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用于晶圆接合的装置和方法

阅读:724发布:2022-10-05

专利汇可以提供用于晶圆接合的装置和方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 实施例 提供了用于 晶圆 接合的装置和方法。该装置包括传输模 块 和等离子 体模 块。传输模块配置为传输 半导体 晶圆。 等离子体 模块配置为对半导体晶圆的表面实施等离子体操作和还原操作以将半导体晶圆的表面上的金属 氧 化物转变成金属。本发明实施例涉及用于 晶圆接合 的装置和方法。,下面是用于晶圆接合的装置和方法专利的具体信息内容。

1.一种用于晶圆接合的装置,包括:
传输模,配置为传输半导体晶圆;
等离子体模块,配置为对所述半导体晶圆的表面实施等离子体操作和还原操作以将所述半导体晶圆的所述表面上的金属化物转变成金属。

说明书全文

用于晶圆接合的装置和方法

技术领域

[0001] 本发明实施例涉及用于晶圆接合的装置和方法。

背景技术

[0002] 半导体器件用在诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层,并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来典型地制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上典型地制造许多集成电路,并且通过沿着划线在集成电路之间锯切来分割晶圆上的单独的管芯。例如,通常以多芯片模或以封装的其他类型来将单独的管芯分别典型地封装。
[0003] 半导体产业通过最小部件尺寸的不断减小来持续地改进各个电子组件(例如,晶体管、二极管电阻器、电容器等)的集成密度,这允许在给定的区域中集成更多的组件。在一些应用中,这些更小的电子组件还需要使用比过去的封装件更少面积的更小的封装件。
[0004] 半导体封装中最近开发了诸如封装件上封装件(PoP)和封装件中系统(SiP)的封装技术的三维集成电路(3DIC),其中多个半导体管芯彼此堆叠。通过在晶圆级的管芯上方放置管芯来制备一些3DIC。作为实例,由于减小了堆叠的管芯之间的互连件的长度,3DIC提供了改进的集成密度以及诸如更快的速度和更高的带宽的其它的优势。然而,还存在许多与3DIC相关联的挑战。

发明内容

[0005] 根据本发明的一个实施例,提供了一种用于晶圆接合的装置,包括:传输模块,配置为传输半导体晶圆;等离子体模块,配置为对所述半导体晶圆的表面实施等离子体操作和还原操作以将所述半导体晶圆的所述表面上的金属化物转变成金属。
[0006] 根据本发明的另一实施例,还提供了一种用于晶圆接合的等离子体装置(3),包括:第一室(30),用于容纳半导体晶圆;以及加热器(31),用于控制所述第一室(30)的温度,其中,所述等离子体装置配置为将所述半导体晶圆的表面上的金属氧化物转变成金属。
[0007] 根据本发明的又一实施例,还提供了一种用于晶圆接合的方法,包括:(a)对半导体晶圆的导电焊盘应用H2或NH3等离子体以将所述半导体晶圆的所述导电焊盘上的金属氧化物转变成金属;(b)激活所述半导体晶圆的表面;以及(c)将所述半导体晶圆的所述导电焊盘连接至另一半导体晶圆的对应的导电焊盘。附图说明
[0008] 结合附图和以下描述来阐述本发明的一个或多个实施例的细节。本发明的其他特征和优势将从说明书、附图和权利要求变得显而易见。
[0009] 图1是根据一些实施例的用于晶圆接合的装置的框图
[0010] 图2是根据一些实施例的半导体结构的截面图。
[0011] 图3是根据一些实施例的等离子体模块的结构。
[0012] 图4是根据一些实施例的等离子体模块的结构。
[0013] 在各个图中相同的参考标号用于代表相同的元件。

