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显示背板和显示装置

阅读:523发布:2020-10-29

专利汇可以提供显示背板和显示装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型提供了显示 背板 和显示装置。该显示背板具有多个用于发光的开口区域,包括:衬底 基板 ;设置在衬底基板的部分表面上的有源层;设置在有源层远离衬底基板的部分表面上的层间绝缘层;包括相对设置的第一 电极 和第二电极的 存储电容器 ,第一电极设置在衬底基板的部分表面上,第二电极设置在第一电极远离衬底基板的一侧,存储电容器在所述衬底基板上的正投影与显示背板中的开口区域在衬底基板上的正投影至少部分重叠,层间绝缘层具有第一孔,第一电极设置在第一孔中。该显示背板中本应占用非开口区域的存储电容器设置在开口区域,显著减小了非开口区域的面积,显著增大了该显示背板的 开口率 ,使得其使用寿命长,信赖性好。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利,下面是显示背板和显示装置专利的具体信息内容。

1.一种显示背板,具有多个用于发光的开口区域,其特征在于,包括:
衬底基板
有源层,所述有源层设置在所述衬底基板的部分表面上;
层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底基板的部分表面上;
存储电容器,所述存储电容器包括相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极设置在所述衬底基板的部分表面上,所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,
其中,所述存储电容器在所述显示背板的衬底基板上的正投影与所述显示背板中的开口区域在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠,所述层间绝缘层具有第一孔,所述第一电极设置在所述第一孔中。
2.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述第一孔是通孔。
3.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述第一孔是盲孔
4.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述存储电容器在所述衬底基板上的正投影与所述开口区域在所述衬底基板上的正投影重叠。
5.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述显示背板为底发射显示背板,所述第一电极和所述第二电极为透明电极,形成所述第一电极和所述第二电极中的至少之一的材料为化铟
6.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述存储电容器设置在显示背板的缓冲层像素结构的阳极之间,所述第一电极和所述第二电极之间至少有一个绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示背板,其特征在于,还包括:
平坦化层,所述平坦化层设置在所述第一电极远离所述衬底基板的表面上;
像素结构,所述像素结构包括阳极,所述像素结构设置在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧,
其中,所述第二电极设置在所述平坦化层远离所述衬底基板的表面上,且所述第二电极与所述阳极连接。
8.根据权利要求7所述的显示背板,其特征在于,还包括:
第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的源极与所述显示背板的电源总线相连接,所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二电极、所述阳极连接;
遮光层,所述遮光层设置在所述衬底基板的部分表面上,所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第三薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影,且所述遮光层通过所述有源层中的第三过孔与所述显示背板中第三薄膜晶体管的源极或漏极连接。
9.根据权利要求7所述的显示背板,其特征在于,包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管,
所述第一薄膜晶体管的栅极与所述显示背板的第一扫描线连接,所述第一薄膜晶体管的源极与所述显示背板的数据线连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一电极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接;
