专利汇可以提供阈值基准电流产生电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 阈值 基准 电流 产生 电路 ,第一~第三镜像电流源的一端和第一PMOS晶体管的衬底与电源 电压 端VPWR相连接,第一镜像电流源的另一端与第一PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的栅极相连接,其连接的 节点 记为VIN;第一NMOS晶体管的漏极与第二镜像电流源的另一端相连接,其源极与第一 电阻 的一端和第二NMOS晶体管的栅极相连接,其连接的节点记为VRES;第三镜像电流源的另一端与第二NMOS晶体管的漏极和第一PMOS晶体管的栅极相连接;第一PMOS晶体管的漏极、第一电阻的另一端和第一NMOS晶体管的衬底、以及第二NMOS晶体管的源极和衬底接地。本发明能够降低反相 放大器 转换特性,随 电源电压 变化。,下面是阈值基准电流产生电路专利的具体信息内容。
1.一种阈值基准电流产生电路,其特征在于:由三个镜像电流源、一个PMOS晶体管、两个NMOS晶体管和一个电阻组成;
第一~第三镜像电流源的一端与电源电压端VPWR相连接,第一镜像电流源的另一端与第一PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的栅极相连接,其连接的节点记为VIN,第一PMOS晶体管的漏极接地,其衬底与电源电压端VPWR相连接;
第二镜像电流源的另一端与第一NMOS晶体管的漏极相连接,第一NMOS晶体管的源极与第一电阻的一端和第二NMOS晶体管的栅极相连接,其连接的节点记为VRES;第一电阻的另一端和第一NMOS晶体管的衬底接地;
第三镜像电流源的另一端与第二NMOS晶体管的漏极和第一PMOS晶体管的栅极相连接,第二NMOS晶体管的源极和衬底接地。
2.如权利要求1所述的电路,其特征在于:所述节点VIN和VRES通过第一NMOS晶体管和第一电阻形成正相放大,所述节点VRES和VIN通过第三镜像电流源和第一PMOS晶体管形成反相放大。
3.如权利要求1所述的电路,其特征在于:所述正相放大和反相放大形成节点VRES和VIN的稳定电压点。
4.如权利要求1所述的电路,其特征在于:阈值基准电流Ires=Vgsn2/RES,其中,Vgsn2为第二NMOS晶体管的栅极和源极电压差,RES为第一电阻。
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