在磁带头制造中改进的条切割方法和装置
专利汇可以提供在磁带头制造中改进的条切割方法和装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及在磁带头制造中改进的条切割方法和装置，其中 挡板 粘合到 薄膜 晶片的一段上。通过用刀片切穿挡板和薄膜晶片而从此段晶片切割条，使得刀片的相反侧 啮合 挡板的相同表面积。，下面是在磁带头制造中改进的条切割方法和装置专利的具体信息内容。
1.一种用于切割晶片的方法，包括：
把挡板粘合到一段晶片上；以及
通过用刀片切穿挡板和晶片段而从此段晶片切割条，使得刀片 的相反侧啮合挡板的相同表面积。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括从晶片切割段。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括在切割之前除去挡板 的顶部。
4.如权利要求3所述的方法，其中，通过研磨而除去挡板的顶 部。
5.如权利要求1所述的方法，进一步包括除去在从所述段切割 条之后挡板材料保留的碎料。
6.如权利要求5所述的方法，其中，通过擦光而除去碎料。
7.如权利要求5所述的方法，其中，机械除去碎料，而不从所 述条除去材料。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述条可进行热处理，用 于至少暂时地影响把碎料粘合到所述条上的粘合剂的性质，这样有助 于除去碎料。
9.如权利要求1所述的方法，其中，刀片的切割宽度小于150 微米。
10.如权利要求1所述的方法，其中，刀片的切割宽度小于 75微米。
11.如权利要求1所述的方法，其中，刀片的切割宽度小于 挡板宽度的50％，挡板宽度在挡板的相反侧之间确定，所述相反侧 的方向一般与刀片旋转平面平行。
12.如权利要求1所述的方法，进一步包括对所述条切片， 用于形成磁带头部分。
13.一种用于切割晶片的机构，包括：
粘合机构，用于把挡板粘合到一段晶片上；以及
通过切穿挡板和晶片段而从晶片切割条的刀片，使得刀片的相 反侧啮合挡板的相同表面积。
14.如权利要求13所述的机构，进一步包括在切割之前除去 挡板的顶部。
15.如权利要求13所述的机构，进一步包括除去在从所述段 切割条之后挡板材料保留的碎料。
16.如权利要求15所述的机构，其中，通过擦光而除去碎 料。
17.如权利要求15所述的机构，其中，机械除去碎料，而不 从所述条除去材料。
18.如权利要求17所述的机构，其中，把碎料粘合到所述条 上的粘合剂在低于50°F的温度下变脆，并且进一步包括：在除去碎 料之前把所述条的温度降低到低于50°F。
19.如权利要求13所述的机构，其中，刀片的切割宽度小于 150微米。
20.如权利要求13所述的机构，进一步包括对所述条切片， 用于形成磁带头部分。
21.一种用于切割晶片的方法，包括：
把挡板粘合到一段晶片上；
除去挡板的顶部；
通过用刀片切穿挡板和晶片段而从此段晶片切割条，使得刀片 的相反侧啮合挡板的相同表面积；
其中，刀片的切割宽度小于100微米；以及
除去在从所述段切割条之后挡板材料保留的碎料。
22.一种磁带头组件，包括：
元件；以及
耦合到元件的挡板；
其中，已经从元件除去在切割条之后挡板材料保留的碎料。
技术领域
本发明涉及磁头制造，并更具体地，本发明涉及在晶片切割过 程中减少刀片扭曲的方法。
背景技术
晶片切片技术已经得到迅速发展，目前在最前沿的薄膜封装操 作中，切片是强制性的程序。它广泛用于薄膜集成电路晶片上的小片 切割。
借助锯切的薄膜晶片切片是与已使用几十年的研磨和切断操作 相似的磨削加工工艺。然而，用于小片切割的切割刀片的尺寸使该工 艺很独特。通常，刀片厚度的范围从0.6密耳到500密耳，并且金刚 石颗粒(已知最硬的材料)用作研磨材料成分。由于金刚石切割刀片 的细度极高，因此，满足一套严格的参数是绝对有必要的，并且即使 与标准有最细微的偏差也会导致完全失败。
