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一种高精度掩模板的制作方法

阅读:336发布:2021-04-14

专利汇可以提供一种高精度掩模板的制作方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种高 精度 掩模板的制作方法,包括通过蚀刻工艺蚀刻金属 基板 制作掩模板的蚀刻步骤,金属基板包括蚀刻面和非蚀刻面,蚀刻面包括蚀刻区域和非蚀刻区域,非蚀刻区域包括非蚀刻区域一和非蚀刻区域二,蚀刻区域是由其外侧非蚀刻区域一和其内侧非蚀刻区域二围成的封闭区域;在蚀刻步骤中,非蚀刻区域和非蚀刻面设有保护膜,蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔,通孔使非蚀刻区域二与非蚀刻区域一脱离,在蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸 镀 孔。通过本发明所提供的方法制作的掩模板,在制作大尺寸蒸镀孔的掩模板时,将制作大尺寸的蒸镀孔转化为制作小尺寸的通孔,从而提高大尺寸蒸镀孔掩模板的精度。,下面是一种高精度掩模板的制作方法专利的具体信息内容。

1.一种高精度掩模板的制作方法,包括通过蚀刻工艺蚀刻金属基板制作掩模板的蚀刻步骤,其特征在于:
所述金属基板包括蚀刻面和非蚀刻面,所述蚀刻面包括蚀刻区域和非蚀刻区域,所述非蚀刻区域包括非蚀刻区域一和非蚀刻区域二,所述蚀刻区域是由其外侧非蚀刻区域一和其内侧非蚀刻区域二围成的封闭区域;
在所述蚀刻步骤中,所述非蚀刻区域和所述非蚀刻面设有保护膜,所述蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔,所述通孔使所述非蚀刻区域二与所述非蚀刻区域一脱离,在所述蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸孔。
2.根据权利要求1所述的高精度掩模板的制作方法,其特征在于,在所述蚀刻步骤之前还包括贴膜步骤、曝光步骤、显影步骤。
3.根据权利要求2所述的高精度掩模板的制作方法,其特征在于,在所述曝光步骤中,将所述非蚀刻区域的膜曝光形成所述的保护膜,所述蚀刻区域的膜未曝光形成未曝光膜区域。
4.根据权利要求3所述的高精度掩模板的制作方法,其特征在于,所述显影步骤将所述未曝光膜区域的膜去除露出所述的蚀刻区域的金属,所述非蚀刻区域的所述保护膜继续保留。
5.根据权利要求1或2所述的高精度掩模板的制作方法,其特征在于,所述非蚀刻面的所述保护膜通过所述贴膜步骤和所述曝光步骤形成。
6.根据权利要求1或2所述的高精度掩模板的制作方法,其特征在于,所述非蚀刻面的所述保护膜通过在所述非蚀刻面垫一层防止所述蚀刻液与所述非蚀刻面的金属反应的垫板形成。
7.根据权利要求1所述的高精度掩模板的制作方法,其特征在于,所述蚀刻区域的宽度为5~80μm。
8.根据权利要求1所述的高精度掩模板的制作方法,其特征在于,所述金属基板为具有磁性能的材料。
9.根据权利要求8所述的高精度掩模板的制作方法,其特征在于,所述金属基板为因瓦合金
10.一种掩模板,包括掩模板本体及所述掩模板本体上的蒸镀孔, 其特征在于,所述掩模板包括蒸镀面和ITO面,沿所述蒸镀孔中心轴线所在的截面上所述蒸镀孔的边缘线呈碗状,所述蒸镀面的蒸镀孔大于所述ITO面的蒸镀孔,所述蒸镀孔的孔壁与所述掩模板本体的板面呈30°~60°夹

说明书全文

一种高精度掩模板的制作方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一掩模板的制作方法,具体涉及一种OLED蒸用掩模板的制作方法。

