述第一半导体层离开地设置。上述第三半导体层设置在上述第二半导体层上，具有比上述第二半导体层大的带隙。上述第四半导体层将上述第一半导体层及上述第二半导体层进行绝缘。上述第一电极与上述第一至上述第三半导体层形成欧姆接合。上述第二电极设置在上述第三半导体层上。上述栅电极设置在上述第一电极和上述第二电极之间。上述第三电极与上述第一半导体层形成肖特基结。
CN103367351A	基于硅基的LED模组多层叠加结构及制作方法本发明公开了一种基于硅基的LED模组多层叠加结构及其制作方法，本发明的基于硅基的LED模组多层叠加结构，包括光源模组层和驱动模组层，光源模组层包括上基板和LED芯片,LED芯片设置于上基板的第一凹槽内，驱动模组层包括下基板和驱动IC，驱动IC设置于下基板的第二凹槽内，然后上基板和下基板叠加在一起；而基于硅基的LED模组多层叠加结构的制作方法，采用微加工技术能准确控制微尺寸刻蚀、布线以及对应LED芯片和驱动IC的封装，这种集成的设计更具灵活性、模组占位面积减少、灯具组装简化、减低电连接功率损耗而提升功率、系统体积更小、省去支架及封装成本、减低机械连接热阻提升散热效果方便快捷。
CN103367348A	提供具有互连堆叠装置晶片的集成电路系统的方法及设备一种集成电路系统包含第一装置晶片，其具有第一半导体层，所述第一半导体层接近安置在第一金属层氧化物内的包含第一导体的第一金属层。还包含第二装置晶片，其具有第二半导体层，所述第二半导体层接近安置在第二金属层氧化物内的包含第二导体的第二金属层。所述第一金属层氧化物的前侧在所述第一金属层氧化物与所述第二金属层氧化物之间的氧化物接合界面处接合到所述第二金属层氧化物的前侧。导电路径借助形成在腔内的导电材料将所述第一导体耦合到所述第二导体，所述腔蚀刻在所述第一导体与所述第二导体之间且从所述第二装置晶片的背侧蚀刻穿过所述氧化物接合界面并穿过所述第二半导体层。
CN103367342A	堆叠结合发光二极管本发明为一种堆叠结合发光二极管，包含第一磊晶堆叠发光二极管、第二磊晶堆叠发光二极管及第一结合层，藉以让第一磊晶堆叠发光二极管与第二磊晶堆叠发光二极管堆叠结合。本发明是一种工艺流程简单且成本低的四波长白光发光二极管，用以得到较高的演色性指数。
CN103367336A	多维集成电路的电源线滤波器一种位于带有堆叠元件的多维集成电路中的中介层元件具有一个或多个导体(尤其是电源线)，该导体通过限定了用于高频信号的低阻抗分路的去耦网络来与地电位相连接。介电层具有连续的层，该层包括有硅层、金属层和电介质沉积层。用于导体的去耦网络具有至少一条并且优选地两条电抗传输线。传输线具有与导体串联的电感器以及处在电感器终端处的并联电容。通过间隔的金属沉积层中的迹线来形成电感器，该金属沉积层形成了线圈绕组并且穿过通孔在层之间进行连接，从而允许导体跨线。通过中介层中的MOScap形成电容。一个实施例具有与处于输入端、输出端和线圈之间的结处的电容串联连接的线圈，其中，该线圈磁性耦合，从而形成了变压器。本发明还提供了一种多维集成电路的电源线滤波器。
CN103367332A	封装结构本发明公开了一种封装结构，包括一载板；一芯片堆叠结构，设置于载板上，其中芯片堆叠结构包括至少二片互相堆叠的芯片；一封装材料层，包覆芯片堆叠结构；一芯片黏着层，设置于相邻的芯片间；及多个填充物颗粒，均匀分布于芯片黏着层内，其中各个填充物颗粒包括一介电核心、一绝缘层，绝缘层包覆介电核心，及一导电层，设置于介电核心和绝缘层间且顺向包覆介电核心。
CN103367328A	用于在视觉上检测静电放电事件的方法和装置本发明涉及用于在视觉上检测静电放电事件的方法和装置。方法和结构提供了静电放电（ESD）指示器，所述静电放电ESD指示器包括电场敏感材料，所述电场敏感材料被配置为经受响应于电场的特定颜色改变。可以经由ESD指示器的特定颜色改变来在视觉上确定结构的ESD暴露。
CN103367327A	测试电路和包括测试电路的半导体装置本发明提供一种测试电路和包括测试电路的半导体装置，所述测试电路包括：穿通通孔测试单元，被配置成响应于第一测试控制信号而被设定成第一电阻值以及响应于第一测试控制信号和第二测试控制信号而被设定成第二电阻值，并且形成包括将第一芯片和第二芯片电连接的穿通通孔的电流路径；以及测试测量单元，被配置成将测试电压提供给穿通通孔，并且测量流经穿通通孔的电流。
CN103367326A	芯片上测试开关矩阵本申请公开了一种芯片上测试开关矩阵，包括位于绝缘基底层上的M个器件焊盘和N个测试焊盘或测试接触垫，其中M≥N，M、N分别是大于1的整数，其中，在每一个器件焊盘和每一个测试焊盘或测试接触垫之间形成初始断开或初始闭合的开关。该芯片上测试开关矩阵用于将集成电路外部的测试设备选择性地连接至集成电路内部的待测试的半导体器件。
CN103367306A	芯片封装结构的输出入接口及其配置方法本发明公开了一种芯片封装结构的输出入接口及其配置方法，该输出入接口，用于一芯片封装结构中；芯片封装结构具有一集成电路以及包覆集成电路的一封装体；输出入接口包括多个输出入脚位以及一替代性脚位；此些输出入脚位排列于封装体的周围，此些输出入脚位包括连接集成电路的二个数据信号脚位、三个控制信号脚位、二电压信号脚位以及一频率信号脚位；替代性脚位用以取代此些输出入脚位中的一脚位。
CN103367304A	封装基板、覆晶式封装及其制造方法一种封装基板、覆晶式封装及其制造方法。封装基板，包括一基板本体、多数个金属导线与多数个薄膜。基板本体具有相对的一第一基板表面与一第二基板表面。金属导线配置在基板本体的第一基板表面上。金属导线具有一上导线表面与数个侧导线表面。薄膜形成在金属导线的侧导线表面上。
CN103367300A	引线框、半导体装置以及引线框的制造方法一种能够降低引线框氧化的引线框、半导体装置以及引线框的制造方法。引线框具备：多个布线，由在厚度方向上贯穿的开口部划定；以及绝缘性的树脂层，以将各个布线的整个侧面覆盖的方式填充到所述开口部中，对所述多个布线进行支承，各个布线的第1面从所述树脂层的第1面露出。
CN103367297A	具有带状打线的封装结构本发明公开了一种封装结构，包含有一第一芯片、一第二芯片以及一带状打线，其中带状打线连接第一芯片与第二芯片，且带状打线具有实质上为矩形的剖面。本发明的封装结构能有效解决高频下集肤效应所带来电阻过大的问题。
CN103367296A	一种电子基板及使用其制作集成电路的方法本发明提供一种电子基板和一种使用该电子基板制作集成电路的方法，电子基板包括电极，所述电极表面粗糙度为1.5um～2.5um；制作集成电路的方法，包括步骤一，倒装芯片制凸点；步骤二，拾取芯片；步骤三，倒装芯片焊接；步骤四，芯片封装；步骤五，固化。本发明的有益效果是加强凸点与电极表面的附着力，增加半导体芯片与电子基板电气连接的稳定性。
CN103367295A	半导体器件及其制造方法一种半导体器件包括：衬底，包括其中形成电路元件的电路区域；在衬底上形成的并且由层叠的多个布线层和多个过孔层组成的多层布线层；以及在多层布线层上形成的电极焊盘。在作为多个布线层中的顶层的第一布线层的区域中形成层间绝缘膜，在该区域中，电极焊盘和第一电路区域在电极焊盘的平面视图中相互重叠。
CN103367293A	半导体封装本发明提供一种半导体封装。上述半导体封装包括基板，具有芯片贴附面；以及芯片，通过导电柱状凸块固接于芯片贴附面上，其中芯片包括金属焊垫，电性耦接至导电柱状凸块，其中金属焊垫具有第一边缘和垂直于第一边缘的第二边缘，其中于俯视图中，上述第一边缘的长度不等于上述第二边缘的长度。本发明所提供的半导体封装，通过灵活设置导电柱状凸块及其他元件，能够解决高密度倒装芯片封装的热电特性问题。
CN103367292A	电极形成体、布线基板以及半导体装置本发明提供一种电极形成体、布线基板以及半导体装置，其中，该电极形成体能够适当地降低硅晶片直接接合时的荷重，该电极形成体（1）具有：具有规定厚度的基材（10）；以及在基材的厚度方向的一个表面上形成的电极部（20），在该电极形成体（1）中，电极部（20）具有：基础突起（21），其形成为大致柱状，在基材（10）上突出；以及脆弱突起（22），其以与基础突起（21）金属键合的方式独立于基础突起而形成。
CN103367291A	封装件层叠结构及其形成方法所描述的形成用于封装件层叠的接合结构的实施方式包括去除下封装件的部分连接件和的模塑料。所描述的接合结构能够使得上封装件的连接件与下封装件的连接件的置放和对准更容易。因此，接合工艺的工艺窗口更宽。另外，接合结构具有更光滑的连接轮廓和平坦的接合面。因此，接合结构不太可能断裂。改进了封装件层叠结构的产量和形状因数。本发明还公开了封装件层叠结构及其形成方法。
CN103367288A	电子装置及其制造方法本发明公开一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括一半导体元件封装、一基板、多个第一焊料连接件及多个第二焊料连接件。半导体元件封装包含一芯片座、设置于芯片座旁的多个引脚及多个强化元件、电连接引脚的一芯片，及包覆芯片、部分引脚及强化元件且暴露各强化元件的至少一侧表面的一封装本体。强化元件与封装本体的侧表面共平面。基板包含对应引脚的多个第一焊垫及对应强化元件的多个第二焊垫。第一焊料连接件设置于第一焊垫与引脚间。第二焊料连接件设置于第二焊垫与强化元件间。第二焊料连接件接触强化元件的侧表面。第二接垫的一表面积大于对应的强化元件的一表面积。本发明的强化元件增加了焊接触区域及焊料容量以增加连接强度。
CN103367287A	半导体封装件及其制法与其封装基板一种半导体封装件及其制法与其封装基板，该半导体封装件包括：具有置晶区的封装基板、形成于该置晶区外围的多个导流块、覆晶结合于该置晶区上的第一半导体组件、覆晶结合于该第一半导体组件上的第二半导体组件以及形成于该封装基板与该第二半导体组件之间的胶体。借由导流块的设计，以于填胶工艺中，该些导流块会导引该胶体的流向，而使部分胶材流至该第一与第二半导体组件之间，所以只需一次点胶工艺即可包覆所有覆晶用的导电凸块，因而有效简化工艺，而能增加产能。
CN103367286A	半导体器件及其装配方法本发明公开半导体器件及其装配方法。一种半导体管芯在接触表面上具有接触电极，并且在与接触表面相对的安装表面上具有导电层。导电层延伸到半导体管芯的侧面区域上。导电体将接触电极耦合至外部连接器焊盘。焊料合金将半导体管芯连接至标记。焊料合金设置在标记和导电层之间，并且在标记与安装表面和侧面区域之间提供连接。
CN103367285A	一种通孔结构及其制作方法本发明涉及一种2.5D或3D封装中用于interposer转接板的TSV制作方法。该方法的特征在于，TSV结构是通过双面刻蚀和双面填充而形成。本发明中揭示的方法可用于形成高深宽比或超高深宽比的TSV结构。从而解决高深宽比或超高深宽比TSV结构在形成工艺、设备、成品率以及可靠性方面的种种限制。相应的，本发明还提供了一种TSV通孔结构。
CN103367279A	双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构双面微通道液冷功率半导体整晶圆平板压接封装结构，包括：功率半导体晶圆、弹簧针、石墨片、发射极金属片、集电极金属片、上冷却板、下冷却板、陶瓷管壳，所述晶圆上下表面采用石墨片压接，发射极金属片和集电极金属片分别位于石墨片上作为引线端子引出晶圆的集电极和发射极，这些器件均密封封装在陶瓷管壳内，上冷却板和下冷却板分别压接在陶瓷管壳的顶部和底部，上冷却板和下冷却板中设有冷却微通道，在上冷却板中心位置压入弹簧针，引出晶圆的门极。本发明的优点是实现无引线连接，降低引线键合所产生的杂散电感和电容，提高了电流导通能力，导热性能、耐热冲击能力和可靠性，封装结构体积小，散热系数大，具有使用寿命长，智能监控的功能。
CN103367269A	用于射频应用的隔离混合基板本发明提供一种用于小型RF信号系统的封装以及形成封装的方法，以使封装尺寸小型化，提高信号完整性，并降低制造成本。封装包括具有夹层结构的混合基板，其中混合基板包括由插板分离的具有不同介电性能的上层和下层，以提高电隔离和机械刚度。金属层形成在孔的侧壁上以包围有源元件，使得金属侧壁与上层和下层中的两个接地板一起构成封装中的自屏蔽外壳，以保护有源元件。
CN103367266A	具有应力缓冲体的半导体封装结构本发明公开了一种半导体封装结构，其包含一周缘部位具有多个模流注入口的载板、一个以上的芯片设在所述载板顶面、一模封体覆盖在所述载板与所述芯片上、多个焊锡凸块设在所述载板底面上、以及多个应力缓冲体设在所述载板底面上。