所述第二薄膜晶体管的栅极与所述显示背板的第二扫描线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二电极、所述第三薄膜晶体管的漏极和所述显示背板中像素结构的阳极连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述显示背板的基准电压信号线连接;
所述第三薄膜晶体管的源极与所述显示背板的电源总线相连接。
10.根据权利要求9所述的显示背板,其特征在于,所述平坦化层具有第一过孔,所述第二电极通过所述第一过孔与所述显示背板中第三薄膜晶体管的漏极连接。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~10中任一项所述的显示背板。

说明书全文

显示背板和显示装置

技术领域

[0001] 本实用新型涉及显示技术领域,具体地,涉及显示背板和显示装置。

背景技术

[0002] 目前,主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)因高对比度,可视度广以及响应速度快有望取缔液晶成为下一代显示装置的主流选择。然而,AMOLED显示背板的开口率仍然有待提高。
[0003] 因而,现有的显示背板的相关技术仍有待改进。实用新型内容
[0004] 本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的在于提出一种非开口区域的面积小、开口率高、使用寿命长或者信赖性好的显示背板。
[0005] 在本实用新型的一个方面,本实用新型提供了一种显示背板。根据本实用新型的实施例,该显示背板具有多个用于发光的开口区域,包括:衬底基板;有源层,所述有源层设置在所述衬底基板的部分表面上;层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底基板的部分表面上;存储电容器,所述存储电容器包括相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极设置在所述衬底基板的部分表面上,所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,其中,所述存储电容器在所述衬底基板上的正投影与所述显示背板中的开口区域在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠,所述层间绝缘层具有第一孔,所述第一电极设置在所述第一孔中。该显示背板中由于使所述存储电容器在所述衬底基板上的正投影与所述显示背板中的开口区域在衬底基板上的正投影至少部分重叠,故而使得本应占用非开口区域的存储电容器设置在开口区域,显著减小了显示背板中非开口区域的面积,从而显著增大了该显示背板的开口率,进而使得该显示背板的使用寿命长,信赖性好。
[0006] 可选的,所述第一孔是通孔。
[0007] 可选的,所述第一孔是盲孔
[0008] 可选的,所述存储电容器在所述衬底基板上的正投影与所述开口区域在所述衬底基板上的正投影重叠。
[0009] 可选的,所述显示背板为底发射显示背板,所述第一电极和所述第二电极为透明电极,形成所述第一电极和所述第二电极中的至少之一的材料为化铟
[0010] 可选的,所述存储电容器设置在显示背板的缓冲层像素结构的阳极之间,所述第一电极和所述第二电极之间至少有一个绝缘层。
[0011] 可选的,所述显示背板还包括:平坦化层,所述平坦化层设置在所述第一电极远离所述衬底基板的表面上;像素结构,所述像素结构包括阳极,所述像素结构设置在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧,其中,所述第二电极设置在所述平坦化层远离所述衬底基板的表面上,且所述第二电极与所述阳极连接。
[0012] 可选的,所述显示背板还包括:第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的源极与所述显示背板的电源总线相连接,所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二电极、所述阳极连接;遮光层,所述遮光层设置在所述衬底基板的部分表面上,所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第三薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影,且所述遮光层通过所述有源层中的第三过孔与所述显示背板中第三薄膜晶体管的源极或漏极连接。
[0013] 可选的,所述显示背板包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述显示背板的第一扫描线连接,所述第一薄膜晶体管的源极与所述显示背板的数据线连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一电极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接;所述第二薄膜晶体管的栅极与所述显示背板的第二扫描线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二电极、所述第三薄膜晶体管的漏极和所述显示背板的阳极连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述显示背板的基准电压信号线连接;所述第三薄膜晶体管的源极与所述显示背板的电源总线相连接。
