技术领域
[0001] 本实用新型涉及集成电路领域，具体地，涉及一种存储器、NOR闪存存储器和为存储器的选定行单元提供读操作所需电压的电路。
背景技术
[0002] 目前，在对存储器执行读操作时，通常都是通过图1所示的电路来向存储器的选定行单元的栅极端(也即字线WL)施加读操作所需的电压，即Vwl。图1所示电路的缺点是所施加的电压Vwl不稳定。
[0003] 为了使施加到选定行单元的字线上的电压稳定，通常在存储单元的字线上增加一个接地大电容C1，如图2所示。然而，增加大电容C1，虽然解决了电压稳定的问题，却会大大增加选定行单元的字线电压的上电时间，即字线WL的电压从0上升到存储器读操作所需电压(通常在5V左右)所要花费的时间。
发明内容
[0004] 本实用新型的目的是提供一种存储器、NOR闪存存储器及为存储器的选定行单元提供读操作所需电压的电路，其既能够使存储器的选定行单元的字线上的电压更稳定，又能够使存储器的选定行单元的字线的电压快速上升到存储器读操作所需的电压。
[0005] 为了实现上述目的，本实用新型提供一种为存储器的选定行单元提供读操作所需电压的电路，该电路包括电荷
泵、稳压模
块、电荷存储元件和
反相器，其中：所述反相器的输入端用于接收逻辑电平
信号，所述反相器的输出端连接到所述电荷存储元件的一端，所述电荷存储元件的另一端连接到所述选定行单元的字线上；以及所述
电荷泵的输出端连接到所述稳压模块的输入端，所述稳压模块的输出端连接到所述选定行单元的字线上。
[0006] 优选地，所述电荷泵的输出端连接到所述选定行单元的字线上，而且所述稳压模块包括第一
电阻器、第二
电阻器、
放大器和
半导体开关，其中：所述第一电阻器一端接地、另一端连接到所述第二电阻器，所述第二电阻器的另一端连接到所述选定行单元的字线；所述放大器的一个输入端接收参考电压，另一输入端连接到所述第一电阻器和所述第二电阻器的公共端；所述放大器的输出端连接到所述
半导体开关的栅极；以及所述半导体开关的漏极连接到所述选定行单元的字线，所述半导体开关的源极接地。
[0007] 优选地，所述半导体开关为MOSFET。
[0008] 优选地，所述电荷存储元件是电容器。
[0009] 优选地，所述逻辑电平信号的高电平大于零且小于等于所述存储器读操作所需的电压。
[0010] 本实用新型还提供一种存储器，该存储器包括上面描述的电路。
[0011] 本实用新型还提供一种NOR闪存存储器，该NOR闪存存储器包括上面描述的电路。
[0012] 通过上述技术方案，由于根据本实用新型的电路中的反相器的输入端用于接收逻辑电平信号，所述反相器的输出端连接到所述电荷存储元件的一端，所述电荷存储元件的另一端连接到所述选定行单元的字线上，因此在存储器执行读操作时，通过使反相器输入端的逻辑电平信号变为低电平，能够使反相器的输出端产生一个上升沿信号，并通过电荷存储元件使存储器的选定行单元的字线电压瞬间上升到存储器读操作所需的电压，而电荷泵和稳压模块则能够起到对上述电压进行稳压的作用，因此，本实用新型既能够使存储器的选定行单元的字线上的电压更稳定，又能够使存储器的选定行单元的字线的电压快速上升到存储器读操作所需的电压。
[0013] 本实用新型的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0014] 附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成
说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
[0015] 图1是
现有技术中为存储器的选定行单元提供读操作所需电压的电路图；
[0016] 图2是现有技术中为存储器的选定行单元提供读操作所需电压的另一电路图；
[0017] 图3是根据本实用新型一种实施方式的为存储器的选定行单元提供读操作所需电压的电路图；以及
[0018] 图4是根据本实用新型又一实施方式的为存储器的选定行单元提供读操作所需电压的电路图。
具体实施方式
[0019] 以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。
[0020] 需要指出的是，除非特别说明，当下文中提及时，术语“电荷存储元件”指任意可以实现电荷存储的装置，例如可以为电容等；当下文中提及时，术语“半导体开关”指的是可以通过
电信号实现通断控制的开关，例如MOSFET晶体管、双极型
三极管等。
