技术领域
[0001] 本
发明涉及一种多孔载体表面钯或钯合金复合膜及其制备方法,属于无机膜制备及应用技术领域。
背景技术
[0002] 钯具有良好的机械、热
稳定性,以及极高的氢渗透选择性,广泛应用于催化膜反应、氢分离与纯化领域。传统的催化膜反应、氢分离与纯化用钯元件采用了冷拔纯钯管、钯合金管,其工艺简单,但钯合金厚度大,成本高、效率低。目前开发的钯膜/多孔载体技术将钯或钯合金膜负载于多孔载体表面,在保证器件整体机械强度的前提下,降低了钯膜的厚度及成本,提高了钯膜的氢渗透率,其商业应用前景广阔。
[0003] 钯膜/多孔载体所采用的多孔载体一般为多孔玻璃、多孔陶瓷、多孔金属等,易存在表面孔径大的问题,导致在其上沉积的钯膜厚度过大。为了降低多孔载体的表面孔径以利于致密钯
薄膜的制备,普遍采用的做法是在多孔载体表面制备一层陶瓷过渡层。但是,由于陶瓷材料
烧结温度高,导致中低温制备的陶瓷过渡层机械强度不高。采用
磁控溅射等低温合成方法可以在多孔载体表面制备过渡层,但是磁控溅射陶瓷过渡层难以形成连续薄膜,对多孔载体无法进行有效减孔;大气
等离子喷涂制备的陶瓷过渡层表面粗糙度过大,导致致密钯膜的厚度太大;而湿粉喷涂制备的陶瓷过渡层与多孔载体及以钯膜之间的膜基结合强度较差,难以满足气体纯化器的应用要求[Y Huang,R Dittmeyer.J.Membrane Sci.,2006]。
[0004] 传统的化学
镀方法需要在基体表面进行活化敏化,容易引入低熔点
锡杂质,从而影响钯膜的高温使用寿命。CN200810244502.3公开了一种利用纳米钯粉与陶瓷粉体进行混合烧结制备多孔载体过渡层的方法。该方法制备的小孔径过渡层表面光滑,有利于小厚度致密钯膜的制备,同时又避免了传统
化学镀活化敏化等前处理过程中引入锡杂质。但该方法要求纳米钯粉与陶瓷粉体在浆料中混合均匀的技术难度较大,另外,由于陶瓷过渡层的制备温度较高,仅适用于多孔陶瓷载体。
发明内容
[0005] 基于此,本发明的目的在于提供一种多孔载体表面钯或钯合金复合膜,该复合膜中陶瓷过渡层的机械强度高,该复合膜的高温稳定性好。
[0006] 本发明的另一目的在于提供一种所述多孔载体表面钯或钯合金复合膜的制备方法。
[0007] 为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
[0008] 一种多孔载体表面钯或钯合金复合膜,该复合膜由施加于多孔载体上的钯包覆陶瓷过渡层,以及外层致密钯或钯合金薄膜构成。
[0009] 其中,所述钯包覆陶瓷过渡层由具有
核壳结构的钯包覆陶瓷粉体构成,钯包覆层的厚度为10nm-2μm。所述陶瓷粉体为Al2O3、ZrO2、CeO2、CaO、MgO、Y2O3、SiO2、SnO、SbO和TiO2中的一种或几种混合,粉体的平均粒径D50为50nm-50μm。
[0010] 所述多孔载体为多孔玻璃、多孔陶瓷或多孔金属。
[0011] 所述钯合金中的
合金元素为
铜、
银、钇、金和铂中的一种或几种。
[0012] 一种所述多孔载体表面钯或钯合金复合膜的制备方法,包括以下步骤:
[0013] (1)采用化学镀在陶瓷粉体表面制备钯薄膜,获得核壳结构的钯包覆陶瓷粉体;
[0014] (2)将钯包覆陶瓷粉体配制成浆料,并均匀施加于多孔载体表面,然后通过高温
