半导体器件
阅读：1020发布：2020-05-11
专利汇可以提供半导体器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本公开涉及一种 半导体 器件，其包括：半导体管芯，具有前表面和平坦后表面，所述半导体管芯在所述前表面处具有多个管芯焊盘；多个导电体，相对于所述半导体管芯侧向地布置，并且突出超过所述半导体管芯的所述平坦后表面；模制材料，在所述半导体管芯与所述多个导电体之间；以及多个导电线，在所述半导体管芯的多个管芯焊盘中的相应管芯焊盘与所述多个导电体中的相应导电体之间延伸。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利，下面是半导体器件专利的具体信息内容。
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体管芯，具有前表面和平坦后表面，所述半导体管芯在所述前表面处具有多个管芯焊盘；
多个导电体，相对于所述半导体管芯侧向地布置，并且突出超过所述半导体管芯的所述平坦后表面；
模制材料，在所述半导体管芯与所述多个导电体之间；以及
多个导电线，在所述半导体管芯的多个管芯焊盘中的相应管芯焊盘与所述多个导电体中的相应导电体之间延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个导电体延伸穿过所述模制材料的整个厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括金属层，所述金属层在突出超过所述半导体管芯的所述平坦后表面的所述多个导电体中的每个导电体上。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述多个导电体中的每个导电体上的所述金属层邻接所述模制材料的表面。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体管芯，具有前表面和后表面，所述前表面是具有接合焊盘的有源表面，所述后表面形成平面；
导电体，相对于所述半导体管芯侧向地布置，并且突出超过由所述半导体管芯的所述后表面形成的所述平面；
激光直接结构化模制材料，在所述半导体管芯的所述前表面之上，并且在所述半导体管芯与所述导电体之间；以及
导电线，在所述激光直接结构化模制材料上，将所述半导体管芯的接合焊盘耦合到所述导电体。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述导电体具有第一表面和第二表面，其中所述第一表面耦合到所述导电线，其中所述第二表面延伸超过由所述半导体管芯的所述后表面形成的所述平面。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述导电体的所述第一表面与所述激光直接结构化模制材料的表面共面。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述导电线的所述第二表面之上的金属层。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述导电线、所述导电体和所述半导体管芯的所述接合焊盘之上的模制材料。
半导体器件
技术领域
[0001] 本公开涉及诸如集成电路(IC)之类的半导体器件。
[0002] 一个或多个实施例可以应用于例如QFN(四方扁平无引线)类型的半导体封装件。
背景技术
[0003] 可以根据许多不同的制造方法来执行例如用于QFN封装件的半导体封装。
[0005] 又例如，可以使用倒装芯片方法，即，将半导体管芯放置在引线框架上，其中接触焊盘位于半导体管芯的与引线框架的表面接触的表面上。可以经由已经沉积在管芯接触焊盘上的焊料凸块来获得与引线框架的引线的连接。
[0006] 已知的封装制造技术可能包括许多缺点，因此改进的解决方案是所期望的。实用新型内容
[0007] 本公开的一个或多个实施例的目的在于提供半导体器件(例如，QFN功率封装件)。