[0021] 本实用新型提供一种为存储器的选定行单元提供读操作所需电压的电路，如图3所示，该电路可以包括电荷泵100、稳压模块200、电荷存储元件C0和反相器INV1，其中：所述反相器INV1的输入端用于接收逻辑电平信号CSb，所述反相器INV1的输出端连接到所述电荷存储元件C0的一端，所述电荷存储元件C0的另一端连接到所述选定行单元的字线WL上；以及所述电荷泵的输出端连接到所述稳压模块的输入端，所述稳压模块的输出端连接到所述选定行单元的字线WL上。
[0022] 以下描述一下图3所示根据本实用新型的电路的工作原理。
[0023] 当对存储器的选定行单元执行读操作时，例如假设字线WL0,...,WLN中的WL1被选定时，反相器INV1的输入端的逻辑电平信号CSb被切换成低电平，然后反相器INV1输出高电平的逻辑信号CLKA，并通过电荷存储元件C0使选定行单元的字线上的电压Vwl瞬间上升到存储器读操作所需的电压，电荷泵100和稳压电路200则用于维持该电压Vwl。由于在对选定行单元执行读操作时，反相器INV1输出的是高电平，因此电荷泵100不需要输出很高的电压即可满足选定行单元读操作的要求，因此这能够显著减小电荷泵的面积，从而降低存储器芯片的成本，减小存储器芯片的功耗。另外，在维持选定行单元读操作所需电压期间，电荷存储元件C0还可以起到滤波的作用，从而能够减小选定行单元的字线电压的纹波，使选定行单元的字线上的电位Vwl更稳定。另外，因存储器的每一根字线WL上有一个约10－1PF级的寄生电容，因此在字线WL切换的时候，由于有电荷存储元件C0的存在，电压损失很小，可以忽略不计。
[0024] 在根据本实用新型的一个优选实施方式中，如图4所示，所述电荷泵100的输出端连接到所述选定行单元的字线(例如WL0)上，而且所述稳压模块100包括第一电阻器R1、第二电阻器R2、放大器AM1和半导体开关M1，其中：所述第一电阻器R1一端接地、另一端连接到所述第二电阻器R2，所述第二电阻器R2的另一端连接到所述选定行单元的字线上；所述放大器AM1的一个输入端接收参考电压Vref，另一输入端连接到所述第一电阻器R1和所述第二电阻器R2的公共端；所述放大器AM1的输出端连接到所述半导体开关M1的栅极；以及所述半导体开关M1的漏极连接到所述选定行单元的字线上，所述半导体开关M1的源极接地。通过该稳压模块200，就能够对电荷泵100的
输出电压进行稳压。
[0025] 其中，在图4所示的电路中，所述半导体开关M1可以为MOSFET。
[0026] 本领域技术人员应当理解的是，图4所示的稳压模块200仅是示例。实际上，本实用新型不对稳压模块200的具体结构进行限制，任何能够实现稳压功能的电路结构均能够满足本实用新型的要求。
[0027] 在根据本实用新型的一个优选实施方式中，所述电荷存储元件C0可以是电容器，例如电荷存储元件可以是单个电容器，还可以是多个电容器的并联形式。
[0028] 在根据本实用新型的一个优选实施方式中，所述逻辑电平信号CSb的高电平优选大于零且小于等于所述存储器读操作所需的电压。这样，就能够在电荷泵100不需要输出很高电压的情况下满足选定行单元的读操作电压的要求，这能够减小电荷泵100的芯片面积，进而减小存储器的芯片面积和功耗。
[0029] 本实用新型不对放大器AM1的具体结构进行限制，任何能够实现放大功能的放大器电路结构均能够满足本实用新型的要求。
[0030] 本实用新型也不对电荷泵100的具体结构进行限制，任何能够实现升压功能的电路均能够满足本实用新型对电荷泵的要求。
[0031] 本实用新型还提供一种存储器，该存储器可以包括如上描述的根据本实用新型的电路。根据本实用新型的存储器可以是NOR闪存存储器、NAND闪存存储器或其他类型的存储器。
[0032] 以上结合附图详细描述了本实用新型的优选实施方式，但是，本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节，在本实用新型的技术构思范围内，可以对本实用新型的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本实用新型的保护范围。
[0033] 另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本实用新型对各种可能的组合方式不再另行说明。
[0034] 此外，本实用新型的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本实用新型的思想，其同样应当视为本实用新型所公开的内容。