CN103367265A	多层半导体装置、印刷电路板和多层半导体装置制造方法本公开涉及多层半导体装置及其制造方法、以及印刷电路板。提供一种多层半导体装置，包括：包含第一半导体元件和第一布线板的第一半导体封装；包含第二半导体元件、第二布线板和用于在其中包封第二半导体元件的第一包封树脂的第二半导体封装；和设置在第一半导体封装与第二半导体封装之间的板部件，第一半导体封装、板部件和第二半导体封装按该顺序被层叠，其中，第一布线板和第二布线板通过在板部件中形成的缺口和开口中的一个经由金属导线相互电连接，并且，第一半导体元件、第二半导体封装和金属导线包封于第二包封树脂中。
CN103367264A	一种可避免胶材溢流的封装载板本发明公开了一种可避免胶材溢流的封装载板，其特征在于包含一内核层与一设在所述内核层上的阻焊层。所述阻焊层具有一预定的黏晶区域，用来涂布胶材以黏合芯片、一沟渠，沿着所述预定的黏晶区域的外缘分布、一凸起屏障，沿着所述沟渠的外缘分布、以及多个接合指，设置在所述凸起屏障的外侧并从所述阻焊层中裸露出来。
CN103367260A	逻辑晶体管以及非易失性存储器单元集成本发明涉及逻辑晶体管以及非易失性存储器单元集成。第一导电层（30）和下面的电荷存储层（20）被图案化以在NVM区域（12）内形成控制栅极（32）。第一介电层（34）和阻挡层（35）形成于所述控制栅极之上。牺牲层（36）形成于所述阻挡层之上并且被平面化。第一图案化的掩膜层（38）形成于所述NVM区域内的所述牺牲层和控制栅极之上并且定义了与所述控制栅极横向相邻的选择栅极位置。第二掩膜层（38）形成于定义了逻辑栅极位置的逻辑区域（14）内。所述牺牲层的暴露部分被移除以便第一部分保留在所述选择栅极位置处。第二介电层（52）形成于所述第一部分之上并且被平面化以暴露所述第一部分。所述第一部分被移除以在暴露所述阻挡层的所述选择栅极位置处引起开口。
CN103367258A	半导体线路结构及其制作工艺本发明公开一种半导体线路结构及其制作工艺，其制作工艺步骤包含提供一基底，该基底包含一目标层与一硬掩模层、在该硬掩模层上形成图形化的大小内核体群组、在该基底与该些大小内核体上共形地形成一间隙壁材质层、在间隙壁材质层的沟槽中形成多个填充体、进行一第一蚀刻制作工艺去除裸露的该间隙壁材质层、以该些填充体为掩模进行一第二蚀刻制作工艺图形化该硬掩模层、以及，以该图形化硬掩模层为掩模进行一第三蚀刻制作工艺图形化该导体层。
CN103367257A	存储器的制造方法本发明公开了一种存储器的制造方法。于导体层上形成罩幕图案，包括有源区的第一线形图案与周边区的ㄩ字形图案，后者具有形成开口的第二、第三以及第四线形图案，其中第二及第三线形图案与第四线形图案的两端连接。对罩幕图案实施修整工艺。于罩幕图案侧壁上自行对准地形成绝缘图案，填满开口。移除罩幕图案，使绝缘图案具沟槽。移除部分绝缘图案，形成与沟槽连通的开口。以绝缘图案为罩幕，图案化导体层，于有源区与周边区形成第一与第二导体图案。移除绝缘图案。于第一与第二导体图案之间形成介电层。形成与第二导体图案电性连接的导体图案。本发明通过具特殊构形的罩幕图案、移除特定部分的绝缘图案以及图案化光阻层的位置，提升周边区效能。
CN103367256A	利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法一种利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法，该方法制造分立栅极闪存器件的源极部分的过程中，对源极进行回刻蚀之后，紧接着在源极表面生长外延层，以增加源极的高度，然后再进行后续的制程。本发明解决了分立栅极闪存单元在制造过程中源极高度过低的问题。
CN103367248A	阵列基板、制备方法以及显示装置本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。一种阵列基板，包括基板以及设置于基板上的多条栅线和多条数据线，栅线与数据线交叉设置且将基板划分为多个像素区域，像素区域内设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，栅极与栅线电连接，源极与数据线电连接，其中，栅极、栅线与数据线同层设置，数据线在与栅线交叉的区域断开，断开的数据线通过与数据线不同层的数-数连接线电连接。有益效果是：本发明的阵列基板中，有源层采用金属氧化物半导体材料形成，整个阵列基板仅需采用四次构图工艺即可制备完成，且栅线与数据线由形成栅极的同层金属层形成，简化了工艺，极大地提高了产能，节约了成本。
CN103367246A	用于硅通孔(TSV)的电测试的改进系统以及对应的制造工艺本发明的一些实施例涉及用于硅通孔的电测试的改进系统以及对应的制造工艺。一种用于制造系统的工艺，该系统用于对在垂直方向上穿过半导体材料的衬底延伸的通孔的电测试，该工艺构思在本体中集成电测试电路以实现检测穿过微电子掩埋结构的通孔的至少一个电学参数，该微电子掩埋结构限定朝着外部的电连接元件与通孔的掩埋端之间的电路径；集成步骤构思提供沟槽并且在沟槽的底部处形成掺杂掩埋区域，具有与衬底的掺杂相反的掺杂以便形成半导体结，当其正向偏置时限定电路径；具体而言，半导体结具有小于导电区域的在与垂直方向横切的水平面上的表面面积的结面积，以此方式具有减小的反向饱和电流。
CN103367242A	组合式修整器及其制造方法与化学机械抛光方法本发明是有关于一种组合式修整器，包括：一底部基板；多个研磨单元，设置于该底部基板的表面，每一研磨单元包括多个研磨尖点、以及一固定所述研磨尖点的结合剂层；以及一厚度可调节的黏着剂层，固定所述研磨单元于该底部基板的表面，其中，所述研磨尖点中突出一预定平面的第一高点与第二高点的高度差小于10微米，第一高点与第十高点的高度差小于20微米，第一高点与第一百高点的高度差小于40微米，且该第一高点突出该结合剂层的高度大于50微米。本发明亦关于该组合式修整器的制造方法及化学机械抛光方法。
CN103367240A	于穿硅通孔的背面薄化工艺中防止铜污染的方法本发明涉及一种于穿硅通孔的背面薄化工艺中防止铜污染的方法。于半导体基板中设置有至少一穿硅通孔，该至少一穿硅通孔包括一铜金属层、一阻障层及一绝缘层。将半导体基板以正面与一载板结合。于半导体基板的背面的一硅层进行研磨，直到硅层于穿硅通孔上留有一预定厚度为止，或是当阻障层包括一具有比硅层高的研磨磨擦系数的材料时，研磨超过该预定厚度时可继续研磨，而以阻障层做为研磨停止层。对上述研磨后的半导体基板的背面的硅层进行蚀刻以再部分移除硅层而露出穿硅通孔的一部分高度。于薄化用的研磨中，并未使铜金属层露出接受研磨，所以可避免因研磨时铜抹污所造成的铜污染问题。
CN103367231A	具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构本发明涉及具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构。一种形成集成电路结构的方法包括：形成延伸穿过浅沟槽隔离区（STI）并进入衬底中的通气过孔；选择性地去除所述通气过孔的底部处的所述衬底的暴露部分，以在所述衬底内形成开口，其中所述衬底内的所述开口邻接所述STI的底面或侧壁中的至少一者；以及密封所述通气过孔以在所述衬底内的所述开口中形成气隙。
CN103367228A	一种沟槽隔离方法本发明公开了一种沟槽隔离方法，包括：单晶硅上第一次刻蚀沟槽；进行侧墙介质膜生长；侧墙介质膜回刻蚀，去除部分侧墙介质膜，使沟槽形成上口宽度大，下口宽度小的倾斜结构；在沟槽底部进行第二次刻蚀沟槽；沟槽内介质膜生长；硅片表面介质膜化学机械研磨。本发明的沟槽隔离方法，采用至少两次刻蚀的工艺，能使填充过程中形成的沟槽内介质膜空洞位置远离器件表面的沟槽隔离方法，能避免器件后续生产工艺中介质膜内空洞被打开造成其他化学残留物质进入沟槽内的情况。
CN103367227A	半导体器件制造方法本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底中形成第一浅沟槽隔离；在第一浅沟槽隔离包围的有源区内形成半导体器件结构；去除第一浅沟槽隔离，在衬底中留下浅沟槽；在浅沟槽中填充绝缘材料，形成第二浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，形成高应力浅沟槽隔离之后，通过刻蚀去除然而再回填高应力浅沟槽隔离，使得高应力由栅极记忆而增强了沟道区应力，从而提高了未来沟道区的载流子迁移率，提高了器件性能。
CN103367226A	半导体器件制造方法本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底中形成浅沟槽；在浅沟槽中形成浅沟槽填充层；在浅沟槽填充层上形成衬垫盖层；向浅沟槽填充层中注入离子并退火，形成浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，通过向浅沟槽中填充材料注入离子而形成绝缘材料，由于填充材料体积膨胀而向衬底有源区施加压应力，从而提高了未来沟道区的载流子迁移率，提高了器件性能。
CN103367225A	沟槽制备方法本发明公开了一种IC内连线制备过程中的沟槽制备方法，包括：提供半导体器件，所述半导体器件上依次沉积有第一阻挡层、层间介质层、第二阻挡层和金属掩膜层；在所述金属掩膜层上涂覆光刻胶并进行针对沟槽的图形化，以光刻胶为掩膜去除金属掩膜层和第二阻挡层，并去除所述光刻胶；在金属掩膜层和第二阻挡层的侧壁形成掩膜侧墙；在前一步骤所形成的结构中，在所述层间介质层中形成沟槽，同时去除所述掩膜侧墙。本发明在形成沟槽之前，所形成的掩膜侧墙保护了第二阻挡层侧壁和层间介质层之间的界面，此后所制备的内连线材料便不能填充入第二阻挡层和层间介质层之间，避免了对集成电路可能造成的破坏。
CN103367220A	保护带剥离方法和保护带剥离装置本发明提供一种保护带剥离方法和保护带剥离装置。将以短于晶圆的直径的规定间距供给的剥离带以规定宽度粘贴于保护带表面的剥离开始侧，在将剥离带粘贴于保护带的剥离开始侧后，一边使剥离带返回到供给侧，一边将保护带与剥离带一体地从晶圆的表面剥离，在剥离工序中，将通过上次的剥离处理而粘贴于返回的剥离带上的保护带的背面粘贴在作为剥离对象的保护带上的粘接带上，将剥离完成后的叠合的保护带向卷取方向送出，一边重复进行保护带的剥离处理和将该保护带叠合地粘贴的处理，一边进行卷取回收。
CN103367216A	一种导水管和带有导水管的静电吸盘本发明公开了一种导水管和带有导水管的静电吸盘，该导水管固定设置在静电吸盘的底部，该导水管的送水接口与静电吸盘底部的进水接口对应设置，该导水管的回水接口与静电吸盘的出水接口对应设置，导水管的材料为陶瓷。本发明利用陶瓷的耐高温和抗等离子体的特性，保证了导水管不被微电弧损伤，避免因导水管的损坏而导致的冷却水泄露，无需经常更换，大大节省了生产成本，提高了生产效率。
CN103367214A	一种安装封装散热盖的自动定位方法一种安装封装散热盖的自动定位方法。制造散热盖定位模具，散热盖定位模具包括形成有镂空区域的面板，通过将镂空区域相连的两侧切割成凹槽从而形成卡边弹簧；制造基板定位模具，基板定位模包括形成有镂空区域的面板，通过将镂空区域相连的两侧切割成凹槽从而形成卡边弹簧；将基板定位模具和散热盖定位模具通过粘结胶水直接粘合在一起，并固定相对位置，此位置使得镶嵌在基板定位模具中的基板与镶嵌在散热盖定位模具的散热盖相互吻合，无偏差地重合；将散热盖倒置在散热盖定位模具的镂空区域中，通过侧边的卡边弹簧，将散热盖的位置固定在散热盖定位模具上；将涂覆好粘结剂及导热硅脂并在其上布置了裸片的基板倒置在基板定位模具的镂空区域中。
CN103367211A	一种LED芯片清洗提篮本发明提供一种LED芯片清洗提篮，包括：抓取板、调整板、调整螺钉、前后板、固定板，前后板与两个固定板组成提篮主体，前后板与固定底部设有调整板，调整板一端通过圆轴固定在前后板上，另一端通过调整螺钉连接在固定板上，调整板角度通过调整螺钉，其倾斜角度可在0°～6°之间任意调节；前后板上端设有抓取板，用于抓取提篮。本发明使用新提篮后可以有效解决去胶不干净、ITO、SIO2蚀刻不过等难题；另外本发明可以降低去胶、蚀刻等工序产生的不良产品的可能性，提升产品品质，降低生产成本，提高经济效益。