[0008] 在一个方面，提供了一种半导体器件，其包括：半导体管芯，具有前表面和平坦后表面，所述半导体管芯在所述前表面处具有多个管芯焊盘；多个导电体，相对于所述半导体管芯侧向地布置，并且突出超过所述半导体管芯的所述平坦后表面；模制材料，在所述半导体管芯与所述多个导电体之间；以及多个导电线，在所述半导体管芯的多个管芯焊盘中的相应管芯焊盘与所述多个导电体中的相应导电体之间延伸。
[0009] 在一些实施例中，所述多个导电体延伸穿过所述模制材料的整个厚度。
[0010] 在一些实施例中，所述半导体器件进一步包括金属层，所述金属层在突出超过所述半导体管芯的所述平坦后表面的所述多个导电体中的每个导电体上。
[0011] 在一些实施例中，在所述多个导电体中的每个导电体上的所述金属层邻接所述模制材料的表面。
[0012] 在另一方面，提供了一种半导体器件，其包括：半导体管芯，具有前表面和后表面，所述前表面是具有接合焊盘的有源表面，所述后表面形成平面；导电体，相对于所述半导体管芯侧向地布置，并且突出超过由所述半导体管芯的所述后表面形成的所述平面；激光直接结构化模制材料，在所述半导体管芯的所述前表面之上，并且在所述半导体管芯与所述导电体之间；以及导电线，在所述激光直接结构化模制材料上，将所述半导体管芯的接合焊盘耦合到所述导电体。
[0013] 在一些实施例中，所述导电体具有第一表面和第二表面，其中所述第一表面耦合到所述导电线，其中所述第二表面延伸超过由所述半导体管芯的所述后表面形成的所述平面。
[0014] 在一些实施例中，所述导电体的所述第一表面与所述激光直接结构化模制材料的表面共面。
[0015] 在一些实施例中，所述半导体器件进一步包括在所述导电线的所述第二表面之上的金属层。
[0016] 在一些实施例中，所述半导体器件进一步包括在所述导电线、所述导电体和所述半导体管芯的所述接合焊盘之上的模制材料。
[0017] 根据本公开的一个或多个实施例的半导体器件可以实现以下中的一个或多个：
[0018] -在没有(一个或多个)引线接合步骤的情况下组装封装件，例如功率封装件，[0019] -在没有引线框架的情况下组装封装件，
[0020] -改善扇出特性，
[0021] -提供其中嵌入有半导体管芯的封装件，
[0023] -减少封装件的厚度，
[0024] -封装件或半导体器件可以用于高功率应用，和/或
[0026] 现在将参考附图通过仅示例的方式描述一个或多个实施例，在附图中：
[0027] 图1至图8是根据一个或多个实施例的方法的步骤的示例；
[0028] 图9和图10中的部分a)和b)是与激光直接结构化技术相关的特征的示例；
[0029] 图11至图17是根据一个或多个实施例的方法的步骤的示例；
[0030] 图18至图21表示可以利用根据一个或多个实施例的方法制造的半导体器件的截面图；以及
[0031] 图22至图25中的部分a)至c)是一个或多个实施例中包括的可能特征的示例。
[0032] 通过一般说明，人们可以注意到，结合任何一个附图单独或组合地在本文中讨论的细节和特征不必限于在该图中所例示的实施例中使用；这些细节和特征实际上可以单独地或组合地应用于如本文所附的任何其他附图中所例示的实施例中。
具体实施方式
[0033] 在随后的描述中，图示出了一个或多个具体细节，旨在提供对本说明书的实施例的示例的深入理解。可以在没有一个或多个具体细节的情况下或者利用其他方法、部件、材料等等来获得实施例。在其他情况下，未详细图示出或描述已知的结构、材料或操作，使得实施例的某些方面将是不被模糊。
[0034] 在本说明书的框架中对“实施例”或“一个实施例”的参考旨在指示关于该实施例描述的特定配置、结构或特性被包括在至少一个实施例中。因此，可以存在于本说明书的一个或多个点中的诸如“在实施例中”或“在一个实施例中”的短语不一定指代一个或相同实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何适当的方式组合特定构造、结构或特性。
[0035] 本文所使用的参考仅仅是为了方便而被提供，并且因此不限定保护的范畴或实施例的范围。
[0036] 一个或多个实施例可以改进某些先前的开发，例如 MLF封装，例如可用于Amkor科技公司的 (可布线模制引线框架)，是传统解决方案的示例。
