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一种于 硅基片上直接生长石墨烯膜的方法

阅读：327发布：2021-03-06

专利汇可以提供一种于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，以半导体硅基片作为衬底，在对硅基片进行合理预处理后，以酞菁类化合物为固体碳源，通过固相热裂解技术，在一定气氛条件下，调节反应温度、气氛种类、流速等条件，在硅基片上直接生长得到石墨烯膜，沉积有石墨烯膜的硅基片器件样片如摘要附图所示。且硅基片由于表面均匀覆盖石墨烯膜后，方阻测试达到1Ω·□-1与铜导电性相当。本发明于非氢环境得到，无需金属作为催化剂，方法安全、环保、简单；得到石墨烯膜的厚度、结构、尺寸容易控制，且具有高度平面取向性；生长的石墨烯无需转移过程，便可直接用于制造各种器件，提高了器件的电学特性，可靠性，降低器件制造复杂性，有望实现工业化生产。，下面是一种于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，其特征在于：采用硅基片作为衬底，经过合理预处理后将基片放入金属酞菁化合物与无机盐的混合物中，在一定的气氛，温度条件下，金属酞菁化合物热裂解，最终在硅基片上直接生长得到具有高度取向的石墨烯膜。
2.如权利要求1所述的于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，其特征在于：所述酞菁类物质包括非金属酞菁类化合物、金属酞菁类化合物、金属氧化物酞菁类化合物、含有酞菁环结构的高分子和含类酞菁环结构的卟啉类聚合物。
3.如权利要求1所述的于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，其特征在于：所述无机盐为为钠盐、钾盐、硫酸盐、盐酸盐、硝酸盐的一种或几种的混合。
4.如权利要求1所述的于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，其特征在于：硅基片预处理方式为：首先将切割得到的一定尺寸大小的硅基片依次放入丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，每次时间10~20分钟，之后从去离子水中取出基片，用高纯氮气吹干；之后将硅基片立即侵入浓硫酸和双氧水的混合溶液中，煮沸30~50分钟，浓硫酸与双氧水的比例为体积比7:3，最后取出硅基片用高纯氮气吹干，直接放入金属酞菁化合物与无机盐的混合物中。
5.如权利要求1所述的于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，其特征在于：所述保护气体为氮气、氩气、氩气/氢气混合气、氩气/氨气混合气、氮气/氢气混合气、氮气/氨气
3 -1
混合气之一，保护气体流速控制在10~50 cm·min 之间。
6.如权利要求1所述的于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，其特征在于：所述混合气体积比为0.1:9.9~1:9。
7.如权利要求1所述的于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，其特征在于：所述裂解o
温度为600~1000 C。
8.如权利要求1所述的于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，其特征在于：所述裂解时间为4~24小时。
9.如权利要求1所述的于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，其特征在于：裂解反应可在无催化剂或有金属催化剂条件下进行，所述金属催化剂为铜箔、铜网、镍箔、泡沫镍、铜合金或镍合金。

说明书全文

一种于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及石墨烯新材料制备领域，特别涉及一种在硅基片上直接生长得到石墨烯膜材料的方法，适用于无需转移的大面积石墨烯膜材料的生长制备，并为硅基片-石墨烯器件的制造提供材料。

背景技术

[0002] 石墨烯（graphene）是指紧密堆积成二维蜂窝状晶格结构的单层碳原子，他是构建其他维数炭材料（零维富勒烯、一维纳米碳管、三维石墨）的基本单元。石墨烯材料是目前已知最轻最薄的材料，单层仅原子厚度，它具有极其优异的物理化学性质，比如石墨烯是一种零带隙半导体，电子在其中运动速度可达光速的1/300；石墨烯载流子迁移速率高达5 2 -1 -1
2×10cm·V ·S ，是Si的数百倍；超强的机械性能，杨氏模量约1000GPa；极高的比表面积和极好的气敏性；极高的透明性和柔韧性，而且它与衬底不存在失配问题，可以与Si基器件工艺完全兼容，具有突出的产业优势。因此石墨烯的出现为产业界和科学界带来曙光，它是最被看好的替代Si成为下一代基础半导体材料的新材料。同时由于石墨烯独特的结构及优异的电学、热学和力学性能，可望在高功能纳电子器件、复合材料、催化材料、电池材料、场发射材料、气体传感器及气体存储等领域获得广泛应用。