具体实施方式

[0014] 下面,详细讨论本发明的各个实施例的制造和使用。然而,应该理解,实施例提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的发明概念。所讨论的具体实施例是说明性的,并且不用于限制本发明的范围。
[0015] 图1示出了根据本发明的一个实施例的用于晶圆接合的装置1的框图。该装置包括晶圆容器10a、10b,等离子体模块11,清洗模块12a、12b、接合模块13和传输模块14。
[0016] 晶圆容器10a用于容纳第一组半导体晶圆并且晶圆容器10b用于容纳第二组半导体晶圆以垂直地接合至第一组半导体晶圆以形成3DIC结构。
[0017] 第一组半导体晶圆和第二组半导体晶圆的每个半导体晶圆包括工件。例如,该工件包括具有或其它半导体材料的半导体衬底,并且可以被绝缘层覆盖。该工件可包括单晶硅上方的氧化硅,例如化合物半导体、GaAs、InP、Si/Ge或SiC,作为实例,也可以用于替代硅。该工件可包括绝缘体上硅(SOI)或绝缘体上锗(GOI)衬底。
[0018] 该工件可以包括靠近该工件的顶面形成的器件区。该器件区包括诸如导电部件、注入区域、电阻器、电容器的有源组件或电路和例如晶体管、二极管等的其它半导体元件。在一些实施例中,在前段制程(FEOL)操作中,在工件上方形成器件区。该工件包括用导电材料填充的衬底贯通孔(TSV),TSV提供从底面至工件顶面的连接。
[0019] 在工件上方形成金属化结构。在一些实施例中,在后段制程(BEOL)操作中,在工件上方形成金属化结构。金属化结构可以包括形成在介电材料中的导电线、通孔和导电焊盘。在一些实施例中,介电材料由诸如SiO2的低介电常数(低k)材料制成。导电焊盘是在半导体晶圆的顶面上形成的接触焊盘或接合焊盘。导电焊盘包括典型地用在BEOL操作中的诸如Cu、Al、W、Ti、TiN、Ta、TaN或多层或它们的组合的导电材料。
[0020] 等离子体模块11通过传输模块14接收来自晶圆容器10a或10b的半导体晶圆。等离子体模块11包括室和加热器。从晶圆容器10a或10b接受的半导体晶圆容纳在室中。在一些实施例中,对室中的半导体晶圆的表面应用H2或NH3等离子体。在一些实施例中,以在从约100sccm至约2500sccm的范围内的流速应用H2或NH3等离子体。对半导体晶圆的表面应用H2或NH3等离子体以实施还原操作,从而使得位于半导体晶圆表面上的导电焊盘上的金属氧化物转变成纯金属。在一些实施例中,还原操作可以包括以下反应,以还原包括CuOx的金属氧化物:
[0021] Cu2O(固态)+H2(气态)→2Cu(固态)+H2O(气态)
[0022] CuO(固态)+H2(气态)→Cu(固态)+H2O(气态)
[0023] 在一些实施例中,在从约100摄氏度(℃)至约400℃的范围内的温度且在从约0.1Torr至约50Torr的范围内的压下实施还原反应。可通过等离子体模块11的加热器产生操作温度。在一些实施例中,在从约100摄氏度(℃)至约400℃的范围内的温度下对等离子体模块11的室应用Cl2以清洗室的侧壁,这将阻止室的侧壁被Cu蚀刻。
[0024] 其后,等离子体模块11配置为实施等离子体操作。通过等离子体模块11处理半导体晶圆的表面以促进接合完整性。等离子体模块11用于产生等离子体以激活半导体晶圆的表面上介电材料。在等离子体操作期间,将半导体晶圆的顶面暴露于等离子体。在一些实施例中,等离子体操作后,在半导体晶圆的介电材料上形成Si-O键。在一些实施例中,在等离子体操作中可以使用N2、N2H2或Ar。在一些实施例中,等离子体操作包括使用在从约0%至约100%(体积并且在室温下)的范围内的Ar并且使用在从0%至约20%(体积并且在室温下)的范围内的H2。在一些实施例中,在基于需求的等离子体操作后实施还原操作。
[0025] 在还原操作和等离子体操作后,通过传输模块14将半导体晶圆传输至清洗模块12a或12b。清洗模块12a或12b用于实施清洗操作。清洗操作可以包括将半导体晶圆暴露于去离子(DI)H2O、NH4OH、稀释的氢氟酸(DHF)(例如,在小于约1%的HF酸的浓度下)或其它酸。