[0037] 在如图1中所例示的一个或多个实施例中，为了制造半导体器件，可以将一个或多个半导体管芯10布置在临时层状支撑构件12上，例如临时聚酰胺带。半导体管芯10可以布置在支撑构件12的前表面12a上的相应安装位置上，其中安装位置相对于彼此被侧向布置，可选地被布置成行或被布置成矩阵布置。
[0038] 因此，半导体管芯10可以被布置成具有面向支撑构件12的前表面12a的后表面10b和与后表面10b相对的前表面10a，其可以包括一个或多个管芯焊盘。半导体管芯10的前表面10a包括有源表面，该有源表面包括集成电路。
[0039] 在一个或多个实施例中，支撑构件12可以包括具有粘合前表面12a的粘合带，并且半导体管芯10可以被粘合地附接在其上。可替代地，支撑构件12可以包括UV可固化胶层，其可以用作临时衬底。
[0040] 为了简洁和为了理解的缘故，以下对一个或多个实施例的描述将涉及制造单个半导体器件。然而，即使关于单个半导体器件进行描述，通过在根据一个或多个实施例的方法的末尾添加分离步骤，该方法也可以被扩展到封装件阵列的制造过程。
[0041] 在一个或多个实施例中，可以在支撑构件12中形成多个凹槽13。如图2中所例示，支撑结构32(例如，模制工具的模制元件)可以包括在前表面上的多个凹槽，并且支撑构件12可以被放置在前表面上。支撑结构32的多个凹槽可以接收支撑构件12的后表面12b，并且可以在支撑构件12中形成多个凹槽13。
[0042] 在一个或多个实施例中，可以施加真空以有助于将支撑构件12保持在支撑结构32的前表面上。例如，经由通过支撑结构32的开口34施加的真空，支撑构件12的后表面12b可以被保持粘附到支撑结构32的前表面上。
[0043] 在一个或多个实施例中，多个凹槽13可以具有适于接收多个球体14的尺寸，如图3中所例示。球体14由导电材料制成。球体14可以被放下，即，被放置在具有模板的对应凹槽13中，其中支撑构件12的前表面12a可以有助于将球体14保持在凹槽13中，例如如果支撑构件12包括粘合前表面12a则经由粘合附接来将球体14保持在凹槽13中。应当理解：
[0044] -半导体管芯10可以位于平面X12上，如图3中的虚线所例示，
[0045] -凹槽13的尺寸可以使得球体14可以至少部分地位于平面X12下方，即，在本示例性布置中，球体14的部分可以位于半导体管芯10的后表面10b下方，以及/或者[0046] -球体14可以具有厚度，使得当被接收在凹槽13内时，球体14可以具有相对于平面X12的高度h1，该高度h1超过半导体管芯10相对于平面X12的高度h2。
[0047] 在一个或多个实施例中，多个球体14可以相对于彼此被侧向布置以及/或者围绕半导体管芯10布置。
[0048] 在图4至图25的以下描述中，像已经结合图1至图3介绍的各部件或元件之类的部件或元件利用相同的附图标记来指示，为了简洁起见而不重复相关描述。
[0049] 在如图4至图6的截面图中所例示的一个或多个实施例中，可以相对于半导体管芯10的成行的布置而基本上同时的步骤将球体14布置在临时层状支撑构件12上。例如，球体
14可以围绕半导体管芯10并且相对于彼此被侧向布置在层状支撑构件12上。再次，如果支撑构件12是粘合带，则球体14和半导体管芯10的后表面10b可以在相应的安装位置处被附接到其上。
14可以围绕半导体管芯10并且相对于彼此被侧向布置在层状支撑构件12上。再次，如果支撑构件12是粘合带，则球体14和半导体管芯10的后表面10b可以在相应的安装位置处被附接到其上。
[0050] 在一个或多个实施例中，可以提供刚性框架(晶舟)36，其具有用于模制的参考孔。例如，可以利用刚性环来保持支撑构件12。
[0051] 在一个或多个实施例中，参考图5，具有附接在其上的半导体管芯10和球体14的支撑构件12(为简单起见，仅一个半导体管芯10可见)可以被放置在支撑结构32上(例如，模制工具的模制元件)，其中将球体14布置在支撑结构32的多个凹槽上方。同样，可以经由开口34施加真空，并且球体14因此可以形成支撑构件12的多个凹槽13。
[0052] 在一个或多个实施例中，由于支撑构件12的粘合前表面12a(如果存在)，球体14可保持在支撑构件12的凹槽13中的适当位置。
[0053] 在一个或多个实施例中，模制材料可以被施加到球体14和半导体管芯10，模制材料围绕并且可选地嵌入球体14和半导体管芯10。