热处理在多孔载体表面获得一层钯包覆陶瓷过渡层;
[0015] (3)在钯包覆陶瓷过渡层表面进行化学镀形成钯或钯合金薄膜。
[0016] 在步骤(1)中,将陶瓷粉体浸渍在含钯活化液中,还原后获得钯晶种,然后再进行化学镀,含钯活化液为氢
氧化钯胶体或钯的有机盐溶液。在还原获得钯晶种的过程中采用氢气作为还原气氛进行热处理,或者采用
水合肼溶液、次
亚磷酸钠或
硼氢化钠水溶液处理。
[0017] 在步骤(1)和步骤(3)中,化学镀的钯镀液中包含钯盐,络合剂为EDTA和/或
氨,还原剂为水合肼、连二
磷酸盐和甲
醛中的一种或多种。
[0018] 在步骤(2)中,配制钯包覆陶瓷粉体的浆料分散剂为水、
乙醇或松油醇,浆料中粉体含量为10-50w%,采用PVA、PEG和阿拉伯树胶中的一种或几种作为粘结剂;采用
旋涂、浸渍提拉、流延或丝网印刷的方法均匀沉积在多孔载体上,在400-900℃进行热处理。
[0019] 本发明的优点在于:
[0020] 本发明采用核壳结构的钯包覆陶瓷粉体作为多孔载体过渡层材料,由于钯膜的存在,有利于陶瓷颗粒的烧结,陶瓷过渡层机械强度得以提高。另外,由于钯包覆陶瓷过渡层为后续化学镀过程钯薄膜沉积提供了钯晶种,避免了传统化学镀敏化活化过程引入的锡杂质,有利于提高钯或钯合金复合膜的高温稳定性。
附图说明
[0021] 图1为本发明多孔载体表面钯或钯合金复合膜的结构示意图。
具体实施方式
[0022] 下面结合附图和
实施例对本发明做进一步说明,但本发明的实施方式不限于此。
[0023] 如图1所示,本发明的多孔载体表面钯或钯合金复合膜该复合膜由施加于多孔载体1上的钯包覆陶瓷过渡层,以及外层致密钯或钯合金薄膜4构成。其中钯包覆陶瓷过渡层由具有核壳结构的钯包覆陶瓷粉体构成,包括陶瓷粉体2和包覆在陶瓷粉体表面的钯薄膜3。
[0024] 实施例1
[0025] 多孔不锈
钢片上钯复合膜的制备,其中多孔
不锈钢表面最大孔径约50μm,步骤如下:
[0026] (1)钯包覆陶瓷粉体的制备:将0.5g乙酰丙
酮钯溶于200mL氯仿,将5gAl2O3粉(平均粒径5μm)浸入该溶液中搅拌30min,抽滤取出陶瓷粉体并干燥,粉体在氢气气氛下600℃热处理1h。配制化学镀钯溶液,将0.4g PdCl2溶于100mL去离子水中,加入5g络合剂EDTA,加入
氨水调节pH值到11,加热溶液到50℃并搅拌,加入活化后的Al2O3粉,并逐滴加入水合肼溶液2mL,反应5min后取出Pd/Al2O3粉体。
[0027] (2)钯包覆陶瓷过渡层的制备:将步骤(1)中的钯包覆陶瓷粉体5g加入到50mL松油醇中并加入阿拉伯树胶2g,
研磨30min得到均匀浆料,采用旋涂的方法均匀沉积在多孔不锈钢基底上,转速3000转/分钟,时间20秒。薄膜在650℃空气气氛中热处理2h,得到Pd/Al2O3过渡层。
[0028] (3)致密钯薄膜的制备:配制化学镀钯溶液,将1.2g PdCl2溶于300mL去离子水中,加入15g络合剂EDTA,加入氨水调节pH值到11,加热溶液到50℃并搅拌,放入带有过渡层的多孔不锈钢片,非镀面用防水
胶带保护,逐滴加入水合肼10mL,化学镀30min。
[0029] 所得到的Pd/Al2O3陶瓷过渡层厚度约20μm,外层钯薄膜厚度约为10μm,薄膜均匀致密,无针孔和微裂纹。
