专利汇可以提供一种动态体偏置施密特触发器电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种动态体偏置 施密特触发器 电路 ,利用体偏置技术控制第一NMOS晶体管(10)、第一PMOS晶体管(11)的体区 电压 ,改变第一NMOS晶体管(10)、第一PMOS晶体管(11)的 阈值 电压,进而形成双 开关 阈值的施密特触发器电路的实现。当输入 信号 为低电平时,在第二NMOS晶体管(12)、第二PMOS晶体管(13)、NMOS体控制电路(14)与PMOS(15)控制电路作用下,施密特触发器呈现出高开关阈值V+。同样,当 输入信号 为高电平电平时,在第二NMOS晶体管(12)、第二PMOS晶体管(13)、NMOS体控制电路(14)与PMOS(15)控制电路作用下,施密特触发器呈现出低开关阈值V-。,下面是一种动态体偏置施密特触发器电路专利的具体信息内容。
1. 一种动态体偏置施密特触发器电路,包括第一PMOS晶体管(11)、第二PMOS晶体管(13)、第三PMOS晶体管(17)、第一NMOS晶体管(10)、第NMOS晶体管(12)、第三NMOS晶体管(16),其特征在于,所述第二PMOS晶体管(13)的栅极接节点(C),源极接高电平端VDD,漏极接第一PMOS晶体管(11)的体区(A);第NMOS晶体管(12)的栅极接节点(C),源极接公共端GND,漏极接第一NMOS晶体管(10)的体区(B);所述第一PMOS晶体管(11)的体区(A)通过一个PMOS体控制电路(15)连接至输出端(D);所述第一NMOS晶体管(10)的体区(B)通过一个NMOS体控制电路(14)连接至输出端(D),NMOS体控制电路(14)和PMOS体控制电路(15)在施密特触发器由低电平到高电平转换过程中,使第一NMOS晶体管(10)的体区(B)电压为0,第一PMOS晶体管(11)的体区(A)电压略大于VDD-Vpon,Vpon为第一PMOS晶体管(11)源体PN结的开启电压;在施密特触发器在由高电平到低电平转换过程中,使第一NMOS晶体管(10)的体区(B)电压略小于第一NMOS晶体管(10)体源PN结的开启电压Vnon,第一PMOS晶体管(11)的体区(A)电压为VDD;从而实现施密特触发器在电平转换过程中表现出不同的开关阈值。
2. 如权利要求1所述的动态体偏置施密特触发器电路,其特征在于,所 述NMOS体控制电路(14)由丽0S晶体管基于PDSOI工艺制备的PN结二级管串联构成。
3. 如权利要求l所述的动态体偏置施密特触发器电路,其特征在于,所 述PM0S体控制电路(15)由PM0S晶体管基于PDSOI工艺制备的PN结二级管 串联构成。
4. 如权利要求2所述的动态体偏置施密特触发器电路,其特征在于,所 述PN结二极管是由丽OS晶体管的栅极、源极和漏极相联形成节点(22),构成 二极管的负极;丽OS晶体管的体区(23)构成二极管的正极。
5. 如权利要求3所述的动态体偏置施密特触发器电路,其特征在于,所 述PN结二极管是由PMOS晶体管的栅极、源极和漏极相联形成节点(20),构成二极管的正极;PMOS晶体管的体区(21)构成二极管的负极。
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