金刚石刀片是一种切割工具，其中，每个暴露的金刚石颗粒包 括小的刃口。在工业上使用三种基本类型的切割刀片：
烧结金刚石刀片，其中，金刚石颗粒熔合到诸如黄铜或紫铜的 软材料中，或借助粉末冶金工艺进行结合。
电镀金刚石刀片，其中，金刚石颗粒固定在由电镀工艺产生的 镍粘合剂中。
树脂金刚石刀片，其中，金刚石颗粒固定在树脂粘合剂中以产 生均匀的母体。
在薄膜晶片切片中，电镀金刚石刀片占主导，已经证实它是此 应用中最成功的。
更昂贵的和外来的材料使用得越来越多，随之而来的是它们经 常组合使用以生产多层不同的材料，这进一步增加切片问题。这些基 片的高成本、以及在其上制作的电路的价值，使得除了在小片切割阶 段中获得高产量以外难以接受其它任何事情。
薄膜晶片的尺寸是标准化的，因而，可从每个晶片切割的小片 数量是有限的。为了使可用于电路的晶片空间数量最大，并因而使每 个晶片的小片产量最大，必须使切割过程中被切掉的面积最小化。这 仅通过使用更薄的刀片和通过消除因刀片偏离预期切割路径而引起的 产量损失就可实现。
由薄膜工艺制造的一种组件是磁带头。许多磁头(如硬盘记录 头和一些磁带头)不使用挡板，所以它们相对容易切割。然而，最常 规的磁带头使用挡板。图1示出一个这样的磁带头100。磁带头100 包括一对头部102，每个头部都具有挡板104，当磁带106经过磁带 头100上时，挡板104与磁带106啮合。
对于那些使用挡板的磁头，本领域方法描述在切割过程中产生 的问题。为了使产量最大，对晶片202进行切割，从而削去挡板104 的一边。参照图2。由于刀片在其一侧上比另一侧啮合更多的材料， 因此刀片变扭曲，使刀片偏离预期切割路径并损坏小片。
对于从晶片切割条，沿挡板侧面切割晶片比穿过挡板边缘切割 是更不希望的，因为在锯切过程中通常有更高的误差幅度。通过移动 锯切路径更靠近电路，刀片更有可能切割到读/写电路中，致使小片 不能使用。在此传统切割方法中唯一的补救是增加晶片上每条的尺 寸，以补偿刀片偏差或提供更厚的刀片。不管怎样，最终结果是导致 产量不受欢迎地下降。
图3示出现有技术对降低刀片扭曲的尝试。如图所示，刚性元 件300耦合到刀片200的非晶片接触部分，以增加刀片200的弹性。 虽然此解决方案把刀片扭曲矫正到一定程度，但这不能完全消除产量 损失，仍然发生一些扭曲，导致刀片偏离切割路径并破坏电路。
希望使用常规的方法来实现上述优点，并从而减少昂贵的刀 片。还希望使用更薄的刀片以提高每个晶片的产量。还希望减少在锯 切过程中因刀片偏离而产生的出错率。
发明内容
刀片用于通过切穿挡板和薄膜晶片而从每段切割条，从而刀片 的相反侧啮合挡板的相同表面积。换句话说，刀片完全啮合挡板。刀 片的切割宽度优选小于150微米，更优选地小于100微米，理想地是 小于75微米。
在切割时，两片挡板材料保持与所述条耦合。挡板材料的一部 分是希望有的，并且在磁带头中使用所述条时此部分用于啮合磁带。 除去挡板材料的其它部分，此部分称作碎料。碎料通过擦光而除去。 碎料也可机械除去，即通过一些物理机构除去，而不从所述条除去材 料。一个实例是用人力和诸如镊子的工具除去。
可选地，所述条可进行热处理，用于至少暂时地影响把碎料粘 合到所述条上的粘合剂的性质，这样有助于除去碎料。
接着，所述条被切片成各个读/写元件或小片。
附图说明
为了更完全地理解本发明的性质和优点以及应用的优选模式， 应该参考以下结合附图的详细描述。
图1为具有挡板的磁带头的侧视图。
图2为现有技术切割工艺的侧视图，示出刀片的扭曲。
图3为现有技术切割工艺的侧视图，其中，刀片已被增强以减 小刀片扭曲。
图4为根据一个实施例的一段薄膜晶片的透视图。
图5为挡板阵列的透视图。
图6为示出挡板阵列与晶片段耦合的透视图。
图7为与晶片段耦合的挡板阵列的透视图。
图8为与晶片段耦合的挡板在除去阵列顶部时的透视图。
图9为示出从一段晶片切割条的侧视图。
图10为从晶片切割的条的侧视图。
图11为从晶片切割的条的透视图。