[0014] 可选的,所述平坦化层上具有第一过孔,所述第二电极通过所述第一过孔与所述显示背板中第三薄膜晶体管的漏极连接。
[0015] 在本实用新型的另一个方面,本实用新型提供了一种显示装置。根据本实用新型的实施例,该显示装置包括前面所述的显示背板。该显示装置的使用寿命长,信赖性好,且具有前面所述的显示背板的所有特征和优点,在此不再过多赘述。附图说明
[0016] 图1显示了本实用新型的显示背板中像素电路的结构示意图。
[0017] 图2显示了本实用新型一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。
[0018] 图3显示了本实用新型另一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。
[0019] 图4显示了本实用新型又一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。
[0020] 图5显示了本实用新型再一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。
[0021] 图6显示了本实用新型再一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。
[0022] 图7显示了本实用新型一个实施例的制作显示背板的方法的流程示意图。
[0023] 图8a、图8b、图8c、图8d、图8e、图8f、图8g、图8h、图8i显示了本实用新型又一个实施例的制作显示背板的方法的流程示意图。
[0024] 图9显示了本实用新型实施例的制作显示背板的方法中形成第一电极之后的平面结构示意图。
[0025] 图10显示了本实用新型实施例的制作显示背板的方法中使用的半色调掩膜的平面结构示意图。
[0026] 图11显示了本实用新型实施例的制作显示背板的方法中形成第二电极之后的平面结构示意图。
[0027] 图12显示了本实用新型图5中实施例所示出的显示背板的单个子像素平面结构示意图。
[0028] 附图标记:
[0029] 2:本体3:镂空部10:显示背板100:衬底基板CST:存储电容器210:第一电极220:第二电极300:缓冲层310:遮光层400:阳极410:像素界定层EL:像素结构420:阴极430:发光层500:绝缘层510:层间绝缘层511:第一孔512:第二孔513:第三孔520:平坦化层521:第一过孔530:树脂层531:第二过孔541:第三过孔600:有源层610:沟道区700:栅极710:栅绝缘层
800:源极900:漏极H:开口区域Vref:基准电压信号线T1:第一薄膜晶体管T2:第二薄膜晶体管T3:第三薄膜晶体管Scan1:第一扫描线Scan2:第二扫描线VDD:电源总线DL:数据线具体实施方式
[0030] 下面详细描述本实用新型的实施例。下面描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。实施例中未注明具体技术或条件的,按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市购获得的常规产品。
[0031] 在本实用新型的一个方面,本实用新型提供了一种显示背板。根据本实用新型的实施例,参照图2、图5和图6(为更加清楚地示出开口区域H与第一电极210与第二电极220的位置关系,因此,在图2以及后文的图3和4中略去了显示背板10中的其他结构,显示背板10的详细结构可以参照图5和6),该显示背板10具有多个用于发光的开口区域H,包括:衬底基板100;有源层600,所述有源层600设置在所述衬底基板100的部分表面上;层间绝缘层510,所述层间绝缘层510设置在所述有源层600远离所述衬底基板100的部分表面上;存储电容器,所述存储电容器包括相对设置的第一电极210和第二电极220,所述第一电极210设置在所述衬底基板100的部分表面上,所述第二电极220设置在所述第一电极210远离所述衬底基板100的一侧,其中,所述存储电容器在所述显示背板10的衬底基板100上的正投影与所述显示背板10中的开口区域在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠,所述层间绝缘层具有第一孔511,所述第一电极210设置在所述第一孔511中。该显示背板10中由于使所述存储电容器在所述衬底基板100上的正投影与所述显示背板10中的开口区域H在所述衬底基板100上的正投影至少部分重叠,故而使得本应占用非开口区域的存储电容器设置在开口区域H,显著减小了显示背板10中非开口区域的面积,从而显著增大了该显示背板10的开口率,进而使得该显示背板10的使用寿命长,信赖性好。
[0032] 根据本实用新型的实施例,在本文的描述中,所有附图均以图1中所示出的电路图为基础,本文中的所有层结构的电连接关系均符合图1中所示出的电路连接关系,后文中不再重复赘述。