背景技术

[0002] 有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode;OLED)显示器具有自主发光、电压直流驱动、全固化、视宽、颜色丰富等一系列的优点,与液晶显示器相比,OLED显示器不需要背光源,视角大,功率低,其响应速度可达到液晶显示器的1000倍,其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器。因此,OLED显示器具有广阔的应用前景,逐渐成为未来20年成长最快的新型显示技术。
[0003] OLED结构中的有机层材料的制作需要用到蒸镀用的掩模板,传统用蚀刻方法制作掩模板,如图1~7所示,包括:贴膜步骤:如图1所示,将膜11压贴或涂覆到金属基板10的两侧;
曝光步骤:如图2所示,将金属基板10进行双面曝光,非蚀刻面的膜曝光形成保护膜
22,蚀刻面的非蚀刻区域的膜曝光形成保护膜20,蚀刻面的蚀刻区域的膜不曝光,形成未曝光膜区域21;
显影步骤:如图3~4所示,将未曝光膜区域21的膜通过显影步骤除去,露出金属基板上的蚀刻区域31,保护膜20和保护膜22继续保留,图3所示为显影后的平面结构示意图,图4所示为图3中沿A-A方向的截面示意图;
蚀刻步骤:如图5所示,蚀刻后在金属基板的蚀刻区域31处形成蒸镀孔51;
脱膜步骤:如图6~7所示,将保护膜20和保护膜22通过脱模步骤脱掉,如图6所示为脱膜后的平面结构示意图,即掩模板整体平面结构示意图,掩模板60包括掩模板本体62以及掩模板本体上的蒸镀孔51,图7所示为图6中沿B-B方向的截面示意图。
[0004] 传统通过上述蚀刻方法制作掩模板,制作小尺寸蒸镀孔(蒸镀孔尺寸L小于100μm )的掩模板时蒸镀孔精度很高,但是制作大尺寸蒸镀孔(蒸镀孔尺寸L大于100μm )的掩模板时,由于蒸镀孔蚀刻量变大,蒸镀孔的精度不高,如图7所示,预设的蒸镀孔51的尺寸为L, 实际制作的蒸镀孔的尺寸L1要比预设的尺寸L偏大或偏小(图7所示为比预设的尺寸偏大),蒸镀孔的精度不高,从而影响蒸镀质量
[0005] 本发明主要是针对以上问题提出一种掩模板的制作方法,较好的解决以上所述问题。