通过使用刷子、兆声波过程、自旋操作、红外(IR)灯或它们的组合来实施清洗操作。可选地,清洗操作可包括清洗操作的其它类型。在一些实施例中,清洁操作提高了设置在半导体晶圆的表面上(例如,半导体晶圆的导电焊盘的顶面上)的羟基基团的密度。例如,提高半导体晶圆的导电焊盘上的羟基基团的密度有利地增加了接合强度并且降低了退火温度(用于接合操作所要求的)。在一些实施例中,清洗操作可用于去除位于半导体晶圆的表面上的导电焊盘上剩余的金属氧化物。
[0026] 采用还原操作、等离子体操作和清洗操作以制备半导体晶圆的用于与另一半导体晶圆接合的表面。通过这样做,半导体晶圆的表面尽可能清洁,从而使得在两个或多个半导体晶圆之间形成高质量的混合接合。还原操作、等离子体操作和清洗操作协助两个或多个半导体晶圆的混合接合,有利地允许在后续接合操作中使用较低的压力和温度。
[0027] 清洗操作后,将半导体晶圆传输至接合模块13。接合模块13用于实施对准操作和接合操作以将半导体晶圆接合至另一半导体晶圆。在对准操作期间,通过将半导体晶圆上的导电焊盘或对准标记与另一半导体晶圆上对应的导电焊盘或对准标记对准来实现半导体晶圆的接合。作为实例,通过使用光学感测可以实现半导体晶圆的对准。接合操作是通过将半导体晶圆的导电焊盘连接至另一半导体晶圆的对应的导电焊盘。通过上述的还原操作、等离子体操作和清洗操作可以处理两个半导体晶圆的接合。
[0028] 在半导体晶圆的接合操作后,可将接合的晶圆传输至退火模块(未在图中示出)。在一些实施例中,退火模块可以是熔炉或烤炉。通过应用压力或热量实施退火操作以将半导体晶圆接合在一起。作为实例,应用的压力可包括小于约30MPa的压力,并且应用的热量可以包括在约100℃至500℃的温度下的退火操作,尽管压力和热量的其它量也可以用于退火操作。在一些实施例中,退火操作后,导电焊盘的Cu的颗粒尺寸可以包括约0.1μm至5μm,且具有大于约1.0J/m2的接合强度。可在N2环境、Ar环境、He环境、(约4%至10%的H2)/(约
90%至96%的惰性气体或N2)环境、惰性混合气体环境、它们的组合或环境的其它类型中实施接合操作或退火操作。在接合操作或退火操作前或期间,接合模块13或退火模块中的真空环境包括最小量或没有O2以阻止导电焊盘的氧化。
[0029] 在接合操作和退火操作后,在半导体晶圆的介电材料之间形成接合。在一些实施例中,退火模块进一步配置为实施形成非金属至非金属接合的熔融操作。
[0030] 图2示出根据本发明的一些实施例的接合的半导体晶圆结构2的部分。接合的半导体晶圆结构2包括使用图1中提到的装置和接合操作将两个半导体晶圆20a和20b接合在一起。
[0031] 半导体晶圆20a包括导电焊盘21a、22a、介电材料23a、贯通孔24a、25a。通过贯通孔24a、25a分别将导电焊盘21a、22a连接至半导体晶圆20a中集成的其它组件或电路(诸如导电部件、注入区域、电阻器、电容器和例如晶体管、二极管的其它半导体元件)。
[0032] 半导体晶圆20b包括导电焊盘21b、22b、介电材料23b、贯通孔24b、25b。通过贯通孔24b、25b分别将导电焊盘21b、22b连接至半导体晶圆20b中集成的其它组件或电路(诸如导电部件、注入区域、电阻器、电容器和例如晶体管、二极管的其它半导体元件)。半导体晶圆
20a的导电焊盘21a、22a与半导体晶圆20b的对应的导电焊盘21b、22b大致对准。
[0033] 如图2所示,退火操作后,在半导体晶圆20a的介电材料23a和半导体晶圆20b的介电材料23b之间形成接合28。也分别在半导体晶圆20a的导电焊盘21a、22a和半导体晶圆20b的导电焊盘21b、22b之间形成接合26、27。接合28包括非金属至非金属接合,并且接合26、27包括金属至金属接合。由于使用单一的接合操作可以形成两种不同类型的接合(金属至金属接合26、27和非金属至非金属接合28),而不是只形成一种类型的接合,这种接合操作可以称为混合接合操作。
