专利汇可以提供一种电泳辅助的造渣除硼方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及 太阳能 级多晶 硅 提纯领域,尤其是涉及一种 电泳 辅助的造渣除 硼 方法。所述的方法包括以下步骤:将原料硅装入 石墨 坩埚 中,完全 熔化 为硅液;保持硅液 温度 在1500~1800℃,将造渣剂加入硅液中造渣;向石墨坩埚中硅液施加直流 电压 ,使反应后的 硼化物 及金属杂质向负极迁移;将硅液进行定向 凝固 ,冷却后取出硅锭,并 切除 上层杂质富集区,得到提纯后的 多晶硅 。本发明的方法可以在去除硼化物的同时,去除一部分的金属杂质;并且降低了造渣剂的用量,降低的成本,减少了工业废料。,下面是一种电泳辅助的造渣除硼方法专利的具体信息内容。
1.一种电泳辅助的造渣除硼方法,其特征在于,所述的方法包括以下步骤:
(1)将原料硅装入石墨坩埚中感应加热至完全熔化为硅液,保持硅液温度在1500~
1800℃;
(2)将造渣剂加入硅液中,加热熔化后与硅液充分接触反应;所述造渣剂为Na2CO3-TiO2-SiO2复合渣系,其组成按质量百分比为:Na2CO330~40%,TiO210~20%,余为SiO2;
(3)将石墨板放置于熔融硅液的上表面,石墨板与外界直流电压的负极相接,石墨坩埚与外界直流电压的正极相接,向石墨坩埚施加直流电压,通电1~6小时后,使反应后的硼化物及金属杂质向负极迁移进入渣中;
(4)保持硅液温度在1450~1550℃,在通电状态下,石墨坩埚以0.10~0.15mm/min的速率下降,离开加热区,进行定向凝固,冷却后取出硅锭,并切除上层杂质富集区,得到提纯后的多晶硅。
2.根据权利要求1所述的一种电泳辅助的造渣除硼方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述的原料硅中杂质的含量为:B为2ppm,Fe为747ppm,Al为535ppm,Ca为29ppm。
3.根据权利要求1所述的一种电泳辅助的造渣除硼方法,其特征在于,在步骤(2)中,所述造渣剂中Na2CO330~35%,TiO215~20%,余为SiO2。
4.根据权利要求1所述的一种电泳辅助的造渣除硼方法,其特征在于,在步骤(2)中,原料硅与造渣剂的质量比为1:0.5~1。
5.根据权利要求1所述的一种电泳辅助的造渣除硼方法,其特征在于,步骤(3)中,电泳电源为直流电源,电压为10~100V。
6.根据权利要求5所述的一种电泳辅助的造渣除硼方法,其特征在于,电压为10~
50V。
7.根据权利要求1所述的一种电泳辅助的造渣除硼方法,其特征在于步骤(3)中,通电时间为2~4小时。
8.根据权利要求1所述的一种电泳辅助的造渣除硼方法,其特征在于步骤(4)中,所切除的上层杂质富集区厚度占整个硅锭的10%。
9.根据权利要求1所述的一种电泳辅助的造渣除硼方法,其特征在于步骤(4)中,得到的提纯后的多晶硅中B的含量为0.2~0.3ppm、金属杂质的含量小于0.1ppm。
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