功率放大电路
阅读：636发布：2023-02-04
专利汇可以提供功率放大电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种功率放大 电路 ，能够适当地进行包络线 跟踪 。功率放大电路包含：第1晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第1高频 信号 ，从集 电极 输出第3高频信号；第2晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第2高频信号，从集电极输出第4高频信号；第1电容电路，电连接在第2晶体管的集电极与第1晶体管的基极之间；和第2电容电路，电连接在第1晶体管的集电极与第2晶体管的基极之间。，下面是功率放大电路专利的具体信息内容。
1.一种功率放大电路，对包含正极性的第1高频信号以及负极性的第2高频信号的第1高频差动信号进行放大，并输出包含负极性的第3高频信号以及正极性的第4高频信号的第
2高频差动信号，其中，
所述功率放大电路包含：
第1晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入所述第1高频信号，从集电极输出所述第3高频信号；
第2晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入所述第2高频信号，从集电极输出所述第4高频信号；
第1电容电路，电连接在所述第2晶体管的集电极与所述第1晶体管的基极之间；和第2电容电路，电连接在所述第1晶体管的集电极与所述第2晶体管的基极之间。
2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述第1电容电路包含：第3晶体管，集电极与所述第2晶体管的集电极电连接，基极与所述第1晶体管的基极电连接，
所述第2电容电路包含：第4晶体管，集电极与所述第1晶体管的集电极电连接，基极与所述第2晶体管的基极电连接。
3.根据权利要求2所述的功率放大电路，其中，
还包含：
第1电容器，电连接在所述第1晶体管的集电极与基极之间；和
第2电容器，电连接在所述第2晶体管的集电极与基极之间，
所述第1电容电路还包含：第3电容器，电连接在所述第2晶体管的集电极与所述第1晶体管的基极之间，
所述第2电容电路还包含：第4电容器，电连接在所述第1晶体管的集电极与所述第2晶体管的基极之间。
4.根据权利要求2或3所述的功率放大电路，其中，
所述第3晶体管的集电极-基极间电容与所述第1晶体管的集电极-基极间电容实质上相同，
所述第4晶体管的集电极-基极间电容与所述第2晶体管的集电极-基极间电容实质上相同。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的功率放大电路，其中，
所述第3晶体管的发射极与所述第3晶体管的基极电连接，
所述第4晶体管的发射极与所述第4晶体管的基极电连接。
6.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
还包含：
第1电容器，电连接在所述第1晶体管的集电极与基极之间；和
第2电容器，电连接在所述第2晶体管的集电极与基极之间，
所述第1电容电路包含：第3电容器，电连接在所述第2晶体管的集电极与所述第1晶体管的基极之间，
所述第2电容电路包含：第4电容器，电连接在所述第1晶体管的集电极与所述第2晶体管的基极之间。
7.根据权利要求3或6所述的功率放大电路，其中，
所述第3电容器的电容与所述第1电容器的电容实质上相同，
所述第4电容器的电容与所述第2电容器的电容实质上相同。
功率放大电路
技术领域
[0001] 本发明涉及功率放大电路。
背景技术