[0034] 制造单个半导体后,半导体晶圆可以放置在制造设备上储存或在架子上一段时间。在一些实施例中,由于Cu容易氧化,因此在储存期间,根据制造环境,可在半导体晶圆的导电焊盘的表面上形成氧化物材料。例如,通过将Cu导电焊盘暴露于周围空气中的氧气,氧化物材料可以包括氧化(CuOx)。根据导电焊盘的材料类型,氧化物材料可以包括其它材料。从导电焊盘的顶面上去除氧化物材料对实现与另一半导体晶圆的高质量混合接合,并且避免半导体晶圆之间的高电阻连接是至关重要的。
[0035] 根据本发明的一些实施例,通过图1中示出的等离子体模块11和清洗模块12a、12b处理每个半导体晶圆,并且因此在通过等离子体模块11实施的还原操作和通过清洗模块12a、12b实施的清洗操作期间,可以去除氧化物材料。因此,可以减少两个接合的半导体晶圆20a、20b的导电焊盘21a、21b、22a、22b之间的电阻,这将反过来提高接合的半导体晶圆结构2的接合质量和性能。
[0036] 图3示出根据本发明的一些实施例的图1中的等离子体模块的详细的结构。图3示出的等离子体模块3包括室30、加热台31、电源32和气体输入端33。
[0037] 等离子体模块3接收半导体晶圆并且在室30中容纳接收的半导体晶圆。加热台31用于控制室30中半导体晶圆的温度。在一些实施例中,加热台的温度可以控制在从约100℃至约400℃的范围内。
[0038] 可将气体输入到室30并且通过输入端33对室30中容纳的半导体晶圆应用气体。在一些实施例中,通过输入端33对室30中的半导体晶圆应用H2、N2、NH3、N2H2或Ar。在一些实施例中,可以以在从约100sccm至约2500sccm的范围内的流速应用H2、N2、NH3、N2H2或Ar。
[0039] 电源32用于离子化对室30应用的气体,从而使得室30中的气体可以转变成等离子体。在一些实施例中。电源32可产生约300W的射频(RF)功率。
[0040] 在一些实施例中,当等离子体模块3接收来自图1所示的晶圆容器10a或10b的半导体晶圆时,可通过输入端33以在从约100sccm至约2500sccm的流速对室30应用H2或NH3。加热台配置为将晶圆的温度控制在从约100℃至约400℃的范围内的温度。电源32配置为产生约300W的RF功率以将H2或NH3转变成H2等离子体或NH3等离子体。对半导体晶圆的表面应用H2等离子体或NH3等离子体以实施还原操作,从而使得位于半导体晶圆的表面上的导电焊盘上的金属氧化物转变成纯金属。在一些实施例中,还原操作可以包括以下反应,以还原包括CuOx的金属氧化物:
[0041] Cu2O(固态)+H2(气态)→2Cu(固态)+H2O(气态)
[0042] CuO(固态)+H2(气态)→Cu(固态)+H2O(气态)
[0043] 在一些实施例中,在从约100℃至约400℃的范围内的温度处且在从约0.1Torr至约50Torr的范围内的压力处实施还原操作。在一些实施例中,可在从约100℃至约400℃的范围内的温度处对等离子体模块3的室30应用Cl2以清洗室30的侧壁,这将阻止室30的侧壁沉积Cu或CuOx。
[0044] 其后,等离子体模块3配置为实施等离子体操作。在一些实施例中,通过输入端33对室30应用N2、N2H2或Ar。在一些实施例中,等离子体操作包括使用在从约80%至约100%(体积并且在室温下)的范围内的Ar并且使用在从0%至约20%(体积并且在室温下)的范围内的H2。电源32配置为产生RF功率以将对室30应用的气体转变成等离子体。通过等离子体模块3处理半导体晶圆的表面以协助接合。等离子体模块3用于产生等离子体以激活半导体晶圆的表面上的介电材料。在等离子体操作期间,将半导体晶圆的顶面暴露于等离子体。在一些实施例中,等离子体操作后,在介电材料的顶面处形成Si-O接合。在一些实施例中,可以基于需求互换还原操作和等离子体操作。
[0045] 图4示出根据本发明的一些实施例的图1中的等离子体模块的详细的结构。图4所示的等离子体模块包括第一室40、第二室41、加热台43、电源42、第一输入端44和第二输入端45。
[0046] 等离子体模块4接收半导体晶圆并且在第二室41中容纳接收的半导体晶圆。加热台43用于控制第二室41中的半导体晶圆的温度。在一些实施例中,可将加热台43中的温度控制在从约100℃至约400℃的范围内。
