用于RFPVD腔室且能均匀调整的ESC接地套件
阅读：746发布：2021-06-15
专利汇可以提供用于RFPVD腔室且能均匀调整的ESC接地套件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 的 实施例 一般涉及用于 半导体 处理腔室的接地套件和具有接地套件的半导体处理腔室。更具体地说，在此描述的实施例涉及建立不对称接地路径的接地套件，该不对称接地路径经选择以显著地减少由偏离中心的RF功率输送所引发的不对称性。，下面是用于RFPVD腔室且能均匀调整的ESC接地套件专利的具体信息内容。
1.一种处理腔室，所述处理腔室包括：
腔室主体；
靶材，所述靶材设置在所述腔室主体上；
RF功率馈送件，所述RF功率馈送件在一位置耦接所述靶材，所述位置产生RF功率输送的不对称；
基板支撑件，所述基板支撑件电耦接所述腔室主体；
屏蔽件，所述屏蔽件围绕所述靶材和所述基板支撑件；和
接地套件，所述接地套件具有导体，所述导体经定位以提供在所述屏蔽件与所述基板支撑件之间的不对称接地路径，所述导体的位置经选择以补偿所述功率输送的不对称。
2.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括：
RF功率源，所述RF功率源耦接所述RF馈送端子，且可操作所述RF功率源以提供频率大于13.56MHz的RF功率给所述靶材。
3.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述接地套件包括：
接地板，所述接地板具有N+1或更多个接触件安装位置，其中N是耦接至所述接地板的接触件的数目。
4.如权利要求1所述的腔室，其中所述接地套件包括：
接地板，其中所述接地板耦接所述基板支撑件且具有多个安装部位；和
多个高弹性导电接触件，所述多个高弹性导电接触件在一位置和以一方向耦接所述接地板，所述位置位在所述基板支撑件的径向外缘，所述方向产生通过所述接地套件的不对称的接地路径，其中所述接触件的数目少于所述安装部位的数目。
5.如权利要求4所述的腔室，其中所述多个导电接触件是弹簧形式。
6.如权利要求4所述的腔室，其中所述接地板是环的区段。
7.一种处理腔室，所述处理腔室包括：
腔室主体；
靶材，所述靶材设置在所述腔室主体上；
RF馈送端子，所述RF馈送端子耦接所述靶材且构造为将功率源所提供的RF功率耦接所述靶材；
基板支撑件，所述基板支撑件电耦接所述腔室主体；
屏蔽件，所述屏蔽件围绕所述靶材和所述基板支撑件；和
接地套件，所述接地套件具有在方位角上不对称地分布的可重新定位的导电接触件，所述导电接触件构造为提供在所述屏蔽件与所述基板支撑件之间的不对称的接地路径。
8.如权利要求7所述的腔室，其中所述接地套件包括：
接地板，所述接地板耦接所述基板支撑件且具有多个导电接触件安装部位，每一安装部位构造为在一位置接受所述导电接触件的其中一个导电接触件，所述位置是在所述基板支撑件的径向外缘处，其中所述接触件的数目少于所述安装部位的数目。
9.如权利要求7所述的腔室，其中所述导电接触件是弹簧形式。
10.如权利要求8所述的腔室，其中所述接地板是环的区段。
11.如权利要求8所述的腔室，其中所述接地板是环。
12.如权利要求7所述的处理腔室，进一步包括：
RF功率源，所述RF功率源耦接所述RF馈送端子，且可操作所述RF功率源以提供频率大于13.56MHz的RF功率给所述靶材。
13.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述RF馈送端子经定位以在一部位提供RF功率给所述靶材，所述部位从所述靶材的中心线偏移。
14.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述靶材是选自由Si、SiN、Er、Yb、Y、Hf、HfO、Ru、Co、AlN、Ti、TiAl、TiN、AlO、Al、Cu、Ta、TaN、TaC、W、WN、La、LaO、Ni和镍合金构成的组。
