已知，以往以来，存在一种所谓单槽式基板清洗装置，该单槽式基板清 洗装置在基板的制造工序中，于一个处理槽内对基板依次进行药液处理和冲 洗处理。单槽式基板清洗装置，通过将基板浸渍于贮留在处理槽内的药液中， 并一边从处理槽的底部供给药液，一边使药液从处理槽的上部溢出，从而对 基板进行药液处理。而且，若规定时间的药液处理结束，则单槽式基板清洗 装置通过从处理槽底部供给纯水，将处理槽内的药液缓慢地置换为纯水。然 后，一边使纯水从处理槽上部溢出，一边进行规定时间的冲洗处理。
这种现有的基板清洗装置在开始进行冲洗处理之后，当经过规定时间， 则计测贮留在处理槽内的纯水的电阻率。所计测的电阻率若大于或等于规定 阈值，则判断为在处理槽内没有残留有药液成分等杂质，并正常结束冲洗处 理。另一方面，若所计测的电阻率小于规定阈值，则判断为在处理槽内残留 有药液成分等杂质，并对操作员发出警报。如此地，在现有的基板清洗装置 中，基于纯水的电阻率控制冲洗处理的结束工作。
例如，在专利文献1中公开了现有的单槽式基板清洗装置。而且，例如， 在专利文献2中公开了在现有基板清洗装置中对电阻率进行的处理。
专利文献1：JP特开2000-68241号公报
专利文献2：JP特开平08-103739号公报
图4是表示出了处理槽内的液体电阻率发生变动的例子的曲线图，该处 理槽内的液体电阻率发生变动的例子，是在单槽式基板清洗装置中，一边以 稀氢氟酸(药液)→纯水→SC-1液(药液)→纯水→SC-2液(药液)→纯水 的顺序置换液体，一边进行清洗处理时，处理槽内的液体电阻率发生变动的 例子。如图4所示，液体的电阻率在进行药液处理时下降，在进行冲洗处理 时恢复。在现有的基板清洗装置中，确认这种电阻率恢复到大于或等于规定 阈值的情况，从而正常地结束冲洗处理。然而，如图4所示，冲洗处理时的 电阻率的恢复曲线随着在此之前的药液处理中所使用的药液种类的不同而大 有不同。例如，存在下述趋势，即，在稀氢氟酸的药液处理之后进行冲洗处 理比在SC-1液或者SC-2液的药液处理之后进行冲洗处理难于提升电阻率。
另一方面，在现有的基板清洗装置中，通过使用如图5所示的条件(recipe) 设定画面，设定药液处理及冲洗处理的处理内容。在该条件设定画面中也设 定了在结束各个处理时是否进行电阻率的检查(图5中的区域A2)，并且以 在其它参数文件中作为单一数值的方式，规定成为检查基准的阈值。因此， 虽然如上所述药液种类不同而电阻率的恢复曲线不同，但是不能按照用于药 液处理的药液种类来设定不同数值的电阻率阈值。
在半导体器件的制造工序中，为了防止成品率及器件特性下降，使用如 上所述的单槽式基板清洗装置来清洗半导体晶片，且从半导体晶片的表面除 去颗粒及金属杂质。然而，如上所述地，在不能按照药液种类单个地设定电 阻率阈值的情况下，当进行冲洗处理时，液体电阻率有可能不能充分地恢复。 若这样，即使通过药液处理能够从基板表面除去颗粒及金属杂质，在进行冲 洗处理之后，半导体晶片表面也残留有药液成分，从而该药液成分有可能引 起成品率及器件特性的下降。尤其是，在栅绝缘膜的形成工序及电容器的形 成工序中，有可能发生绝缘膜抗压能力差等的可靠性问题。
例如，在半导体晶片表面形成栅绝缘膜的工序中，作为前期清洗进行如 上所述的清洗处理(即，一边以稀氢氟酸→纯水→SC-1液→纯水→SC-2液→ 纯水的顺序置换液体，一边进行清洗处理)。在这种情况下，在药液处理之 后进行水洗处理时，若不能充分除去药液成分，则有可能引起如下问题。