CN103367206A	用于等离子体均匀性调谐的多射频阻抗控制本发明提供了一种用于等离子体均匀性调谐的多射频阻抗控制，具体提供了用于处理晶片的电路、方法、室、系统、和计算机程序。晶片处理装置包括在处理室内的上电极和下电极；第一、第二、第三、和第四射频（RF）功率源；和一个或多个谐振电路。第一、第二、和第三RF功率源被耦合到所述下电极。所述上电极可以耦合到第四RF功率源、电气接地，或所述一个或多个谐振电路。被耦合在所述上电极和电气接地之间的多个谐振电路中的每一个包括调谐元件，该调谐元件能操作以通过谐振电路改变频率相关的阻抗。所述晶片处理装置被配置为选择用于晶片处理操作的RF功率源，以及到所述上电极的连接件，以提供用于晶片的等离子体和蚀刻均匀性。
CN103367199A	一种晶体硅太阳电池烧结装置本发明公开了一种晶体硅太阳电池烧结装置，包括有太阳能电池片，太阳能电池片安放在链式网带上，太阳能电池片的上方为上区加热灯管，下方为下区加热灯管，上区加热灯管和下区加热灯管互相独立控制温度，分别控制太阳能电池片上方和下方的温度，链式网带的两端安装有传动轴承，传动轴承带动链式网带使太阳能电池片移动。本发明可以分别控制烧结炉高温区上下灯管的加热功率，使烧结效果同时被最优化，提高了产品的质量。
CN103367198A	刻蚀装置及刻蚀方法本发明公开一种刻蚀装置，可以根据不同工艺要求调整硅片与喷气头之间的距离，提高硅片刻蚀均匀性和刻蚀速率。本发明刻蚀装置包括刻蚀腔室、喷气头、托盘装置、多个导柱和驱动装置。所述刻蚀腔室具有进气口和多个排气口。所述喷气头设置在所述刻蚀腔室内并位于所述进气口下方。所述托盘装置具有一托盘本体用于承载所述硅片，所述托盘本体位于所述刻蚀腔室内并位于所述喷气头下方，所述托盘本体上开有多个导孔。所述多个导柱分别收容于所述托盘本体相应的导孔中，导柱托起所述硅片。所述驱动装置驱动所述托盘本体在所述刻蚀腔室内上下运动以调整所述托盘本体与所述喷气头之间的距离。本发明还公开一种使用该刻蚀装置刻蚀硅片的方法。
CN103367197A	晶圆表面处理系统本发明揭露了一种晶圆表面处理系统，其包括微腔室处理装置和化学制剂回收装置。所述微腔室处理装置包括上腔室部和下腔室部，当所述上腔室部和所述下腔室部处于关闭位置时形成一微腔室，所述半导体晶圆安装于所述微腔室内，所述上腔室部和/或所述下腔室部包括一个或多个供未使用的化学制剂进入所述微腔室的入口和一个或多个供已使用的化学制剂处理液排出所述微腔室的出口。化学制剂回收装置，其接收从所述微腔室的出口排出的已使用的化学制剂处理液以及来自外部的水，并由已使用的化学制剂处理液和来自外部的水还原出所述化学制剂。这样，可以实现对使用后的化学制剂进行回收再利用，从而降低产出废液排放，减小对环境的影响，同时降低成本。
CN103367192A	检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法一种检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，包括：实现N阱中布置PMOS器件的结构；在晶圆上参照正常工艺制程生长金属硅化物，形成阻挡层，并沉积金属间的第一介电层和第二介电层；在第二介电层上依次形成硬掩膜、硅氧化物和抗反射层，在抗反射层上布置硬掩膜蚀刻光罩，其中采用通孔蚀刻的光罩作为硬掩膜蚀刻光罩；利用硬掩膜蚀刻光罩对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜进行完全蚀刻，并且部分蚀刻第二介电层；去除硬掩膜蚀刻光罩，并对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜和第二介电层中进行填充；利用通孔蚀刻光罩执行蚀刻，直到部分地蚀刻第一介电层，去除通孔蚀刻光罩；去除抗反射层以及所填充的与抗反射层相同的材料；执行蚀刻，直到蚀刻透阻挡层。
CN103367189A	测试系统及其测试方法一种测试系统，适用于具有数个快闪存储器晶粒的一晶圆。上述测试系统包括一测试机台以及一探针卡。上述测试机台提供一测试请求。上述探针卡经由一特定传输线耦接于上述测试机台。上述探针卡包括数个探针以及一控制器。上述探针接触于上述晶圆的至少一上述快闪存储器晶粒。上述控制器根据上述测试请求，经由上述探针写入一测试数据至上述快闪存储器晶粒，并从上述快闪存储器晶粒读取出上述测试数据。上述控制器根据所读取的上述测试数据，提供一测试结果至上述测试机台。
CN103367182A	异向性导电胶印刷工艺本发明涉及芯片封装技术领域，尤其是涉及异向性导电胶印刷工艺，该工艺包括：先是将异向性导电胶通过烘烤的方式直接印刷在晶圆片或第一基板的表面上，异向性导电胶与晶圆片或第一基板形成一体并电性连接晶圆片或第一基板上的半导体组件；然后将晶圆片或第一基板切割出单颗IC，单颗IC上具有与其同尺寸的异向性导电胶；最后将单颗IC直接加热压合到玻璃、胶片或第二基板上，使单颗IC上的异向性导电胶接合并电性连接玻璃、胶片或第二基板。本发明达到节省原材料，稳定异向性导电胶与IC的位置关系，使组装更方便、快捷，优化工艺步骤，符合产业利用，有利于提升生产效率和质量，节约成本，具有良好的经济效益和社会效益。
CN103367179A	打线方法本发明公开了一种打线方法，包含：(1)将芯片置于一承载件上；(2)将塑性材料点于所述芯片上，其中所述塑性材料位于所述芯片的打线焊垫与所述承载件的引脚间；(3)打线于所述打线焊垫与所述引脚上，使焊线连接于所述打线焊垫与所述引脚间，并埋入所述塑性材料中。本发明所提出的打线方法，可在打线过程中使焊线立即被塑性材料所包埋及固定，因此可避免在打线过程中因振动造成的焊线互碰短路，可提高制作工艺良率。
CN103367178A	堆叠半导体封装本发明描述一种制造堆叠半导体封装的方法，所述堆叠半导体封装至少具有引线框、安装于所述引线框上方且焊接到所述引线框的第一裸片和安装于所述第一裸片上方且焊接到所述第一裸片的第一夹具。所述方法包含以垂直堆叠关系定位所述引线框、第一裸片和第一夹具，以及以不可相对于所述引线框横向移位的关系用非焊接方式锁定所述第一夹具。还揭示一种堆叠半导体封装和一种在制造堆叠半导体封装时生产的中间产品。
CN103367175A	一种用于芯片倒装的多自由度键合头本发明公开了一种用于芯片倒装的多自由度键合头，包括安装立板、对准机构和调平机构，其中对准机构包括纵向设置在安装立板上部的Z向模组和横向设置在Z向模组上的支架，并在Z向电机和旋转电机的配合驱动下实现键合头相对于Z轴方向的对准运动；调平机构包括固定设置在支架下侧的上平台、带有吸嘴的下平台和设置在上下平台之间的三个支链结构，其中调平中心链的两端分别通过转动副与上下平台相连，分布在中心链两侧的两个调平侧链各自配备有作为调节动力输入的移动副，且其上下端分布通过多个转动副与上下平台相连。通过本发明，可以较好地实现调平机构与对准机构之间的相互配合，同时具备结构紧凑、便于操控、高刚度和高精度等特点。
CN103367171A	分配工具、工具包以及制造半导体器件的方法本发明公开了一种分配工具、工具包以及制造半导体器件的方法。分配工具包括分配出口，分配出口当所述分配出口距离所述载体一预定分配距离时将特定量的安装材料沉积在所述载体上。所述分配工具还包括突出元件，所述突出元件通过在分配期间跨越所述分配出口与所述载体之间的所述分配距离而突出超过所述分配出口。
CN103367166A	薄膜晶体管制备方法和系统、以及薄膜晶体管、阵列基板本发明提供一种薄膜晶体管制备方法，包括：依次形成半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜、源漏电极薄膜，以及第一图案化的光刻胶层；进行第一次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的源漏电极薄膜；进行第二次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的掺杂半导体层薄膜和半导体层薄膜；对所述光刻胶层进行灰化处理，去掉所述沟道区域上的光刻胶层；对灰化处理后的光刻胶层进行烘烤；进行第三次刻蚀，去掉未被所述灰化处理后的光刻胶层覆盖的区域上的源漏电极薄膜；进行第四次刻蚀，去掉未被所述灰化处理后的光刻胶层覆盖的区域上的掺杂半导体层薄膜。本发明提供的方法制备的薄膜晶体管内没有钻蚀的问题。
CN103367165A	薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示器本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示器，用以避免半导体有源层受到光照影响而导致薄膜晶体管产生漏电流的问题。所述薄膜晶体管包括源极和漏极、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，该薄膜晶体管还包括：位于源极与漏极之间的遮光板，所述遮光板将源极与漏极阻断，并且该遮光板位于半导体有源层的入射光侧，用于阻挡入射光对半导体有源层的照射。
CN103367158A	MOS晶体管及其制造方法本发明提供了一种MOS晶体管及其制造方法，其中，所述方法包括：提供半导体衬底；形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖部分半导体衬底；形成阱区层，所述阱区层覆盖氧化硅层及暴露出的半导体衬底；在所述阱区层上形成单晶硅层；在所述单晶硅层上形成栅极；对所述栅极两侧的阱区层及半导体衬底进行离子注入工艺，形成源/漏极。通过将栅极形成于单晶硅层上，避免了栅极直接形成于阱区上，阱区中的随机掺杂扰动对栅极的性能造成干扰的问题，从而提高了MOS晶体管的性能。
CN103367157A	一种超结MOSFET的制备方法本发明公开了一种超结MOSFET的制备方法，在刻蚀出深沟槽的N型外延层上制备P型外延层，使用P型外延层填满深沟槽的部分直接作为P型漂移区，使用P型外延层高出于P型漂移区和N型外延层的部分制备P型体区，即在P型外延层预先定义为N型区域的部分注入N型离子，得到N型区域，这样，P型外延层高出于N型外延层和P型漂移区的部分被形成的N型区域隔开，形成了各P型体区。通过优化P型漂移区和P型体区的形成过程，能够简化超结MOS的制作流程，降低生产成本，并且，避免使用成本较高的化学机械抛光工艺，也能降低生产成本。
CN103367156A	半导体器件的形成方法、鳍式场效应管的形成方法一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有支撑部；形成位于所述支撑部侧壁的可流动层；在形成所述可流动层后，去除所述支撑部；去除所述支撑部后，对所述可流动层进行处理，形成侧壁平坦的侧墙。后续以所述侧壁平坦的侧墙为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，形成鳍式场效应管时，形成的鳍部的尺寸沿半导体衬底表面方向的精准度高，质量好，鳍式场效应管的性能稳定。
CN103367153A	鳍式场效应管及其形成方法一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供第一半导体衬底，位于所述第一半导体衬底表面的第二半导体衬底，贯穿所述第二半导体衬底的氧化层，所述第一半导体衬底的晶面指数与待形成的鳍式场效应管的类型相对应；形成覆盖所述第二半导体衬底的掩膜层，所述掩膜层具有多个暴露出所述氧化层的第一开口；沿所述第一开口刻蚀所述氧化层直至暴露出第一半导体衬底；刻蚀所述氧化层后，形成位于所述第一半导体衬底表面的鳍部，所述鳍部具有与所述第一半导体衬底相同的晶面指数。本发明实施例形成的鳍式场效应管的沟道区的载流子迁移率高，鳍式场效应管的性能稳定。
CN103367149A	LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及制备方法本发明公开了一种LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构，其场氧化层与场极板接触部分的的上翘点不在鸟嘴位置，而是横向延伸至场氧化层内。本发明还公开了该场氧化层隔离结构的制备方法，在场氧化层生长后，栅极氧化层生长前，进行以下步骤：1)用硬掩膜覆盖非场极板区域；2)炉管成长氧化层；3)同向刻蚀，在有源区和场氧区同时向下和侧向刻去厚度为牺牲氧化层厚度的氧化层；4)刻蚀除去硬掩膜。本发明通过改变场氧化层的结构，使场极板的水平部分向场氧化层内伸展，增强了场极板对鸟嘴区电场的抑制作用，同时分离了场极板和有源区在鸟嘴附近的大曲率点，使两强电场间的相互作用减小，从而降低了鸟嘴区的电场强度，提高了器件的耐压能力。