[0002] 在搭载于无线通信终端装置的功率放大电路中，要求功率效率的提高。作为谋求功率效率的提高的一个方式，有根据输入信号的振幅水平来控制功率放大电路的电源电压的包络线跟踪(envelope tracking)方式。
[0004] 在先技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1：国际公开第2015/001851号
[0007] 当前，运用了第2代移动通信系统(例如，GSM(注册商标))、第3代移动通信系统(例如，W—CDMA、UMTS、CDMA2000 1x)以及第4代移动通信系统(例如，LTE(Long Term Evolution，长期演进)、LTE—Advanced)。进而，第5代移动通信系统(5G)正要被实用化。在第5代移动通信系统中，高频信号的频率可例示3.3GHz至4.2GHz/3.3GHz至3.8GHz的3.5GHz频段以及4.5GHz至4.99GHz的4.5GHz频段。若关注于调制信号的频带，则在W—CDMA中增加为1.25MHz，在LTE中增加为20MHz，在LTE—Advance中增加为60MHz，在5G中增加为200MHz。因此，通过调制带宽扩大，从而包络线跟踪器侧的速度跟不上调制带宽，所以通过对包络线跟踪器侧进行离散的控制，从而即使调制带宽扩大也能够应对其信号速度。
[0008] 关于通过数字控制来进行包络线跟踪的电源电路，若高频信号的调制信号频带如上述那样变高，则难以使功率放大电路的电源电压追随调制信号的包络线信号。因此，例如，研究了以比包络线信号慢的周期产生台阶状(阶梯状)的信号的方式。
[0009] 功率放大电路内的晶体管的增益具有电源电压依赖性。因此，若电源电压的波形阶梯状地变化，则功率放大电路的增益也会阶梯状地变化。因此，若包络线跟踪的电源阶梯状地变化，则功率放大电路会以离散的增益进行放大，因此无法进行模拟的平滑放大。
发明内容
[0010] 发明要解决的课题
[0011] 本发明正是鉴于上述而完成的，其目的在于，能够实现输出离散电压的包络线跟踪方式下的功率放大器的连续放大。
[0012] 用于解决课题的手段
[0013] 本发明的一个方式的功率放大电路对包含正极性的第1高频信号以及负极性的第2高频信号的第1高频差动信号进行放大，并输出包含负极性的第3高频信号以及正极性的第4高频信号的第2高频差动信号，其中，该功率放大电路包含：第1晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第1高频信号，从集电极输出第3高频信号；第2晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第2高频信号，从集电极输出第4高频信号；第1电容电路，电连接在第2晶体管的集电极与第1晶体管的基极之间；和第2电容电路，电连接在第1晶体管的集电极与第2晶体管的基极之间。
[0014] 发明效果
[0016] 图1是表示第1实施方式的功率放大器的结构的图。
[0017] 图2是表示晶体管的集电极-基极间电压与集电极-基极间电容的关系的图。
[0018] 图3是表示比较例的功率放大电路的高频信号的功率与增益的关系的图。
[0019] 图4是表示比较例的功率放大电路的高频信号的功率与增益的关系的图。
[0020] 图5是表示电源电压的例子的图。
[0021] 图6是表示比较例的功率放大电路的高频信号的功率与增益的关系的图。
[0022] 图7是表示第1实施方式的功率放大电路的高频信号的功率与增益的关系的图。
[0023] 图8是表示第2实施方式的功率放大器的结构的图。
[0024] 图9是表示第3实施方式的功率放大器的结构的图。
[0025] 符号说明
[0026] 1、1A、1B 功率放大器；
[0027] 2、2A、2B、3、3A、3B 功率放大电路；
[0028] 11、12 偏置电路；
[0029] 13、14 扼流圈电感器；