[0047] 气体可以通过输入端44输入到第一室40中。在一些实施例中,可通过输入端44对第一室40应用H2、N2、NH3、N2H2或Ar。在一些实施例中,可以以在从约100sccm至约2500sccm的范围内的流速应用H2、N2、NH3、N2H2或Ar。
[0048] 电源42用于离子化对第一室40应用的气体,从而使得第一室40中的气体可以转变成等离子体。在一些实施例中,电源42可产生约300W的RF功率。
[0049] 在一些实施例中,当等离子体模块4接收来自图1所示的晶圆容器10a或10b的半导体晶圆时,可以以在从约100sccm至约2500sccm的流速通过输入端44对第一室40应用H2或NH3。电源32配置为产生约300W的RF功率以将H2或NH3转变成H2或NH3等离子体。然后通过第二输入端45将H2或HH3等离子体传输至第二室41。
[0050] 第二室41中的加热台43配置为将第二室41中的半导体晶圆的温度控制在从约100℃至约400℃的范围内。对半导体晶圆的表面应用从第一室40接收的H2或NH3等离子体以实施还原操作,从而使得位于半导体晶圆的表面上的导电焊盘上的金属氧化物转变成纯金属。在一些实施例中,还原操作可以包括以下反应,以还原包括CuOx的金属氧化物:
[0051] Cu2O(固态)+H2(气态)→2Cu(固态)+H2O(气态)
[0052] CuO(固态)+H2(气态)→Cu(固态)+H2O(气态)
[0053] 在一些实施例中,在从约100℃至约400℃的范围内的温度下且在从约0.1Torr至约50Torr的范围内的压力下实施还原反应。在一些实施例中,可在从约100℃至约400℃的范围内的温度下对等离子体模块4的第二室41应用Cl2以清洗第二室41的侧壁,这将阻止第二室41的侧壁沉积Cu或CuOx。
[0054] 其后,等离子体模块4配置为实施等离子体操作。在一些实施例中,通过输入端44对第一室40应用N2、N2H2或Ar。在一些实施例中,等离子体操作包括使用在从约80%至约100%(体积并且在室温下)的范围内的Ar并且使用在从0%至约20%(体积并且在室温下)的范围内的H2。电源42配置为产生RF功率以将对第一室40应用的气体转变成等离子体。然后通过输入端45将等离子体传输至第二室41。
[0055] 通过等离子体模块4处理位于第二室41内的半导体晶圆的表面以协助接合。从第一室40接收的等离子体用于激活半导体晶圆表面上的介电材料。在等离子体操作期间,将半导体晶圆的顶面暴露于等离子体。在一些实施例中,等离子体操作后,在介电材料的顶面处形成Si-O接合。在一些实施例中,基于需求可以互换还原操作和等离子体操作。
[0056] 为了离子化气体,通过电源产生的RF功率应该非常强。如果电源和半导体容纳在同一室中(例如,图3),这样强的RF功率将导致半导体晶圆损坏。根据图4所示的等离子体模块,在第一室中将气体转变成等离子体并且然后对第二室中的半导体晶圆应用等离子体。因此,通过将半导体晶圆和等离子体产生源分开在不同的室中可以保护半导体晶圆免受损坏。
[0057] 鉴于以上所述,本发明优选的方面是提供了一种装置,该装置通过从将要混合结合的半导体晶圆的导电焊盘上去除氧化物材料,从而实现了两个半导体晶圆之间的高质量的混合接合。因此,将减少将要混合接合的半导体晶圆的导电焊盘的电阻,这将反过来提高接合的半导体晶圆的接合质量和性能。
[0058] 根据本发明的实施例,提供了一种用于晶圆接合的装置。该装置包括传输模块和等离子体模块。传输模块配置为传输半导体晶圆。等离子体模块配置对半导体晶圆的表面实施等离子体操作和还原操作以将半导体晶圆的表面上的金属氧化物转变成金属。
[0059] 根据实施例,提供了一种用于晶圆接合的等离子体装置。该等离子体装置包括第一室和加热器。第一室用于容纳半导体晶圆。加热器43用于控制第二室中的半导体晶圆的温度。等离子体装置配置为将半导体晶圆的表面上的金属氧化物转变成金属。
[0060] 根据另一实施例,提供了用于晶圆接合的方法。该方法包括(a)对半导体晶圆的导电焊盘应用H2或NH3等离子体以将半导体晶圆的导电焊盘上的金属氧化物转变成金属;(b)激活半导体晶圆的表面;并且(c)将半导体晶圆的导电焊盘连接至另一半导体晶圆的对应的导电焊盘。