15.一种用于处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板设置在基板支撑件后，通过多个重新定位的导电接触件在基板支撑件与接地屏蔽件之间建立不对称接地路径，所述导电接触件具有在所述基板支撑件的周边周围的在方位角上不对称的分布，所述不对称接地路径实质上补偿不对称的等离子体分布；
输送频率大于13.56MHz的功率至靶材，以引发材料从所述靶材溅射；和
沉积所述溅射的材料在基板上。
用于RF PVD腔室且能均匀调整的ESC接地套件
[0001] 发明背景发明领域
[0002] 本发明的实施例一般涉及用于半导体处理腔室的接地套件和具有接地套件的半导体处理腔室。更具体地说，本发明的实施例涉及能够在具有不对称RF功率输送的物理气相沉积腔室中产生均匀等离子体的接地套件。
[0003] 相关技术的描述
[0004] 物理气相沉积（PVD）（或溅射法）是电子装置的制造中最广泛使用的工艺的其中一种工艺。PVD是在真空腔室中执行的等离子体工艺，在真空腔室中，受负偏压的靶材暴露至具有相对重的原子（例如氩（Ar））的惰性气体的等离子体或包含此类惰性气体的气体混合物的等离子体。通过惰性气体的离子的靶材轰击造成靶材材料原子射出。射出的原子在基板上堆积成沉积膜，而该基板置于腔室内设置的基板支撑底座上。支撑底座通常包括静电夹盘（electrostatic chuck;ESC），以在处理时于处理腔室内支撑及保持基板。
[0005] 接地套件可设置在腔室中以建立RF功率（用来建立等离子体）的返回路径，以行进回到RF功率源。由于处理腔室的复杂度与尺寸的限制，并非所有的腔室部件都能与基板支撑底座同轴对齐。这样的部件偏移可能引发腔室内建立的等离子体的不均匀问题。例如，发明人已发现在具有偏移RF功率输送地点（site）的腔室中使用传统的接地套件可引发RF功率不对称分布，特别是在高于13.56MHz的RF功率频率下。因此，所建立的等离子体在横越正受处理的基板上不对称地分布，此可引发基板不均等地受到处理。
[0006] 虽然传统的接地套件设计具有在13.56MHz的RF功率下稳健的处理历史，然而使用传统的套件在较高的频率下执行的处理显现超越期望限度的不对称。因此，在此本领域中需要一种改良的接地套件。
[0007] 发明概述
[0008] 本发明的实施例一般提供一种用在物理气相沉积（PVD）腔室中的接地套件和具有接地套件的PVD腔室。
[0009] 在一个实施例中，提供一种接地套件以用在基板处理腔室中。基板处理腔室具有RF功率源和设置在该基板处理腔室上的靶材，可操作该RF功率源以产生RF功率输送不对称的方式提供频率大于13.56MHz的RF功率给该靶材。该处理腔室也包括基板支撑件和屏蔽件，该基板支撑件电耦接该处理腔室，该屏蔽件围绕该靶材与该基板支撑件。该屏蔽件选择性地在该基板支撑件位于升高位置时与该基板支撑件电耦接。该接地套件具有多个导体，所述导体将该屏蔽件电耦接至该基板支撑件，且所述导体被选择性定位以通过提供该屏蔽件与该基板支撑件之间的不对称的接地路径而补偿功率输送不对称性。
[0011] 因此，可详细理解本发明的上述特征的方式，可参考各实施例获得上文简要概述的本发明的更具体描述，一些实施例图示于附图中。然而，应注意的是，附图仅描绘本发明的典型实施例，因此不应视为对本发明的范围的限制，因为本发明可允许其它同等有效的实施例。
[0012] 图1是半导体处理系统的简化横截面图，该半导体处理系统具有接地套件的一个实施例。
[0013] 图2是图1的半导体处理系统在基板处理期间的简化横截面图。
[0014] 图3至图5是在不同的RF电路条件下的说明性等离子体分布。
[0015] 图6A是接地套件的一个实施例的俯视图。
[0016] 图6B是接地套件的一个实施例的俯视图。
[0017] 图7是接地路径接触件的一个实施例的截面图。
[0018] 图8是接触环组件的一个实施例的部分截面图。
[0019] 为助于了解，在可能情况下使用相同的标号来表示附图所共有的相同元件。预期一个实施例中公开的元件可有利地利用在其它实施例上而不需特别叙述。