发明内容

[0006] 有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种高精度掩模板的制作方法,在制作大尺寸蒸镀孔(蒸镀孔尺寸大于100μm )的掩模板时可以有效提高掩模蒸镀孔的精度,从而提高蒸镀质量。
[0007] 根据本发明的一方面,提供了一种高精度掩模板的制作方法,包括通过蚀刻工艺蚀刻金属基板制作掩模板的蚀刻步骤,其特征在于:
所述金属基板包括蚀刻面和非蚀刻面,所述蚀刻面包括蚀刻区域和非蚀刻区域,所述非蚀刻区域包括非蚀刻区域一和非蚀刻区域二,所述蚀刻区域是由其外侧非蚀刻区域一和其内侧非蚀刻区域二围成的封闭区域;
在所述蚀刻步骤中,所述非蚀刻区域和所述非蚀刻面设有保护膜,所述蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔,所述通孔使所述非蚀刻区域二与所述非蚀刻区域一脱离,在所述蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸镀孔。
[0008] 进一步地,在蚀刻步骤之前还包括贴膜步骤、曝光步骤、显影步骤。
[0009] 进一步地,在曝光步骤中,将非蚀刻区域的膜曝光形成保护膜,蚀刻区域的膜未曝光形成未曝光膜区域。
[0010] 进一步地,显影步骤将未曝光膜区域的膜去除露出蚀刻区域的金属,非蚀刻区域的所述保护膜继续保留。
[0011] 进一步地,非蚀刻面的保护膜通过贴膜步骤和曝光步骤形成。
[0012] 进一步地,非蚀刻面的所述保护膜通过在非蚀刻面垫一层防止蚀刻液与非蚀刻面的金属反应的垫板形成。
[0013]进一步地,蚀刻区域的宽度为5~80μm。
[0014] 进一步地,金属基板为具有磁性能的材料。
[0015] 优选地,金属基板为因瓦合金
[0016] 根据本发明的另一方面,提供了一种掩模板,所述掩模板包括掩模板本体及所述掩模板本体上的蒸镀孔, 其特征在于,所述掩模板包括蒸镀面和ITO面,沿所述蒸镀孔中心轴线所在的截面上所述蒸镀孔的边缘线呈碗状,所述蒸镀面的蒸镀孔大于所述ITO面的蒸镀孔,所述蒸镀孔的孔壁与所述掩模板本体的板面呈30°~60°夹角。
[0017] 本发明的有益效果在于,通过本方法制作掩模板,在制作大尺寸蒸镀孔的掩模板时(蒸镀孔尺寸大于100μm ),将制作大尺寸的蒸镀孔转化为制作小尺寸的通孔,减小蚀刻量,从而提高大尺寸蒸镀孔掩模板的精度。
[0018] 本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。附图说明
[0019] 本发明的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:图1所示为金属基板贴膜后的截面示意图;
图2所示为现有技术中完成曝光步骤的截面示意图;
图3所示为现有技术中完成显影步骤的平面结构意图;
图4所示为图3中沿A-A方向的截面示意图;
图5所示为现有技术中完成蚀刻步骤的截面示意图;
图6所示为现有技术中完成脱膜步骤的平面结构示意图;
图7所示为图6中沿B-B方向的截面示意图;
图8所示为本发明完成曝光步骤的截面示意图;
图9所示为本发明完成显影步骤的平面结构示意图;
图10所示为图9中沿C-C方向的截面示意图;
图11所示为本发明完成蚀刻步骤的截面示意图;
图12所示为本发明完成脱膜步骤的平面结构示意图;
图13所示为图12中沿D-D方向的截面示意图;
图1中,10为金属基板,11为膜;
图2中,20为蚀刻面非蚀刻区域的膜曝光后形成的保护膜,21为未曝光膜区域,22为非蚀刻面的膜曝光后形成的保护膜;
图3中,31为蚀刻区域,A-A为待解剖观测方向;
图5中,50为蒸镀孔;
图6中,60为掩模板整体,61为掩模板本体,B-B为待解剖观测方向;
图7中,L为预设蒸镀孔的尺寸,L1为实际蒸镀孔的尺寸;
图8中,80为非蚀刻区域一的保护膜,81为未曝光膜区域,82为非蚀刻区域二的保护膜,83为非蚀刻面的保护膜;
图9中,90为露出的蚀刻区域的金属,L2为蚀刻区域的宽度,C-C为待解剖观测方向;
图11中,110为对应蚀刻区域的通孔;
图12中,120为掩模板整体,121为蒸镀孔,122为掩模板本体,D-D为待解剖观测方向;
图13中,1为蒸镀面,2为ITO面,θ为蒸镀孔的孔壁与掩模板本体的板面的夹角;