[0030] 15、16 耦合电容器；
[0031] 31 电源电路；
[0032] C1、C2、C3、C4 电容器；
[0033] CP1、CP2、Q1、Q2 晶体管。
具体实施方式
[0034] 以下，基于附图对本发明的功率放大电路的实施方式详细地进行说明。另外，并非通过该实施方式来限定本发明。各实施方式是例示，能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合，这是不言而喻的。在第2实施方式以后省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅针对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。
[0035] (第1实施方式)
[0036] 图1是表示第1实施方式的功率放大器的结构的图。功率放大器1对无线频率的高频差动信号RF1进行放大，并输出无线频率的高频差动信号RF3。高频差动信号RF1包含正极性的高频信号RF1P和负极性的高频信号RF1N。高频差动信号RF3包含正极性的高频信号RF3P和负极性的高频信号RF3N。
[0037] 高频差动信号RF1对应于本公开的“第1高频差动信号”。高频信号RF1P对应于本公开的“第1高频信号”。高频信号RF1N对应于本公开的“第2高频信号”。
[0039] 功率放大器1包含第1级的功率放大电路2和第2级的功率放大电路3。在第1实施方式中，将功率放大电路的级数设为两级，但本公开不限定于此。功率放大电路的级数也可以为一级，还可以为三级以上。
[0040] 功率放大电路2对高频差动信号RF1进行放大。然后，功率放大电路2将放大后的高频差动信号RF2输出到功率放大电路3。高频差动信号RF2包含正极性的高频信号RF2p和负极性的高频信号RF2N。功率放大电路3对高频差动信号RF2进行放大。然后，功率放大电路3输出放大后的高频差动信号RF3。
[0041] 高频差动信号RF2对应于本公开的“第2高频差动信号”。高频信号RF2N对应于本公开的“第3高频信号”。高频信号RF2P对应于本公开的“第4高频信号”。
[0042] 高频差动信号RF1、高频差动信号RF2以及高频差动信号RF3的频率可例示数百MHz(兆赫兹)至数十GHz(千兆赫兹)程度，但本公开不限定于此。
[0043] 以下，对功率放大电路2的结构进行说明。另外，功率放大电路3的结构与功率放大电路2的结构同样，因此省略说明。
[0044] 功率放大电路2是差动放大电路。功率放大电路2包含晶体管Q1以及Q2。
[0045] 晶体管Q1对应于本公开的“第1晶体管”。晶体管Q2对应于本公开的“第2晶体管”。
[0046] 在第1实施方式中，晶体管Q1以及Q2可例示异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor：HBT)，但本公开不限定于此。晶体管Q1以及Q2例如也可以是场效应晶体管(Field Effect Transistor：FET)。晶体管Q1以及Q2也可以是将多个单位晶体管(也称作指)电并联连接的多指晶体管。单位晶体管是指构成晶体管的最小限度的结构。
[0047] 晶体管Q1的发射极以及晶体管Q2的发射极与基准电位电连接。基准电位可例示接地电位，但本公开不限定于此。
[0048] 晶体管Q1具有集电极一基极间电容CCB1。集电极一基极间电容CCB1是集电极(N型半导体)与基极(P型半导体)之间的接合电容。同样地，晶体管Q2具有集电极一基极间电容CCB2。
[0049] 功率放大电路2包含偏置电路11以及12。偏置电路11接受电源电位Vccb的供给，将固定的偏置电位(偏置电流)输出到晶体管Q1的基极。偏置电路12接受电源电位Vccb的供给，将固定的偏置电位(偏置电流)输出到晶体管Q2的基极。
