一种高精度掩模板的制作方法
专利汇可以提供一种高精度掩模板的制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种高 精度 掩模板的制作方法，包括通过蚀刻工艺蚀刻金属 基板 制作掩模板的蚀刻步骤，金属基板包括蚀刻面和非蚀刻面，蚀刻面包括蚀刻区域和非蚀刻区域，非蚀刻区域包括非蚀刻区域一和非蚀刻区域二，蚀刻区域是由其外侧非蚀刻区域一和其内侧非蚀刻区域二围成的封闭区域；在蚀刻步骤中，非蚀刻区域和非蚀刻面设有保护膜，蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔，通孔使非蚀刻区域二与非蚀刻区域一脱离，在蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸 镀 孔。通过本发明所提供的方法制作的掩模板，在制作大尺寸蒸镀孔的掩模板时，将制作大尺寸的蒸镀孔转化为制作小尺寸的通孔，从而提高大尺寸蒸镀孔掩模板的精度。，下面是一种高精度掩模板的制作方法专利的具体信息内容。
1.一种高精度掩模板的制作方法，包括通过蚀刻工艺蚀刻金属基板制作掩模板的蚀刻步骤，其特征在于：
所述金属基板包括蚀刻面和非蚀刻面，所述蚀刻面包括蚀刻区域和非蚀刻区域，所述非蚀刻区域包括非蚀刻区域一和非蚀刻区域二，所述蚀刻区域是由其外侧非蚀刻区域一和其内侧非蚀刻区域二围成的封闭区域；
在所述蚀刻步骤中，所述非蚀刻区域和所述非蚀刻面设有保护膜，所述蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔，所述通孔使所述非蚀刻区域二与所述非蚀刻区域一脱离，在所述蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸镀孔。
2.根据权利要求1所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，在所述蚀刻步骤之前还包括贴膜步骤、曝光步骤、显影步骤。
3.根据权利要求2所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，在所述曝光步骤中，将所述非蚀刻区域的膜曝光形成所述的保护膜，所述蚀刻区域的膜未曝光形成未曝光膜区域。
4.根据权利要求3所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述显影步骤将所述未曝光膜区域的膜去除露出所述的蚀刻区域的金属，所述非蚀刻区域的所述保护膜继续保留。
5.根据权利要求1或2所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述非蚀刻面的所述保护膜通过所述贴膜步骤和所述曝光步骤形成。
6.根据权利要求1或2所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述非蚀刻面的所述保护膜通过在所述非蚀刻面垫一层防止所述蚀刻液与所述非蚀刻面的金属反应的垫板形成。
7.根据权利要求1所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述蚀刻区域的宽度为5～80μm。
8.根据权利要求1所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述金属基板为具有铁磁性能的材料。
9.根据权利要求8所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述金属基板为因瓦合金。
10.一种掩模板，包括掩模板本体及所述掩模板本体上的蒸镀孔， 其特征在于，所述掩模板包括蒸镀面和ITO面，沿所述蒸镀孔中心轴线所在的截面上所述蒸镀孔的边缘线呈碗状，所述蒸镀面的蒸镀孔大于所述ITO面的蒸镀孔，所述蒸镀孔的孔壁与所述掩模板本体的板面呈30°～60°夹角。
一种高精度掩模板的制作方法
技术领域
背景技术
曝光步骤：如图2所示，将金属基板10进行双面曝光，非蚀刻面的膜曝光形成保护膜
22，蚀刻面的非蚀刻区域的膜曝光形成保护膜20，蚀刻面的蚀刻区域的膜不曝光，形成未曝光膜区域21；
显影步骤：如图3～4所示，将未曝光膜区域21的膜通过显影步骤除去，露出金属基板上的蚀刻区域31，保护膜20和保护膜22继续保留，图3所示为显影后的平面结构示意图，图4所示为图3中沿A-A方向的截面示意图；
蚀刻步骤：如图5所示，蚀刻后在金属基板的蚀刻区域31处形成蒸镀孔51；
脱膜步骤：如图6～7所示，将保护膜20和保护膜22通过脱模步骤脱掉，如图6所示为脱膜后的平面结构示意图，即掩模板整体平面结构示意图，掩模板60包括掩模板本体62以及掩模板本体上的蒸镀孔51，图7所示为图6中沿B-B方向的截面示意图。