[0003] 尽管石墨烯具有如此优异的性质，但是目前在石墨烯的制备方面仍然存在很多亟待解决的关键问题。目前国际主流是以外延生长法制备石墨烯材料，这种方法是基于过渡金属催化的CVD法，需要在高温下，充入碳源气体（甲烷、乙烷、乙炔等），气体分解并在基底形成石墨烯，该方法需要1000度以上的高温，且需要氢气作为还原性气体，对生产条件要求严格，反应时间长，产率低下，且大量危险气体的使用增加了生产成本也限制了石墨烯的进一步应用。且石墨烯从基底（如铜、镍、碳化硅等衬底）上剥离也十分困难，往往采用强酸腐蚀、高温气化等极端方法，不仅成本高、环境污染大、也损伤了石墨烯成品。如发明专利 CN102903616、CN102891074 、CN101285175A等。因此必须突破现有技术的限制，从工艺上探索新的合成石墨烯器件方法，实现无转移的大面积洁净石墨烯薄膜的生长方法。

[0004] Si是一种宽禁带材料，具有良好的电学和热学性能，可用于制备功率器件，频率器件等。目前硅（Si）基的关键尺寸已经达到理论和技术极限，量子效应已经成为主要限制机制。石墨烯发现之后，如果能够使其在硅基片上直接生长得到大面积，质量高的石墨烯膜，这必将减小晶格失配，避免转移过程中残胶引起的性能退化，提高石墨烯和硅衬底接触质量，为硅-石墨烯结构器件提供整体材料。同时整体材料直接用于制造各种器件，提高了器件的光学特性、可靠性、可重复性、可操作性、降低了器件制造的成本和复杂性，硅基片上直接生长得到石墨烯膜的技术方法必将具有重要的产业意义和科学研究价值。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于克服上述缺点，提供一种操作简单、易于控制、成本低、非氢环境下，在硅基片上直接生长得到面积大、导电率高、透光率高的超大面积高质量的硅-石墨烯薄膜器件的制备方法。

[0006] 为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：采用硅基片作为衬底，经过合理预处理后将基片放入金属酞菁化合物与无机盐的混合物中，在一定的气氛，温度条件下，金属酞菁化合物热裂解，最终在硅基片上直接生长得到具有高度取向的石墨烯膜。

[0007] 进一步地，硅基片预处理方式为：首先将切割得到的一定尺寸大小的硅基片依次放入丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，每次时间10~20分钟，之后从去离子水中取出基片，用高纯氮气吹干；之后将硅基片立即侵入浓硫酸和双氧水的混合溶液中，煮沸30~50分钟，浓硫酸与双氧水的比例为体积比7:3~9:1之间。最后取出硅基片用高纯氮气吹干，直接放入金属酞菁化合物与无机盐的混合物中。

[0008] 进一步地，处理后的硅基片平放或者侧放，掩埋于盐类与酞菁类物质混合物中。

[0009] 进一步地，所述酞菁类物质包括非金属酞菁类物质、金属酞菁类物质、金属氧化物酞菁类物质、含有酞菁环结构的高分子和含类酞菁环结构的卟啉类聚合物。

[0010] 进一步地，所述无机盐反应床为耐高温的容器装填无机盐；所述无机盐为钠盐、钾盐、硫酸盐、盐酸盐、硝酸盐的一种或几种的混合。

[0011] 进一步地，无机盐与酞菁类物质的质量比为1-99%。

[0012] 进一步地，所述将无机盐与反应原料混合均匀，方法为：酞菁类物质与无机盐在升温前混合均匀或在无机盐熔融后，将酞菁类物质均匀加入无机盐反应床中。

[0013] 进一步地，所述保护气体为氮气、氩气、氩气/氢气混合气、氩气/氨气混合气、氮3 -1
气/氢气混合气、氮气/氨气混合气之一，保护气体流速控制在10-50 cm·min 之间。