[0020] 具体描述
[0022] 图1描绘示例性半导体处理腔室100，该腔室100具有接地套件150的一个实施例。在图示的实施例中，处理腔室100包括溅射腔室，也称为物理气相沉积（PVD）腔室，该腔室能够沉积金属或陶瓷材料，诸如尤其是Si、SiN、Er、Yb、Y、Hf、HfO、Ru、Co、AlN、Ti、TiAl、TiN、AlO、Al、Cu、Ta、TaN、TaC、W、WN、La、LaO、Ni、镍合金（诸如是NiPt、NiTi或NiYb）。可适于受益本发明的处理腔室的一个范例是 Plus和SIP PVD处理腔室，所述处理腔室可购自美国加州圣克拉拉市（Santa Clara）的应用材料公司（Applied Materials,Inc.）。应考虑其它处理腔室（包括购自其它制造商的腔室）可适于受益于本发明。
[0023] 处理腔室100包括包围内部空间110或等离子体区的腔室主体101、腔室底部106与盖组件108，该腔室主体101具有上适配器102与侧壁适配器104。腔室主体101一般是由机械加工（machining）和焊接不锈钢板或由机械加工单一铝块而制成。在一个实施例中，侧壁适配器104包含铝，且腔室底部106包含不锈钢。腔室底部106一般包括狭缝阀（图中未示），该狭缝阀提供基板105进出处理腔室100。
[0024] 盖组件108一般包括靶材背衬板130、靶材132和磁控管134。靶材背衬板130在处于关闭位置时是由上适配器102支撑。陶瓷环密封件136设置在靶材背衬板130与上适配器102之间，以防止靶材背衬板130与上适配器102之间的真空泄漏。
[0025] 靶材132耦接靶材背衬板130且暴露至处理腔室100的内部空间110。靶材132提供在PVD工艺期间沉积在基板105上的材料。靶材132可含有Si、SiN、Er、Yb、Y、Hf、HfO、Ru、Co、AlN、Ti、TiAl、TiN、AlO、Al、Cu、Ta、TaN、TaC、W、WN、La、LaO、Ni、镍合金（诸如NiPt、NiTi或NiYb）或其它适合的材料。隔离环198设置在靶材132、靶材背衬板130与腔室主体101之间，以将靶材132电隔离靶材背衬板130与腔室主体101的上适配器102。
[0026] RF功率源140与DC功率源147耦接靶材132，以提供RF和/或DC偏压至靶材，以驱动等离子体工艺。RF功率源140由RF馈送端子143耦接靶材132。RF馈送端子143从靶材132的中心线141偏移。靶材132的中心线141也是腔室100的中心线。靶材132可相对于接地端（例如腔室主体101）受到偏压。RF功率源140与DC功率源147可被定位成邻接腔室100且可在偏离中心部位（location）处连接到靶材132，此是考虑到需要位于中心的其它腔室部件。在一个实施例中，RF功率源140提供功率给靶材132，该功率频率大于13.56MHz，例如约27.12MHz或以上。
[0027] 诸如氩气的气体从气体源142经由导管144被供应到内部空间110。气体源142可包含非反应性气体，诸如氩气或氙气，所述非反应性气体能够充满能量地冲击至靶材132上及从靶材132溅射材料。气体源142也可包括反应性气体，诸如含氧气体、含氮气体、含甲烷气体的一种或多种，所述反应性气体能够与溅射材料反应而在基板上形成层。
[0028] 用过的工艺气体和副产物从腔室100通过排放口146排放，该排放口接收用过的工艺气体且将用过的工艺气体引导到排放导管148，该排放导管148具有节流阀以控制腔室100中的气体压力。排放导管148连接一个或多个排放泵149。一般而言，腔室100中的溅射气体的压力被设定至次大气压水平，诸如真空环境，例如气压为0.6mTorr至400mTorr。
[0029] 等离子体从基板105与靶材132之间的气体形成，如图2中所见。等离子体内的离子朝向靶材132加速，且引发材料转为从靶材132去除。脱落的靶材材料沉积在基板105上。可并入匹配电路145以补偿基板105的处理期间等离子体的波动。
