高密度光盘及其记录用的化合物
专利汇可以提供高密度光盘及其记录用的化合物专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种具有如下式(2)的高 密度 光盘记录用化合物：其中A3、A4为C5至C20的芳香族基(aryl)或杂环基(heteroaryl)，该芳香族基或杂环基的环上可选择性地具有一个或多个取代基；R1与R2为氢 原子 、卤素、或C1至C10的烷基或芳香族基；B为Ar或n为1至4，n′为0至4。以本 发明 的高密度光盘记录用化合物制作的高密度光盘及其制作方法亦一并提供。，下面是高密度光盘及其记录用的化合物专利的具体信息内容。
1.一种具有如下式(2)的高密度光盘记录用化合物：式(2)其中A3、A4为C5至C20的芳香族基(aryl)或杂环基(heteroaryl)，该芳香族基或杂环基的环上可选择性地具有一个或多个取代基；R1与R2为氢原子、卤素、或C1至C10的烷基或芳香族基；B为Ar或n为1至4，n′为0至4。
2.如权利要求1所述的高密度光盘记录用化合物，其特征在于，其中A3与A4选自由具有一个或多个取代基的苯基、苯甲酰基、茀基、萘基、吲哚基、苯吲哚基、噻茆基、和酚基所组成的群组，且该取代基选自由C1-C10烷基，C1-C10烷氧基，硝基、卤基、二乙氧基甲基、二烷基胺基、环烷基、和氰基所组成的群组。
3.如权利要求1所述的高密度光盘记录用化合物，其特征在于，其中n为1至2的整数。
4.如权利要求1所述的高密度光盘记录用化合物，其特征在于，其中n′为0至2的整数。
5.一种高密度光盘的制作方法，主要包括以下步骤：(A)提供一含有至少一沟槽的基板；(B)提供一具有如下式(2)的化合物：式(2)其中A3、A4为C5至C20的芳香族基(aryl)或杂环基(heteroaryl)，该芳香族基或杂环基的环上可选择性地具有一个或多个取代基；R1与R2为氢原子、卤素、或C1至C10的烷基或芳香族基；B为Ar或n为1至4，n′为0至4；(C)将该化合物溶于有机溶剂或高分子溶液中，形成一溶液；(D)将该溶液涂布于该基板上并烘干，以形成一记录层；以及(E)于该记录层上涂布一保护层。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，其中A3与A4选自由具有一个或多个取代基的苯基、苯甲酰基、茀基、萘基、吲哚基、苯吲哚基、噻茆基、和酚基所组成的群组，且该取代基选自由C1-C10烷基，C1-C10烷氧基，硝基、卤基、二乙氧基甲基、二烷基胺基、环烷基、和氰基所组成的群组。
7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，其中n为1至2。
8.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，其中n′为0至2。
9.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，其中该有机溶剂为醇类或酮类。
10.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，其中于步骤(D)之前或之后还包含一步骤(D′)于该基板上形成一反射层。
11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，其中步骤(D′)为以溅镀的方式形成该反射层。
12.一种高密度光盘，主要包含：一含有至少一沟槽的基板；一记录层，位于该基板的一侧，该记录层含有如下式(2)的化合物：式(2)其中A3、A4为C5至C20的芳香族基(aryl)或杂环基(heteroaryl)，该芳香族基或杂环基的环上可选择性地具有一个或多个取代基；R1与R2为氢原子、卤素、或C1至C10的烷基或芳香族基；B为Ar或n为1至4，n′为0至4；以及一保护层，位于该记录层的一侧；其中该记录层位于该基板与该保护层之间。
13.如权利要求12所述的光盘，其特征在于，其中A3与A4选自由具有一个或多个取代基的苯基、苯甲酰基、茀基、萘基、吲哚基、苯吲哚基、噻茆基、和酚基所组成的群组，且该取代基选自由C1-C10烷基，C1-C10烷氧基，硝基、卤基、二乙氧基甲基、二烷基胺基、环烷基、和氰基所组成的群组。
14.如权利要求12所述的光盘，其特征在于，其中n为1至2。
15.如权利要求12所述的光盘，其特征在于，其中n′为0至2。
16.如权利要求12所述的光盘，其特征在于，其中该基板与该记录层间形成有一反射层。
17.如权利要求12所述的光盘，其特征在于，其中该记录层与该保护层间形成有一反射层。