图12为从条切割的切片的透视图。
图13为耦合到U形梁的切片的透视图。
具体实施方式
本发明提供用于切割薄膜晶片以形成诸如磁带头组件的物件的 方法和机构。薄膜晶片可以是能在其中包含电路的任何类型的复合物 或合成物，并且包括半导体晶片。
根据优选方法，薄膜晶片被切割成矩形段，有时称作四方块。 图4示出根据一个实施例的薄膜晶片的段400。如图所示，段400包 括多个电路条402，电路条402最终将被切割和切片，以形成小片。 每个条402都可包含多个读和/或写元件。
图5示出将粘合到晶片段400上的挡板502的阵列500。图6示 出阵列500如何粘合到段400上。
图7示出粘合到晶片段400上的挡板502的阵列500。挡板502 在加工后保留下来的部分用于在磁带滑过磁头上时支撑磁带，以保护 磁头内的精密电子器件免受磨损，这与图1所示磁带106与磁头100 啮合的方式相似。
在把段400切割成条402之前，挡板502的阵列500的顶部504 被除去。参见图5。可使用研磨来除去阵列500的顶部504。图8示 出挡板502和段400，它们已被除去挡板502的阵列500的顶部 504。
如图9所示，刀片900通过切穿挡板502和段400而用于从每 段400切割条，从而，刀片900的相反侧啮合挡板502的相同表面 积。换句话说，刀片900完全啮合挡板502。
一种保证刀片900啮合挡板502相同表面积的方式是增加挡板 502的尺寸，从而挡板502完全叠盖在切口上。例如，如果用120微 米刀片900执行锯切，挡板502就应覆盖大约125微米的切口(120 微米切割宽度+允许偏差的5微米)。挡板的超出量可在后面除去， 如下所述。
另一种方式是使用完全与挡板502啮合的非常薄的刀片900。刀 片的切割宽度小于挡板宽度，这里，挡板宽度在挡板的相反侧之间确 定，所述相反侧的方向一般与刀片旋转平面平行。优选地，刀片的切 割宽度小于挡板宽度的3/4(75％)，理想地小于1/2(50％)。刀片 900的切割宽度优选小于150微米，更优选小于100微米，理想地是 小于75微米。挡板502实际上帮助刀片900保持形状，因为刀片 900每侧上的材料数量是相同的。
图10示出从段400切割的条。在切割时，两片挡板材料保持与 所述条耦合。挡板材料的一部分1000是希望有的，并且当所述条放 置在磁带头上时部分1000用于啮合磁带。除去挡板材料的其它部分 1002，此部分称作碎料1002。碎料1002可通过擦光除去。例如，在 背擦光工艺过程中除去碎料1002，此工艺擦光锯齿边以使之光滑。
碎料1002可被机械除去，即通过一些物理机构除去，而不从所 述条除去材料。一个实例是用人力和诸如镊子的工具除去。可选地， 条402可进行热处理，用于至少暂时地影响把碎料1002粘合到条 402上的粘合剂的性质，这样有助于除去碎料1002。例如，根据用于 把挡板502粘合到晶片的粘合剂的类型，可降低条402的温度，以使 粘合剂暂时变脆，由此使碎料1002更易于除去。例如，如果粘合剂 在低于-60℃的温度下变脆，就可在除去碎料1002之前，把条402的 温度降低到低于-60℃。
图11示出除去碎料1002之后的条。接着使用常规方法把所述 条切片成各个薄膜元件或小片1200。参见图12，此图示出一个小片 1200。如图13所示，每个小片1200耦合到U形梁1300。U形梁 1300最终耦合在一起形成磁头。
在使用中，由本文所述工艺和仪器产生的薄膜元件可用于磁记 录头，所述磁记录头用于任何类型的磁介质，包括但不限于盘介质、 磁带等。
以上虽然已经描述各个实施例，但应该理解，它们只是通过实 例来介绍，并不是限制性的。例如，在此提出的结构和方法在它们的 应用中对于所有类型的薄膜器件都是通用的。因而，优选实施例的广 度和范围不应受上述任何典型实施例的限制，而只根据后附权利要求 及其等效物进行定义。
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