[0031] 底座组件120是由腔室底部106支撑且电耦接腔室底部106。底座组件120在处理期间支撑基板105和沉积环180。底座组件120由举升机构122耦接腔室100的腔室底部106，该举升机构122构造为在如图1所说明的下方位置与图2所说明的用于处理的上升位置之间移动底座组件120。此外，在下方位置，举升销（图中未示）移动通过底座组件120，以将基板隔开底座组件120，而助于用晶片传送机构交换基板，该晶片传送机构设置在处理腔室100的外部，且诸如为单刃机器人（图中未示）。波纹管124一般设置在底座组件120与腔室底部106之间，以将腔室主体101的内部空间110隔离底座组件120的内部与腔室的外部。该波纹管为导电性，以提供底座组件120与腔室主体101之间的电连接。
[0032] 底座组件120一般包括基板支撑件126，该基板支撑件126以密封式耦接基底板128，该基底板128耦接接地板125。基板支撑件126可由铝或陶瓷形成。基板支撑件126可以是静电夹盘、陶瓷主体、加热器或前述部件的组合。在一个实施例中，基板支撑件126是静电夹盘，该静电夹盘包括电介质主体，该电介质主体中嵌有电极138。接地板125一般是由金属材料（诸如不锈钢或铝）制造。基底板128可由多个连接器137耦接接地板。连接器137可以是螺栓、螺钉、铆钉、焊接物或其它适合的连接器的其中一种。基底板128可从接地板125移除，以助于简便地置换与维修基板支撑件126和基底板128。基板支撑件126具有基板接收表面127，该基板接收表面127于处理期间接收且支撑基板105，该表面127具有实质上平行于靶材132的溅射表面133的平面。
[0033] 接地屏蔽件160、覆盖环170和沉积环180用来将在内部空间110中形成的等离子体201限制在基板105上方的区域，如在图2中所见。覆盖环170与接地屏蔽件160交错（interleaf），且与沉积环180协力建立防止等离子体离开内部空间110的途径。
[0034] 接地屏蔽件160由腔室主体101支撑，且围绕溅射靶材132的溅射表面133，该溅射表面133面向基板支撑件126。屏蔽件160也围绕基板支撑件126。屏蔽件160覆盖且遮蔽腔室100的侧壁适配器104，以减少源自溅射靶材132的溅射表面133的溅射沉积物沉积至屏蔽件160后方的部件和表面上。例如，屏蔽件160可保护基板支撑件126的表面、基板105的悬垂边缘、腔室100的侧壁适配器104与腔室底部106。
[0035] 接地套件150用来提供输送到处理腔室100的RF和/或DC功率的接地路径。接地套件150至少包括接地板152和一个或多个接地路径接触件154。接地板152可由高导电材料制成，该材料诸如为不锈钢。接地板152可由安装环158耦接底座组件120的接地板125。安装环158可具有多个安装孔洞159，以允许连接器156通过所述安装孔洞且耦接至底座组件120的接地板152。连接器156可以是螺栓、螺钉、铆钉、焊接物或其它适合的连接器的其中一种。安装环158可以由高导电材料制成，诸如不锈钢，且在一个实施例中，安装环是与接地板152形成为一体。
[0036] 接地路径接触件154适于接触接地屏蔽件160的下部，因而形成将屏蔽件160耦接底座组件120的接地路径。接地路径接触件154可以由高弹性及导电材料制成，诸如铍铜或不锈钢。接地路径接触件154可具有弹簧形式，且可适于在放置成与接地屏蔽件160接触时压缩，以确保接地屏蔽件160与底座组件120之间的良好电接触。
[0037] 在腔室100中执行的工艺是由控制器190控制，该控制器190包括程序代码，程序代码具有指令集以操作腔室100的部件而助于在腔室100中处理基板。例如，控制器190所包括的程序代码可包括：基板定位指令集，操作底座组件120；气流控制指令集，操作气流控制阀以设定至腔室100的溅射气流；气压控制指令集，操作节流阀以维持腔室100中的压力；温度控制指令集，控制底座组件120或侧壁适配器104中的温度控制系统（图中未示）以各别设定基板或侧壁适配器104的温度；和工艺监视指令集，监视腔室100中的工艺。