[0033] 根据本实用新型的实施例,进一步地,参照图3,所述存储电容器在所述衬底基板100上的正投影与所述开口区域H在所述衬底基板100上的正投影重叠。由此,在使得本应占用非开口区域的存储电容器设置在开口区域H,显著减小了显示背板10中非开口区域的面积,从而显著增大了该显示背板10的开口率,进而使得该显示背板10的使用寿命长,信赖性好的基础上,减小了存储电容的面积,进一步节省材料,使得成本较低。
[0034] 根据本实用新型的实施例,当所述显示背板10为顶发射显示背板时,形成第一电极210和第二电极210的材料不受特别限制,可以为常规的显示背板10中形成电极的材料,例如可以具体为金属等。由此,材料来源广泛,易得,且成本较低。
[0035] 根据本实用新型的实施例,当所述显示背板10为底发射显示背板时,形成第一电极210和第二电极220的材料应为透明材料,所述第一电极210和所述第二电极220为透明电极。具体地,在本实用新型的一些实施例中,形成所述第一电极210和第二电极220的材料可以是ITO(氧化铟锡)等。由此,在将第一电极210和第二电极220设置在其正投影与开口区域H在所述衬底基板100上的正投影至少部分重叠的位置上时,由于第一电极210和第二电极220为透明电极,因此并不会影响显示背板的正常显示。
[0036] 根据本实用新型的实施例,所述存储电容器的具体设置位置不受特别限制,只要能够实现该存储电容器的正常使用功能即可,例如,在本实用新型的一些实施例中,参照图4,所述存储电容器设置在显示背板10的缓冲层300和像素结构的阳极400之间,所述第一电极210和所述第二电极220之间至少有一个绝缘层500。由此,使得该显示背板中的存储电容器能够正常实现其使用功能;同时,第一电极210和第二电极220的设置位置灵活,生产方便,成本较低,易于产业化。
[0037] 根据本实用新型的实施例,前面所述的第一孔511可以是通孔(结构示意图参照图5)。由此,在该显示背板10的开口区域内,不存在层间绝缘层510,故而可以使得第一电极
210与第二电极220之间的距离较小,以增大第一电极210与第二电极220之间的电容容量;
同时,由于使所述存储电容器在所述衬底基板100上的正投影与所述显示背板10中的开口区域H在所述衬底基板100上的正投影至少部分重叠,故而使得本应占用非开口区域的存储电容器设置在开口区域,显著减小了显示背板10中非开口区域的面积,从而显著增大了该显示背板10的开口率,发明人经过实验后发现,采用该显示背板10的结构,当像素密度
136ppi时,该显示背板10的开口率可高达30%;另外,由于第一电极210设置在第一孔511中,在该显示背板10开口的部分不具有层间绝缘层,因此可以使得该显示背板10的透光率高,显示效果好。
[0038] 在本实用新型的另一些实施例中,前面所述的第一孔511也可以是盲孔(结构示意图参照图6)。由此,在该显示背板10的开口区域内,由于使所述存储电容器在所述衬底基板100上的正投影与所述显示背板10中的开口区域H在所述衬底基板100上的正投影至少部分重叠,故而使得本应占用非开口区域的存储电容器设置在开口区域,显著减小了显示背板
10中非开口区域的面积,从而显著增大了该显示背板10的开口率;另外,由于第一电极210设置在第一孔511中,在该显示背板10开口的部分具有减薄的层间绝缘层510,因此可以使得该显示背板10的透光率高,显示效果好。
[0039] 根据本实用新型的实施例,在图5和图6所示的显示背板中,第二电极除设置在前面所述的位置以外,第二电极还可以设置在所述显示背板的平坦化层中、所述显示背板的树脂层中或者所述树脂层远离所述衬底基板的部分表面上(图中未示出)。上述实施例中的第一电极与图5或6中第一电极的设置位置相同,改变了第二电极的设置位置,由此,可以实现与前面实施例中相同的技术效果,在此不再过多赘述。
[0040] 根据本实用新型的实施例,参照图5和图6,所述显示背板10还可以包括:平坦化层520,所述平坦化层520设置在所述第一电极210远离所述衬底基板100的表面上;像素结构,所述像素结构包括阳极400,所述像素结构400设置在所述平坦化层520远离所述衬底基板
100的一侧,所述第二电极220设置在所述平坦化层520远离所述衬底基板100的表面上,且所述第二电极220与所述阳极400连接。由此,改变了显示背板中存储电容器的设置位置,但显示背板中的各个结构仍然可以较好的连接,以实现较好的显示效果。
[0041] 根据本实用新型的实施例,另外,当所述显示背板为底发射时,参照图5和图6,所述显示背板还可以包括:第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的源与所述显示背板的电源总线相连接(图中未示出),所述第三薄膜晶体管的漏极900与所述第二电极220、所述阳极400连接;遮光层310,所述遮光层310设置在所述衬底基板100的部分表面上,所述遮光层310在所述衬底基板100上的正投影覆盖所述第三薄膜晶体管的有源层600在所述衬底基板
