一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法
专利汇可以提供一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种调控反 铁 磁 薄膜 材料的磁矩排列的方法，属于信息存储及传感技术领域。对 钛 镍铌TiNiNb形状记忆 合金 基片进行预拉伸处理、表面 抛光 以及表面的氩 离子轰击 处理；然后，在上述TiNiNb 记忆合金 基片上沉积钽Ta/镍铁NiFe/铁锰FeMn/钽Ta多层膜；沉积完毕后，在 真空 环境下并同时施加 磁场 时，对其进行 热处理 最后，冷却至室温即可。其原理是：通过温控TiNiNb基底的逆 马 氏体 相变 产生显著的晶格应变作用在多层膜上，通过这种应变可以控制NiFe/FeMn界面处的交换 弹簧 结构，从而引起FeMn的Néel矢量转动，并有效调控FeMn的磁矩排列。本 发明 通过简单的 温度 控制就能实现对交换弹簧结构的调节，进而实现对FeMn磁矩排列的有效调控，具有制备简单、控制方便、能耗低、效率高、成本低等优点。，下面是一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法专利的具体信息内容。
1.一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法，其特征为：对TiNiNb记忆合金基片进行预拉伸处理、表面抛光以及表面的氩离子轰击处理；然后，在上述TiNiNb记忆合金基片上沉积Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜；沉积完毕后，在真空环境下并同时施加磁场时，对其进行热处理。
2.根据权利要求1所述的调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法，其特征在于：具体步骤为：
(1)、对TiNiNb记忆合金基片进行预拉伸处理、表面抛光以及表面的氩离子轰击处理，所述的TiNiNb基片厚度为1.0～2.0mm，TiNiNb中Nb的掺入量为5％～10％；预拉伸量为10％～20％；抛光后的表面粗糙度0.5～2纳米；氩离子轰击电流为16～26mA，轰击时间为0.5～2分钟；
(2)、利用磁控溅射方法，在步骤(1)所述TiNi(Nb)基片上依次沉积Ta原子、NiFe原子、FeMn原子以及Ta原子，形成Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜结构，沉积薄膜时需要施加面内磁场
100～1000Oe；溅射室的本底真空度1×10-5～3×10-5Pa，溅射时氩气压为0.3～0.8Pa；沉积得到的Ta缓冲层的厚度为 NiFe层的厚度为 FeMn层的厚度为
Ta保护层的厚度为
(3)、在真空环境下并同时施加磁场时，对步骤(2)中得到的多层膜结构进行热处理。
3.根据权利要求2所述的调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法，其特征在于：步骤(3)所述真空环境的真空度为1×10-5～5×10-5Pa，热处理的温度为200～400℃，保温时间为5～10分钟，施加的面内磁场1000～10000Oe。
一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法
技术领域
背景技术
发明内容
0.5～2分钟；
Ta保护层的厚度为
真空度为1×10-5Pa，热处理的温度为200℃，保温时间为5分钟，施加的面内磁场1000Oe；
具体实施方式
0.5分钟。然后，利用磁控溅射方法，在上述处理后的TiNiNb基片上依次沉积Ta原子(厚度为)、NiFe原子(厚度为 )、FeMn原子(厚度为 )以及Ta原子(厚度为 )，从而制备TiNi(Nb)基片/Ta /NiFe /FeMn /Ta 多层膜，沉积薄膜时需要施加
面内磁场100Oe，溅射室的本底真空度1×10-5，溅射时氩气压为0.3Pa。最后，在真空环境下对多层膜体系进行热处理，真空度为1×10-5Pa，热处理的温度为200℃，保温时间为5分钟，施加的面内磁场1000Oe。然后，利用测量X-射线磁二色谱，即得到图1中右边的X-射线磁二色谱。通过曲线分析，绘制出图1中左边的FeMn磁矩排列示意图。
内磁场500Oe，溅射室的本底真空度2×10-5，溅射时氩气压为0.5Pa。最后，在真空环境下对-5
多层膜体系进行热处理，真空度为3×10 Pa，热处理的温度为300℃，保温时间为8分钟，施加的面内磁场5000Oe。然后，利用测量X-射线磁二色谱，即得到图2中右边的X-射线磁二色谱。通过曲线分析，绘制出图2中左边的FeMn磁矩排列示意图。
面内磁场1000Oe，溅射室的本底真空度3×10-5，溅射时氩气压为0.8。最后，在真空环境下对多层膜体系进行热处理，真空度为5×10-5Pa，热处理的温度为400℃，保温时间为10分钟，施加的面内磁场10000Oe。然后，利用测量X-射线磁二色谱，即得到图3中右边的X-射线磁二色谱。通过曲线分析，绘制出图3中左边的FeMn磁矩排列示意图。
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