[0050] 功率放大电路2包含扼流圈电感器13以及14。晶体管Q1的集电极经由扼流圈电感器13而与电源电路31电连接。晶体管Q2的集电极经由扼流圈电感器14而与电源电路31电连接。
[0051] 扼流圈电感器13以及14担负不使交流电力通过的功能。设扼流圈电感器13以及14相对于高频差动信号RF1以及高频差动信号RF2的频带，具有充分高的阻抗。即，设扼流圈电感器13以及14的阻抗在考虑高频差动信号RF1以及高频差动信号RF2的频带时能够忽视。此外，扼流圈电感器13以及14抑制高频差动信号RF1以及高频差动信号RF2向电源电路31的泄漏。
[0052] 电源电路31将与高频差动信号RF1的振幅水平相应的电源电位VCC1经由扼流圈电感器13输出到晶体管Q1的集电极，并且经由扼流圈电感器14输出到晶体管Q2的集电极。
[0053] 即，电源电路31是执行通过根据高频差动信号RF1的振幅水平对功率放大电路2的电源电位VCC1进行控制从而谋求功率效率的提高的包络线跟踪控制的包络线跟踪器。
[0054] 功率放大电路2包含耦合电容器15以及16。耦合电容器15的一端与晶体管Q1的基极电连接。在晶体管Q1的基极经由耦合电容器15被输入正极性的高频信号RF1P。耦合电容器16的一端与晶体管Q2的基极电连接。在晶体管Q2的基极经由耦合电容器16被输入负极性的高频信号RF1N。
[0055] 晶体管Q1以及Q2各自作为集电极输出的发射极接地电路进行动作。因此，晶体管Q1从集电极输出对正极性的高频信号RF1P进行反转放大后的负极性的高频信号RF2N。此外，晶体管Q2从集电极输出对负极性的高频信号RF1N进行反转放大后的正极性的高频信号RF2P。
[0056] 功率放大电路2是差动放大电路，因此优选晶体管Q1的尺寸(指数)和晶体管Q2的尺寸(指数)相同，但本公开不限定于此。
[0057] 功率放大电路2还包含晶体管CP1以及CP2。
[0058] 晶体管CP1的集电极与晶体管Q2的集电极电连接。晶体管CP1的基极与晶体管Q1的基极电连接。
[0059] 在第1实施方式中，设晶体管CP1的发射极与晶体管CP1的基极(晶体管Q1的基极)电连接，但本公开不限定于此。晶体管CP1的发射极也可以与哪里都不连接，而为开路(浮动)。不过，若晶体管CP1的发射极与晶体管CP1的基极电连接，则晶体管CP1的发射极的电位稳定，噪声耐性变高，能够抑制噪声。
[0060] 晶体管CP2的集电极与晶体管Q1的集电极电连接。晶体管CP2的基极与晶体管Q2的基极电连接。
[0061] 在第1实施方式中，设晶体管CP2的发射极与晶体管CP2的基极(晶体管Q2的基极)电连接，但本公开不限定于此。晶体管CP2的发射极也可以与哪里都不连接，而为开路(浮动)。不过，若晶体管CP2的发射极与晶体管CP2的基极电连接，则晶体管CP2的发射极的电位稳定，噪声耐性变高，能够抑制噪声。
[0062] 即，晶体管CP1以及CP2将晶体管Q1的基极与晶体管Q2的集电极之间以及晶体管Q2的基极与晶体管Q1的集电极之间交叉耦合。
[0063] 晶体管CP1对应于本公开的“第3晶体管”以及“第1电容电路”。关于晶体管CP1的集电极-基极间电容值，在晶体管Q1与晶体管Q2的基极电位相同的情况下，大多情况下设为与集电极-基极间电容CCB2大致相同的值。晶体管CP2对应于本公开的“第4晶体管”以及“第2电容电路”。关于晶体管CP2的集电极-基极间电容值，在晶体管Q1与晶体管Q2的基极电位相同的情况下，大多情况下设为与集电极-基极间电容CCB1大致相同的值。
[0064] 在对晶体管CP1以及CP2的作用进行说明之前，对比较例进行说明。作为比较例的一例，设想功率放大电路2以及3不包含晶体管CP1以及CP2的情况。
