专利汇可以提供CMOS图像传感器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种CMOS图像 传感器 包括:光感测器件,用于产生光电荷;浮动扩散区,用于存储由所述光感测器件产生的光电荷;传递晶体管,其连接在所述光感测器件和所述浮动扩散区之间,用于将由所述光感测器件产生的光电荷传递到所述浮动扩散区;重置晶体管,其连接在电源 电压 端子 和所述浮动扩散区之间,用于将存储在所述浮动扩散区中的电荷放电以重置所述浮动扩散区;驱动晶体管,用于响应于来自所述光感测器件的输出 信号 来充当源跟随器缓冲 放大器 ; 开关 晶体管,其连接到所述驱动晶体管,用于进行寻址操作;以及电荷 控制器 件,其连接在所述光感测器件和所述传递晶体管之间,用于控制存储在所述光感测器件中的电荷的量。,下面是CMOS图像传感器专利的具体信息内容。
1.一种互补金属氧化物硅(CMOS)图像传感器,包括:
光感测器件,用于产生光电荷;
浮动扩散区,用于存储由所述光感测器件产生的光电荷;
传递晶体管,其连接在所述光感测器件和所述浮动扩散区之间,用 于将由所述光感测器件产生的光电荷传递到所述浮动扩散区;
重置晶体管,其连接在电源电压端子和所述浮动扩散区之间,用于 将存储在所述浮动扩散区中的电荷放电以重置所述浮动扩散区;
驱动晶体管,用于响应于来自所述光感测器件的输出信号来充当源 跟随器缓冲放大器;
开关晶体管,其连接到所述驱动晶体管,用于进行寻址操作;以及
电荷控制器件,其连接在所述光感测器件和所述传递晶体管之间, 用于控制存储在所述光感测器件中的电荷的量。
2.权利要求1所述的CMOS图像传感器,其中所述电荷控制器件利 用晶体管来实施。
3.权利要求1所述的CMOS图像传感器,其中所述电荷控制器件通 过将存储在所述光感测器件中的过量电荷放电来控制存储在所述光感测 器件中的电荷的量。
4.权利要求3所述的CMOS图像传感器,其中所述电荷控制器件和 所述光感测器件之间的势垒被形成到小于所述光感测器件和所述传递晶 体管之间的势垒的高度,使得存储在所述光感测器件中的过量电荷可以 流到所述电荷控制器件以被放电。
5.权利要求1所述的CMOS图像传感器,其中所述电荷控制器件具 有一个端子,其连接到所述传递晶体管的一个端子和所述光感测器件的 一个端子;以及另一个端子,其连接到与所述重置晶体管的一个端子和 所述驱动晶体管的一个端子连接的所述电源电压端子。
6.一种制造互补金属氧化物硅(CMOS)图像传感器的方法,该方 法包括:
提供用于产生光电荷的光感测器件;
提供用于存储由所述光感测器件产生的光电荷的浮动扩散区;
将传递晶体管连接在所述光感测器件和所述浮动扩散区之间,用于 将由所述光感测器件产生的光电荷传递到所述浮动扩散区;
将重置晶体管连接在电源电压端子和所述浮动扩散区之间,用于将 存储在所述浮动扩散区中的电荷放电以重置所述浮动扩散区;
提供驱动晶体管,其用于响应于来自所述光感测器件的输出信号来 充当源跟随器缓冲放大器;
将开关晶体管连接到所述驱动晶体管,用于进行寻址操作;以及
将电荷控制器件连接在所述光感测器件和所述传递晶体管之间,用 于控制存储在所述光感测器件中的电荷的量。
7.权利要求6所述的方法,其中所述电荷控制器件利用晶体管来实 施。
8.权利要求6所述的方法,其中所述电荷控制器件通过将存储在所 述光感测器件中的过量电荷放电来控制存储在所述光感测器件中的电荷 的量。
9.权利要求8所述的方法,其中所述电荷控制器件和所述光感测器 件之间的势垒被形成到小于所述光感测器件和所述传递晶体管之间的势 垒的高度,使得存储在所述光感测器件中的过量电荷可以流到所述电荷 控制器件以被放电。
10.权利要求6所述的方法,其中所述电荷控制器件具有一个端子, 其连接到所述传递晶体管的一个端子和所述光感测器件的一个端子;以 及另一个端子,其连接到与所述重置晶体管的一个端子和所述驱动晶体 管的一个端子连接的所述电源电压端子。
本发明涉及一种半导体器件,更具体地,涉及一种CMOS图像传感 器,其中电荷控制器件安装在光感测器件和重置晶体管之间以将过量的电 荷放电,由此防止所述过量电荷所导致的对相邻晶体管的干扰。
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