专利汇可以提供提高铝硅铜成膜质量的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种提高 铝 硅 铜 成膜 质量 的方法,包括:1)成膜晶片在350~450℃的高温腔中,以物理溅射的方式,完成铝硅铜填孔,使在成膜晶片上,形成铝硅铜 薄膜 ;2)成膜晶片进入到冷却腔,在10~30秒内,冷却至200℃以下;3)在150~250℃的低温腔中,成膜晶片完成铝硅铜金属线的成长。本发明在不影响填孔效果的前提下,提高了铝硅铜成膜质量,使所得成膜晶片的金属 导线 电阻 较小,且 稳定性 良好,提高器件性能;同时,极大提高了成膜晶片外观及封装质量。,下面是提高铝硅铜成膜质量的方法专利的具体信息内容。
1.一种提高铝硅铜成膜质量的方法,其特征在于,包括步骤:
1)成膜晶片在350~450℃的高温腔中,以物理溅射的方式,完成铝硅铜填孔,使在成膜晶片上,形成铝硅铜薄膜;
2)成膜晶片进入到冷却腔,在10~30秒内,冷却至200℃以下;
3)在150~250℃的低温腔中,成膜晶片完成铝硅铜金属线的成长,所述铝硅铜金属线中的硅含量为0.9~1.1%、铜含量为0.43~0.57%。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤1)中,完成铝硅铜填孔是在高温腔中,经5~30秒,完成铝硅铜填孔。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤1)中,铝硅铜薄膜的厚度为0.1~
1μm;
铝硅铜薄膜中的硅含量为0.9~1.1%、铜含量为0.43~0.57%。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤2)中,冷却的方式包括:通气或加压。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤3)中,铝硅铜金属线的厚度为1~
10μm;
铝硅铜金属线中的硅含量为0.9~1.1%、铜含量为0.43~0.57%。
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