18.如权利要求17所述的光盘，其特征在于，其中形成该反射层的方法为溅镀。
高密度光盘及其记录用的化合物
本申请是申请号03103513.2的分案申请。
技术领域
背景技术
由于高密度光盘必须使用405nm的读写激光波长，以使激光的聚焦更为精细，而达到高密度的纪录能力。而原使用于可记录光盘(CD-R)与DVD-R的激光波长分别为780nm与650nm，故其使用的记录层有机材料，如Cyanine、azo、phthalocyanin已不适用于高密度光盘，必须开发适合的高密度光盘纪录层染料。
发明内容
本发明的另一目的在于提供一种高密度光盘，能适用于主要吸收波长为400至450nm的蓝光激光读写头，并作为高密度储存媒介使用。
本发明的又一目的在于提供一种高密度光盘的制作方法，能制作适用于主要吸收波长为400至450nm的蓝光激光读写头，以作为高密度储存媒介使用。
为实现上述目的，本发明为具有如下式(1)的高密度光盘记录用化合物：式(1)其中A1与A2为C5至C20的芳香族基(aryl)或杂环基(heteroaryl)，该芳香族基或杂环基的环上可选择性地具有一个或多个取代基；R1与R2为氢原子、卤素、或C1至C10的烷基或芳香族基；n为1至4的整数；n′为0至4的整数。
本发明同时另提供一具有如下式(2)的高密度光盘记录用化合物：式(2)其中A3与A4为C5至C20的芳香族基(aryl)或杂环基(heteroaryl)，该芳香族基或杂环基的环上可选择性地具有一个或多个取代基；B为Ar或R1与R2为氢原子、卤素、或C1至C10的烷基或芳香族基。n为1至4的整数；n′为0至4的整数。
本发明高密度光盘，主要包含：一含有至少一沟槽的基板；一记录层，位于该基板的一侧，该记录层含有如下式(1)或式(2)的化合物：式(1)
式(2)其中A1、A2、A3、A4为C5至C20的芳香族基(aryl)或杂环基(heteroaryl)，该芳香族基或杂环基的环上可选择性地具有一个或多个取代基；R1与R2为氢原子、卤素、或C1至C10的烷基或芳香族基；B为Ar或n为1至4，n′为0至4；以及一保护层，位于该记录层的一侧；其中该记录层位于该基板与该保护层之间。
本发明高密度光盘的制作方法，主要包括以下步骤：先提供一含有至少一沟槽的基板；随之提供一具有如下式(1)或式(2)的化合物：式(1)式(2)其中A1、A2、A3、A4为C5至C20的芳香族基(aryl)或杂环基(heteroaryl)，该芳香族基或杂环基的环上可选择性地具有一个或多个取代基；R1与R2为氢原子、卤素、或C1至C10的烷基或芳香族基；B为Ar或
n为1至4，n′为0至4；然后将该化合物溶于有机溶剂或高分子溶液中；再将该溶液涂布于该基板上并烘干，以形成一记录层；以及最后于该记录层上涂布一保护层。
本发明高密度光盘记录用化合物的A1、A2、A3与A4为具有一个或多个取代基的C5至C20的芳香族基(aryl)或杂环基(heteroaryl)，例如苯基、苯甲酰基、茀基、萘基、吲哚基、噻茆基、苯吲哚基、或酚基，且其上有一个或多个取代基，可以是C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、硝基、卤基、二乙氧基甲基、二烷基胺基、环烷基、或氰基；较佳为苯基、甲氧苯基、甲基苯基、异丙基苯基、异丁基苯基、茀基、二乙氧基甲基苯基、乙基胺基苯基、N-2-甲基苯基、t-丁基苯基、环己基苯基、氰基苯基、萘基、或噻茆基。本发明的高密度光盘记录用化合物的n为1至4的整数；较佳为1至2。本发明高密度光盘记录用化合物的n′为0至4的整数；较佳为0至2。本发明高密度光盘的制作方法所使用的有机溶剂无限制，可以是醇类、酮类、醚类、烯类、烷类或酯类，较佳为醇类或酮类。本发明高密度光盘的制作方法，主要包括以下步骤：(A)提供一含有至少一沟槽的基板。
(B)提供一具有如下式(1)或(2)的化合物：式(1)式(2)其中A1、A2、A3、A4为C5至C20的芳香族基(aryl)或杂环基(heteroaryl)，该芳香族基或杂环基的环上可选择性地具有一个或多个取代基；R1与R2为氢原子、卤素、或C1至C10的烷基或芳香族基；B为Ar或
n为1至4，n′为0至4。
(C)将该化合物溶于有机溶剂或高分子溶液中，形成一溶液；(D)将该溶液涂布于该基板上并烘干，以形成一记录层；以及(E)将该记录层涂布一保护层。
于步骤(D)之前或之后较佳地还包含一步骤(D′)于该基板上形成一反射层。本发明高密度光盘记录用化合物式(2)的A3、A4为选择性地具有一个或多个取代基的C5至C20的芳香族基(aryl)或杂环基(heteroaryl)，较佳为苯基或苯环上有烷取代基的苯甲酰基。