CN103367147A	一种鳍型半导体器件的制造方法本发明提供一种鳍型半导体的制造方法，包括如下步骤：在衬底的有源区上形成硬掩膜层；蚀刻所述衬底以在所述有源区之间形成浅沟道；填充所述浅沟道并对所述衬底进行平坦化处理；去除所述硬掩膜层；在所述有源区上通过选择性外延技术来形成鳍片。利用本发明可以在鳍片制造中较好地控制鳍片的高度和宽度。
CN103367145A	一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法本发明公开了一种沟槽型VDMOS器件的制造方法，包括：制造顶端高于外延层平面的栅极结构；通过在外延层注入的方式生成体区及初始源区；利用多晶硅高出的侧壁，生成侧墙；对器件表面进行刻蚀，生成源区；侧墙的高度使得在获取源区的刻蚀过程中，该侧墙覆盖的初始源区部分不被刻蚀；在器件表面生长金属层；控制金属层与源极、金属层与体区、金属层与多晶硅的接触表面生成硅化物；去除该金属层中没有反应的金属。本发明还提供一种沟槽型VDMOS器件。由于在制作源区时不需要进行光刻，也不需要制作接触孔，因此，减少了光刻层数。光刻分辨率、套准精度等因素对期间工艺流程的影响与限制减小，且元胞密度可以提高，降低了制造成本。
CN103367144A	沟槽式井区电场屏蔽功率MOSFET结构及制作方法一种沟槽式井区电场屏蔽功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制作方法，用以在单一记忆单元(Unit cell)的各沟槽结构下提供具有电场屏蔽的井区，而达到增加击穿电压与降低漏电流。其中，该制作方法是在基板及外延层上蚀刻出栅极沟槽与源极沟槽，再借由植入不同的掺杂物，用以形成电场屏蔽的井区，且借由将氧化层以全部或部分填满的方式填入该栅极沟槽与该源极沟槽内部，并形成基体井区(Pwell junction)与源极接面(Source junction)，以及在源极接点区(Source contact)进行硅与多晶硅的蚀刻，并以P型重掺杂植入源极接点区。故借由本发明的结构与制作可达到降低漏电流及加强雪崩能量耐受度的目的。
CN103367143A	一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法本发明公开了一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法，在利用掩膜对MOS器件的源极漏极执行离子注入的步骤如下：步骤1：所述的掩膜包含附加掩膜部分，所述的附加掩膜部分设置在多晶硅栅极上方；步骤2：利用包含附加掩膜部分的掩膜执行源极和漏极的离子注入。本发明能够提供一种新的方法，无需额外成本，可以采用同一进程形成相同结构但阈值电压不同的器件。
CN103367139A	一种TSV孔底部介质层刻蚀方法本发明提供了一种TSV孔底部介质层刻蚀方法，对于小孔径的TSV孔，可以降低了TSV孔底部介质层刻蚀难度，避免了刻蚀过程中对TSV侧壁绝缘层材料造成损伤。其包括以下步骤：（1）对拥有IC器件晶圆进行背面减薄；（2）在拥有IC器件晶圆的背面对应金属焊盘的位置制作TSV孔；（3）在TSV孔内制作聚合物绝缘层；（4）去除TSV孔底部的聚合物绝缘层，使TSV孔底部氧化物绝缘层暴露出来；（5）采用湿法工艺刻蚀TSV孔底部暴露出来的氧化物绝缘层，使金属焊盘裸露；（6）采用金属连接线制作RDL，使RDL与TSV底部的金属焊盘连接，并进一步制作表面金属焊盘和微凸点，使表面金属焊盘和微凸点与RDL连接。
CN103367137A	氮化镓基板的制造方法本发明提供氮化镓基板的制造方法，该方法即便在机械加工时在氮化镓晶体上施加应力也能够防止发生裂缝或破裂，并提高制造成品率。氮化镓基板的制造方法对氮化镓晶体实施机械加工来制造氮化镓基板，在机械加工之前对氮化镓晶体实施湿蚀刻。
CN103367136A	将半导体芯片从箔拆下的方法一种用于将半导体芯片从箔拆下的方法，使用包括具有直线支承边缘和L型支承边缘的板的管芯排出器，该方法包括：将板提升至盖板的表面上方的高度H1；降低具有L型支承边缘的第一对板；可选地，降低具有L型支承边缘的第二对板；提升还未被降低的板至高度H2＞H1；交错降低还未被降低的板，至少一个或几个板未被降低；可选地，降低还未被降低的板至高度H3＜H2；降低板直到所有的板都被降低，以及移走芯片夹具，其中在降低最后三个板之前芯片夹具触及半导体芯片。
CN103367133A	高介电常数金属栅极制造方法本发明公开了一种高介电常数金属栅极制造方法，包括：在衬底上依次形成界面层、高介电常数栅介质层、多晶硅层和硬掩膜层；在硬掩膜层形成图形化的光刻胶，利用图形化的光刻胶刻蚀掉部分硬掩膜层；刻蚀掉未被硬掩膜层覆盖的多晶硅层；在前一步骤所形成的结构表面上沉积刻蚀阻挡层；去除覆盖于栅介质层上的刻蚀阻挡层以及露出的栅介质层和界面层；在衬底上沉积介质层；去除剩余的硬掩膜层和多晶硅层，并在露出的栅介质层上沉积金属栅极，以形成高介电常数金属栅极。本发明方法所形成的金属栅极的宽度小于高介电常数栅介质层的宽度，因此在金属栅极和衬底之间便不易产生能够绕过高介电常数栅介质层的漏电流，进而可以提高半导体器件的性能。
CN103367132A	制造金属栅极半导体器件的方法一种半导体器件制造方法包括提供衬底，在该衬底上设置有栅极介电层，诸如高k电介质。在栅极介电层上形成三层元件。三层元件包括第一保护层、第二保护层以及介于第一保护层和第二保护层之间的金属栅极层。利用三层元件形成nFET栅极结构和pFET栅极结构中的一种，例如，第二保护层和金属栅极层可以形成用于nFET器件和pFET器件中的一种的功函数层。第一保护层可以是用于图案化金属栅极层的牺牲层。本发明提供了制造金属栅极半导体器件的方法。
CN103367131A	鳍部、鳍部及鳍式场效应晶体管的形成方法一种鳍部、鳍部及鳍式场效应晶体管的形成方法，所述鳍部的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一子鳍部；形成覆盖所述半导体衬底表面的牺牲层，所述牺牲层的表面与第一子鳍部的顶部表面平齐；去除部分厚度的第一子鳍部，形成凹槽，剩余的第一子鳍部作为第一鳍部；在凹槽的底部形成硅锗层，在硅锗层表面形成单晶硅层，单晶硅层的表面与牺牲层的表面的平齐；去除部分厚度的牺牲层，暴露出硅锗层的侧壁；沿硅锗层的两侧去除部分宽度的硅锗层，形成第二鳍部。本发明实施例的方法提高了鳍式场效应晶体管的驱动电流。
CN103367130A	一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法本发明涉及一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法，在去除所述第二多晶硅层暴露在开口底部的部分，从而在该开口两侧形成两个相互分隔的控制栅以后，在所述开口的两侧分别形成牺牲层，所述牺牲层覆盖了所述控制栅的侧壁位置；去除所述第二氧化物层暴露在开口底部的部分，保留所述牺牲层；去除所述第一多晶硅层暴露在开口底部的部分，从而在该开口两侧形成两个相互分隔的浮栅；再去除开口两侧的牺牲层。由于设置了牺牲层，在刻蚀下方第一多晶硅层形成浮栅的过程中，使控制栅的侧壁受到保护，保证了堆叠多晶硅结构的开口两侧、尤其是控制栅具有垂直的边缘轮廓。
CN103367128A	超陡倒掺杂沟道的形成方法、半导体器件及其制造方法本申请公开了一种形成超陡倒掺杂沟道的方法、包括超陡倒掺杂沟道的半导体器件及其制造方法。该方法包括：形成掩模，该掩模暴露对应于半导体器件的沟道区和源/漏延伸区的半导体衬底区域；采用掩模执行第一次离子注入，在半导体衬底中注入与半导体衬底的导电类型相同的第一离子；以及采用掩模执行第二次离子注入，在半导体衬底中注入与半导体衬底的导电类型相同的第二离子，其中第一次离子注入和第二次离子注入形成的注入区部分叠加形成超陡倒掺杂区。
CN103367125A	一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法本发明公开了一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：（1）在三氯氧磷中加入三氯化磷作为磷源；（2）氧化：将制好绒面的多晶硅片放置在扩散炉内通入氧气；（3）沉积：在扩散炉内通入携带有磷源和氧气的混合气体；（4）扩散：扩散炉保持一定温度，使沉积的磷向硅片内部进行扩散。所述方法提高了多晶硅片内少子的寿命，有利于提升扩散的吸杂效果，减小高温过程带来的晶格损伤，进而提高光电转换效率。
CN103367121A	外延结构体的制备方法本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一第一外延生长面；在所述基底的第一外延生长面生长一缓冲层；在所述缓冲层远离基底的表面设置一碳纳米管层；在所述设置有碳纳米管层的缓冲层表面生长一第一外延层；去除所述基底及所述缓冲层，暴露出所述碳纳米管层，形成一包括所述第一外延层及所述碳纳米管层的外延衬底；以及将所述外延衬底暴露有碳纳米管层的表面作为一第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层，得到所述外延结构体。
CN103367120A	高分辨率沟槽图形的形成方法本发明的高分辨率沟槽图形的形成方法，包括：提供一个半导体衬底，在半导体衬底上依次形成目标材料层、第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、第一底部抗反射层和第一光刻胶；经第一次光刻，在第一光刻胶内形成第一光刻胶主图形和第一光刻胶旁瓣图形；经刻蚀，在第二硬掩膜层内形成第一主图形和第一旁瓣图形；在第二硬掩膜层上涂覆第二光刻胶；经第二次光刻，在第二光刻胶内形成第二光刻胶主图形和第二光刻胶旁瓣图形；第二光刻胶主图形位于第一旁瓣图形区域的上方，第二光刻胶旁瓣图形位于第一主图形区域的上方；采用自对准技术，将第一旁瓣图形和第二光刻胶旁瓣图形刻蚀传递至目标材料层中，形成沟槽图形。本发明形成了小线宽沟槽图形，提高了其分辨率。
CN103367115A	半导体基板、半导体基板的制造方法及电子器件本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。
CN103367109A	沟渠电容的制作方法本发明提供一种沟渠电容的制作方法，包括下列步骤：提供基底；形成至少一个扩大沟渠，设置在基底中；在沟渠内部形成第一绝缘层；沉积金属层，至少覆盖沟渠内部的第一绝缘层。每一个沟渠电容将拥有更大的电容值，可有效提升封装后成品单位面积内的电容值大小。
CN103367107A	改善表面结合力的方法一种改善表面结合力的方法，包括：提供半导体器件；采用单乙基醚丙二醇和丙二醇单甲醚乙酸酯的混合溶液清洗所述半导体器件的表面；在所述半导体器件的表面形成低温固化介电材料。本发明在不影响半导体器件性能的前提下，可以提高低温固化介电材料在半导体器件表面上的结合力，防止低温固化介电材料脱落。
CN103367099A	一种平板式真空夹胶玻璃灯本发明涉及一种平板式真空夹胶玻璃灯，包括真空玻璃及夹胶玻璃，在真空玻璃的下片玻璃通过胶粘固装平板式的夹胶玻璃，使真空玻璃与夹胶玻璃成为一体而形成真空夹胶复合玻璃；在真空玻璃与夹胶玻璃的四边采用粘胶密封并采用边框进行封装，在槽型边框内的真空玻璃腔体内边缘固装有激发电极，在真空玻璃腔体内的上片玻璃上均匀涂有一层荧光粉。本发明在真空玻璃上又夹胶一块平板玻璃而构成真空夹胶复合玻璃，由此可以实现真空玻璃极好的保温性能及夹胶玻璃的双重功能，形成的玻璃灯的厚度较薄；其夹胶玻璃还可以采用功能玻璃也可以是彩色或镀膜玻璃或者转光玻璃，由此实现了保温隔热隔声及装饰效果于一身的平板装饰灯，有效拓展了玻璃的用途。
CN103367097A	双端三管荧光灯本发明涉及照明领域中的一种低汞蒸气压荧光灯。本发明提供了一种由三根内壁涂有荧光分层的玻璃管通过二个桥接，连通二端电极间放电通道且使三根玻璃管的轴向呈三角形垂直排列的双端荧光灯。