稀氢氟酸主要用于除去牺牲氧化膜，但是，若在冲洗处理后残留有稀氢 氟酸成分，则有可能使形成栅绝缘膜的硅表面的粗糙度恶化。而且，受此牵 连，使硅表面的结晶缺陷及凹坑(pit)扩大，因此在此之后形成的栅绝缘膜 的膜质变粗，并有可能引起栅绝缘膜的抗压能力差等的可靠性的恶化。
另外，SC-1液主要用于除去颗粒，但是，若在冲洗处理之后，残存SC-1 液中的氨成分，则有可能使形成栅绝缘膜的硅表面的粗糙度恶化。而且，受 此牵连，使硅表面的结晶缺陷及凹坑(pit)扩大，因此在此之后形成的栅绝 缘膜的膜质变粗，并有可能引起栅绝缘膜的抗压能力差等的可靠性的恶化。
另外，SC-2液主要用于除去金属杂质，若在进行冲洗处理之后，残存SC-2 液中的氯成分，则钙(Ca)等轻金属容易附着在半导体晶片表面。因此，所 附着的轻金属，有可能成为颗粒从而导致栅绝缘膜的抗压能力差。

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种如下所述的技术， 即，在单槽式基板清洗装置中，使用对应药液种类的最合适的阈值进行电阻 率的检查，从而能够使冲洗处理的结束工作更为恰当。尤其是，提供一种通 过应用到半导体器件的制造工序而能够抑制成品率及器件特性的下降的技 术。
为了解决上述问题，本发明的第一技术方案为一种基板清洗方法，其在 一个处理槽内，对基板依次进行药液的药液处理和纯水的冲洗处理，其特征 在于，根据用于药液处理的药液种类来设定用于所述冲洗处理时进行的电阻 率检查的阈值，其中，所述药液处理在紧接着所述冲洗处理之前实施。
本发明的第二技术方案为一种基板清洗方法，其在一个处理槽内，对基 板依次进行药液的药液处理和纯水的冲洗处理，其特征在于，包括：
第一工序，其在所述处理槽内，用第一药液进行第一药液处理；第二工 序，其向所述处理槽内供给纯水，从而排出第一药液，用纯水进行第一冲洗 处理；第三工序，其向所述处理槽内供给第二药液，从而排出纯水，用第二 药液进行第二药液处理；第四工序，其向所述处理槽内供给纯水，从而排出 第二药液，用纯水进行第二冲洗处理，
而且，单个地设定下述阈值，即，用于在所述第二工序的第一冲洗处理 时所进行的处理液电阻率检查的阈值，以及用于在所述第四工序的第二冲洗 处理时所进行的处理液电阻率检查的阈值。
本发明的第三技术方案为第二技术方案所述的基板清洗方法，其特征在 于，第一药液为氢氟酸，第二药液为SC-1。
本发明的第四技术方案为第二技术方案所述的基板清洗方法，其特征在 于，第一药液为SC-1，第二药液为SC-2。
本发明的第五技术方案为第二技术方案所述的基板清洗方法，其特征在 于，第一药液为氢氟酸，第二药液为SC-2。
本发明的第六技术方案为第二技术方案至第五技术方案中任一技术方案 所述的基板清洗方法，其特征在于，在所述第二工序及所述第四工序中，若 贮留在所述处理槽内的处理液电阻率达到对各个工序所设定的阈值，则分别 正常结束第一冲洗处理及第二冲洗处理。
本发明的第七技术方案为一种基板清洗装置，其用处理液对基板进行清 洗，其特征在于，具有：处理槽，其贮留处理液；保持装置，其在贮留于所 述处理槽的处理液中使基板浸渍的同时保持基板；电阻率测定装置，其测定 贮留在所述处理槽的处理液的电阻率；供给装置，其向所述处理槽内供给作 为处理液的第一药液、纯水以及第二药液；控制装置，其控制所述供给装置 的处理液的供给工作，使在所述处理槽内依次进行第一药液的第一药液处理、 纯水的第一冲洗处理、第二药液的第二药液处理以及纯水的第二冲洗处理； 电阻率检查装置，其当进行所述第一冲洗处理时，将第一阈值作为基准而检 查由所述电阻率测定装置所测定的电阻率，同时当进行所述第二冲洗处理时， 将第二阈值作为基准而检查由所述电阻率测定装置所测定的电阻率。