附图说明
图1为本发明化合物1的NMR图。
图2为本发明化合物1的UV图。
图3为本发明化合物10的NMR图。
图4为本发明化合物10的UV图。
图5为本发明化合物14的NMR图。
图6为本发明化合物14的UV图。
图7为本发明的高密度蓝光光盘结构图。
图8为本发明的高密度蓝光可录式光盘(DVR)结构图。
具体实施方式
实施例1：1-(4-甲氧基-苯基)-5-苯基-五-2，4-二烯-1-酮(化合物1)的合成于室温下取2毫升反式-桂皮醛与2.5克4-甲氧基苯乙酮溶于50毫升乙醇中，然后加入10毫升的氢氧化钠水溶液，搅拌使其反应12小时，即可生成黄色固体沉淀，过滤可得产率72％、纯度96.3％的化合物1。图1及图2分别为其NMR及UV图，可得知化合物1最大吸收波长为345nm，吸光系数e为4.5×104亦一并列于表1。
实施例2：1-(2-苯并噻吩基)-4-戊基-5-苯基-五-2，4-二烯-1-酮(化合物10)的合成于室温下取2.5克戊基桂皮醛与2克2-乙酰苯并噻吩溶于50毫升乙醇中，然后加入10毫升的氢氧化钠水溶液，搅拌反应12小时，即可生成黄色固体沉淀，过滤可得产率63％、纯度93％的化合物10。图3及图4分别为化合物10的NMR及UV图，可知化合物10最大吸收波长为358.5nm，吸光系数e为4.2×104亦一并列于表1。
实施例3：3-(4-甲氧基-苯基)-1-萘-2-基-丙烯酮(化合物14)的合成于室温下取2克4-甲氧基苯甲醛与2克2-萘乙酮溶于50毫升乙醇中，然后加入10毫升的氢氧化钠水溶液，搅拌反应12小时，即可生成黄色固体沉淀，过滤可得产率70％、纯度85％的化合物14。图5及图6分别为化合物14的NMR及UV图，可知化合物14最大吸收波长为347.5nm，一并列于表1。
实施例4以与实施例1至3相同的方式，分别取不同的反应物合成如表1所列的其它化合物，并量测其NMR及UV图谱，即可得知各化合物的最大吸收波长。
由所得的NMR图谱可确认合成的化合物结构，而由其UV图谱可看出本发明的化合物的吸收范围皆含括HD-DVD所使用的读写激光波长405nm，确实可作为高密度光盘的记录用化合物。
实施例5：传统光盘结构的高密度蓝光可录式光盘制法首先取表1的化合物2.0克溶于有机溶剂，如：2，2，3，3-四氟丙醇(2，2，3，3-tetrafluoropropanol)、二甲基环己烷(dimethyl cyclohexane)、二甲基-4-庚酮或高分子溶液(Dye-In-Polymer)中，并配制成100g的溶液。将上述溶液利用涂布方式，涂布于基板1上，如图7所示，基板1的厚度为0.6mm、轨距(track pitch)为0.3～0.4μm，并具有沟轨(land)及沟槽(groove)11。之后经烘干制程，可得厚度为50nm～200nm的记录层2，可以涂布溶液的量来调整其厚度。接着将反射层材料溅镀于染料层2上以形成反射层3，然后将另一片厚度为0.6mm的空白透明基板5贴合在反射层3之上，贴合方式可以是旋转涂布法、网印法、热融胶法等等，而于反射层3与空白透明基板5之间形成一贴合层4后，即成为一片厚度为120mm的高密度蓝光可录式光盘(HD-DVD-R)。
实施例6：DVR光盘结构的高密度蓝光可录式光盘制法请参见图8，首先将反射层材料溅镀于基板10上以形成反射层20。基板10具有沟轨(land)及沟槽(groove)101，且其厚度为1.1mm、轨距(trackpitch)为0.3～0.4μm。接着取表1的化合物2.0克溶于有机溶剂，如：2，2，3，3-四氟丙醇2，2，3，3-tetrafluoro-propanol、二甲基环己烷(dimethylcyclohexane)、二甲基-4-庚酮或高分子溶液(Dye-In-Polymer)中，并配制成100g的溶液，并将此溶液利用涂布方式，涂布于上述已溅镀反射层20的基板10上，形成记录层30。之后再于记录层30上溅镀一层厚度约5nm～50nm的透明介电材料层40，然后于介电材料层40上涂布一层厚度约0.1mm的保护膜(Cover Layer)50，即完成一蓝光高密度可录式光盘(DVR)。
本发明的高密度蓝光可录式光盘在波长为405nm下，盘片反射率可达45％以上，相较于传统的光盘的确具有高密度的纪录能力，且记录媒体的容量也大为提升。
上述实施例仅为了方便说明而举例而已，本发明所主张的权利范围自应以申请专利范围所述为准，而非仅限于上述实施例。
表1、化合物的最大吸收波长
表1(续)化合物的最大吸收波长
表1(续)化合物的最大吸收波长
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