CN103367096A	超高压汞灯及具有其的紫外线照射装置本发明提供一种超高压汞灯及具有其的紫外线照射装置，该超高压汞灯是使用氙气的250W的超高压汞灯，可以提高波长248nm的光强度，并提高光强度保持率。超高压汞灯（1）的汞的封入量为36mg∕cc，电极间距离为2.3mm，减压封入作为稀有气体的氙气。超高压汞灯（1）与250W的恒功率电源连接使用。超高压汞灯（1）在点亮3000小时后，在248nm附近的紫外线强度为1451mW∕cm2，在365nm附近的紫外线强度为3928mW∕cm2。各自的强度保持率，前者为59%，后者为72%。
CN103367095A	氙气灯结构一种氙气灯结构，属于光源部件技术领域。包括灯座机构、灯泡和灯丝机构，特点：灯泡的形状呈椭圆形构造，且在灯泡的一端构成灯泡头，灯泡的另一端构成灯泡尾座；灯丝机构包括远光灯丝、近光灯丝、公共钼片、远光灯丝钼片和近光灯丝钼片，远光灯丝和近光灯丝位于所述灯泡腔内，公共钼片固封在所述的灯泡头内，远光灯丝钼片和近光灯丝钼片固封在所述的灯泡尾座内，近光灯丝在灯泡腔内的位置位于灯泡腔的居中位置，且近光灯丝的位置与远光灯丝的位置相互上、下错开。节约资源，降低制造及使用成本；可显著延长灯泡的使用寿命；处于灯泡腔居中位置的近光灯丝的光通量可提高10%以上，并且色温可提高到3800K以上，具有理想的光效。
CN103367090A	离子分析器以及离子分析方法本发明涉及一种差分离子迁移谱分析器阵列和质谱分析器阵列联用的离子分析器以及离子分析方法。该离子分析器包含依次相连的离子源或离子源阵列、差分离子迁移谱分析器阵列、离子输送通道阵列、质谱分析器阵列、以及离子探测器或离子探测器阵列。差分离子迁移谱分析器阵列、离子输送通道阵列、质谱分析器阵列各自包含两个或两个以上通道，这些阵列中的通道数相等并一一对应。该离子分析方法将离子源或离子源阵列产生的离子引入差分离子迁移谱分析器阵列的各个通道，经各通道进行基于离子迁移率的选择后，经过离子输送通道阵列后进入质谱分析器阵列并最终被离子探测器或离子探测器阵列所检测。
CN103367088A	离子注入装置及其控制方法本发明提供了一种离子注入装置及其控制方法。通过多个固定式射束测量器以及可移动式或固定式射束测量装置测量离子束的纵向剖面、横向剖面及积分电流值。控制装置在离子注入前的射束电流调节阶段，根据所述固定式射束测量器以及所述可移动式或固定式射束测量装置的测量值，同时执行射束电流到所述射束电流的预设值的调节、确保横向离子束密度的均匀性所必需的横向射束尺寸的调节以及确保纵向离子注入分布的均匀性所必需的纵向射束尺寸的调节中的至少一者。
CN103367087A	自动化离子束空闲一种用于关闭和恢复离子束系统中的离子束的改进的方法和设备。优选实施例提供了一种用于改善对聚焦离子束源的功率控制的系统，其利用自动检测带电粒子射束系统何时空闲（即射束本身未在使用中），并且之后使射束电流自动降低至在离子柱中的任何孔径面处发生很少或不发生离子铣削的程度。优选实施例包括控制器，其可操作成在检测到带电粒子射束系统的离子源的空闲状态时修改施加到提取器电极的电压和/或降低施加到源电极的电压。
CN103367084A	用于带形离子束的离子束弯曲磁体本发明涉及用于带形离子束的离子束弯曲磁体。本发明提供适合于容纳且弯曲带形离子束的改进的弯曲磁体，所述带形离子束的横截面轮廓具有垂直于弯曲磁体的弯曲平面的主尺寸。离子束弯曲磁体提供了通过磁体的弯曲的路径以用于将带形离子束弯曲，所述带形离子束具有其垂直于磁体的弯曲平面的主横截面尺寸。磁体包括铁磁性轭，所述铁磁性轭围绕束路径且具有由四个成角度的边形成的横截面内轮廓。这些边与通过磁体的带形束的主尺寸成角度，使得轭的内轮廓在带形束的中心中相对宽而在带形束的顶部和底部边缘附近相对窄。靠着轭的内表面的电导体提供了沿轮廓的成角度的边的每单位长度均匀分布的电流，从而在磁体轭内提供了大体上均匀的磁性弯曲场。
CN103367083A	小束斑X射线设备本发明公开了一种小束斑X射线设备。传统的灯丝电子枪阴极发射点源面积大，电子源尺寸也比较大。本发明在X射线密封套筒内装有场发射电子枪阴极装置，所场发射电子枪阴极装置包括连接闪光电源的场发射灯丝，场发射灯丝与场发射电源阳极之间连接场发射电源；场发射灯丝在场发射电源产生的强电场下发射出电子束，电子束通过加速电源向加速电源阳极运动，加速后获得高能量，使其成为高能电子束，高能电子束照射到利用环状靶材冷却水装置冷却的靶上，产生X射线；产生的X射线通过铍窗射出X射线密封套筒。本发明使用场发射阴极所产生的束斑尺寸很小的电子束来激发阳极靶材，使X射线的光斑效果能够达到近似点光源效果。
CN103367078A	一种光电器件的排气激活方法本发明公开了一种光电器件的排气激活方法，本发明通过大量实验筛选高压放电去毛刺工艺，蒸锑处理工艺，引钾激活和引铯激活的工艺，尤其是对倍增区和阴极区采用不同温度进行排除碱金属工艺，整个工艺可操作性强，能最大限度排除光电器件内的多余碱金属蒸汽，降低光电倍增管的暗电流，提高光电器件性能和质量；制备得到的光电器件质量高，性能优，稳定性好，实用性强。
CN103367077A	一种十二工位多功能爆口涂粉机及涂粉方法本发明涉及一种十二工位多功能爆口涂粉机及涂粉方法，包括机架、上泡滑道、大盘、工位、下泡跑道。其特征是：在机架的台面下装有主电机、减速箱、凸轮间歇机构、静电喷枪升降气缸、静电发生器、定位升降气缸、爆口升降气缸，在机架上设有爆口托架、玻璃刀、爆口火包、高压风、上料托盘、静电喷涂喷枪，在机架的右侧设有余料自动回收箱，在机架的左侧设有混流排和配电箱，在大盘的底部设有工位夹子，工位固定在机架的台面上，凸轮间歇机构与大盘配合使十二工位不停的运转。其优点是：该涂粉机能够实现LED灯罩泡壳的生产与涂粉二合一、能自动上、下料，自动暴扣，自动涂粉，且工艺稳定、废品率低、速度快、节省原料，大大降低成本，还提高了生产效率。
CN103367073A	碳纳米管场发射体一种碳纳米管场发射体，包括多个碳纳米管束，每个碳纳米管束具有相对的第一端和第二端，且每个碳纳米管束包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管通过范德华力首尾相连，且沿着该每个碳纳米管束的延伸方向定向排列，该多个碳纳米管束的第一端汇聚成一碳纳米管线，作为支撑部；该多个碳纳米管束沿着第一端与第二端之间的部分由所述支撑部向周围呈扇形发散，形成电子发射部；所述多个碳纳米管束中相邻的碳纳米管束之间具有间隙，该间隙从碳纳米管束的第一端至碳纳米管束的第二端逐渐增大。
CN103367057A	一种带防冲结构的断路器辅助开关本发明涉及一种带防冲结构的断路器辅助开关，其特征在于：包括具有一段等曲率半径区域的凸轮及微动开关，凸轮通过转轴设于壳体内，凸轮可绕转轴转动，微动开关的滚轮也设于壳体内，操作机构的主轴通过连杆机构带动凸轮转动，当断路器处于分闸状态时，滚轮与凸轮的等曲率半径区域相接触，当断路器处于合闸状态时，滚轮脱开凸轮。在本发明中，由于凸轮的等曲率半径区域存在，微动开关的滚轮行程始终保持原位，具有抗冲击性能。
CN103367049A	有极电磁继电器本发明的有极电磁继电器，使能作为安全继电器使用的电磁继电器小型化（特别是低高度化）。有极电磁继电器具备触点部，该触点部包含具有常开固定触点的第一固定触点端子构件、具有常开可动触点的第一可动触点弹簧构件、具有常闭固定触点的第二固定触点端子构件，及具有常闭可动触点的第二可动触点弹簧构件。衔铁具有一对磁极片，该一对磁极片在永久磁铁的磁化方向夹持永久磁铁，并且使磁化方向的朝向与线圈的中心轴线平行地配置。这些磁极片能与永久磁铁一体地向平行于中心轴线的方向直线移动。传递构件伴随着衔铁的向与中心轴线平行的方向的直线移动向与中心轴线平行的方向进行直线移动，使常开可动触点和常闭可动触点相互地连动，进行开闭动作。
CN103367048A	一种电磁式节能防晃动交流接触器一种电磁式节能防晃动交流接触器，在接触器的动碰铁与主触头连接横梁上设置推拉杆，对应穿过静碰铁上设置的圆孔,在推拉杆的未端设置卡头，在铁芯底部设置凹轴支架,,在支架上设置凹轴，在凹轴杆的另一端设置小电碰铁动碰臂,在外壳上固定保持小电碰铁和防晃动小电碰铁。
CN103367043A	继电器的外壳本发明公开了一种继电器的外壳，包括外壳本体（1），所述外壳本体（1）设有内空腔（1.1），所述外壳本体（1）的横截面呈长方形，所述外壳本体（1）的一侧设有开口，相对的另一侧的底面上设有三个用于安装接线脚的安装孔（1.2），该安装孔（1.2）为矩形孔；所述安装孔（1.2）的外端设有矩形台阶孔（1.2.1），且该矩形台阶孔（1.2.1）的底面为斜面。该继电器的外壳防止接线脚周围的胶水外流、使粘结效果较好。
CN103367037A	温度开关本发明公开了一种温度开关，包括输入导通片、绝缘隔止块、双金属片和输出导通片，所述输入导通片通过所述绝缘隔止块与所述输出导通片相固定连接；所述双金属片包括第一端和第二端，第一端与输入导通片固定连接，第二端在温度低于复位温度时与输出导通片导电接触，第二端在温度高于断开温度时与输出导通片断开；所述输入导通片设置调节凸点，所述调节凸点与所述双金属片相对应。本发明温度开关反应灵敏、安全可靠。
CN103367036A	温控开关本发明涉及温度控制领域，尤其涉及用于控制电路通断的温控开关。为解决现有的双金属温控开关延时长，抗震性差的问题，本发明提出一种温控开关，该温控开关包括导热顶盖和绝缘底座，导热顶盖与绝缘底座扣合并固定在一起；导热顶盖上设置有顶部凹槽，在该顶部凹槽内设置有双金属片，该双金属片固定在顶部凹槽内的顶壁上；绝缘底座上设置有容纳槽，在容纳槽的槽口边缘平台上设置有相对的静接触端和动接触端，静接触端的自由端伸到容纳槽的槽口上方，动接触端固定连接有表面设置有绝缘层的连接片，该连接片的自由端设置有接触块，静接触端和动接触端通过接触块和连接片连通。这样的温控开关控制及时，抗震性能好。
CN103367034A	对温度敏感的电开关以及用于制造所述电开关的方法本发明涉及一种对温度敏感的电开关，包括：用热双金属制成的弹动元件、优选弹动盘；弹簧元件，作为可运动的接触区段；固定接触区段；压力销，作为弹动元件与弹簧元件之间的作用连接装置；销导向装置；壳体；以及盖。为了减少所述电开关的零件的数量，根据本发明，设置有固定在所述壳体中的开关桥单元，所述开关桥单元由开关桥和塑料件（16）组成；所述开关桥由第一件（8）和第二件（9）组成，其中，所述第一件形成第一端子区段（10）和所述固定接触区段（12），所述第二件形成第二端子区段（11）和连接区段（13），所述弹簧元件固定在所述连接区段上；所述第一件和所述第二件嵌入到所述塑料件中，通过所述塑料件彼此连接并且彼此相对位置固定。
CN103367032A	一种液体泵上用自动控制开关本发明属于电器开关，更具体的说涉及一种液体泵上使用的可自动控制的开关。一种液体泵上用自动控制开关，包括开关本体，开关本体上连接有一个行程控制器，行程控制器包括一个两端封闭的圆柱管，圆柱管内部设置有漂浮块，漂浮块上设置有永磁体四，开关本体内设置有接触式开关，接触式开关包括设置于开关本体上的接线片一和接线片二，接线片一上设置有永磁体一，接线片二上设置有永磁体二，接线片二底部位置设置有永磁体三。采用本技术方案的一种液体泵上用自动控制开关，避免了泵体将液体抽干后泵体空载，损坏泵体，甚至会引起电路线路短路，造成火灾，采用本开关，对泵体和电路等其他元器件均起到了一定的保护作用，保证了用电的安全。
CN103367031A	一种开关本发明属于电器开关领域，更具体的说涉及一种带有永磁体的可自动调节的开闭的开关。一种开关，包括开关壳体，开关壳体内部设置有导电片，导电片包括导电片一和导电片二，导电片一为完成导电片，导电片二中间部位断开形成有断口，导电片二旁边设置有活动导电片三。采用本发明技术方案的一种开关，在开关壳体内部设置可以活动的带有永磁体的导电片三，可以采用用外界的磁场来控制本开关的闭合，克服了原有的开关手动的缺点，同时，本开关结构简单，接线方便，操作快捷。
CN103367030A	能防止误操作的六氟化硫气体密度继电器的装配接头本发明公开了一种能防止误操作的六氟化硫气体密度继电器的装配接头，包括内部含有相互连通的继电器通气道、开关通气道及自封阀通气道的阀门座、密封设置在自封阀通气道口的自封阀装置及封堵件。自封阀装置在没有外接过渡接头时，该自封阀装置能够自动使继电器通气道和开关通气道的气路相通畅；而自封阀装置在外接充气过渡接头时，能使充气过渡接头和开关通气道的气路相通，就能对六氟化硫电气开关进行充气；而自封阀装置在外接校验过渡接头时，该自封阀装置能使继电器通气道和开关通气道的气路封闭，实现不用拆卸密度继电器及不需要额外进行气道开闭操作，就能对密度继电器校验，并能确保六氟化硫电气开关的密封，彻底防止了校验误操作。