100上的正投影,且所述遮光层310通过所述有源层600中的第三过孔541与所述显示背板中第三薄膜晶体管的源极800连接(需要说明的是,图5和图6中仅示出了第三薄膜晶体管的源极800和遮光层310连接的情形,本领域技术人员可以理解,也可以是第三薄膜晶体管的漏极和遮光层连接,在此不再过多赘述)。由此,本领域技术人员可以理解,所述遮光层可以较好地保护显示背板中第三薄膜晶体管的沟道区,进而实现正常的显示效果。
[0042] 根据本实用新型的实施例,参照图1、图9和图12,所述显示背版包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3,所述第一薄膜晶体管T1的栅极与所述显示背板的第一扫描线Scan1连接,所述第一薄膜晶体管T1的源极与所述显示背板的数据线DL连接,所述第一薄膜晶体管T1的漏极与所述第一电极和所述第三薄膜晶体管T3的栅极连接;所述第二薄膜晶体管T2的栅极与所述显示背板的第二扫描线Scan2连接,所述第二薄膜晶体管T2的源极与所述第二电极、所述第三薄膜晶体管T3的漏极和所述显示背板中像素结构的阳极连接,所述第二薄膜晶体管T2的漏极与所述显示背板的基准电压信号线Vref连接;所述第三薄膜晶体管T3的源极与所述显示背板的电源总线VDD相连接。由此,所述显示背板中的像素电路构成3T1C电路,从而实现其正常显示。
[0043] 在本实用新型一个具体的实施例中,参照图5、图6、图9、图11和图12,所述显示背板包括:衬底基板100;遮光层,所述遮光层设置在所述衬底基板的部分表面上(图中未示出);有源层600,所述有源层600设置在所述衬底基板100的部分表面上,所述遮光层310在所述衬底基板100上的正投影覆盖前面所述的第三薄膜晶体管的有源层600在所述衬底基板100上的正投影,且所述遮光层310通过所述有源层中的第三过孔541与所述显示背板中第三薄膜晶体管的源极800连接;层间绝缘层510,所述层间绝缘层510设置在所述有源层600远离所述衬底基板100的部分表面上,所述层间绝缘层具有第一孔511;存储电容器Cst,所述存储电容器Cst包括相对设置且透明的第一电极210和第二电极220,所述第一电极210设置在所述衬底基板100的部分表面上,并设置在所述第一孔511中,所述存储电容器Cst设置在显示背板的缓冲层300和像素结构的阳极400之间;平坦化层520,所述平坦化层520设置在所述第一电极210远离所述衬底基板100的表面上,且所述平坦化层510上具有第一过孔,所述第二电极220通过所述第一过孔与所述显示背板中第三薄膜晶体管T3的漏极连接;
像素结构,所述像素结构包括阳极400,所述像素结构设置在所述平坦化层520远离所述衬底基板100的一侧,所述阳极400与所述第二电极220连接;第一薄膜晶体管T1,所述第一薄膜晶体管T1的栅极与所述显示背板的第一扫描线Scan1连接,所述第一薄膜晶体管T1的源极与所述显示背板的数据线DL连接,所述第一薄膜晶体管T1的漏极与所述第一电极210和所述第三薄膜晶体管T3的栅极连接;第二薄膜晶体管T2,所述第二薄膜晶体管T2的栅极与所述显示背板的第二扫描线Scan2连接,所述第二薄膜晶体管T2的源极与所述第二电极
220、所述第三薄膜晶体管T3的漏极和所述阳极400连接,所述第二薄膜晶体管T2的漏极与所述显示背板10的基准电压信号线Vref连接;第三薄膜晶体管T3,所述第三薄膜晶体管T3的源极与所述显示背板10的电源总线VDD相连接,其中,所述第二电极220设置在所述平坦化层520远离所述衬底基板100的表面上,所述存储电容器Cst在所述衬底基板100上的正投影与所述显示背板10中的开口区域在所述衬底基板100上的正投影重叠。
[0044] 在本实用新型的另一个方面,本实用新型提供了一种制作前面所述的显示背板的方法。根据本实用新型的实施例,所述显示背板具有多个用于发光的开口区域,该方法包括:提供衬底基板;在所述衬底基板的部分表面上形成有源层;所述衬底基板的部分表面上形成第一电极;在所述有源层和所述第一电极远离所述衬底基板的部分表面上形成层间绝缘层;在所述层间绝缘层上形成第一孔,并露出所述第一电极;在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,形成与所述第一电极相对的第二电极,所述第一电极和所述第二电极构成存储电容器,其中,所述存储电容器在所述衬底基板上的正投影与所述开口区域在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠(结构示意图参照图2、图5和图6)。该方法操作简单、方便,容易实现,易于工业化生产,且制作得到的显示背板中由于使所述存储电容器在所述衬底基板上的正投影与所述显示背板中的开口区域在显示背板的衬底基板上的正投影至少部分重叠,故而使得本应占用非开口区域的存储电容器设置在开口区域,显著减小了显示背板中非开口区域的面积,从而显著增大了该显示背板的开口率,进而使得该显示背板的使用寿命长,信赖性好。
[0045] 根据本实用新型的实施例,参照图7和图8a、图8b、图8c、图8d、图8e、图8f、图8g、图8h、图8i,具体而言,以图5中所示出的显示背板10的结构为例,该方法可以包括以下步骤:
[0046] S000:在所述衬底基板的部分表面上形成遮光层(图中未示出)。