本发明的第八技术方案为第七技术方案所述的基板清洗装置，其特征在 于，在所述电阻率检查装置中，若电阻率达到第一阈值及第二阈值，则所述 控制装置分别正常结束第一冲洗处理及第二冲洗处理。
本发明的第九技术方案为第七或第八技术方案所述的基板清洗装置，其 特征在于，还具有阈值设定装置，该阈值设定装置单个地设定所述第一阈值 及所述第二阈值。
本发明的第十技术方案为第九技术方案所述的基板清洗装置，其特征在 于，所述阈值设定装置，根据决定清洗处理的处理内容的处理条件设定所述 第一阈值及所述第二阈值。
根据本发明的第一技术方案，根据用于药液处理的药液种类来设定用于 冲洗处理时进行的电阻率检查的阈值，其中，在所述药液处理之后紧接着进 行所述冲洗处理。因此，能够使用与在冲洗处理时所排出的药液种类相对应 的最合适的阈值检查电阻率。
根据本发明的第二技术方案至第六技术方案，单个地设定以下阈值，即， 在第二工序的第一冲洗处理时进行的处理液的电阻率检查所使用的阈值，以 及在第四工序的第二冲洗处理时进行的处理液的电阻率检查所使用的阈值。 因此，能够使用与在第一冲洗处理时以及第二冲洗处理时分别排出的药液种 类相对应的最合适的阈值检查电阻率。
尤其是，根据本发明的第六技术方案，在第二工序及第四工序中，若贮 留在处理槽内的处理液电阻率达到对每一个工序所设定的阈值，则分别正常 结束第一冲洗处理及第二冲洗处理。因此，能够将对各个工序单个地设定的 阈值作为基准，恰当地结束冲洗处理。
另外，根据本发明的第七技术方案至第十技术方案，基板清洗装置当进 行第一冲洗处理时，将第一阈值作为基准检查由电阻率测定装置所测定的电 阻率，同时，当进行第二冲洗处理时，将第二阈值作为基准检查由电阻率测 定装置所测定的电阻率。因此，能够按照第一冲洗处理及第二冲洗处理时分 别排出的药液种类而使用最合适的阈值检查电阻率。
尤其是，根据本发明的第八技术方案，在电阻率检查装置中，若电阻率 达到第一阈值及第二阈值，则控制装置分别正常结束第一冲洗处理及第二冲 洗处理。因此，能够将第一阈值及第二阈值作为基准，恰当地结束冲洗处理。
尤其是，根据本发明的第九技术方案，还具有单个地设定第一阈值及所 述第二阈值的阈值设定装置。因此，能够按照药液种类任意地设定第一阈值 及第二阈值。
尤其是，根据本发明的第十技术方案，阈值设定装置，根据决定清洗处 理的处理内容的处理条件设定第一阈值及第二阈值。因此，在设定处理条件 之际，能够容易地对每一个工序设定第一阈值及第二阈值。
附图说明
图1是表示本发明一个实施方式的基板清洗装置的结构的图形。
图2是表示显示在显示部上的条件(recipe)设定画面的一个例子的图形。
图3是表示基板清洗装置的工作流程的流程图。
图4是表示单槽(one bath)式基板清洗装置的电阻率的变动的一个例子 的曲线图。
图5是表示现有条件设定画面的一个例子的图形。
其中，附图标记说明如下：
1基板清洗装置                10处理槽
13喷出喷嘴                   15电阻率
20升降机                     22驱动部
30处理液供给部               31氢氟酸供给源
32氢氧化铵供给源             33盐酸供给源
34过氧化氢供给源             35纯水供给源
36混合阀                     37a～37f配管
38a～38e开关阀               40控制部
41存储部                     41a处理条件