CN103367029A	具有磁体开关的压力开关装置及用于诊断磁体开关的装置本发明涉及一种压力开关装置，具有壳体、压力室、磁体开关及作用到磁体开关上的与压力有关的调节机构，该调节机构在达到预设的最小压力值时改变磁体开关的开关状态。压力室能借助连接件连接到工作压力源上且通过与施加的工作压力有关的、能运动的及气密实施的调节机构限定。施加的压力值与调节机构的相应的调节路程相对应。压力开关装置有由至少一个永久磁化区域和磁体开关构成的磁路。调节机构的调节运动引起磁路中的磁通量的变化，从而磁体开关在达到预设的相应于一种相应的调节路程的磁场强度值时改变其开关状态。在磁路中设置电线圈，从而通过磁路中的通量变化能测试磁体开关的开关状态的按规定的变化，该通量变化由于重叠的电磁线圈场引起。
CN103367028A	具有可电磁操控的、用于诊断压力开关装置开关元件功能特性的调节机构的压力开关装置本发明涉及一种压力开关装置，具有壳体、压力室及开关元件，压力室能借助连接件连接到工作压力源上且通过与施加的工作压力有关的、能运动的及气密地实施的调节机构限定。开关元件设置在压力室外且在达到预设的最小压力值时能通过调节机构操作。压力开关装置具有容纳在壳体中的、能电激励的活动线圈及穿过活动线圈引导的、能运动地容纳在壳体中的执行器挺杆，执行器挺杆具有用于操作开关元件的活动衔铁。根据本发明，执行器挺杆同时是与调节机构机械配合的调节机构挺杆。活动衔铁相对活动线圈如此设计和布置，使得在活动线圈激励时活动衔铁的超出调节机构最大操作路程之外的至少一部分被拉入活动线圈中。执行器挺杆具有用于直接操作所述开关元件及另一个第二开关元件的开关操作部分。开关操作部分和两个开关元件如此相互布置，使得在未达到预设的最小压力值时无法操作两个开关元件中的任一个，在达到预设的最小压力值时只能操作第一开关元件及在激励活动线圈时不受施加的工作压力的影响只能操作第二开关元件。
CN103367025A	真空灭弧室真空灭弧室，包括灭弧室上接线端，上陶瓷壳，屏蔽罩，静触头，动触头，动导电杆，灭弧室下接线端，下陶瓷壳，绝缘连接件，拉杆，波纹管，其特征是：所述灭弧室下接线端的内表面设置多个环状凹槽，装配多个导电环，连接动导电杆和灭弧室下接线端；动导电杆与拉杆之间设置有绝缘连接件。本发明动导电杆与拉杆之间电气不连接，拉杆不带高压，使装配本发明真空灭弧室的断路器绝缘性能好、适应环境能力强和运行性能可靠。
CN103367024A	真空灭弧室双触头真空灭弧室双触头，其特征为：具有二个结构相同的触头体，所述的触头体主要包括主触头座、触头限位块、导向筒、压簧、辅触头座、主触头、辅触头，所述的二个结构相同的触头体，各自的主触头和辅触头两两相向并可吸合或分离。本发明在真空灭弧室触头关合、开断过程中，主触头未被烧蚀、磨损，触头间接触电阻小，其阻值小于2微欧，可减小断路器主回路电阻，降低断路器主回路的发热量，提高真空断路器的使用性能和使用寿命。
CN103367023A	全绝缘真空断路器极柱全绝缘真空断路器极柱，主要包括极柱壳体，上接线端，真空灭弧室，硅橡胶缓冲层，下接线端，绝缘拉杆，灭弧室上接线端与上接线端通过螺钉紧固连接，灭弧室下接线端与所述下接线端通过螺钉紧固连接，拉杆与绝缘拉杆连接，其特征是：在所述真空灭弧室内设置有多个导电环，多个导电环装配在所述灭弧室下接线端的环状凹槽内，导电环连接动导电杆和灭弧室下接线端；真空灭弧室内的动导电杆与拉杆之间设置有绝缘连接件。本发明绝缘性能好、适应环境能力强和运行性能可靠。
CN103367021A	一种固体绝缘隔离接地开关本发明公开了一种固体绝缘隔离接地开关，涉及中高压电器制造技术领域，它包括内设有隔离开关，接地开关的绝缘壳体；所述隔离开关的静端部分由母线端子、隔离开关绝缘筒和导电端子构成；所述接地开关的静端部分由导电端子、接地开关绝缘筒和接地端子构成；所述接地开关的静端部分和所述隔离开关的静端部分具有内设置共用动端子和操作机构的动端共用通道；在隔离开关绝缘筒和接地开关绝缘筒的两端侧均装有屏蔽罩。本发明可以解决固体绝缘开关体积大，装配环节多，开关内部容易发生闪烙，局部放电严重的问题。
CN103367017A	三工位隔离开关位置传感装置本发明公开了一种三工位隔离开关位置传感装置。它包括由隔离开关主轴带动的转动轴，转动轴上设置有能够与转动轴同步旋转的位置指示盘，位置指示盘上方设置有固定板，固定板上分布有能够检测到位置指示盘上检测点的位置传感器，固定板上至少设置有一块可在固定板上进行调节的调节块，至少有一个传感器安装在调节块上，调节块上设置有通孔，通过调节调节块在固定板的位置可使传感器的传感信号透过通孔检测到位置指示盘上检测点。采用上述的结构后，当位置不准确时可通过调节调节块在固定板的位置，当位置调整过后使传感器的传感信号透过通孔检测到位置指示盘上检测点，由此提高了传感精度，提高了运行可靠性，从而保证了使用性能。
CN103367016A	电气开关装置和相关的电气设备一种用于电路的电气开关装置，包括：至少电相，该电相包括与切断器单元相关联的至少断路器单元，其中，断路器单元包括可以相对于相应的断路器固定触头在闭合位置与断开位置之间被致动的断路器可动触头，并且其中，切断器单元包括可以相对于相应的切断器固定触头在连接位置与切断位置之间被致动的至少切断器可动触头；壳体，该壳体包括联接到金属壳的绝缘壳。壳体容纳至少电相的至少断路器单元和相关联的切断器单元。
CN103367012A	用来启动电子装置的休眠模式的开关模块及电子装置一种用来启动电子装置的休眠模式的开关模块及电子装置。该电子装置包括一壳体以及安装于该壳体内的一休眠模式开关，该开关模块包括：一滑动件、一推钮件以及一触发件；该滑动件以可滑动的方式设置于该壳体的内侧；该推钮件可滑动地设置于该壳体的外侧且连接于该滑动件，该推钮件用来驱动该滑动件相对该壳体滑动；该触发件设置于该滑动件上，该触发件用来在该推钮件驱动该滑动件滑动至一触发位置时触发该休眠模式开关，藉以启动该电子装置的该休眠模式。本发明可不受限于上盖壳体的机构空间的限制，并可提高产品的可靠度，且可提升休眠模块的应用灵活性。
CN103367010A	薄膜开关皮套发光键盘一种薄膜开关皮套发光键盘，皮套发光键盘结构为平板电脑固定框固定安装在皮套一面，键盘主体固定安装在皮套的另一面，键盘主体包括按键/键帽、导光膜、固定膜/导气孔层、薄膜开关、导气槽层、导电膜/PCB和按键板，按键板设置在最底层，按键板固定安装在皮套上，导电膜/PCB设置在按键板上方，导气槽层设置在导电膜/PCB上方，薄膜开关设置在导电膜/PCB上，薄膜开关设有一个以上，对应于键盘上的按键设置，薄膜开关上方设有固定膜/导气孔层，固定膜/导气孔层上方设有导光膜，导光膜上设有导光网点，导光膜侧面设有LED光源，导光膜上方设有按键/键帽。本发明其具有轻、薄、携带方便、蓝牙功能、行程短、噪音小等特点。
CN103367008A	电脑薄膜开关键盘一种电脑薄膜开关盘，键盘包括按键/键帽、固定膜/导气孔层、METALDOME、导气槽层、导电膜/PCB和按键板，按键板设置在最底层，导电膜/PCB设置在按键板上方，导气槽层设置在导电膜/PCB上方，METALDOME设置在导电膜/PCB上，METALDOME设有一个以上，对应于键盘上的按键设置，METALDOME上方设有固定膜/导气孔层，固定膜/导气孔层上方设有按键/键帽。本发明其具有轻、薄、携带方便、蓝牙功能、行程短、噪音小等特点。
CN103367007A	双层按键结构及具有其的遥控器本发明提供了一种双层按键结构及具有其的遥控器。根据本发明的双层按键结构，包括上层按键组；下层按键组，下层按键组置于上层按键组的下方；滑盖，具有将下层按键组遮盖的第一位置和露出下层按键组的第二位置。根据本发明的遥控器，包括双层按键结构，双层按键结构为前述的双层按键结构。本发明将常用的按键放在上层，将一些不常用的按键放在下层，由于使用少，滑盖滑开的次数少，降低了灰尘进入遥控器内部可能，因此这样的设计就可以有效地防止灰尘进入遥控器内部；同时上层按键合为一体，使用时遥控器按键手感好，外观上更高档，更贴近高档产品的定位；同时也提高了装配效率。
CN103366999A	一种汽车喇叭按压力控制装置、方法及汽车本发明提供了一种汽车喇叭按压力控制装置，所述汽车喇叭包括按钮开关，所述按钮开关包括相对设置的动、静触体，所述动、静触体之间设有回弹装置，通过回弹装置使动、静触体之间保持一定间隔，动触体可借助按压操作电连接到静触体；按压力控制装置包括压力检测装置、电磁铁、以及控制单元，压力检测装置固定于动触体和/或静触体上，用于检测施加在动触体上的按压力；电磁铁固定于动触体或静触体上，可对动触体产生使动触体靠近静触体的磁力；控制单元的输入端与压力检测装置连接，输出端与电磁铁连接，控制单元根据所述检测到的按压力控制所述电磁铁的磁力，以辅助使用者按压喇叭，从而可调节出适合自己手感的喇叭按压力，解决喇叭难按的问题。
CN103366998A	一种方便打开的新型开关本发明提供一种方便打开的新型开关，包括开关面板、开关按钮，所述的开关按钮设置在开关面板的右侧，在开关面板的左侧设置有一个凹槽，凹槽内设置有一个绕有导电线的线圈，且导电线的一端连接有一个脚踏式按钮，在凹槽表面设置有一个可以收缩凹槽内导电线的收缩按钮；本发明可以方便我们使用脚打开电灯开关。
CN103366990A	一种断路器保护壳本发明公开了一种断路器保护壳，本发明通过一个外壳包裹住断路器，并且在外壳上设置一个导管，将断路器闭合时产生的气态金属或冷却后的金属粉末以及高温通过排风扇抽出，有效防止了因为金属粉末未即时排除导致电弧二次激发而造成火灾等状况。
CN103366987A	防爆兼本质安全型电动机机械闭锁及电气闭锁结构本发明公开一种防爆兼本质安全型电动机机械闭锁及电气闭锁结构，包括机座、大盖板、隔离开关闭锁机构、隔离开关操纵机构、隔离开关；所述隔离开关闭锁机构包括常闭开关、开关连接板、凸轮、轴套、手柄、轴杆；所述手柄通过轴杆驱动凸轮转动，所述凸轮通过开关连接板控制常闭开关的开闭；所述隔离开关操纵机构手把通过开关轴控制隔离开关；所述开关轴上固定有限位杆，所述限位杆的自由端抵接凸轮。本发明优点：具有多种保护器件，控制回路的机械闭锁及电气闭锁功能，可保证煤矿井下使用误操作时带来麻烦，确保人生的安全、减少人力物力提高产品的质量，降低了电动机损坏率；结构简单合理，改善了电动机的可靠性能、增加使用寿命。
CN103366986A	电缆分支箱机械联锁操作装置本发明公开了一种电缆分支箱机械联锁操作装置，涉及高压电气设备制造技术领域，包括外箱，开关柜，开关柜内装有负荷开关和负荷开关的操作机构；设置在操作机构上的开关操作轴，设置在外箱上的门锁；以及与门锁连接的上锁杆和下锁杆。操作轴与设置在开关柜内的开关柜机械锁活动连接，开关柜机械锁与机械锁钥匙活动连接；机械锁钥匙与装在外箱上的分支箱机械锁活动连接；分支箱机械锁与门锁连接；上锁杆和下锁杆分别与顶杆连接；上锁杆和下锁杆还分别与设在外箱的箱体上的锁卡活动连接。它可以解决电缆分支箱在满足五防要求时，生产成本高，不易安装，不易操作的问题。
CN103366976A	一种用于电弧炉变压器中电流变换装置的星角变换开关本发明公开了一种用于电弧炉变压器中电流变换装置的星角变换开关，包括端子固定板（1），端子固定板（1）上设有引出线节点（2），其特征在于所述的端子固定板（1）上设有沿引出线节点（2）的圆周设置的若干个内触点（3），内触点（3）的外侧设有与内触点（3）一一对应的外触点（4）。本发明通过在端子固定板上设置对应的内触点和外触点，外触点连接电流变换装置，内触点与引出线节点相连实现星形连接或角形连接，具有结构简单、变换快捷的特点，适宜推广使用。
CN103366975A	银基电接触材料本发明涉及一种新的银基电接触材料，其中银为连续相，碳质作为纳米级分散相分散在银连续相中。碳质分散相在该银基电接触材料中的含量可以为0.02～5重量％，基于所述银基电接触材料的总重。根据本发明，所述碳质包含金刚石形态的碳质。这种银基电接触材料显示出优异的机械耐磨性和电学性能。
CN103366970A	基于MnO2与Fe2O3纳米结构的柔性非对称超级电容器及其制备方法和应用本发明属于超级电容器设计领域，公开了一种基于MnO2与Fe2O3纳米结构的柔性非对称超级电容器及其制备方法和应用。制备方法包括以下步骤：制备MnO2纳米线正极和Fe2O3纳米管负极，然后将正极、负极以及电解质和隔膜组装成非对称超级电容器。本发明方法降低了制作非对称超级电容器的复杂性，所得到的超级电容器，能量密度达到0.47mWh/cm3。此方法简单易行，可规模化生长MnO2纳米线和Fe2O3纳米管并制备性能优良的非对称超级电容器。