[0065] 图2是表示晶体管的集电极-基极间电压与集电极-基极间电容的关系的图。如图2的波形41所示，晶体管的集电极-基极间电容非线性地变化，使得集电极-基极间电压越高则集电极-基极间电容越小，集电极-基极间电压越低则集电极-基极间电容越大。
[0066] 从集电极输出的输出信号经由集电极-基极间电容而反馈给基极。在此，发射极接地电路是反转放大电路。即，从集电极输出的输出信号的电压的极性相对于输入到基极的输入信号的电压的极性反转。因此，集电极-基极间电容具有负反馈作用，具有使增益下降的作用。关于负反馈的强度(增益的下降程度)，集电极-基极间电容越大(集电极-基极间电压越低)则越强，集电极-基极间电容越小(集电极-基极间电压越高)则越弱。即，关于功率放大电路的增益，电源电压依赖性强。
[0067] 图3是表示比较例的功率放大电路的高频信号的功率与增益的关系的图。波形51表示集电极-基极间电压为第1电压V1的情况下的高频信号的功率与增益的关系。波形52表示集电极-基极间电压为第2电压V2(V1＜V2)的情况下的高频信号的功率与增益的关系。波形53表示集电极-基极间电压为第3电压V3(V2＜V3)的情况下的高频信号的功率与增益的关系。波形54表示集电极-基极间电压为第4电压V4(V3＜V4)的情况下的高频信号的功率与增益的关系。波形55表示集电极-基极间电压为第5电压V5(V4＜V5)的情况下的高频信号的功率与增益的关系。波形56表示集电极-基极间电压为第6电压V6(V5＜V6)的情况下的高频信号的功率与增益的关系。
[0068] 如之前说明的那样，关于负反馈的强度(增益的下降程度)，集电极-基极间电容越大(集电极-基极间电压越低)则越强，集电极-基极间电容越小(集电极-基极间电压越高)则越弱。因此，如图3所示，集电极-基极间电压越低，则增益越低，集电极-基极间电压越高，则增益越高。
[0069] 图4是表示比较例的功率放大电路的高频信号的功率与增益的关系的图。如果假设作为包络线跟踪器的电源电路31能够使集电极-基极间电压从V2至V6平滑地(连续地、模拟地)变化，则如波形61所示，能够使功率放大电路的增益固定。
[0070] 但是，若高频信号的调制信号频带变高，则电源电路31变得无法平滑地控制功率放大电路的电源电压。即，电源电压的波形会台阶状(阶梯状、离散)地变化。
[0071] 图5是表示电源电压的例子的图。波形71表示高频信号。波形72表示电源电压的一例。波形73表示电源电压的另一例。
[0072] 关于通过数字控制进行包络线跟踪的电源电路31，若高频信号的调制信号频带变高，则变得无法平滑地控制功率放大电路的电源电压。即，如波形72或73所示，电源电压的波形会台阶状(阶梯状、离散)地变化。
[0073] 若增益的电源电压依赖性强，则波形72或73中包含的高次谐波分量(高频分量)被调制到高频信号的频带，会叠加于高频输出信号。
[0074] 图6是表示比较例的功率放大电路的高频信号的功率与增益的关系的图。若电源电路31使集电极-基极间电压如V2→V3→V4→V5→V6这样台阶状(阶梯状、离散)地变化，则如波形81所示，功率放大电路的增益大幅变动。例如，在高频信号的功率为P1时，若电源电路31使集电极-基极间电压从V2变化为V3，则如箭头82所示，功率放大电路的增益的变化量大。
即，功率放大电路无法进行线性放大。
即，功率放大电路无法进行线性放大。
[0075] 在此，再次参照图1，第1实施方式的功率放大电路2具有晶体管CP1以及CP2。
[0076] 晶体管CP1的集电极与晶体管Q2的集电极电连接，晶体管CP1的基极与晶体管Q1的基极电连接。因此，高频信号RF2P经由晶体管CP1的集电极-基极间电容而反馈给晶体管Q1的基极。在此，从晶体管Q2的集电极输出的高频信号RF2P的电压的极性与输入到晶体管Q1的基极的高频信号RF1P的电压的极性为相同极性。因此，晶体管CP1的集电极-基极间电容具有正反馈作用，具有使晶体管Q1的增益上升的作用。
