基底附热熔粘合剂集成电路硅芯片复合物的制做方法
专利汇可以提供基底附热熔粘合剂集成电路硅芯片复合物的制做方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本文提供了一种制做在 硅 基底上附有热熔 粘合剂 的集成 电路 硅组合件小片的方法。当一种 热熔粘合剂 被甩涂到硅基底上之后，片状的集成电路组合件 硅片 被切割，同时，由将集成电路硅小片整体地粘在导体村底上的方法，可制出集成电路硅组合件阵列。，下面是基底附热熔粘合剂集成电路硅芯片复合物的制做方法专利的具体信息内容。
1.一种在硅基底上附有聚醚亚胺硅氧烷的集成电路硅冷片组合侍 的制作方法，此方法包括：
(1)在约2000-7000rpB下，将聚醚亚胺硅氧烷的有机溶剂溶液甩涂到 其上表面有着大量的集成电路的硅片的基底上；
(2)起初在约100-120 °C的溫度下，继之在约180-220°C的溫度下， 使涂好的聚醚亚胺硅氧烷干燥；
(3)切割硅片，以制备虫大批在相应基底上有一层聚醚亚胺硅氧烷薄 层的集成电路硅小片的组合件。
2.一种在硅基底上跗有热熔粘合剂的集成电路硅小片组合件的制作方法，此方法包括：
(1)在约2000-7000rpa下，将一种热熔粘合剂的有机溶剂溶液甩涂到 其上表面有着大量的集成电路的硅片的基底上，
(2)起初在约100-120 °C的溫度下，继之在约180-220 °C的温度下， 使涂好的热熔粘合剂干燥，
(3)切割硅片，以制备出大批在相应基底上有一层热熔粘合剂薄层的 集成电路硅小片组合件。
3.按照权利要求2的方法，其中将数片集成电路硅小片组合件粘 结在氧化铝衬底上，可制成集成电路硅组合件阵列。
基底 附 热熔粘合剂 集成电路
硅芯片复合物的制做方法
在本发明以前，集成电路桂小片复合物的制做，一般是通过将一个表面上有许多集成电路的硅片切成小块来实现。片状的小片，—般是采 用金刚划片器，激光划片器或金钢银切剌而成。然后，
将集成的小片组 合件粘在各种各样的导电或非导电衬底上•以做成集成电路阵列。集成 电路桂小片组合件在载体上的敷贴，一般是在集成的小片组合件的硅基 底上，涂上一种粘合刑，然后将集成
小片组合件，放在载体的合适位置 上来实现。另一种技术則包括直接将粘合剤涂在载体衬底上，并且把集 成电路小片粘合在其上。尽瞀把粘合剤涂匀载体阵列衬底的工艺.已取 得了有效的结果，
但粘合剂中往往含有一种对载体衬底上的相邻部件有 损伤的有机溶刑。还有一种将枯合刑直接涂到集成电路桂组合件的基底 上的工艺.它是有效的，只是不经济。
本发明的基础，是将一种热溶枯合剂的有机溶刑溶液，最好聚醚亚胺硅氧烷（将在后面详细说明），在集成小晶片的背面被成薄膜形状 煞后烘干；这样片状集成电路小片可以被切割。用一只金刚划
片器或一只金刚锯，可大量劁备在相应硅基底上有一层热熔粉合荆的集成电路桂 组合件小片。
本发明提供了一种方法，它包括：
⑴把一种有机溶刑溶液的热熔枯合刑，涂到其上部有着大量的集成 电路的硅片基底上。
(2将使用的热熔粘合剂干燥。
(3）切割硅片以制备许多在相应基底上有热熔粘合剂层的集成电路硅小片组合件。
本发明的另一面：是提供一种将集成电路硅复合物枯合剂衬底表面上的方法，这包括：
(1淋衬底的丧面与至少是一片的集成电路硅组合件小片接触，这小 片是巳经热熔粘合刑处理过的。
(2J当集成电路桂复合物小片与衬底表面接触时，经热擦粘合剂加热。
⑶使热熔粘合剂冷却，以达到将集成电路组合件小片轱在载体衬底上的目的。