[0061] 根据本发明的一个实施例,提供了一种用于晶圆接合的装置,包括:传输模块,配置为传输半导体晶圆;等离子体模块,配置为对所述半导体晶圆的表面实施等离子体操作和还原操作以将所述半导体晶圆的所述表面上的金属氧化物转变成金属。
[0062] 在上述装置中,所述等离子体模块配置为在从100摄氏度至400℃的范围内的温度下实施所述还原操作。
[0063] 在上述装置中,所述等离子体模块配置为在从0.1Torr至50Torr的范围内的压力下实施所述还原操作。
[0064] 在上述装置中,所述等离子体模块配置为对所述半导体晶圆的所述表面应用H2或NH3以实施所述还原操作。
[0065] 在上述装置中,所述等离子体模块配置为应用Cl2以清洗等离子体室的表面。
[0066] 在上述装置中,所述等离子体模块包括室,其中,离子化器件配置为离子化H2或NH3并且加热器件配置为加热所述室。
[0067] 在上述装置中,所述等离子体模块还包括:第一室,其中,离子化器件配置为离子化H2或NH3;以及第二室,容纳所述半导体晶圆,其中,将离子化的H2或NH3从所述第一室传输至所述第二室并且对所述半导体晶圆应用所述离子化的H2或NH3。
[0068] 在上述装置中,还包括至少一个容器(10a、10b)以容纳将要混合接合的所述半导体晶圆。
[0069] 在上述装置中,还包括清洗模块(12a、12b),所述清洗模块配置为清洗所述半导体晶圆的所述表面以在所述半导体晶圆的所述表面上形成氢氧化物。
[0070] 在上述装置中,还包括接合模块(13),所述接合模块配置为物理地接触两个晶圆并且通过非金属至非金属区接合所述两个晶圆。
[0071] 根据本发明的另一实施例,还提供了一种用于晶圆接合的等离子体装置(3),包括:第一室(30),用于容纳半导体晶圆;以及加热器(31),用于控制所述第一室(30)的温度,其中,所述等离子体装置配置为将所述半导体晶圆的表面上的金属氧化物转变成金属。
[0072] 在上述等离子体装置中,所述加热器配置为将所述第一室中的所述晶圆的温度控制在从100℃至400℃的范围内。
[0073] 在上述等离子体装置中,通过在从0.1Torr至50Torr的范围内的压力将所述金属氧化物转变成所述金属。
[0074] 在上述等离子体装置中,通过H2或NH3等离子体将所述金属氧化物转变成所述金属。
[0075] 在上述等离子体装置中,还包括电源,所述电源配置为将H2或NH3离子化成H2或NH3等离子体。
[0076] 在上述等离子体装置中,所述电源位于所述第一室中。
[0077] 在上述等离子体装置中,还包括连接至所述第一室(40)的第二室(41),其中,所述电源位于所述第一室中。
[0078] 根据本发明的又一实施例,还提供了一种用于晶圆接合的方法,包括:(a)对半导体晶圆的导电焊盘应用H2或NH3等离子体以将所述半导体晶圆的所述导电焊盘上的金属氧化物转变成金属;(b)激活所述半导体晶圆的表面;以及(c)将所述半导体晶圆的所述导电焊盘连接至另一半导体晶圆的对应的导电焊盘。
[0079] 在上述方法中,在操作(a)处,所述半导体晶圆是在从100℃至400℃的范围内的温度下。
[0080] 在上述方法中,在操作(a)处,所述半导体晶圆是在从0.1Torr至50Torr的范围内的压力下。
[0081] 上面概述了若干实施例的特征,使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的各方面。本领域技术人员应该理解,他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到,这种等同构造并不背离本发明的精神和范围,并且在不背离本发明的精神和范围的情况下,在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。
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