42显示部                     42a条件设定画面
43输入部                     W基板

下面，参照附图，说明本发明的优选实施方式。
1.基板清洗装置的整体结构
图1是表示本发明一个实施方式的基板清洗装置1的结构的图形。该基 板清洗装置1是所谓的单槽式基板清洗装置，其通过在一个处理槽10内对基 板W依次进行药液的药液处理及纯水的冲洗处理对基板W进行清洗。如图1 所示，基板清洗装置1具有用于贮留药液或纯水的处理槽10、用于保持基板 9的升降机20，用于向处理槽10供给药液及纯水(下面，将药液和纯水总称 为“处理液”)的处理液供给部30以及用于对装置内各部分的工作进行控制的 控制部40。
处理槽10由耐腐蚀性构件构成，且为贮留药液或纯水的容器。处理槽10 具有内槽11和外槽12，其中，该内槽11贮留药液或纯水并使多张基板W在 其内部浸渍，该外槽12形成在内槽11的外周面的上端部。另外，在内槽11 的底部，设置有向内槽11内部喷出药液或纯水的喷出喷嘴13。喷出喷嘴13 具有一对喷管13a，并且在每一个喷管13a形成有多个喷出口(未图示)。由 此，供给到喷管13a的药液或纯水从多个喷出口喷出，并贮留在内槽11的内 部。另外，贮留到内槽11上部的处理液从内槽11的上部溢出被回收到外槽 12，并经由连接于外槽12的配管14向工厂内的排液线路排出。
在贮留到处理槽10内的处理液液面附近，设置有电阻率计15。电阻率计 15具有一对金属电极，且具有对贮留在处理槽10内的处理液电阻进行计测的 功能。电阻率计15在冲洗处理之后进行电阻率的检查(check)之际，计测 处理液的电阻率，并将所得到的电阻率作为电信号发送至控制部40。也可以 在电阻率计15的金属电极中内置温度传感器，将电阻率对应规定温度的换算 值发送到控制部40。
升降机20为将多张基板W一起保持并上下搬运的搬运机构。升降机20 具有沿着垂直于图1纸面的方向延伸的3条保持棒21，且每一个保持棒21 刻有多个保持槽(未图示)。多张基板W以其周缘部与保持槽相嵌合的状态 且相互平行站立的状态保持在3条保持棒21上。而且，升降机20与在图1 中示意性表示的驱动部22连接。若使驱动部22进行工作，则保持基板W的 升降机20进行升降移动，并且在处理槽10内的浸渍位置(图1状态)和处 理槽10上方的被提升的位置之间搬运基板W。
处理液供给部30为用于向处理槽10内供给药液或纯水的配管系统。处 理液供给部30由氢氟酸供给源31、氢氧化铵供给源32、盐酸供给源33、过 氧化氢供给源34、纯水供给源35、混合阀36、多条配管37a～37f以及多个开 关阀38a～38e组合构成。氢氟酸供给源31、氢氧化铵供给源32、盐酸供给 源33、过氧化氢供给源34以及纯水供给源35分别通过配管37a、37b、37c、 37d、37e与混合阀36连接，并且在配管37a、37b、37c、37d、37e的路径上 分别连接有开关阀38a、38b、38c、38d、38e。另外，混合阀36通过配管37f 与处理槽10内的喷出喷嘴13连接。
在这种处理液供给部30中，若关闭开关阀38b～38d的同时打开开关阀 38a、38e，则来自氢氟酸供给源31的氢氟酸和来自纯水供给源35的纯水分 别通过配管37a、37e供给到混合阀36，并在混合阀36内混合成稀氢氟酸。 然后，所生成的稀氢氟酸从混合阀36通过配管37f供给到喷出喷嘴13，并从 喷出喷嘴13喷出到处理槽10内。