[0077] 晶体管CP1的集电极-基极间电容优选与晶体管Q1的集电极-基极间电容CCB1实质上相同。即，晶体管CP1的尺寸(指数)优选与晶体管Q1的尺寸(指数)相同。由此，基于晶体管CP1的集电极-基极间电容的正反馈作用的电压上升量与基于晶体管Q1的集电极-基极间电容CCB1的负反馈作用的电压下降量实质上相同。不过，本公开不限定于此。
[0078] 同样地，晶体管CP2的集电极与晶体管Q1的集电极电连接，晶体管CP2的基极与晶体管Q2的基极电连接。因此，高频信号RF2N经由晶体管CP2的集电极-基极间电容而反馈给晶体管Q2的基极。在此，从晶体管Q1的集电极输出的高频信号RF2N的电压的极性与输入到晶体管Q2的基极的高频信号RF1N的电压的极性为相同极性。因此，晶体管CP2的集电极-基极间电容具有正反馈作用，具有使晶体管Q2的增益上升的作用。
[0079] 晶体管CP2的集电极-基极间电容优选与晶体管Q2的集电极-基极间电容CCB2实质上相同。即，晶体管CP2的尺寸(指数)优选与晶体管Q2的尺寸(指数)相同。由此，基于晶体管CP2的集电极-基极间电容的正反馈作用的电压上升量与基于晶体管Q2的集电极-基极间电容CCB2的负反馈作用的电压下降量实质上相同。不过，本公开不限定于此。
[0080] 例如，在高频差动信号RF1以及RF2的电压振幅小的情况下，晶体管Q1的集电极-基极间电容CCB1与晶体管CP1的集电极-基极间电容实质上相同。此外，晶体管Q1的集电极电位与晶体管Q2的集电极电位实质上相同。此外，晶体管Q1的基极电位与晶体管Q2的基极电位实质上相同。因此，基于晶体管Q1的集电极-基极间电容CCB1的负反馈作用的电压下降量与基于晶体管CP1的集电极-基极间电容的正反馈作用的电压上升量实质上相同。由此，基于晶体管Q1的集电极-基极间电容CCB1的负反馈作用的电压下降量通过基于晶体管CP1的集电极-基极间电容的正反馈作用的电压上升量而被抵消。
[0081] 图7是表示第1实施方式的功率放大电路的高频信号的功率与增益的关系的图。波形91表示晶体管Q1以及Q2的集电极-基极间电压为第1电压V1的情况下的高频信号的功率与增益的关系。波形92表示晶体管Q1以及Q2的集电极-基极间电压为第2电压V2的情况下的高频信号的功率与增益的关系。波形93表示晶体管Q1以及Q2的集电极-基极间电压为第3电压V3的情况下的高频信号的功率与增益的关系。波形94表示晶体管Q1以及Q2的集电极-基极间电压为第4电压V4的情况下的高频信号的功率与增益的关系。波形95表示晶体管Q1以及Q2的集电极-基极间电压为第5电压V5的情况下的高频信号的功率与增益的关系。波形96表示晶体管Q1以及Q2的集电极-基极间电压为第6电压V6的情况下的高频信号的功率与增益的关系。
[0082] 在功率放大电路2中，基于晶体管Q1的集电极-基极间电容CCB1的负反馈作用的电压下降量通过基于晶体管CP1的集电极-基极间电容的正反馈作用的电压上升量而被抵消。同样地，基于晶体管Q2的集电极-基极间电容CCB2的负反馈作用的电压下降量通过基于晶体管CP2的集电极-基极间电容的正反馈作用的电压上升量而被抵消。因此，在功率放大电路2中，即使晶体管Q1以及Q2的集电极-基极间电压变化，也可抑制增益的下降。即，关于功率放大电路的增益，电源电压依赖性弱。
[0083] 在功率放大电路2中，增益的电源电压依赖性弱。因此，功率放大电路2能够抑制波形72或73(参照图5)中包含的高次谐波分量(高频分量)被调制到高频信号的频带，能够抑制叠加于高频输出信号。
[0084] 此外，即便电源电路31使集电极-基极间电压如V2→V3→V4→V5→V6这样台阶状(阶梯状、离散)地变化，功率放大电路2也能够如波形101所示那样抑制增益的变动。例如，在高频信号的功率为P1时，即便电源电路31使集电极-基极间电压从V2变化为V4，如箭头102所示，功率放大电路的增益的变化量与箭头82(参照图6)相比也得到抑制。由此，功率放大电路2能够抑制非线性度，能够提高线性度。