[0030] 实施例2
[0031] 镍铬
铝高温合金多孔管上钯银合金膜的制备,其中镍铬铝多孔管外径为6mm,长度为100mm,壁厚为1mm,表面最大孔径约5μm,步骤如下:
[0032] (1)钯包覆陶瓷粉体制备:将1.5g
醋酸钯溶于300mL甲乙酮,将钇稳定氧化锆(YSZ)粉(平均粒径500nm)5g浸入到该溶液中搅拌,加入
质量分数为3%的硼氢化钠溶液后搅拌30min,取出粉体烘干。配制化学镀钯溶液,将0.4gPdCl2溶于100mL去离子水中,加入5g络合剂EDTA,加入氨水调节pH值到11,加热到50℃并搅拌,加入活化后的YSZ粉,并逐滴加入水合肼溶液2mL,反应5min后取出Pd/YSZ粉体。
[0033] (2)钯包覆陶瓷过渡层的制备:将步骤(1)中的粉体5g加入到100mL去离子水中并加入聚乙烯醇(PVA)5g加热搅拌使PVA溶解,球磨1h得到均匀浆料,采用浸渍提拉法均匀沉积在多孔管上。450℃空气气氛中热处理2h,得到Pd/YSZ过渡层。
[0034] (3)致密钯合金薄膜的制备:加PdCl2粉末1.2g于300mL去离子水中,加入15g络合剂EDTA,加入氨水调节pH值到11,加热到50℃并搅拌,逐滴加入水合肼10mL,化学镀30min后取出。在钯层表面化学镀Ag,加1.5g AgNO3于300mL去离子水中,加入15g络合剂Na2EDTA,加入氨水调节pH值到11,加热到40℃并搅拌,逐滴加入水合肼6mL,化学镀5min后取出,氩气气氛600℃热处理5h进行合金化。
[0035] 所得到的Pd/YSZ过渡层厚度约10μm,外层钯银合金膜厚度约为12μm,薄膜均匀致密,无针孔和微裂纹。
[0036] 实施例3
[0037] 多孔氧化铝陶瓷管上钯
铜合金膜的制备,其中多孔氧化铝陶瓷管外径为8mm,长度为120mm,壁厚为2mm,表面最大孔径约200nm,步骤如下:
[0038] (1)钯包覆陶瓷粉体的制备:将0.5g乙酰丙酮钯溶于200mL氯仿,将5gAl2O3粉(平均粒径5μm)浸入该溶液中搅拌30min,抽滤取出陶瓷粉体并干燥,粉体在氢气气氛下600℃热处理1h。配制化学镀钯溶液,将0.4g PdCl2溶于100mL去离子水中,加入5g络合剂EDTA,加入氨水调节pH值到11,加热溶液到50℃并搅拌,加入活化后的Al2O3粉,并逐滴加入水合肼溶液2mL,反应5min后取出Pd/Al2O3粉体。
[0039] (2)钯包覆陶瓷过渡层的制备:将步骤(1)中的粉体5g加入到100mL去离子水中并加入PVA 5g加热搅拌使PVA溶解,球磨1h得到均匀浆料,采用浸渍提拉法均匀沉积在多孔管上。450℃空气气氛中热处理2h,得到Pd/YSZ过渡层。
[0040] (3)致密钯合金薄膜的制备:加PdCl2粉末1.2g于300mL去离子水中,加入15g络合剂EDTA,加入氨水调节pH值到11,加热到50℃并搅拌,逐滴加入水合肼10mL,化学镀30min后取出。将样品烘干后进行磁控溅射镀铜,电源
电压400V,
电流5mA,沉积时间10min,取出后进行氩气气氛600℃热处理5h进行合金化。
[0041] 所得到的YSZ陶瓷过渡层厚度约10μm,顶层钯铜合金膜厚度约为10μm,薄膜均匀致密,无针孔和微裂纹。