CN103366965A	蓄电器本发明的目的在于提供一种蓄电器，其是在一端有开口部的筒状的壳体中容纳有元件并密封了开口部的蓄电器，该蓄电器即使在绝缘管上有针孔等损伤，也可以在电解电容器的绝缘管的部分保持绝缘。本发明提供一种在壳体的侧面外表面上层叠有2层绝缘管的蓄电器。
CN103366962A	一种共轭聚合物/氧化锌纳米棒异质结太阳能电池的制备方法本发明公开了一种共轭聚合物/氧化锌纳米棒异质结太阳能电池的制备方法，该方法以宽禁带半导体纳米棒为基底，在该基底上化学吸附具有合适电子能级结构的两亲性功能基的染料分子，再与共轭聚合物共混，将染料敏化的氧化锌纳米棒与共轭聚合物的共混层刮涂在ITO导电玻璃正极上，再在其上蒸镀Al层作为电池的阴极，在ITO导电玻璃端部留出2～3mm的空穴传输层不刮涂共混层和蒸镀Al层，作为电池阳极的接点，采用本发明方法可大大提高太阳能电池对太阳光的吸收效率，改善共轭聚合物与无机半导体纳米晶的相容性及半导体纳米晶在共轭聚合物中的分散性，提高电荷传输效率，从而提高太阳能电池的光电转换效率。
CN103366961A	一种掺杂的二氧化钛及其制备方法、染料敏化太阳能电池本发明公开了一种掺杂的二氧化钛及其制备方法、染料敏化太阳能电池，该掺杂的二氧化钛的结构为晶态的二氧化钛中掺杂有银纳米线。由于银纳米线呈线性结构且非常细，所以其连接性较强，该线性的银纳米线使得邻近的二氧化钛颗粒之间更好的连接起来，从而使得该掺杂的二氧化钛的三维网络结构的连通性变好，增强了电子在该三维网络结构内的传输能力。由于银纳米线对电子的传导能力非常强，该掺杂的二氧化钛避免了电子传导时在二氧化钛的晶体界面处的电子能量损失，掺杂的二氧化钛的电子传导能力非常强。掺杂的二氧化钛使得电子能够很快传导到由该掺杂的二氧化钛制成的染料敏化太阳能电池的光阳极的导电基底上，提高了电池的光电传输效率。
CN103366958A	一种高压金属化膜电容器本发明公开了一种高压金属化膜电容器，包括叠在一起卷绕在芯轴上的第一金属化膜和第二聚丙烯基膜、设置在第一金属化膜与第二聚丙烯基膜末端之间的聚丙烯外包光膜、以及设置在芯轴两端面的第一喷金层以及第二喷金层，第一金属化膜包括多个间隔设置的第一蒸镀电极、多个间隔设置的第二蒸镀电极、设置在第一金属化膜上表面的第一绝缘留边和第一蒸镀加厚电极，以及设置在第一金属化膜下表面的第二绝缘留边和第二蒸镀加厚电极，第一蒸镀电极之间设置有第一绝缘间隙，第二蒸镀电极之间设置有第二绝缘间隙，第一蒸镀加厚电极和第二蒸镀加厚电极分别与第一喷金层和第二喷金层相连。本发明能够解决现有高压电能表体积大、铜铁资源浪费以及铁磁谐振的问题。
CN103366954A	积层陶瓷电容器本发明提供一种可满足小型化及大电容化的需求且可有效地抑制成为鸣响的原因的振动的积层陶瓷电容器。积层陶瓷电容器(10-1)在26层内部电极层(13)中的存在于积层方向中央的14层内部电极层(13)的中央部分，具有第一孤立电极部所有部分(13a)，该第一孤立电极部所有部分(13a)是连续电极部(CEP)、与未和该连续电极部(CEP)电性连续的至少1个孤立电极部(IEP)共存。
CN103366953A	高压放电保护装置及射频传输设备本发明公开了一种高压放电保护装置及射频传输设备，该高压放电保护装置包括设置于射频传输设备信号端口的隔离电容（2）以及安装该隔离电容（2）的电路板（1），所述隔离电容（2）包括电容主体（21）以及与电容主体（21）相连的引脚（22），所述引脚（21）连接于所述电路板（1）上，所述电容主体（21）的底部裸露，所述电容主体（21）的裸露部分与所述电路板（1）之间形成有间隔；所述高压放电保护装置还包括接地的金属导体（3），所述金属导体（3）设置于所述间隔中，并与所述裸露部分相隔一定的距离。本发明中高压放电保护装置的体积小、成本低、其可隔离直流、耦合射频、兼顾放电保护。
CN103366952A	变压器双层圆筒式线圈的绕制方法本发明涉及变压器线圈绕制技术领域，具体涉及变压器双层圆筒式线圈的绕制方法，包括以步骤：（一）、安装绕线模，按规定绕向和出头长度，用工具将导线折成90度；（二）、把包好绝缘的出头放进、安装在绕线模上的挡板槽口中，开始绕第一匝，边绕边在线匝下面沿圆周布置多条布带，布带一头套住端绝缘；绕第二匝时将布带翻到上面来，并在第二匝与出头之间垫放纸槽；当绕第三匝时，再将布带翻到下面去，并用其它线匝压住；本发明具有工艺简单、操作方便、省时省力等特点，在保证电场强度的情况下，降低产品成本，并提高绝缘性能，保证产品安全、可靠、稳定地运行。
CN103366951A	箔带两用型绕线机本发明公开了一种箔带两用型绕线机，包括机架，所述机架的尾部设置箔料架，所述箔料架的前端设置带料架，所述机架前部为绕制工位，所述机架上从尾部到前部方向依次设置有送料装置、可拆卸的带绕纠偏装置或箔绕纠偏装置以及前置式滚动剪切装置，所述的剪切装置包括钢板、直线导轨、滚珠丝杆、切断装置以及减速电机，所述的钢板安装在绕线机机架的前端，所述的钢板的两侧分别设置有所述的直线导轨，两侧所述的直线导轨的中间平行设置有所述的滚珠丝杆，所述的切断装置设置在所述的滚珠丝杆上且可沿所述的直线导轨移动，所述的减速电机与所述的滚珠丝杆传动连接。本发明具备拼箔式线圈绕线机和箔绕机这两种设备的功能，是一种两用型的设备。
CN103366938A	一种补偿型电流互感器一种补偿型电流互感器，包括铁芯和绕制在铁芯上的线圈，所述铁芯由主铁芯和辅助铁芯构成，其中辅助铁芯由2～4圈硅钢片卷制而成，外包绝缘皱纹纸后套置在包有绝缘皱纹纸的互感器主铁芯外面，线圈先在主铁芯上绕制5～10匝，套上辅助铁芯后再绕制完剩余的线圈匝数。由于辅助铁芯比主铁芯少绕5～10匝线圈，因此辅助铁芯比主铁芯提前达到饱和状态，可以输出比较稳定的电流。当电流互感器的一次侧电流较小时，对二次侧电流的误差补偿较大，而当一次侧电流较大时，对二次侧电流的误差补偿偏小，因此使得二次侧电流的误差曲线呈平稳状态，提高了电流互感器测量的准确级。
CN103366926A	散热电磁装置布置本发明公开了一种散热电磁装置布置。电磁装置布置包括变压器组件，变压器组件具有铁芯、绕组和围绕铁芯和绕组的至少一部分设置的壳体。外壳至少部分地包围所述变压器组件。变压器组件被安装到外壳的第一部分，使得热量从变压器组件转移到外壳的第一部分。外壳的第二部分具有从其延伸的延伸部，使得延伸部处于与变压器组件热接触，以使热量从变压器组件传递到延伸部。
CN103366925A	具有防鸟筑巢功能的干式空芯并联电抗器防雨罩本发明涉及一种具有防鸟筑巢功能的干式空芯并联电抗器防雨罩，包括一凸曲面罩体，该凸曲面罩体顶部中间位置上制有上通风口，凸曲面罩体底部敞开制有下通风口，在上通风口内水平嵌装有上隔网，在下通风口内水平嵌装有下隔网。本干式空芯并联电抗器防雨罩在防雨罩的上通风口以及与设备连接位置上的下通风口分别加装了匹配尺寸的隔网，在不改变原防雨罩的结构和功能的基础上，使防雨罩有效防止了鸟类借助防雨罩自身结构筑巢的现象。
CN103366919A	平面线圈元件本发明的目的在于提供一种能够兼顾强度和导磁率的平面线圈元件。在平面线圈元件（10）中，包含于线圈部（19）的磁芯部（21）内的金属磁性粉含有树脂（20）中的第1金属磁性粉（30）中的倾斜金属磁性粉的数量比例，大于包含于磁芯部（21）以外的金属磁性粉含有树脂（20）中的第1金属磁性粉（30）中的倾斜金属磁性粉的数量比例，磁芯部（21）中的第1金属磁性粉（30）的大多数因为其长轴方向相对于基板（16）的厚度方向以及面方向发生倾斜，所以强度与图9（a）的平面线圈元件（110）相比较相对有所提高，并且导磁率与图9（b）的平面线圈元件（210）相比较相对有所提高，因而能够兼顾高维条件下的强度和导磁率这两个要求。
CN103366915A	液态导体线圈装置本发明公开了液态导体线圈装置，包括由导电体绕制而成的线圈以及给所述线圈供电的电源，所述导电体包括沿轴向设置有至少一个流道的绝缘管道以及填充于所述绝缘管道的流道内的液态导体，所述电源通过连接体与所述液态导体导电连接。本发明利用液态导体作为导电单元制作线圈装置，具有结构简单、可靠性高、使用方便，并具有有效防止拗折、熔断等问题的优点。
CN103366910A	散热型电阻及其散热模块一种散热型电阻及其散热模块，散热模块可使被动元件降温其包括：一容置部及至少一固定孔。容置部可放置一电阻器的本体。固定孔位于容置部的底面，且固定孔利用一绝缘固定座使得电阻器在封装之后可将本体固定在散热模块，且电阻器的连接端则位于绝缘固定座上的凹槽。本发明还公开一种具有上述散热模块的散热型电阻。
CN103366909A	一种高温硫化改性硅橡胶与陶瓷釉界面偶联方法本发明公开了一种高温硫化改性硅橡胶与陶瓷釉界面偶联方法，采用特制的陶瓷芯棒表面釉料和特制的高温硫化改性硅橡胶，依次通过陶瓷芯棒半成品表面污染物清理工序、预烘工序、清洗和烘干工序、刷涂偶联剂并预烘工序、高温高压注射偶联工序即完成陶瓷芯棒与高温硫化改性硅橡胶的界面粘接。采用本发明后能提高硅橡胶与陶瓷釉界面粘接质量，确保瓷复合绝缘子整体电气性能优异，使二者界面粘接力大于硅橡胶机械撕裂强度7kN/m，产品整支在盐水中水煮42h后通过正负25次陡度不小于1500kV/μs的陡波冲击。
CN103366906A	一种抗风型复合绝缘子本发明涉及一种抗风型复合绝缘子，由棒体和伞裙构成，设计开放型伞裙，提高伞裙根部的强度。伞裙排列在棒体的外围，伞裙截面与棒体相连接的为伞裙根部到伞裙顶部呈由大到小的渐变结构构成，与所受的风力负荷相适应，充分减少伞裙的弯曲变形。伞裙排列分等直径伞裙排列和大小直径伞裙排列两种形式。本发明抗风性能好，在大风恶劣环境条件下，能够具备抗老化和良好的外绝缘结构，不降低产品的有效爬电距离，免清扫，免维护，产品寿命高，可确保电力系统安全运行，经济效益、社会效益明显。
CN103366902A	一种抗水树中压绝缘电缆制备方法本发明公开了一种抗水树中压绝缘电缆制备方法，针对抗水树中压绝缘电缆的挤出工艺的改进，包括干燥、预热、排胶、拉线及冷却等工序的时间、温度等参数的优化，挤出制造过程中既能保障电缆料的抗水树生长性能，又能保障电缆料的物理性能。属于抗水树中压绝缘电缆在大规模生产中的生产工艺。
CN103366900A	一种线缆单绞机本发明属于机械技术领域，提供了一种线缆单绞机，包括机座以及设置在机座上的移动机构、收线机构以及绞线机构，收线机构和移动机构位于机座的右侧，绞线机构位于机座的左侧，收线机构位于移动机构上，绞线机构包括绞线驱动机构、绞弓臂、配重块以及出线盘轮，绞线驱动机构与绞弓臂连接，绞弓臂的下端上具有连接部，绞弓臂的上端设置有配重块，连接部上设置有角度调整组件，出线盘轮通过角度调整组件与连接部连接。本发明的优点在于可以自动的绞对两根一股的线缆，提高了加工工作效率，由于各个部件相互配合牵引线缆，传动稳定性好，加工的过程中不会对线缆造成损伤，保证了加工产品的质量可靠性。
CN103366898A	一种导线除尘装置本发明涉及纸包线生产装置领域，尤其为一种导线除尘装置，包括底板、盖板以及若干垫块，所述垫块堆叠于所述底板上，所述盖板与所述垫块连接，所述底板通过一对螺栓螺母与盖板连接。本发明能够将金属表面细小的灰尘除去且不对金属线造成伤害。
CN103366893A	4G用馈线型光电混合缆本发明公开了4G用馈线型光电混合缆，包括电缆外护套，电缆外护套包括绕包层，在绕包层外设有铝焊接扎纹层，在铝焊接扎纹层外设有外护层，在绕包层内设有两组电单元、两组光单元和填充，电单元和光单元围绕填充间或设置，光单元采用G657光纤，在光单元外紧套缓冲层结构以保证光纤的弯曲性能、提高光纤机械强度，电单元电缆应满足额定电压450V/750V电线电缆绝缘要求，电单元的绝缘层采用pvc或XLPE。本发明具有有效地降低基站建设成本，施工快捷、稳定性好的优点。
CN103366891A	光电复合缆一种光纤、同轴电缆、双绞线及电话线组成的光电复合缆。它可以在同一根缆线中同时传输光信号、电视信号、数据信号及语音信号。在同一根电缆中既可以传输电视信号，又可以传输数据信号及语音信号；如果是光纤到户的接入网，在施工时可以选择光电复合缆中的光纤；还可利用光电复合缆进行室内综合布线。
