专利汇可以提供一种去除多晶硅中硼的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种去除多晶 硅 中 硼 的方法,包括:将工业硅熔融后从反应 坩埚 顶部喷洒而下,将混合气体从下往上输送与熔融的工业硅 接触 反应,同时将反应后的气体及时抽去;所述混合气体由载气和 氧 化性气体组成,所述氧化性气体为氢气、 水 蒸气和氧气中的一种或多种。本发明改变传统直接将氧化性气体通入硅液的方法,而是将硅液通 过喷 洒自由落下,而氧化性气体从底部向上输送,两者在中间 位置 接触反应,增加接触面积,提高了硼等非挥发性元素的去除效率。,下面是一种去除多晶硅中硼的方法专利的具体信息内容。
1.一种去除多晶硅中硼的方法,包括:将工业硅熔融后从反应坩埚顶部喷洒而下,将混合气体从下往上输送与熔融的工业硅接触反应,同时将反应后的气体及时抽去;
所述混合气体由载气和氧化性气体组成,所述氧化性气体为氢气、水蒸气和氧气中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述工业硅的熔融温度为1500~2300℃。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述工业硅熔融后添加造渣剂再与混合气体接触反应。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述造渣剂为氧化钙。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氧化性气体为氧气和水蒸气的混合物。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述工业硅的熔融温度为1500~1700℃。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述混合气体由96%的氩气、3%的氧气和
1%的水蒸气组成。
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