[0038] 现在参考图2，在操作中，频率大于13.56MHz（例如约27.12MHz或以上）的RF功率从RF功率源140通过匹配电路145被输送到溅射靶材132。RF功率耦合内部空间110内的气体，以在内部空间110中形成等离子体201。RF电流从等离子体201耦合至接地屏蔽件160，且沿着第一接地路径GP1与第二接地路径GP2行进而回到匹配电路145。接地套件150是第一接地路径GP1的一部分。第一接地路径GP1与第二接地路径GP2协力运作，以在内部空间110内将等离子体201维持在溅射靶材132与基板105之间实质上中心的部位。
[0039] 现在参考图3至图5，图3是说明性的等离子体302的分布，图中显示等离子体302位在基板105上方，且是通过使用偏离中心的RF功率输送与对称的接地返回路径所形成。该偏离中心的RF功率输送可不对称地以高于13.56MHz（例如约27.12MHz以上）的RF频率提供功率给腔室100的内部空间110，因而引发基板105上方等离子体302不对称地分布。
发明人已经发现，使用不对称的接地路径可用来补偿等离子体302的偏移分布。
发明人已经发现，使用不对称的接地路径可用来补偿等离子体302的偏移分布。
[0040] 图4是说明性的等离子体402的分布，该等离子体是使用位于中心的RF功率输送与不对称接地路径形成，该不对称接地路径是由接触件154相对于腔室主体101和接地屏蔽件160的中心线在方位角上不对称的分布所建立。即使RF功率在基板105中心上方对称地被输送，然而不对称的接地路径引发等离子体在基板105周围不对称地分布，且在接近接地路径的部分有较大的分布，该部分具有较多接触面积（即，更多载流容量），这是由于在该区域有较大量的接触件154所致。可通过重新定位接触件154而调整（tune）接地路径具有较多载流容量的部分，使得由偏离中心的RF功率输送引发的不对称性实质上被接地路径引发的不对称性抵销。例如，图4中所示的等离子体402的分布（这是由不对称的接地路径所建立）被调整成图3所示的等离子体302的分布的镜像。
[0041] 将偏离中心的RF功率输送结合调整过的不对称接地路径引发等离子体变得均等地横越基板105分布，如图5中所示。例如，通过使用不对称的接地套件，等离子体分布可在方位角上对称至5%以内，该不对称的接地套件是针对至靶材132的功率输送中的功率偏移输送而调整，该功率处于约27.12MHz的频率。
[0042] 接地路径具有最大载流容量的部分位在横越基板中心与RF功率输送地点相对处。接地路径可通过调适（adjust）特定量的接触件而受到调整，以准确地使用接触件154的位置补偿特定RF功率输送的不对称，即在基板105或屏蔽件160的一侧或一个区域中有相对于其它侧或其它区域更多的接触件154。决定一个区域中相对于另一区域所需的接触面积（即接触件154）的量尤其可通过计算机建立模型、经验数据与试误法（trial and error）完成。
[0043] 图6A是接地套件150的一个实施例的俯视图，该接地套件150可用来提供受调整的不对称接地路径，以补偿偏离中心的RF功率输送。接地套件150具有多个接地路径接触件154，所述接触件154沿着接地板152的周边不对称地分布。如前文所讨论，接地路径接触件154位在底座组件120的最外侧直径的径向上的外缘，以提供充分的净空（clearance），而允许接触件154与接地屏蔽件160界面相接（interface with）。图6A中所示的接地板152构造为仅部分围绕底座组件120，以允许有空间供处理腔室100的其它部件所用。然而，如果需要，则接地板152可构造为完全围绕底座组件120，如图6B中所示。