而且，在这种处理液供给部30中，若关闭开关阀38a、38c的同时打开 开关阀38b、38d、38e，则来自氢氧化铵供给源32的氢氧化氨、来自过氧化 氢供给源34的过氧化氢以及来自纯水供给源35的纯水分别通过配管37b、 37d、37e供给到混合阀36，并在混合阀36内混合成SC-1液。然后，所生成 的SC-1液从混合阀36通过配管37f供给到喷出喷嘴13，并从喷出喷嘴13喷 出到处理槽10内。
另外，在这种处理液供给部30中，若关闭开关阀38a、38b的同时打开 开关阀38c～38e，则来自盐酸供给源33的盐酸、来自过氧化氢供给源34的 过氧化氢以及来自纯水供给源35的纯水分别通过配管37c、37d、37e供给到 混合阀36，并在混合阀36内混合成SC-2液。然后，所生成的SC-2液从混 合阀36通过配管37f供给到喷出喷嘴13，并从喷出喷嘴13喷出到处理槽10 内。
而且，在这种处理液供给部30中，若关闭开关阀38a～38d的同时打开 开关阀38e，则来自纯水供给源35的纯水通过配管37e、混合阀36、配管37f 供给到喷出喷嘴13，并从喷出喷嘴13喷出到处理槽10内。
控制部40为用于对基板清洗装置1内各部分的工作进行控制的计算机装 置。控制部40与上述电阻率计15、驱动部22以及开关阀38a～38e电连接。 而且，在控制部40连接有由硬盘及存储器构成的存储部41。在存储部41内， 存储有决定了基板清洗装置1的处理内容的处理条件41a。控制部40通过使 驱动部22及开关阀38a～38e按照存储在存储部41内的处理条件41a进行工 作，从而对基板W进行清洗处理。
另外，如图1所示，控制部40连接有由液晶显示装置等构成的显示部42、 由键盘及鼠标构成的输入部43。控制部40能够在显示部42上显示条件设定 画面42a，该条件设定画面42a用于设定存储在存储部41内的处理条件41a。 基板清洗装置1的操作员通过一边参照显示在显示部42上的条件设定画面 42a，一边从输入部43进行输入操作，能够对处理条件41a进行设定处理。
图2是表示显示在显示部42上的条件设定画面42a的一个例子的图形。 如图2所示，在条件设定画面42a中，能够对多个工序的每一个工序设定处 理时间、供给的处理液种类。而且，如图2中的区域A1所示，在条件设定画 面42a中，针对在各个工序中所进行的电阻率的检查处理，能够对每一个工 序设定作为固有数值的成为检查基准的阈值。即，在该基板清洗装置1中， 能够对每一个工序设定不同的阈值，且在各个工序中，能够将不同的阈值作 为基准进行电阻率的检查处理。
例如，在图2的条件设定画面42a中，将工序2的检查处理的阈值设定 为800，与此相对地，将工序4、6的检查处理的阈值设定为1000，从而这些 阈值为不同的数值。从而，基板清洗装置1在工序2和工序4、6中使用不同 的阈值来进行电阻率的检查。此外，在图2的条件设定画面中，虽然工序1、 3、5的检查处理的阈值为0，但是，这表示在工序1、3、5中不进行实质性 的电阻率检查。在显示部42上的条件设定画面42a中所设定的内容通过控制 部40被发送到存储部41，并作为处理条件41a存储(或者更新)到存储部 41内。
2.基板清洗装置的工作
接下来，参照图1和图3的流程图来说明具有上述结构的基板清洗装置1 的清洗处理工作。
在该基板清洗装置1中进行基板W的清洗处理时，首先，操作员一边参 照显示在显示部42上的条件设定画面42a，一边从输入部43进行操作输入， 从而进行处理条件41a的设定(步骤S1)。操作员对每一个工序设定处理时 间及供给的处理液种类。而且，操作员在条件设定画面42a内的区域A1中， 对每一个工序设定用于电阻率检查处理的阈值。此外，下面，参照根据图2 的条件设定画面42a所示设定进行的处理，进行说明。