[0047] 根据本实用新型的实施例,在所述衬底基板的部分表面上形成遮光层的工艺可以包括真空化学气相沉积旋涂,以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数,在此不再过多赘述。由此,所述遮光层可以较好地保护显示背板中第三薄膜晶体管的沟道区,进而实现正常的显示效果;同时,制作工艺简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
[0048] S100:在所述衬底基板100和所述遮光层的表面上形成所述显示背板的缓冲层300(剖面结构示意图参照图8a)。
[0049] 根据本实用新型的实施例,在所述衬底基板100的表面上形成所述显示背板的缓冲层300的工艺可以包括真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数,在此不再过多赘述。由此,制作工艺简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
[0050] S200:在所述缓冲层300远离所述衬底基板100的部分表面上形成所述显示背板的有源层600(剖面结构示意图参照图8b)。
[0051] 根据本实用新型的实施例,在所述缓冲层300远离所述衬底基板100的部分表面上形成所述显示背板的有源层600具体可以是通过构图工艺形成的,所述构图工艺可以包括在所述缓冲层300远离所述衬底基板100的部分表面上形成半导体层、涂布光刻胶、在半导体层表面覆盖掩膜版后进行曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤,从而形成有源层600。所述构图工艺中各个步骤的具体工艺参数等均为常规构图工艺的工艺参数,在此不再过多赘述。由此,制作工艺简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
[0052] S300:在所述缓冲层300远离所述衬底基板100的部分表面上形成所述第一电极210(剖面结构示意图参照图8c;平面结构示意图参照图9)。
[0053] 根据本实用新型的实施例,形成所述第一电极210的工艺可以为磁控溅射技术,或者也可以是真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等。所述磁控溅射技术、真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数均为常规磁控溅射技术、真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数,在此不再过多赘述。由此,制作工艺简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
[0054] S400:在所述有源层600远离所述缓冲层300的部分表面上形成栅绝缘层710和栅极700(剖面结构示意图参照图8d)。
[0055] 根据本实用新型的实施例,栅绝缘层710和栅极700可以是通过构图工艺形成的,所述构图工艺可以是先在所述有源层600远离所述衬底基板100的表面上形成预制绝缘层;然后在所述预制绝缘层远离所述衬底基板100的表面上形成预制栅极层;最后通过一次构图工艺对所述预制绝缘层和所述预制栅极层进行蚀刻处理,经过所述蚀刻处理后的所述预制绝缘层构成所述显示背板中栅绝缘层710,经过所述蚀刻处理后的所述预制栅极层构成所述显示背板中的栅极700,所述构图工艺中各个步骤的具体工艺参数等均为常规构图工艺的工艺参数,在此不再过多赘述。由此,相较于相关技术中的制作方法,减少了一次构图工艺,故操作简单、方便、容易实现,且易于工业化生产。
[0056] S500:在所述有源层600和所述缓冲层300和所述栅极700远离所述衬底基板100的表面上形成显示背板的层间绝缘层510(剖面结构示意图参照图8e)。
[0057] 根据本实用新型的实施例,在所述有源层600和所述缓冲层300和所述栅极700远离所述衬底基板100的表面上形成显示背板的层间绝缘层510的工艺可以包括通过真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等工艺形成绝缘层,然后再分别利用掩膜版在所述绝缘层中形成贯穿所述绝缘层的第一孔、第二孔和第三孔(图中未示出),从而形成前面所述的第一孔和所述层间绝缘层510,所述第二孔用于使所述显示背板中第三薄膜晶体管的源极与所述有源层连接,所述第三孔用于使所述第三薄膜晶体管的漏极与所述有源层连接(图中未示出)。在本实用新型的另一些实施例中,也可以采用半色调掩膜版同时形成第一孔、第二孔和第三孔(图中未示出),其中,所述第二孔和所述第三孔为通孔(半色调掩膜包括本体2与镂空部3,其平面结构示意图参照图10,其中,本体2用于遮盖前面所述的绝缘层中不需要刻蚀的部分,镂空部3为需要刻蚀的部分,进而可以在刻蚀时只刻蚀镂空部3中露出的部分)。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数,在此不再过多赘述。由此,制作工艺简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