[0044] 接地板152也具有穿过该接地板形成的多个孔洞153，以助于将接地路径接触件154紧固至接地板152。孔洞153可分布在接地板152周围，以界定安装位置，所述安装位置允许接地路径接触件154选择性地在底座组件120周围定位，而调除（tune out）偏移RF功率输送或其它条件所建立的方位角上的不对称。取决于用来限定接触件安装位置（该位置用于将单一接触件154耦接接地板152）的孔洞153数目，接地板152具有至少N+1个接触件安装位置以供N个数目的接触件154使用。在一个实施例中，孔洞153位在底座组件120的最外侧直径的径向上的外缘，以提供充分的净空给接地路径接触件154以净空（clear）底座组件120而与接地屏蔽件160界面相接。较大数目的孔洞153允许接地路径接触件154可在接地板152上重新定位，以允许在底座组件120与屏蔽件160之间的接地路径在方位角上的对称性得以被改变，以匹配等离子体对称性中的改变，该等离子体对称性中的改变是由于添加/置换腔室部件和/或处理条件而所做的改变。
[0045] 图7是耦接接地板152的接地路径接触件154的一个实施例的截面图。接地路径接触件154由一个或多个紧固件702（例如两个紧固件702）耦接接地板152。紧固件702可以是螺栓、螺钉、铆钉、焊接物或其它适合的连接器的其中一种。在一个实施例中，紧固件702是螺栓，且通过第一紧固板704且与第二紧固板706以螺纹式啮合。当紧固件702被旋紧时，紧固板704、706经定位以将接地路径接触件154与接地板152夹钳在一起。接触点
708可适于接触接地屏蔽件160。当底座组件120被抬升至上方位置以供处理基板105时，接地路径接触件154适于压缩。压缩的接地路径接触件154生成弹簧力，该弹簧力确保接地路径接触件154与接地屏蔽件160之间的良好电接触。接地路径接触件154的高度和/或宽度可经调适而调整接地路径接触件154与接地屏蔽件160之间的接触量。接地路径接触件154也可伸长或缩短，以进一步调整接地路径接触件154与接地屏蔽件160之间的接触量。
708可适于接触接地屏蔽件160。当底座组件120被抬升至上方位置以供处理基板105时，接地路径接触件154适于压缩。压缩的接地路径接触件154生成弹簧力，该弹簧力确保接地路径接触件154与接地屏蔽件160之间的良好电接触。接地路径接触件154的高度和/或宽度可经调适而调整接地路径接触件154与接地屏蔽件160之间的接触量。接地路径接触件154也可伸长或缩短，以进一步调整接地路径接触件154与接地屏蔽件160之间的接触量。
[0046] 图8说明接触环组件850的一个实施例的部分截面图。接触环组件850耦接设置在处理腔室800中的基板支撑组件820。基板支撑组件820由波纹管824对腔室800密封。接触环组件850一般由环852构成，该环852由多个紧固件856安装至基板支撑组件820，所述紧固件856设置穿过环852的安装孔洞859且与基板支撑组件820的螺纹孔洞827以螺纹式啮合。环852包括附接凸缘858、内连接壁851、上接地平面构件853、外连接壁855和下接地平面构件857。上接地平面构件853和内连接壁851可与基板支撑组件820紧密相邻，以最小化所述三者之间的电弧放电作用（arcing）。被支撑在下接地平面构件857上的是数个弹簧接触件854，所述弹簧接触件854适以接触接地屏蔽件860，因而建立接地路径以供提供至腔室800的能量返回能量源。如前文所述，弹簧接触件854可被定位在下接地平面构件857上，以建立可补偿不对称RF功率施加的不对称接地路径。弹簧接触件854可由高弹性且导电的材料制成，诸如铍铜或不锈钢。弹簧接触件854可具有弹簧形式，且当被放置成与接地屏蔽件860的底壁810接触时可适于压缩，以确保接地屏蔽件860与基板支撑组件820之间的良好电接触。
[0047] 接地屏蔽件可由安装凸缘838支撑在腔室800的上适配器802上。接地屏蔽件860一般由安装凸缘838、外垂直壁839、阶状物840、中垂直壁841、底壁810与内垂直壁842构成。中垂直壁841可具有多个孔843，所述孔843被形成为穿过该中垂直壁841。孔843容纳高速气流且不允许等离子体流过所述孔。
[0048] 因此，已提供一种接地套件以移除由偏离中心的RF功率源引发的等离子体中的不对称。
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