发明内容
所述金属基板包括蚀刻面和非蚀刻面，所述蚀刻面包括蚀刻区域和非蚀刻区域，所述非蚀刻区域包括非蚀刻区域一和非蚀刻区域二，所述蚀刻区域是由其外侧非蚀刻区域一和其内侧非蚀刻区域二围成的封闭区域；
在所述蚀刻步骤中，所述非蚀刻区域和所述非蚀刻面设有保护膜，所述蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔，所述通孔使所述非蚀刻区域二与所述非蚀刻区域一脱离，在所述蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸镀孔。
图2所示为现有技术中完成曝光步骤的截面示意图；
图3所示为现有技术中完成显影步骤的平面结构意图；
图4所示为图3中沿A-A方向的截面示意图；
图5所示为现有技术中完成蚀刻步骤的截面示意图；
图6所示为现有技术中完成脱膜步骤的平面结构示意图；
图7所示为图6中沿B-B方向的截面示意图；
图8所示为本发明完成曝光步骤的截面示意图；
图9所示为本发明完成显影步骤的平面结构示意图；
图10所示为图9中沿C-C方向的截面示意图；
图11所示为本发明完成蚀刻步骤的截面示意图；
图12所示为本发明完成脱膜步骤的平面结构示意图；
图13所示为图12中沿D-D方向的截面示意图；
图1中，10为金属基板，11为膜；
图2中，20为蚀刻面非蚀刻区域的膜曝光后形成的保护膜，21为未曝光膜区域，22为非蚀刻面的膜曝光后形成的保护膜；
图3中，31为蚀刻区域，A-A为待解剖观测方向；
图5中，50为蒸镀孔；
图6中，60为掩模板整体，61为掩模板本体，B-B为待解剖观测方向；
图7中，L为预设蒸镀孔的尺寸，L1为实际蒸镀孔的尺寸；
图8中，80为非蚀刻区域一的保护膜，81为未曝光膜区域，82为非蚀刻区域二的保护膜，83为非蚀刻面的保护膜；
图9中，90为露出的蚀刻区域的金属，L2为蚀刻区域的宽度，C-C为待解剖观测方向；
图11中，110为对应蚀刻区域的通孔；
图12中，120为掩模板整体，121为蒸镀孔，122为掩模板本体，D-D为待解剖观测方向；
图13中，1为蒸镀面，2为ITO面，θ为蒸镀孔的孔壁与掩模板本体的板面的夹角；
具体实施方式
在所述蚀刻步骤中，所述非蚀刻区域（对应保护膜80区域和保护膜82区域）和所述非蚀刻面设有保护膜，所述蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔，所述通孔使所述非蚀刻区域二与所述非蚀刻区域一脱离，在所述蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸镀孔
121。
贴膜步骤：如图1所示，将膜11压贴或涂覆到金属基板10的两面；
曝光步骤：如图8所示，将金属基板10的非蚀刻面的膜曝光形成保护膜83，金属基板
10的蚀刻面的非蚀刻区域的膜曝光形成保护膜，非蚀刻区域的保护膜包括对应非蚀刻区域一的保护膜80和对应非蚀刻区域二的保护膜82，蚀刻面对应蚀刻区域的膜不曝光形成未曝光膜区域81；
显影步骤：如图9～图10所示，将未曝光膜区域81的膜通过显影步骤去除露出金属基板的蚀刻区域90，保护膜80和保护膜82以及保护膜83继续保留，图9所示为显影后的平面结构示意图，图10所示为图9中沿C-C方向的截面示意图，如图9所述，蚀刻区域90是由其外侧非蚀刻区域一（与保护膜80对应的区域）和其内侧非蚀刻区域二（与保护膜82对应的区域）围成的封闭区域；
蚀刻步骤：如图11所示，蚀刻区域90的金属与蚀刻液反应形成通孔110，通孔110使非蚀刻区域二（与保护膜82对应的区域）与非蚀刻区域一（与保护膜80对应的区域）脱离，在蚀刻区域90及其内侧的非蚀刻区域二（与保护膜82对应的区域）处形成蒸镀孔121；
脱膜步骤：如图12～图13所示，将保护膜80、保护膜82和保护膜83通过脱模步骤脱掉，如图12所示为脱膜后的平面结构示意图，即掩模板整体平面结构示意图，掩模板120包括掩模板本体122以及掩模板本体上的蒸镀孔121，图13所示为图12中沿D-D方向的截面示意图，1为蒸镀面（即蚀刻步骤前金属基板10的蚀刻面），2为ITO面（即蚀刻步骤前金属基板10的非蚀刻面），蒸镀孔121是在蚀刻区域90及其内侧的非蚀刻区域二（与保护膜82对应的区域）处将非蚀刻区域二从金属基板10上移除形成。
120包括蒸镀面和ITO面，沿所述蒸镀孔中心轴线所在的截面上所述蒸镀孔的边缘线呈碗状，所述蒸镀面的蒸镀孔大于所述ITO面的蒸镀孔，所述蒸镀孔的孔壁与所述掩模板本体的板面的夹角θ的范围为30～60°。
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