[0054] 例如，在一个或多个实施例中，如图7中所例示，可以使用模制工具以用于将模制材料施加到球体14和半导体管芯10上。在图7的非限制性示例中，支撑结构32可以包括第一模具部件和第二模具部件38，第一模具部件在所图示的实施例中由支撑结构32形成，但在其他实施例中也可以是单独的部件，第一模具部件32和第二模具部件38共同限定模制腔C；这仅仅是模制工具的一个示例，并且可以取决于互补模具部件的具体设计而变化。例如，在一个或多个实施例中，第一模具部件和第二模具部件可以包括多个模具元件。
[0055] 在一个或多个实施例中，图3或图6的布置可以被封闭在模制腔C中，其中第二模制部分38被放置在球体14和半导体管芯10上方：可选地，球体14可以被夹持在模制腔C中，即，在一个或多个实施例中，相对于平面X12，腔C具有的高度可以高于或等于球体14的高度h1。
[0056] 图8表示模制步骤，其中可以执行传递模制或片材模制，例如模制层，诸如由信越化学工业(Shin-Etsu)提供的模制层。
[0057] 因此，模制层可以由例如激光直接结构化材料LDS 30的模制材料形成，其可以围绕并且嵌入球体14和半导体管芯10。可以从模制腔C中取出包括LDS层30、球体14和半导体管芯10的组件1，并且可以至少在球体14处丢弃临时支撑构件12。
[0058] 作为背景技术，图9是激光直接结构化LDS技术的示例，其可以被用来在一个或多个实施例中提供布线层级。
[0059] 可以提供改性聚合物30，其包括聚合物基质中的金属有机复合物添加剂，该金属有机复合物(例如包括氮、金属元素和氧)是激光可激活的。在一个或多个实施例中，改性聚合物30可以包括LDS材料，例如热固性环氧化合物。
[0061] 图10中的部分a)和部分b)例示了金属化LDS聚合物材料：在一个或多个实施例中，LDS材料30的部分30a可以被金属化并且例如作为导电迹线用于布线。
[0063] 激光可以被施加到组件1，从而：
[0064] -在LDS层30中在半导体管芯10的前表面10a上存在的管芯焊盘(图中不可见)处形成通孔，并且
[0065] -在球体14中的所选择的球体与半导体管芯10的管芯焊盘中的所选择的管芯焊盘之间形成布线图案。
[0066] 图12例示了在执行激光曝光步骤和镀敷步骤之后的组件1：导电材料可以被施加在由激光写入的布线图案中，其可以形成镀敷迹线18。迹线18可以基本上对应于图10中的部分a)和部分b)中所例示的迹线30a。
[0068] 图13例示了当将第二模具部件38放置在球体14和半导体管芯10上方、夹紧球体14并且形成模制腔C时向第二模具部件38提供可以与半导体管芯10的前表面10a接触的突起39的可能性。
[0069] 图14表示(例如，传递)模制步骤，其中可以施加例如STD标准环氧树脂的模制层42，其可以嵌入球体14并围绕半导体管芯10，如本文所例示：因此可以执行环氧树脂模制，暴露半导体管芯10的前表面10a。
[0070] 图15表示在研磨步骤之后可以从模制腔中取出的组件1的截面图。由于突起39，可以存在研磨表面1a中的凹槽44，其中半导体管芯10的前表面10a被暴露在其中。而且，球体14的水平或平坦表面14a可以存在于研磨表面1a处。
[0071] LDS层30可以被施加在研磨表面1a上，其可以覆盖球体14的水平表面14a并且填充凹槽44(从而覆盖半导体管芯10的前表面10a)，如图16中所例示。如果所使用的化合物包括LDS材料30，则可以对通孔和迹线进行激光和镀敷，并且可以在研磨之前或研磨之后将一层LDS材料30施加在模具的顶部上。
[0072] 再次，参考图17，激光可以被施加到LDS层30，并且：
[0073] -通孔可以形成在LDS层30中的球体14的水平表面14a处和半导体管芯10的前表面10a上的管芯焊盘(不可见)处，
[0074] -路径可以形成在球体14中的所选择的球体与半导体管芯10的管芯焊盘中的所选择的管芯焊盘之间，以及
[0075] -导电材料可以被施加到由激光器写入的路径和通孔。
[0076] 因此，导电镀敷迹线18可以存在于LDS层30内，其可以类似于图10中的部分a)和部分b)的金属化部分30a。
[0077] 同样在图15至图17的组件1中，可以存在镀锡40。
