技术领域
[0001] 本
发明涉及eMMC(Embedded Multi Media Card)存储
控制器领域，尤其涉及增强eMMC接口稳定性的方法及系统。
背景技术
[0002] eMMC采用统一的MMC标准接口，把高
密度NANDFlash(Flash
存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案)存储器以及MMC Controller(多媒体控制器)封装在一颗BGA(Ball Grid Array，焊球阵列封装)芯片中。针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，Flash平均擦写，坏
块管理，掉电保护等技术。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。然而随着
频率的增加和PCB(Printed Circuit Board，印制
电路板)走线及器件的影响，eMMC的数据线和控制线的窗口余量变小，导致读写的稳定性越来越差。为了解决该问题的传统方式主要有两种，一种是严格控制PCB的走线，尽量做等长处理，但是
信号线上传送的信号不等长，不能从根本上提升读写的稳定性；另一种是对已经调试中的板子，进行降频处理，然而经过降频处理的板子并适合高频的工作模式，也达不到提升读写的稳定性的目的。
发明内容
[0003] 针对现有的eMMC接口稳定性差的问题，现提供一种旨在实现可增强eMMC接口稳定性的方法。
[0004] 本发明提供了一种增强eMMC接口稳定性的方法，eMMC模块包括存储单元和控制单元，所述存储单元对应五个驱动
电阻；所述方法包括下述步骤：
[0005] 分别在所述五个驱动电阻下测量所述控制单元的
通信接口的初始
位置；
[0006] 调节所述通信接口的初始位置使所述通信接口有效窗口最大；
[0007] 将所述五个驱动电阻对应的所述有效窗口进行比较，获取最大的有效窗口对应的驱动电阻，将所述驱动电阻作为所述eMMC模块的驱动配置电阻。
[0008] 优选的，在一个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置，包括：
[0009] 在所述驱动电阻下，保持
采样时钟信号不变；
[0010] 获取所述通信接口中每个数据接口的采样位置；
[0011] 所有所述数据接口重叠的采样位置即为所述通信接口的初始位置。
[0012] 优选的，所述获取所述通信接口中每个数据接口的采样位置，包括：
[0013] 逐个对所述通信接口中每个所述数据接口的接收时间进行调节，以获取每个所述数据接口的采样位置。
[0014] 优选的，所述调节所述通信接口的初始位置使所述通信接口有效窗口最大，包括：
[0015] 将所述通信接口中所有数据接口的采样位置的中间位置对齐；
[0016] 所述数据接口重叠的采样位置即为所述通信接口有效窗口。
[0017] 本发明还提供了一种增强eMMC接口稳定性的方法，eMMC模块包括存储单元和控制单元，所述存储单元对应五个驱动电阻；所述方法包括下述步骤：
[0018] 分别在所述五个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置；
[0019] 将所述五个驱动电阻对应的所述初始位置进行比较，获取最大的初始位置对应的驱动电阻，将所述驱动电阻作为所述eMMC模块的驱动配置电阻。
[0020] 优选的，在一个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置，包括：
[0021] 在所述驱动电阻下，保持采样时钟信号不变；
[0022] 获取所述通信接口中控制接口的采样位置，所述控制接口的采样位置即为所述初始位置。
[0023] 本发明还提供了一种增强eMMC接口稳定性的系统，eMMC模块包括存储单元和控制单元，所述存储单元对应五个驱动电阻；包括：
[0024] 测量单元，用于分别在所述五个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置；
[0025] 调节单元，用于调节所述通信接口的初始位置使所述通信接口有效窗口最大；
[0026] 获取单元，用于将所述五个驱动电阻对应的所述有效窗口进行比较，获取最大的有效窗口对应的驱动电阻，将所述驱动电阻作为所述eMMC模块的驱动配置电阻。
[0027] 优选的，所述测量单元在一个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置时，用于在所述驱动电阻下，保持采样时钟信号不变，获取所述通信接口中每个数据接口的采样位置，所有所述数据接口重叠的采样位置即为所述通信接口的初始位置。
[0028] 优选的，所述调节单元用于将所述通信接口中所有数据接口的采样位置的中间位置对齐，所述数据接口重叠的采样位置即为所述通信接口有效窗口。
[0029] 本发明还提供了一种增强eMMC接口稳定性的系统，eMMC模块包括存储单元和控制单元，所述存储单元对应五个驱动电阻；包括：
[0030] 测量单元，用于分别在所述五个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置；