具体实施方式

[0020] 下面将参照附图来描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能解释为对本发明的限制。
[0021] 根据本发明的实施例,参考图1、图8~图13所示,提供了一种高精度掩模板的制作方法,包括通过蚀刻工艺蚀刻金属基板10制作掩模板的蚀刻步骤,其特征在于:所述金属基板10包括蚀刻面和非蚀刻面,所述蚀刻面包括蚀刻区域和非蚀刻区域,所述非蚀刻区域包括非蚀刻区域一和非蚀刻区域二,所述蚀刻区域是由其外侧非蚀刻区域一和其内侧非蚀刻区域二围成的封闭区域;
在所述蚀刻步骤中,所述非蚀刻区域(对应保护膜80区域和保护膜82区域)和所述非蚀刻面设有保护膜,所述蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔,所述通孔使所述非蚀刻区域二与所述非蚀刻区域一脱离,在所述蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸镀孔
121。
[0022] 另外,根据本发明公开的一种高精度掩模板的制作方法还具有如下附加技术特征:根据本发明的实施例,一种高精度掩模板制作方法的具体步骤如图1、图8~图13所示,包括:
贴膜步骤:如图1所示,将膜11压贴或涂覆到金属基板10的两面;
曝光步骤:如图8所示,将金属基板10的非蚀刻面的膜曝光形成保护膜83,金属基板
10的蚀刻面的非蚀刻区域的膜曝光形成保护膜,非蚀刻区域的保护膜包括对应非蚀刻区域一的保护膜80和对应非蚀刻区域二的保护膜82,蚀刻面对应蚀刻区域的膜不曝光形成未曝光膜区域81;
显影步骤:如图9~图10所示,将未曝光膜区域81的膜通过显影步骤去除露出金属基板的蚀刻区域90,保护膜80和保护膜82以及保护膜83继续保留,图9所示为显影后的平面结构示意图,图10所示为图9中沿C-C方向的截面示意图,如图9所述,蚀刻区域90是由其外侧非蚀刻区域一(与保护膜80对应的区域)和其内侧非蚀刻区域二(与保护膜82对应的区域)围成的封闭区域;
蚀刻步骤:如图11所示,蚀刻区域90的金属与蚀刻液反应形成通孔110,通孔110使非蚀刻区域二(与保护膜82对应的区域)与非蚀刻区域一(与保护膜80对应的区域)脱离,在蚀刻区域90及其内侧的非蚀刻区域二(与保护膜82对应的区域)处形成蒸镀孔121;
脱膜步骤:如图12~图13所示,将保护膜80、保护膜82和保护膜83通过脱模步骤脱掉,如图12所示为脱膜后的平面结构示意图,即掩模板整体平面结构示意图,掩模板120包括掩模板本体122以及掩模板本体上的蒸镀孔121,图13所示为图12中沿D-D方向的截面示意图,1为蒸镀面(即蚀刻步骤前金属基板10的蚀刻面),2为ITO面(即蚀刻步骤前金属基板10的非蚀刻面),蒸镀孔121是在蚀刻区域90及其内侧的非蚀刻区域二(与保护膜82对应的区域)处将非蚀刻区域二从金属基板10上移除形成。
[0023] 根据本发明的一些实施例,非蚀刻面的保护膜83通过贴膜步骤和曝光步骤形成,或者通过在蚀刻步骤之前将金属基板的非蚀刻面贴一层防止蚀刻液与非蚀刻面的金属反应的保护膜,或在非蚀刻面垫一层防止蚀刻液与非蚀刻面的金属反应的垫板形成(垫板不与蚀刻液反应),所述垫板可以为非金属,例如塑料垫板。
[0024] 根据本发明的一些实施例,蚀刻区域90的宽度L2为5~80μm,如图9~图10所示。
[0025] 根据本发明的一些实施例,金属基板10为具有铁磁性能的材料。
[0026] 优选地,金属基板10为因瓦合金。
[0027] 根据本发明的另一方面,提供一种通过上述所述方法制作的掩模板,如图12~图13所示,包括掩模板本体122及所述掩模板本体上的蒸镀孔121, 其特征在于,所述掩模板
120包括蒸镀面和ITO面,沿所述蒸镀孔中心轴线所在的截面上所述蒸镀孔的边缘线呈碗状,所述蒸镀面的蒸镀孔大于所述ITO面的蒸镀孔,所述蒸镀孔的孔壁与所述掩模板本体的板面的夹角θ的范围为30~60°。
[0028] 通过本方法制作掩模板,在制作大尺寸(蒸镀孔尺寸大于100μm )蒸镀孔的掩模板时,将制作大尺寸的蒸镀孔转化为制作小尺寸的通孔110,减小蚀刻量,在很大程度上提高了掩模板蒸镀孔的精度,并且掩模板述蒸镀孔121的孔壁与掩模板本体122的板面呈30~60°夹角,可以减小蒸镀时蒸镀孔121的孔壁对有机材料的遮挡,在很大程度上提高了掩模板的质量。
[0029] 尽管参照本发明的多个示意性实施例对本发明的具体实施方式进行了详细的描述,但是必须理解,本领域技术人员可以设计出多种其他的改进和实施例,这些改进和实施例将落在本发明原理的精神和范围之内。具体而言,在前述公开、附图以及权利要求的范围之内,可以在零部件和/或者从属组合布局的布置方面作出合理的变型和改进,而不会脱离本发明的精神。除了零部件和/或布局方面的变型和改进,其范围由所附权利要求及其等同物限定。
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