若条件设定处理结束，则操作员将未处理的基板W安装到升降机20上， 并从输入部43输入规定的处理开始指令。基板清洗装置1的控制部40接收 到来自输入部43的处理开始指令，则首先通过对驱动部22进行驱动使升降 机20下降。这样，基板W与升降机20一起下降至处理槽10内的浸渍位置 (步骤S2)。
接着，控制部40关闭开关阀38b～38d的同时打开开关阀38a、38e。由 此，则来自氢氟酸供给源31的氢氟酸和来自纯水供给源35的纯水混合成稀 氢氟酸，所生成的稀氢氟酸从喷出喷嘴13喷出到处理槽10内。从喷出喷嘴 13喷出的稀氢氟酸被贮留到处理槽10内，并最终从内槽11上部向外槽12 溢出。基板W成为浸渍在贮留于处理槽10内的稀氢氟酸中的状态，并被进 行稀氢氟酸的药液处理(处理条件上工序1，步骤S3)。
若规定时间的药液处理结束，则控制部40将状态设定成关闭开关阀38a 的仅打开开关阀38e的状态。这样，仅仅来自纯水供给源35的纯水通过混合 阀36供给到喷出喷嘴13，并从喷出喷嘴13喷出到处理槽10内。喷出到处理 槽10内的纯水缓慢地从处理槽10排出处理槽10内的稀氢氟酸，从而将处理 槽10内的稀氢氟酸置换为纯水。然后，通过贮留在处理槽10内的纯水对基 板W进行冲洗处理(处理条件上工序2，步骤S4)。
在冲洗处理开始之后，经过规定处理时间，控制部40接收电阻率计15 所计测的电阻率，并对所接收的电阻率进行检查(步骤S5)。具体而言，控 制部40将在处理条件41a上的工序2中所设定的阈值与从电阻率计15接收 的电阻率比较，若电阻率大于或等于阈值，则正常结束冲洗处理。另一方面， 在电阻率小于阈值的情况下，控制部40在显示部42显示规定的警告信息， 等待操作员的处理(步骤S6)。
若冲洗处理正常结束，则接下来，控制部40在关闭开关阀38a、38c的 状态下，打开开关阀38b、38d、38e。这样，来自氢氧化铵供给源32的氢氧 化氨、来自过氧化氢供给源34的过氧化氢以及来自纯水供给源35的纯水混 合而生成SC-1液，所生成的SC-1液从喷出喷嘴13喷出到处理槽10内。喷 出到处理槽10内的SC-1液缓慢地从处理槽10排出处理槽10内的纯水，从 而将处理槽10内的纯水置换为SC-1液。然后，通过贮留在处理槽10内的 SC-1液对基板W进行药液处理(处理条件上的工序3，步骤S7)。
若规定时间的药液处理结束，则控制部40将状态设定成关闭开关阀38b、 38d的仅打开开关阀38e的状态。这样，仅仅来自纯水供给源35的纯水通过 混合阀36向喷出喷嘴13供给，并从喷出喷嘴13喷出到处理槽10内。喷出 到处理槽10内的纯水缓慢地从处理槽10排出处理槽10内的SC-1液，从而 将处理槽10内的SC-1液置换为纯水。然后，通过贮留在处理槽10内的纯水 对基板W进行冲洗处理(处理条件上的工序4，步骤S8)。
在冲洗处理开始之后，经过规定的处理时间，则控制部40接收电阻率计 15所计测的电阻率，并对所接收的电阻率进行检查(步骤S9)。具体而言， 控制部40将在处理条件41a上的工序4中所设定的阈值与电阻率计15所接 收的电阻率比较，若电阻率大于或等于阈值，则正常结束冲洗处理。另一方 面，在电阻率小于阈值的情况下，控制部40在显示部42显示规定的警告信 息，等待操作员的处理(步骤S10)。
若冲洗处理正常结束，则接着，控制部40在关闭开关阀38a、38b的状 态下，打开开关阀38c、38d、38e。这样，来自盐酸供给源33的盐酸、来自 过氧化氢供给源34的过氧化氢以及来自纯水供给源35的纯水混合而生成 SC-2液，所生成的SC-2液从喷出喷嘴13喷出到处理槽10内。喷出到处理 槽10内的SC-2液缓慢地从处理槽10排出处理槽10内的纯水，从而将处理 槽10内的纯水置换为SC-2液。然后，通过贮留在处理槽10内的SC-2液对 基板W进行药液处理(处理条件上的工序5，步骤S11)。