[0031] 获取单元，用于将所述五个驱动电阻对应的所述初始位置进行比较，获取最大的初始位置对应的驱动电阻，将所述驱动电阻作为所述eMMC模块的驱动配置电阻。
[0032] 上述技术方案的有益效果：
[0033] 本技术方案中，通过在不同的驱动电阻下测量控制单元的通信接口的初始位置，调节该通信接口的初始位置使通信接口有效窗口最大，根据最大的有效窗口找到最优的驱动配置电阻，从而实现通过采用驱动配置电阻来提高eMMC接口稳定性的目的。
附图说明
[0034] 图1为本发明所述的增强eMMC接口稳定性的方法一种
实施例的
流程图；
[0035] 图2a为本发明在33Ω时数据接口的采样位置的一种实施例的示意图；
[0036] 图2b为本发明在33Ω时通信接口的有效窗口的一种实施例的示意图；
[0037] 图3a为本发明在40Ω时数据接口的采样位置的一种实施例的示意图；
[0038] 图3b为本发明在40Ω时通信接口的有效窗口的一种实施例的示意图；
[0039] 图4a为本发明在50Ω时数据接口的采样位置的一种实施例的示意图；
[0040] 图4b为本发明在50Ω时通信接口的有效窗口的一种实施例的示意图；
[0041] 图5a为本发明在60Ω时数据接口的采样位置的一种实施例的示意图；
[0042] 图5b为本发明在60Ω时通信接口的有效窗口的一种实施例的示意图；
[0043] 图6为本发明所述的增强eMMC接口稳定性的系统的一种实施例的模块图。
具体实施方式
[0044] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0045] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0046] 下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0047] 如图1所示，本发明提供了一种增强eMMC接口稳定性的方法，eMMC模块包括存储单元和控制单元，所述存储单元对应五个驱动电阻；所述方法包括下述步骤：
[0048] S1.分别在所述五个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置；
[0049] 需要说明的是，存储单元可采用eMMC单元；控制单元可采用SOC芯片(System-on-a-Chip)。
[0050] 在本实施例中，基于eMMC JEDEC(固态技术协会是微
电子产业的领导标准机构)规范中，定义了eMMC存在的5种驱动强度(即驱动电阻，分别为：33Ω、40Ω、50Ω、60Ω、100Ω)，因此采用不同的驱动强度，测试对应通信接口的初始位置。
[0051] 在优选的实施例中，在一个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置，包括：
[0052] S11.在所述驱动电阻下，保持采样时钟信号不变；
[0053] S12.获取所述通信接口中每个数据接口的采样位置；
[0054] 进一步地，逐个对所述通信接口中每个所述数据接口的接收时间进行调节，以获取每个所述数据接口的采样位置。
[0055] 在实际操作过程中，可调整每个数据接口的delay(延迟)值，找到最小的delay值(数据接口最左侧的边界)和最大的delay值(数据接口最右侧的边界)，中间部分就是该数据接口的采样位置。其中，delay值根据单位个delay的延时时间乘以delay的数量获取。
[0056] 在测试数据接口的采样位置时，可在HS400模式、HS200模式、High Speed DDR52模式及High Speed SDR模式下进行测量。
[0057] 需要说明的是，在HS400模式下测试数据接口时，保持DS信号(存储单元发送的时钟信号)不变作为采样时钟信号，逐个调整每个数据接口的延迟值，以获取数据接口的采样位置；在HS200模式、High Speed DDR52模式及High Speed SDR模式下测试数据接口时，保持CLK信号(控制单元发送的时钟信号)不变作为采样时钟信号，逐个调整每个数据接口的延迟值，以获取数据接口的采样位置。
[0058] S13.所有所述数据接口重叠的采样位置即为所述通信接口的初始位置。
[0059] S2.调节所述通信接口的初始位置使所述通信接口有效窗口最大；
[0060] 进一步地，所述调节所述通信接口的初始位置使所述通信接口有效窗口最大，包括：
[0061] S21.将所述通信接口中所有数据接口的采样位置的中间位置对齐；
[0062] S22.所述数据接口重叠的采样位置即为所述通信接口有效窗口。
[0063] 需要说明的是，有效窗口数为所有数据接口的数据线重合的区域，因为如果有一根信号线不在，就会存在读失败的情况。
[0064] 在本实施例中，获取通信接口的初始位置后，采取中间对齐方式，对齐所有数据接口的采样位置，使有效窗口达到最大，从而达到让eMMC工作更加稳定可靠的目的。
[0065] S3.将所述五个驱动电阻对应的所述有效窗口进行比较，获取最大的有效窗口对应的驱动电阻，将所述驱动电阻作为所述eMMC模块的驱动配置电阻。