[0078] 图18至图21表示可以利用根据一个或多个实施例的方法获得的半导体器件100的截面图。半导体管芯10和(例如，研磨和平坦化的)球体14可以被模制材料42(例如STD环氧树脂材料)围绕，模制材料42可以被施加使得半导体管芯10的前表面10a可以被暴露。半导体管芯10的后表面10b可以位于平面X12中。半导体器件100的后表面100b也可以位于平面X12中，球体14的部分从其中突出。
[0079] 在图18中，可以包括硅管芯的半导体管芯10可以在其管芯焊盘(不可见)处经由厚的镀敷迹线18而被连接到所选择的球体14，其在图18的截面图中可能可见或者可能不可见。迹线可以形成在LDS材料30内，并且可以具有与LDS材料30的远离凹槽44的部分中的LDS材料30的厚度相对应的厚度。
[0080] 可以在镀敷迹线18和LDS材料30上施加另外的模制材料46，例如聚合物抗蚀剂，以覆盖和保护半导体器件100。在一个或多个实施例中，如图18中所例示，球体14可以是充满的，例如铜球体14'，或者可以包括球体14″，该球体14″可以包括涂覆有导电材料142的聚合物材料芯140。球体14'、14″可以在从半导体器件100的后表面100b中突出的部分处被涂覆有锡40。
[0081] 图19表示可能的半导体器件100，类似于图18的半导体器件100，其中围绕半导体管芯10和研磨球体14的模制材料也可以包括LDS材料30。因此，在一个或多个实施例中，模制材料可以由LDS材料30组成，并且半导体管芯10和球体14可以被LDS材料30包围并且被嵌入在LDS材料30中。在布线之后，可以在LDS层30上提供二次成型(overmolding)材料，以保护半导体器件100，其中二次成型材料包含聚合物抗蚀剂46。
[0082] 在一个或多个实施例中，如图20中所例示，可以不存在研磨步骤，即，可以不存在球体14的水平表面14a。例如，如果球体14的直径小于半导体管芯10的厚度的两倍，则可以不存在研磨步骤。
[0083] 模制材料，例如环氧树脂材料42，可以围绕球体14和半导体管芯10，其中环氧树脂材料42具有与半导体管芯的厚度相对应的厚度。特别地，球体14的前部和后部可以从模制材料42中沿任一方向突出。在半导体器件100的后表面100b上，球体14的后突出部分可以被涂覆有锡40。相反，LDS材料30可以被施加在模制材料42的前表面42a上：LDS材料30可以覆盖球体14的前突出部分和半导体器件100的前表面10a。
[0084] 在一个或多个实施例中，可以通过激光在LDS材料30中在半导体管芯10的管芯焊盘处和在球体14的突出前部分处形成通孔48。通孔48可以填充有导电材料。
[0085] 在一个或多个实施例中，可以在LDS材料30上在球体14的突出前部分处的所选通孔48与半导体管芯10的管芯焊盘处的所选通孔48之间形成厚的镀敷迹线18。
[0086] 在一个或多个实施例中，如图21中所例示，可以提供多层LDS材料30，例如，第一层30'和第二层30″。而且，围绕半导体管芯10和研磨球体14的模制材料可以包括LDS材料30，或者如本文所例示地包括STD环氧树脂材料42。
[0087] 例如，可以将第一层30'施加在研磨表面1a上，并且可以在第一LDS材料层30'内形成第一通孔48'和第一镀敷迹线18'，如前所讨论，其可以连接第一组球体14和管芯焊盘。
[0088] 可以将第二层LDS材料30″施加在第一层LDS材料30'的表面1b上，从而覆盖第一层LDS材料30'和第一镀敷迹线18'。类似地，可以形成第二通孔48″，其可以穿过第一层LDS材料30'和第二层LDS材料30″，朝向第二组球体14和管芯焊盘。可以在第二LDS材料层30″内形成第二镀敷迹线18″，其可以连接第二组球体和管芯焊盘中的球体14和管芯焊盘。
[0089] 同样，可以在第二层LDS材料30″的表面1c上施加聚合物抗蚀剂46涂层，从而覆盖第二层LDS材料30″和第二镀敷迹线18″，并且保护半导体器件100。
[0090] 图21还示出了在一个或多个实施例中提供耦合到“公共”球体14的许多或多个通孔48'、48″的可能性。这种布置可以例如在功率器件中促进和增加电流。