若规定时间的药液处理结束，则控制部40将状态设定成关闭开关阀38c、 38d的仅打开开关阀38e的状态。这样，仅仅来自纯水供给源35的纯水通过 混合阀36向喷出喷嘴13供给，并从喷出喷嘴13喷出到处理槽10内。喷出 到处理槽10内的纯水从处理槽10缓慢地排出处理槽10内的SC-2液，从而 将处理槽10内的SC-2液置换为纯水。然后，通过贮留在处理槽10内的纯水 对基板W进行冲洗处理(处理条件上的工序6，步骤S12)。
在冲洗处理开始之后，经过规定的处理时间，则控制部40接收电阻率计 15所计测的电阻率，并对所接收的电阻率进行检查(步骤S13)。具体而言， 控制部40将在处理条件41a上的工序6中所设定的阈值与电阻率计15所接 收的电阻率比较，若电阻率大于或等于阈值，则正常结束冲洗处理。另一方 面，在电阻率小于阈值的情况下，控制部40在显示部42显示规定的警告信 息，等待操作员的处理(步骤S14)。
若冲洗处理正常结束，则控制部40关闭开关阀38e从而停止纯水的供给。 然后，控制部40通过使驱动部22工作，从而使升降机20上升，并将基板W 与升降机20一起提升至处理槽10的上方(步骤S15)。通过上述步骤，结 束对一组基板W所进行的一连串的清洗处理。
如上所述地，在本实施方式的基板清洗装置1中，能够在条件设定画面 42a上，对各个工序单个地设定用于电阻率检查的阈值，所述电阻率检查是在 冲洗处理时进行的。因此，若对应在紧接着进行冲洗处理之前使用的药液种 类设定各个阈值，则能够在各个工序的冲洗处理时采用最合适的阈值检查电 阻率。由此，能够适当地结束各工序的冲洗处理。
3.半导体器件制造工序的应用例
在半导体器件的制造工序中，能够使用上述基板清洗装置1来进行在半 导体晶片的表面形成栅绝缘膜之前的清洗。即，能够将作为基板W的半导体 晶片安装到升降机20上，并按照图3的步骤S1～S15进行半导体晶片的清洗 处理。在稀氢氟酸的药液处理(步骤S3)中，主要除去半导体晶片表面的牺 牲氧化膜，而且，在SC-1液的药液处理(步骤S7)以及SC-2液的药液处理 (步骤S11)中，主要除去半导体晶片表面的颗粒及金属杂质。
而且，基板清洗装置1能够单个地设定在各个药液处理后的冲洗处理时 所使用的电阻率的阈值。因此，使用各个对氢氟酸、SC-1以及SC-2的最合 适的阈值，从而能够适当地恢复电阻率，并且在药液处理之后的冲洗处理中 能够充分地除去各药液成分(氢氟酸成分、SC-1、SC-2)。从而，能够对形 成在半导体晶片表面上的栅绝缘膜的膜质进行致密化处理，同时能够形成抗 压能力强的可靠性高的栅绝缘膜。
4.变形例
上面，对本发明的一个实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述例 子。例如，在上述例子中，作为药液使用了氢氟酸、SC-1液以及SC-2液， 但是在本发明中所供给的药液也可以是其它的药液。而且，在一次清洗处理 中所进行的药液处理及冲洗处理的次数也不限于上述次数。
另外，在上述基板清洗装置1中，对基板W仅进行药液处理及冲洗处理， 但是，在基板清洗装置1内，也可以对冲洗处理之后的基板W进行干燥处理。 例如，可将基板W提升至处理槽1上方之后，通过供给IPA(iso propyl alcohol： 异丙醇)蒸汽及对处理空间进行减压，从而干燥基板W的表面。