[0014] 进一步地，所述混合气体积比为0.1:9.9-1:9。

[0015] 进一步地，所述裂解温度为600-1000℃，裂解时间为4-24h。

[0016] 进一步地，裂解反应可在无催化剂或有金属催化剂条件下进行，所述金属催化剂为铜箔、铜网、镍箔、泡沫镍、铜合金或镍合金。

[0017] 半导体的硅基片由于表面均匀覆盖导电石墨烯膜后，器件导电性提高，方阻测试-1达到1Ω·□ ，与铜导电性相当。本发明是在非氢环境中得到，无需金属作为催化剂，方法安全、环保、简单；所得到石墨烯膜的厚度、结构、尺寸容易控制，且具有高度平面取向性；
生长的石墨烯无需转移过程，便可以直接用于制造各种器件，提高了器件的电学特性，可靠性，降低了器件制造复杂性，有望实现工业化生产。

[0018]附图说明

[0019]图1为本发明实施例提供的沉积有石墨烯膜的硅基片器件样片；
图2 为本发明实施例提供的硅基片上石墨烯膜的透射电镜（TEM）图谱（焙烧温度800 o
C，原料为酞菁铜）；
o
图3为本发明实施例提供的硅基片上石墨烯膜的拉曼（Raman）图谱（焙烧温度800 C，原料为酞菁铜）；
o
图4为本发明实施例提供的硅基片上石墨烯膜的拉曼（Raman）图谱（焙烧温度800 C，原料为酞菁镍）；
o
图5为本发明实施例提供的硅基片上石墨烯膜的拉曼（Raman）图谱（焙烧温度800 C，原料为非金属酞菁）。

[0020]

具体实施方式

[0021] 采用硅基片作为衬底，经过合理预处理后将基片放入酞菁类化合物与氯化钠的混合物中，其中酞菁类化合物与氯化钠的混合比例为质量比1:99~10:90。采用程序升温技术，o于600~1000 C惰性气氛下，焙烧4~10小时，最终在硅基片上直接生长得到具有高度取向的石墨烯膜。

[0022] 硅基片预处理方式为：首先将切割得到的一定尺寸大小的硅基片依次放入丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，每次时间10~20分钟，之后从去离子水中取出基片，用高纯氮气吹干；之后将硅基片立即侵入浓硫酸和双氧水的混合溶液中，煮沸30~50分钟，浓硫酸与双氧水的比例为体积比7:3~9:1之间。最后取出硅基片用高纯氮气吹干，直接放入金属酞菁化合物与无机盐的混合物中。

[0023] 实施例一：实施方式如上，处理后硅基片放入原料为酞菁铜与氯化钠盐的混合物o中，混合物质量比例为1:99，于800C氩气气氛下焙烧4小时，最终在硅基片上直接生长得到具有高度取向的石墨烯膜。

[0024] 此器件的外观样片如说明书附图1所示，硅基片沉积石墨烯膜的透射电镜图谱如说明书附图1所示，此器件的拉曼图谱如说明书附图附图3所示。

[0025] 实施例二：实施方式如上，处理后硅基片放入原料为酞菁铜与氯化钠盐的混合物o中，混合物质量比例为1:99，于600C氩气气氛下焙烧4小时，最终在硅基片上直接生长得到具有高度取向的石墨烯膜。

[0026] 实施例三：实施方式如上，处理后硅基片放入原料为酞菁镍与氯化钠盐的混合物o中，混合物质量比例为1:99，于800C氩气气氛下焙烧4小时，最终在硅基片上直接生长得到具有高度取向的石墨烯膜。

[0027] 此器件的拉曼图谱如说明书附图4所示。

[0028] 实施例四：实施方式如上，处理后硅基片放入原料为酞菁镍与氯化钠盐的混合物o中，混合物质量比例为1:99，于600C氩气气氛下焙烧4小时，最终在硅基片上直接生长得到具有高度取向的石墨烯膜。

[0029] 实施例五：实施方式如上，处理后硅基片放入原料为非金属酞菁与氯化钠盐的混o合物中，混合物质量比例为1:99，于800C氩气气氛下焙烧4小时，最终在硅基片上直接生长得到具有高度取向的石墨烯膜。此器件的拉曼图谱如说明书附图5所示。

[0030] 实施例六：实施方式如上，处理后硅基片放入原料为非金属酞菁与氯化钠盐的混o合物中，混合物质量比例为1:99，于600C氩气气氛下焙烧4小时，最终在硅基片上直接生长得到具有高度取向的石墨烯膜。

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