CN103366890A	一种自我保护电缆本发明公开了一种自我保护电缆，其包括：缆芯、绝缘体、屏蔽层及包裹在其外部的护层和铠装。所述护层采用氩弧焊钢管，其上将钢丝设成螺旋状网纹制成钢丝绞合形式的铠装，本发明能够有效的抵御潮湿潮气入侵和老鼠、蚂蚁等生物破坏，形成一种能够自我保护的电缆。
CN103366886A	散热电线引线保护管本发明涉及电器部件技术领域，名称是散热电线引线保护管，它包括保护管本体，所述的保护管本体外侧有多个小孔，较好的，所述的小孔是沿保护管本体轴芯长度方向长的小孔，更好的，所述的小孔的宽度是0.5—1厘米，这样的电线引线保护管具有散热效果好、可以降低里面电线的温度、保证正常使用的优点。
CN103366885A	一种电线本发明是一种电线，由横截面呈“Ω”形状的外皮、与外皮相扣合的“Ω”形壳盖、外皮内有至少两根芯线组成；壳盖的内腔与外皮的外表面相一致。本发明所述的电线在建筑物和室内走线过程中，无需另外使用线槽，直接可以通过固定外皮，将外皮与壳盖扣合。然后将电线与相应的电源或者电器连接，简化了走线施工的程序，节约了走线施工时间，节省了材料。
CN103366883A	一种环保电缆本发明公开了一种环保电缆，它包括缆芯、硅橡胶绝缘层、内护层和外护层，所述的硅橡胶绝缘层包裹在缆芯表面，所述的内护层和外护层依次包裹在硅橡胶绝缘层的表面，与现有技术相比，内护层选用防火包带和薄铝带，既起到保护电缆的作用又可以达到防火的目的，最外层的护套采用铝丝制成的皱纹铠装，起到阻燃的作用，同时该电缆的绝缘材料选用硅橡胶材质，其燃烧后它具有热释放率低、成碳率高、无毒、低烟等实现了真正的环保。
CN103366873A	龙门吊专用特软电缆龙门吊专用特软电缆，涉及电缆结构的技术领域，特别是涉及一种龙门吊专用特软电缆。本发明包括三股相互绞合的线芯，在线芯外侧依次设置绕包层、内护层、尼龙纤维编织层和外护套层；在绞合的线芯与绕包层之间设置填充层；线芯分别包括导体，在每股导体外分别依次设置绝缘层和棉纱编织层。本发明结构简单合理，柔韧性好、耐气候、耐温，阻燃、抗拉性能强，使用寿命长。
CN103366872A	一种圆形屏蔽绝缘母线及其加工方法本发明涉及一种载流量大、散热好、温升低、电气绝缘性能强、不受环境干扰、可靠性高的圆形屏蔽绝缘母线，包括圆形导体和外层护套，其中，圆形导体和外层护套间设有多层绝缘屏蔽层，绝缘屏蔽层由绝缘层和屏蔽层组成，所述的绝缘层自内向外包括两层聚四氟乙烯和热缩护套，聚四氟乙烯与热缩护套之间均匀涂刷硅油。
CN103366869A	一种抗压光电缆本发明公开了一种抗压光电缆，它包括扁平缆芯、绝缘体、内护套、铠装、外护套，所述的扁平缆芯被所述的绝缘体包裹，所述的内护套包裹在绝缘体的表面，所述的铠装设于内护套和外护套之间，扁平缆芯包括光纤和金属导线，所述的光纤和金属导线交织后压成扁平状，所述的内护套、铠装、外护套均设成与缆芯配套的扁平状，本发明所述的抗压光电缆，其真正实现了抗压效果，制作工艺简单，易于操作，能够实现大规模的生产，节约资源。
CN103366868A	环保型低衰减RG11同轴电缆一种环保型低衰减RG11同轴电缆，包括有内导体、发泡绝缘层、外导体和外护套，所述外导体由铜箔层和铜丝编织屏蔽层组成，所述内导体、发泡绝缘层、铜箔层、铜丝编织屏蔽层和外护套依次沿径向由内到外设置。本发明由于铜的导电性比铝好，采用铜箔作为同轴电缆的外导体，降低了电缆的衰减，提高了电缆的传输性能；采用铜箔层和铜丝编织屏蔽层的外导体结构，可以大幅度降低转移阻抗，提高屏蔽衰减指标，具有优良的抗干扰性能。外护套采用符合欧盟环保要求的聚氯乙烯或聚乙烯护套，确保同轴电缆整体环保性能。
CN103366866A	复合透明氧化物薄膜及其制造方法本发明公开一种复合透明氧化物薄膜及其制造方法，其设置缺氧氧化物薄膜在透明导电氧化物薄膜的一表面，以提高所述透明导电氧化物薄膜的载流子浓度，从而降低所述透明导电氧化物薄膜中的电阻值。本发明的复合透明氧化物薄膜除了具有高电导率外，更同时具备高透明度的优势。
CN103366864A	轨道设备的电缆本发明涉及一种用于电动轨道车辆的轨道设备的电缆，其具有含有铜和钢的电导线(L)和由绝缘材料构成的围绕该导线(L)的保护套(10)。围绕所述导线(L)的铜芯线(6)在其上缠绕着至少一个由多条单根电线构成的层(7)，在所述层(7)内布置有钢线(9)和铜线(8)。
CN103366863A	母线导电母排本发明涉及一种母线导电母排，其导体为纯铝通过挤拉模具一次成型挤拉制成，表面带有锯齿状曲线表面，齿状结构能延伸线周长10%-15%，既增加了导体的散热面积，同时也增加了母线导体的载流密度，提升了母线运行的安全系数。
CN103366861A	导电糊剂和导电电路本发明提供一种导电糊剂和导电电路，该导电糊剂能够形成低电阻的导电电路。另外，提供一种导电糊剂，其是赋予了感光性的导电糊剂，具备上述特性，并且能够达成导电电路的高分辨化。本实施方式的导电糊剂的特征在于，其含有：导电性粉末、有机粘结剂、硫代二甘酸和硫代二甘酸的衍生物中的至少任一种。
CN103366860A	一种太阳能电池用导电浆料及其制备方法、一种太阳能电池片的制备方法本发明提供了一种太阳能电池用导电浆料，包括金属粉、无机玻璃粉和有机载体，其中，所述导电金属粉为硼铝合金粉，且以所述硼铝合金粉的总重量为基准，所述硼铝合金粉中硼元素的含量为0.1-3.5wt%。本发明还提供了一种太阳能电池用导电浆料及一种太阳能电池片的制备方法。将本发明的浆料采用丝网印刷到单晶或多晶体硅片上，并在峰值温度≥1050℃的隧道炉中进行烧结，可得到的太阳电池的硼铝复合背电场。本发明导电浆料的硼和铝对P型硅基底的掺杂后，背场扩散原子的有效载流子浓度大幅增加，电池的开路电压升高，光电转换效率也提高。
CN103366859A	一种太阳能电池用导电浆料及其制备方法本发明提供了一种太阳能电池用导电浆料，包括银粉、玻璃粉、有机载体，其中，所述有机载体包括热塑性丁苯嵌段共聚物、助剂、植酸和混合溶剂。本发明还提供了一种导电浆料用有机载体的制备方法，包括步骤：将热塑性丁苯嵌段共聚物、植酸、助剂加入到混合溶剂中，溶解，搅拌，得上述有机载体。本发明还提供了一种太阳能电池用导电浆料的制备方法，包括步骤：将银粉、玻璃粉混合于有机载体中，搅拌，研磨，得本发明所述导电浆料。本发明提供的太阳能电池用导电浆料应用于太阳能电池正面电极，表面状况良好，电性能及焊接性能优良。
CN103366857A	耐弯折性强的铜铁镍合金电缆一种耐弯折性强的铜铁镍合金电缆，包括铜芯，所述铜芯包括下述重量百分比的组份组成：硅0.1-0.8%；磷0.02-0.08%；铁0.1-0.8%；镍0.02-0.05%；锌0.03-0.09%；砷0.02-0.06%；铅0.04-0.09%；余量为铜及不可避免的杂质。本发明不仅导电效果好，而且还可制成具有耐弯折性强的优点。本发明尤其适合于在机器人及工作机械手等复杂而严酷的工作环境下使用，并可在高速、连续、长时间转动的状态下发挥其特殊效果。
CN103366856A	一种铝合金电线的制备方法本发明公开了一种铝合金电线的制备方法，所述铝合金的合金元素质量百分比为，Ni0.3-0.8%，Cu0.35-1.2%，RE0.01-0.1%，Cr0.02-0.15%，余量为Al和不可避免的杂质；将按照比例配合的合金元素熔融，浇铸成圆柱形铸锭，然后打磨以及车削掉其表面的杂质，然后拉拔成4-12mm的线材；在氩气气氛的保护下，热处理温度为550℃-650℃；将热处理的铝合金线材随炉冷却至40-55℃，然后挤包绝缘层以及防护套。首先在合金成分上面的改进，增加了Ni和Cu的含量，增加了铝合金的强度以及导电性能；另外，提高热处理温度，使得铝合金中的强化相得到更充分的扩散，进一步提高了强度和导电性能。
CN103366855A	导电性颗粒和包含该导电性颗粒的导电性材料本发明提供导电性高、并且分散性良好的导电性颗粒和包含该导电性颗粒的导电性材料。在芯材颗粒的表面形成有导电性被膜的导电性颗粒中，上述导电性被膜具有：与上述芯材颗粒的表面接触的基底被膜；和与该基底被膜的表面接触的上层被膜，上述基底被膜具有结晶结构，包含镍，并且磷的含量小于10质量%，上述上层被膜具有结晶结构，且包含镍、磷和金属M中的一种以上，其中金属M不包括镍。
CN103366847A	废玻璃在固化放射性核素中的应用及固化Sr2+废物的方法本发明公开了一种废玻璃在固化放射性核素中的应用及固化Sr2+废物的方法，本方法将碱性激发剂与废玻璃粉末混合搅拌成浆体，然后将含放射性Sr2+废物的无机盐添加到浆体反应体系中，搅拌后放入模具中进行振动，之后密封，养护、脱模、烘干后制得含放射性核素Sr2+的废玻璃基地聚合物固化体。本发明与采用传统硅酸盐水泥材料作对比，结果表明玻璃基地聚合物材料制的固化体具有优良的力学性能和抗浸出性能。
CN103366842A	用于测量从液态金属冷却反应堆中卸载的废燃料组件的剩余功率的设备本发明涉及测量废燃料组件的剩余功率的设备，该废燃料组件旨在从充满液态金属的容器被卸载，其包括：-沿着纵向轴线X形成的细长形的罐，其包括设置为双层壁以包含惰性气体的两个壁；内壁分别界定第一开口、第二开口以及第一和第二开口之间的空间，组件通过第一开口引入，组件仅底座通过第二开口引入，组件除其底座之外封装在所述空间中，组件沿着轴线X延伸，内壁和/或外壁布置为接近第二开口，以允许液态金属通过底座引入，-与罐连接的流量计，其适合于测量在组件中循环的液态金属的流量，-与罐连接的第一温度测量装置和第二温度测量装置，其适合于测量分别在组件的底座和在其相对的开口端附近的液态金属的温度。
CN103366837A	一种超临界水冷堆燃料组件及堆芯本发明公开了一种超临界水冷堆燃料组件，包括壳体组件和设置于壳体组件中的芯体，其特征在于：所述燃料组件分为上下两部分，上部的壳体组件由镍基合金或不锈钢构成，下部的壳体组件由锆合金构成，上部的芯体的235U富集度大于下部的芯体的235U富集度。本发明还公开了一种超临界水冷堆单流程堆芯。本发明的优点在于，减少了235U的装量，经济性好；降低了堆芯结构的复杂性，同时也解决了多流程结构带来的流致振动增加的问题，对燃料组件的结构完整性有利。
CN103366832A	可折叠保护设备本发明涉及一种可折叠保护设备（1），用于保护物体不受天气相关影响，包括具有多个互连的段的构件（2），该构件（2）至少包括一个后壁段（3）、顶段（4）、第一侧壁段（5）和第二侧壁段（6），其中通过至少三个可弯曲过渡区域（7）将所述的段彼此连接，其中所述过渡区域（7）位于所述顶段（4）和所述后壁段（3）之间、所述第一侧壁段（5）和所述后壁段（3）之间以及所述第二侧壁段（6）和所述后壁段（3）之间，并且其中借助于所述过渡区域（7），分开的段能够从平面展开模式形成为三维结构。
CN103366831A	存储器的检测方法一种存储器的检测方法。所述存储器的检测方法包括：在所述存储器中写入预设数据；在第一测试条件下对所述存储器进行第一次读取操作，根据所述第一次读取操作的读取结果与第一阈值的比较结果获得第一读取数据；在所述第一读取数据与所述预设数据相同时，在第一测试条件下对所述存储器进行第二次读取操作，根据所述第二次读取操作的读取结果与第二阈值的比较结果获得第二读取数据；根据所述第二读取数据与所述预设数据的比较结果对所述存储器进行判定操作。本发明存储器的检测方法提高了检测结果的可靠性，避免了存储器无法正常使用的问题。
CN103366830A	存储卡的测试装置本发明提供一种存储卡的测试装置，用以测试存储卡，包括读卡机以及主机端。读卡机连接存储卡。主机端通过通用串行总线接口耦接读卡机，并通过读卡机与存储卡传送写入指令以对存储卡进行数据写入。存储卡并通过读卡机传送读出结果至主机端，主机端依据写入指令以及读出结果来判断存储卡是否损毁。
CN103366829A	步进电机断电位移恢复装置及方法一种步进电机断电位移恢复装置，其包括有电源、超级电容、ARM控制器、FRAM铁电存储器和编码器。系统正常工作时，电源同时向ARM控制器、FRAM铁电存储器及编码器供电，并为超级电容充电；若电源正常供电，则ARM控制器不发送任何命令，编码器直接将步进电机位移信息传递给ARM控制器，若电源失效，则超级电容短时供电，ARM控制器立即发送存储命令，FRAM铁电存储器瞬时读取并保存编码器中的断电前步进电机位移信息；电源恢复供电后，ARM控制器由FRAM铁电存储器中读取并恢复断电前步进电机位移信息。本发明具有结构简单、性价比高、应用范围广、温度范围宽、可靠性高、寿命长的优点，尤其适用于频繁掉电的场合。

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