[0058] S600:形成所述显示背板中第三薄膜晶体管的源极800和漏极900(剖面结构示意图参照图8f)。
[0059] 根据本实用新型的实施例,形成所述显示背板的源极800和漏极900的具体工艺与常规形成显示背板的源极和漏极的具体工艺相同,在此不再过多赘述。
[0060] S700:形成所述显示背板的平坦化层520,并在所述平坦化层520上形成第一过孔521(剖面结构示意图参照图8g)。
[0061] 根据本实用新型的实施例,形成所述显示背板的平坦化层520的工艺可以包括通过真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等工艺形成绝缘层,然后再在所述绝缘层中形成过孔,从而形成所述显示背板的平坦化层520。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数,在此不再过多赘述。由此,制作工艺简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
[0062] 根据本实用新型的实施例,形成所述第一过孔521的具体工艺不受特别限制,例如可以是在形成所述平坦化层520后直接在所述平坦化层520上打孔,也可以是本领域中其他常规的形成过孔的工艺,在此不再过多赘述。
[0063] S800:形成所述第二电极220,所述第二电极220通过所述第一过孔521与所述漏极900连接(剖面结构示意图参照图8h;平面结构示意图参照图11)。
[0064] 根据本实用新型的实施例,形成所述第二电极220的工艺可以为磁控溅射技术,或者也可以是真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等。所述磁控溅射技术、真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数均为常规磁控溅射技术、真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数,在此不再过多赘述。由此,制作工艺简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
[0065] S900:形成所述显示背板的树脂层530,并在所述树脂层530上形成第二过孔531,通过所述第二过孔531连接所述显示背板中像素结构的阳极与所述第二电极220(剖面结构示意图参照图8i和图5、图6)。
[0066] 根据本实用新型的实施例,形成所述树脂层530的工艺可以包括真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂,以及喷墨打印等的工艺参数,在此不再过多赘述。由此,制作工艺简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
[0067] 根据本实用新型的实施例,形成所述第二过孔531的具体工艺不受特别限制,例如可以是在形成所述树脂层530后直接在所述平坦化层531上打孔,也可以是本领域中其他常规的形成过孔的工艺,在此不再过多赘述。
[0068] 根据本实用新型的实施例,本领域技术人员可以理解,在形成所述树脂层530和第二过孔531之后,还可以包括在树脂层530远离所述衬底基板100的表面上形成彩膜和像素结构的步骤,其中,形成彩膜和像素结构的具体工艺、条件和参数均与常规形成彩膜(图中未示出)和像素结构的步骤相同,在此不再过多赘述,其中,像素结构可以具体包括阳极400、阴极420、发光层430以及像素界定层410。由此,可以较好地得到显示背板(剖面示意图参照图5,单个子像素的平面结构示意图参照图12),简单、方便,且易于工业化生产。
[0069] 在本实用新型的又一个方面,本实用新型提供了一种显示装置。根据本实用新型的实施例,该显示装置包括前面所述的显示背板。该显示装置的使用寿命长,信赖性好,且具有前面所述的显示背板的所有特征和优点,在此不再过多赘述。
[0070] 根据本实用新型的实施例,该显示装置除前面所述的显示背板以外,还包括其他必要的结构和组成,本领域技术人员可根据显示装置的具体种类和使用要求进行补充和设计,在此不再过多赘述。
[0071] 根据本实用新型的实施例,该显示装置的具体种类不受特别限制,例如包括但不限于显示面板、手机、平板电脑、可穿戴设备、游戏机等。
[0072] 在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0073] 在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0074] 在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0075] 尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本实用新型的限制,本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
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