图1显示了基底上涂了热熔粘合刑的片状集成电路小片的剖视图。
图2显示了由切别图1所示片状晶片所得的集成电路组合件小片。
图3 则是一个带适当电接点的整体粘在载体褒面上的集成电珞组合件小片阵列。
特别是，图1中的10是一绝缘栅极，1 1是一个信号电极，12是硅基片，而1 3是热熔粘合剂层。
在图3中，2 0是源信号电极，2 1是控制栅极。
本发明实际所采用的热熔粘合刑.是聚醚亚胺桂氧烷，它已被 Bergers Julian(见美国专利4 , 0 i 1 . 2 7 9 ，这一 专利与本犮明选定同一委托人，在这里引入做为参考）。用于本友明实施的附加热熔粘合剂，可以是任意热塑性材料.其软化温度范围约
为 1 0 0 °C—3 0 0 °C、 15 0 °C—2 0 0 °C 更好。热溶枯合剂涂敷.可 通过涂一神热溶热塑性材料的有机溶剂溶液来实现。一种典型的混合 物，可以是N甲基吡喀烷酮或者二甘醇二甲醚—类有机溶铜中的聚奪亚 胺聚娃氧烷。
在本发明的实施甲.片状集成电路晶片的基底经过了热熔枯合刑有 机溶剂溶液的处理。热熔粘合剂以每分钟2 0 0 0—7 00 0转的速度被甩在硅片的背面。然后，将经过处理的片子是在大约为100 —1 2 0 °C：下加热3 0—6 0分钟，
而后再在大约18 0°C一2 2 0°C温 度下烘烤0. 5 — 1小时。这样•在桂片表面•会产生厚度从0. 5微 米到2 5微米的一层热熔粘合剂 膜。
这样硅片再经过金刚划片器，激光划片器或金刚锯的切剌，就制成 了大批集成电路桂组合件小片。
将前述的一个或多个集成电路桂组合件小片装到载体，如非导电衬底傈氧化铝或氧化铁或导电村底僳铝或铜上，就可以组合成一个集成电 路的阵列。在从1 0 0—3 00 °C的溫度范围内，对集成组合
件基底上 的热熔粘合剂，予以局部加热，当冷却后，复合物就被整体的粘接在载 体的衬底上了。再加上合适的连接就可以产生一个如囹3所示的集成电 路硅组合件的阵列。
为使本领域的技术人员，更好地实施不发明，下面给出一些例子， 用以阐述发明，所有份数以重量计，但并不受用制。
实施例1
表面上有大量集成电路桂组合件的，直径为3英寸的1 0密尔厚硅 片的背面上，用完全亚胺化的聚鰱亚胺桂氧規来处理，这里•聚鲜酰亚 胺桂氧烷已通过丙律链连接珂与双酚一 A酰亚胺基相连的聚二甲
基硅氧 烷的嵌段上。这里还应用了在二甘醇二甲醚中的聚鍵亚胺桂氧規溶液。 在以每分钟2 0 0 0转的速度，将涂敷的聚鰱亚胺桂輩規甩3 0秒钟之 后，将硅片在1 2 0 °C下干燥0.5小时.然后，
在1 5 0 下干燥2. 5 小时。于是得到了基底上涂有1 5微米厚聚麵亚胺的片状集成电路组合 件。该片再由自动微型1 00 6 A型金剛银切剌•从而产生50块直径 为1 0 0密尔的小集成电路桂小片组合件。
一个集成电路连组合件阵列的制做，可通过将几个集成电路桂组合 件小片•放置在氧化铝衬底子来实现。该小片要保持与衬底紧密接触， 以便使聚醚亚胺桂氧規升到允许其软化的溫度，约2 0 0 °C.然后•通
过冷却，将集或电路小片粘接在载体表面上，于是，通过相应连接各种 集成电路的棰极以及源信号电极•就可制成一个可用的集成电路桂组合 件阵列。
应当指出，尽管上述实施例只针对着可被用于本发明方法，许多实 际施例中的一小部分。本犮明方法却是适用于各种热溶粘合剂的。
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