[0085] 如以上说明的那样，功率放大电路2通过具备晶体管CP1以及CP2，从而能够削弱增益的电源电压依赖性。
[0086] 由此，功率放大电路2能够抑制电源电压(参照图5的波形72以及73)的高次谐波被调制到高频信号的频带，能够抑制叠加于高频信号。
[0087] 此外，即便电源电路31使集电极-基极间电压台阶状(阶梯状、离散)地变化，功率放大电路2也能够抑制增益的变动。由此，功率放大电路2能够抑制非线性度，能够提高线性度。
[0088] 由此，功率放大电路2能够适当地进行包络线跟踪。
[0089] (第2实施方式)
[0090] 图8是表示第2实施方式的功率放大器的结构的图。功率放大器1A包含功率放大电路2A以及3A。功率放大电路2A与功率放大电路2相比较，还包含电容器C1、C2、C3以及C4。功率放大电路3A的电路结构与功率放大电路2A的电路结构相同，因此省略说明。
[0091] 电容器C1对应于本公开的“第1电容器”。电容器C2对应于本公开的“第2电容器”。
[0092] 电容器C3对应于本公开的“第3电容器”。晶体管CP1和电容器C3的并联连接电路对应于本公开的“第1电容电路”。
[0093] 电容器C4对应于本公开的“第4电容器”。晶体管CP2和电容器C4的并联连接电路对应于本公开的“第2电容电路”。
[0094] 电容器C1电连接在晶体管Q1的集电极与晶体管Q1的基极之间。即，电容器C1与晶体管Q1的集电极-基极间电容CCB1并联连接。因此，晶体管Q1的集电极-基极间的总电容是电容器C1与集电极-基极间电容CCB1之和。
[0095] 晶体管Q1的集电极-基极间电容CCB1是非线性的电容，相对于此，电容器C1是线性的电容。因此，晶体管Q1的集电极-基极间的总电容可抑制非线性度，可提高线性度。
[0096] 从抑制晶体管Q1的集电极-基极间的总电容的非线性度的观点出发，优选增大电容器C1的电容。不过，若使电容器C1的电容过大，则有可能导致功率放大电路2A的频率特性的下降等。因此，电容器C1的电容优选在能够容许功率放大电路2A的频率特性的下降等的范围内，尽量增大。不过，本公开不限定于此。
[0097] 对应于电容器C1的设置，电容器C3电连接在晶体管Q2的集电极与晶体管Q1的基极之间。即，电容器C3与晶体管CP1的集电极-基极间电容并联连接。因此，晶体管Q2的集电极与晶体管Q1的基极之间的总电容是电容器C3与晶体管CP1的集电极-基极间电容之和。
[0098] 晶体管CP1的集电极-基极间电容是非线性的电容，相对于此，电容器C3是线性的电容。因此，晶体管Q2的集电极与晶体管Q1的基极之间的总电容可抑制非线性度，可提高线性度。
[0099] 电容器C3的电容优选与电容器C1的电容实质上相同。由此，基于晶体管Q1的集电极-基极间的总电容的负反馈作用的电压下降量通过基于晶体管Q2的集电极与晶体管Q1的基极之间的总电容的正反馈作用的电压上升量而被抵消。不过，本公开不限定于此。
[0100] 同样地，电容器C2电连接在晶体管Q2的集电极与晶体管Q2的基极之间。即，电容器C2与晶体管Q2的集电极-基极间电容CCB2并联连接。因此，晶体管Q2的集电极-基极间的总电容是电容器C2与集电极-基极间电容CCB2之和。
[0101] 晶体管Q2的集电极-基极间电容CCB2是非线性的电容，相对于此，电容器C2是线性的电容。因此，晶体管Q2的集电极-基极间的总电容可抑制非线性度，可提高线性度。
[0102] 从抑制晶体管Q2的集电极-基极间的总电容的非线性度的观点出发，优选增大电容器C2的电容。不过，若使电容器C2的电容过大，则有可能导致功率放大电路2A的频率特性的下降等。因此，电容器C2的电容优选在能够容许功率放大电路2A的频率特性的下降等的范围内，尽量增大。不过，本公开不限定于此。