[0066] 在本实施例中，通过在不同的驱动电阻下测量控制单元的通信接口的初始位置，调节该通信接口的初始位置使通信接口有效窗口最大，根据最大的有效窗口找到最优的驱动配置电阻，从而实现通过采用驱动配置电阻来提高eMMC接口稳定性的目的。
[0067] 参考图2-图5所示，作为举例而非限定，当eMMC模块工作在HS400模式时，在200Mhz的情况下测试不同驱动强度(33Ω、40Ω、50Ω、60Ω)的每个数据接口(D0-D7)，然后经过中间对齐后，测得33Ω对应的有效窗口数为29个；40Ω对应的有效窗口数为27个；50Ω对应的有效窗口数为30个；66Ω对应的有效窗口数为29个，经比较得到当eMMC在50Ω驱动强度时，有效窗口总数最大，因此50Ω驱动强度即为对应板子的驱动配置电阻。
[0068] 需要说明的是，有效窗口个数，对应的是控制单元内部寄存器中设置的delay数量，根据SOC规格书的描述，一个delay单位延时为50皮秒(ps)，总延时数为delay数量乘以50ps。有效窗口数为数据接口(D0-D7)八根数据线重合的区域，因为如果有一根信号线不在，就会存在读失败的情况。
[0069] 本发明还提供了一种增强eMMC接口稳定性的方法，eMMC模块包括存储单元和控制单元，所述存储单元对应五个驱动电阻；所述方法包括下述步骤：
[0070] A1.分别在所述五个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置；
[0071] A2.将所述五个驱动电阻对应的所述初始位置进行比较，获取最大的初始位置对应的驱动电阻，将所述驱动电阻作为所述eMMC模块的驱动配置电阻。
[0072] 在本实施例中，通过在不同的驱动电阻下测量控制单元的通信接口的初始位置，根据最大的初始位置找到最优的驱动配置电阻，从而实现通过采用驱动配置电阻来提高eMMC接口稳定性的目的。
[0073] 在优选的实施例中，在一个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置，包括：
[0074] 在所述驱动电阻下，保持采样时钟信号不变；
[0075] 获取所述通信接口中控制接口的采样位置，所述控制接口的采样位置即为所述初始位置。
[0076] 在测试控制接口的采样位置时，可在HS400模式、HS200模式、High Speed DDR52模式及High Speed SDR模式下进行测量。
[0077] 需要说明的是，在HS400模式、HS200模式、High Speed DDR52模式及High Speed SDR模式下测试控制接口时，保持CLK信号(控制单元发送的时钟信号)不变作为采样时钟信号，对控制接口的采样位置进行测量。
[0078] 如图6所示，本发明还提供了一种增强eMMC接口稳定性的系统，eMMC模块包括存储单元和控制单元，所述存储单元对应五个驱动电阻；包括：
[0079] 测量单元1，用于分别在所述五个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置；
[0080] 调节单元2，用于调节所述通信接口的初始位置使所述通信接口有效窗口最大；
[0081] 获取单元3，用于将所述五个驱动电阻对应的所述有效窗口进行比较，获取最大的有效窗口对应的驱动电阻，将所述驱动电阻作为所述eMMC模块的驱动配置电阻。
[0082] 本技术方案中，通过在不同的驱动电阻下测量控制单元的通信接口的初始位置，调节该通信接口的初始位置使通信接口有效窗口最大，根据最大的有效窗口找到最优的驱动配置电阻，从而实现通过采用驱动配置电阻来提高eMMC接口稳定性的目的。
[0083] 在优选的实施例中，所述测量单元1在一个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置时，用于在所述驱动电阻下，保持采样时钟信号不变，获取所述通信接口中每个数据接口的采样位置，所有所述数据接口重叠的采样位置即为所述通信接口的初始位置。
[0084] 在优选的实施例中，所述调节单元2用于将所述通信接口中所有数据接口的采样位置的中间位置对齐，所述数据接口重叠的采样位置即为所述通信接口有效窗口。
[0085] 本发明还提供了一种增强eMMC接口稳定性的系统，eMMC模块包括存储单元和控制单元，所述存储单元对应五个驱动电阻；包括：
[0086] 测量单元，用于分别在所述五个驱动电阻下测量所述控制单元的通信接口的初始位置；
[0087] 获取单元，用于将所述五个驱动电阻对应的所述初始位置进行比较，获取最大的初始位置对应的驱动电阻，将所述驱动电阻作为所述eMMC模块的驱动配置电阻。
[0088] 在本实施例中，通过在不同的驱动电阻下测量控制单元的通信接口的初始位置，根据最大的初始位置找到最优的驱动配置电阻，从而实现通过采用驱动配置电阻来提高eMMC接口稳定性的目的。
[0089] 以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明
说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