[0091] 因此，一个或多个实施例可以涉及通过使用导电(例如，铜)体(例如，球体)或具有利用导电材料(例如铜)镀敷的聚合物材料芯的导电体来在没有引线框架的情况下实现薄封装的可能性。在下文中，为了简洁和理解的缘故，导电体将被例示并且被称为球体，然而球形仅仅是可以被用于导电体的可能形状的非限制性示例。
[0092] 在一个或多个实施例中，在利用包括在封装件中的半导体管芯的管芯焊盘执行镀敷和连接步骤之后，球体可以用作用于封装件的连接或焊盘。因此，可以提供镀敷迹线，其连接例如在激光直接结构化LDS模制化合物上形成的管芯焊盘和球体。
[0093] 在一个或多个实施例中，在可以在由激光写入所限定的路径上执行镀敷步骤之后，可以在模制化合物上进行与球体的导电表面的连接。
[0094] 图22至图25例示了根据一个或多个实施例的导电体14的可能特征，其中：
[0095] -图22例示了由铜合金制成的满的球体14，
[0096] -图23例示了涂覆有导电材料142(例如铜)的金属芯140，
[0097] -图24例示了涂覆有导电材料142的聚合物(例如PTFE(聚四氟乙烯))芯140，[0098] -图25例示了涂覆有导电材料142的聚合物(例如激光直接结构化LDS材料)芯140，并且其中：
[0099] -部分a)例示了球体14的截面视图，
[0100] -部分b)例示了在球体14上执行研磨步骤后球体14的顶视图，以及[0101] -部分c)例示了在执行迹线镀敷步骤之后球体14的顶视图。
[0102] 在一个或多个实施例中，如图22至图25的部分b)中所例示，球体14可以被嵌入(在图中不可见)模制材料16以及/或者被模制材料16包围，并且可以在模制材料的表面上执行研磨步骤以便暴露球体14，并且可选地形成球体14的水平前表面14a。
[0103] 例如，考虑如图22至图25中所例示的xyz笛卡尔系统，可以在垂直方向上，即，在与z轴对齐的方向上执行研磨步骤：例如，当可以形成球体14的水平表面14a时，可以停止研磨步骤，在本非限制性示例中，在研磨之后暴露的水平表面14a可以被例示为图22至图25的部分a)中的虚线。
[0104] 因此，在图22至图25的部分b)的顶视图中，水平的前表面14a可以是可见的，并且球体14的芯140(如果存在的话)可以被暴露。
[0105] 在一个或多个实施例中，可以在球体14被研磨之后执行迹线镀敷步骤，如图22至图25的部分c)中所例示，其中：
[0106] -迹线18可以延伸到球体14的外围部分，如图22的部分c)中所例示，[0107] -迹线18可以延伸以覆盖球体14的整个水平表面14a，如图23的部分c)中所例示，[0108] -迹线18可以延伸到球体14的外围部分，使得芯140暴露，如图24的部分c)中所例示，以及
[0109] -线性迹线18可以延伸穿过球体14，到达其涂覆部分142的两个相对端，如图25的部分c)中所例示。
[0110] 应当理解，可以通过激光成形将迹线18的几何形状镀敷在激光直接结构化材料上。
[0111] 在一个或多个实施例中，可以将球体厚度包括在100μm至500μm(1μm＝10-6m)的范围内，这可以与封装体厚度和半导体管芯厚度有关。在一个或多个实施例中，如果球体14涂覆有导电材料142，例如镀铜聚合物球体，则可以限定导电涂层厚度以便在研磨之后保持未暴露芯140，这取决于为了与球体14连接而可能期望的形状，如图22至图25的部分c)中例示的不同迹线轮廓所例示。
[0112] 因此，一个或多个实施例可以涉及一种方法，该方法可以包括：
[0113] -提供层状支撑构件(例如，12)，其具有前表面(例如，12a)和后表面(例如，12b)，其中至少一个半导体管芯安装位置位于支撑构件的前表面处的平面(例如，X12)中，[0114] -在位于平面中的至少一个半导体管芯安装位置处布置具有前表面(例如，10a)和后表面(例如，10b)的至少一个半导体管芯(例如，10)，其中至少一个半导体管芯的后表面朝向支撑构件的前表面，至少一个半导体管芯在其前表面处具有管芯焊盘，[0115] -在支撑构件的前表面处在至少一个半导体管芯安装位置的侧向布置多个导电体(例如，14)，导电体被布置在支撑构件中的相应凹槽(例如，13)处，相应凹槽在支撑构件的前表面处开放，
[0116] -在至少一个半导体管芯与导电体之间的层状支撑构件上方提供模制材料(例如30、42、46)的填充物，以及
[0117] -在半导体管芯的管芯焊盘中的所选择的管芯焊盘与多个导电体中的所选择的导电体之间提供导电线(例如，18)。
[0118] 一个或多个实施例可以包括：
[0119] -在层状支撑构件中形成相应凹槽，以及将导电体布置在形成在层状支撑构件中的凹槽中；或者
[0120] -将导电体布置在支撑构件的前表面处，以及使导电体前进到在其中提供有相应凹槽的支撑构件中。
[0121] 一个或多个实施例可以包括通过真空成形来在层状支撑构件中形成相应凹槽。
[0122] 一个或多个实施例可以包括：
[0123] -提供在至少一个半导体管芯与导电体之间的模制材料的填充物上方延伸的导电线，以及
[0124] -提供覆盖导电线、至少一个半导体管芯的前表面和导电体的模制材料(例如30、42、46)的至少一个另外填充物。
[0125] 一个或多个实施例可以包括：
[0126] -通过覆盖至少一个半导体管芯和导电体，在层状支撑构件之上分配模制材料的填充物，
[0127] -通过以下方式针对半导体管芯的管芯焊盘中的所选择的管芯焊盘和多个导电体中的所选择的导电体处的导电线提供电接触表面：
[0128] -选择性地移除在半导体管芯的管芯焊盘中的所选择的管芯焊盘和/或多个导电体中的所选择的导电体处的模制材料，以及/或者
[0129] -在半导体管芯的管芯焊盘中的所选择的管芯焊盘和/或多个导电体中的所选择的导电体处的模制材料中包括激光直接结构化材料(例如，30)，以及激光激活(例如，L)在半导体管芯的管芯焊盘中的所选择的管芯焊盘和/或多个导电体中的所选择的导电体处的激光直接结构化材料。
[0130] 在一个或多个实施例中，选择性地移除模制材料可以包括：
[0131] -钻孔穿过模制材料的通道(例如，48)，以及/或者
[0132] -研磨模制材料。
[0133] 一个或多个实施例可以包括利用导电材料填充通过模制材料钻出的通道。
[0134] 在一个或多个实施例中，导电体可以包括涂覆有导电材料(例如，142)的电绝缘芯(例如，140)。
[0135] 一个或多个实施例可以包括在层状支撑构件的前表面处粘合地施加至少一个半导体管芯和导电体。
[0136] 一个或多个实施例可以包括将层状支撑构件提供为带，该带沿着它具有多个半导体管芯安装位置。
[0137] 一个或多个实施例可以包括：在提供模制材料的填充物之后，至少在导电体处去除层状支撑构件。
[0138] 一个或多个实施例可以涉及半导体器件(例如，100)，包括：
[0139] -至少一个半导体管芯(例如，10)，至少一个半导体管芯具有位于平面(例如，X12)中的前表面(例如，10a)和后表面(例如，10b)，至少一个半导体管芯在其前表面处具有管芯焊盘，
[0140] -多个导电体(例如，14)，导电体布置在至少一个半导体管芯的侧向并且从远离至少一个半导体管芯的后表面的与至少一个半导体管芯相对的平面突出，
[0141] -在至少一个半导体管芯与导电体之间的模制材料(例如30、42、46)的填充物，以及
[0142] -在半导体管芯的管芯焊盘中的所选择的管芯焊盘与多个导电体中的所选择的导电体之间的导电线(例如，18)，半导体器件可通过根据一个或多个实施例的方法获得。
[0143] 在不影响基本原理的情况下，在不脱离保护范围的情况下，相关于仅作为示例公开的内容，各种细节和实施例可以甚至显著地变化。
[0144] 在这方面，可以再次注意到，结合任何一个附图单独或组合地讨论的细节和特征不必限于在该图中例示的实施例中使用；这些细节和特征实际上可以单独地或组合地应用于如本文所附的任何其他附图中所例示的实施例中。
[0145] 可以组合上述各种实施例以提供进一步的实施例。鉴于以上详细描述，可以对实施例进行这些和其他改变。通常，在以下权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制于说明书和权利要求中所公开的特定实施例，而是应该被解释为包括所有可能的实施例以及这样的权利要求所享有的等同物的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。
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