[0103] 对应于电容器C2的设置，电容器C4电连接在晶体管Q1的集电极与晶体管Q2的基极之间。即，电容器C4与晶体管CP2的集电极-基极间电容并联连接。因此，晶体管Q1的集电极与晶体管Q2的基极之间的总电容是电容器C4与晶体管CP2的集电极-基极间电容之和。
[0104] 晶体管CP2的集电极-基极间电容是非线性的电容，相对于此，电容器C4是线性的电容。因此，晶体管Q1的集电极与晶体管Q2的基极之间的总电容可抑制非线性度，可提高线性度。
[0105] 电容器C4的电容优选与电容器C2的电容实质上相同。由此，基于晶体管Q2的集电极-基极间的总电容的负反馈作用的电压下降量通过基于晶体管Q1的集电极与晶体管Q2的基极之间的总电容的正反馈作用的电压上升量而被抵消。不过，本公开不限定于此。
[0106] 如以上说明的那样，功率放大电路2A可抑制各部分的电容的非线性度，可提高线性度，因此能够更适当地进行放大。由此，功率放大电路2A能够更适当地进行包络线跟踪。
[0107] (第3实施方式)
[0108] 图9是表示第3实施方式的功率放大器的结构的图。功率放大器1B包含功率放大电路2B以及3B。功率放大电路2B与功率放大电路2A相比较，不包含晶体管CP1以及CP2。功率放大电路3B的电路结构与功率放大电路2B的电路结构相同，因此省略说明。
[0109] 电容器C1对应于本公开的“第1电容器”。电容器C2对应于本公开的“第2电容器”。电容器C3对应于本公开的“第3电容器”以及“第1电容电路”。电容器C4对应于本公开的“第4电容器”以及“第2电容电路”。
[0110] 也能够认为，只要基于晶体管Q1的集电极-基极间的总电容的负反馈作用的电压下降量通过基于晶体管Q2的集电极与晶体管Q1的基极之间的总电容的正反馈作用的电压上升量而被大体消除即可，也可以不被完全抵消。从该观点出发，功率放大电路2B不包含晶体管CP1。
[0111] 电容器C3的电容优选与晶体管Q1的集电极-基极间的总电容相同。不过，晶体管Q1的集电极-基极间的总电容为非线性，相对于此，电容器C3的电容为线性。因此，无法使电容器C3的电容与晶体管Q1的集电极-基极间的总电容完全相同。因此，电容器C3的电容优选在晶体管Q1的集电极-基极间的电压变动范围内，与晶体管Q1的集电极-基极间的总电容大体相同。即，电容器C3的电容优选在晶体管Q1的集电极-基极间的电压变动范围内是电容器C1的电容与晶体管Q1的集电极-基极间电容CCB1之和。不过，本公开不限定于此。
[0112] 同样地，也能够认为，只要基于晶体管Q2的集电极-基极间的总电容的负反馈作用的电压下降量通过基于晶体管Q1的集电极与晶体管Q2的基极之间的总电容的正反馈作用的电压上升量而被大体消除即可，也可以不被完全抵消。从该观点出发，功率放大电路2B不包含晶体管CP2。
[0113] 电容器C4的电容优选与晶体管Q2的集电极-基极间的总电容相同。不过，晶体管Q2的集电极-基极间的总电容为非线性，相对于此，电容器C4的电容为线性。因此，无法使电容器C4的电容与晶体管Q2的集电极-基极间的总电容完全相同。因此，电容器C4的电容优选在晶体管Q2的集电极-基极间的电压变动范围内，与晶体管Q2的集电极-基极间的总电容大体相同。即，电容器C4的电容优选在晶体管Q2的集电极-基极间的电压变动范围内是电容器C2的电容与晶体管Q2的集电极-基极间电容CCB2之和。不过，本公开不限定于此。
[0114] 如以上说明的那样，功率放大电路2B与功率放大电路2A相比较，能够削减元件数。由此，功率放大电路2B与功率放大电路2A相比较，能够抑制电路规模。
[0115] 另外，上述的实施方式用于使本发明容易理解，并非用于限定和解释本发明。本发明能够在不脱离其主旨的情况下被变更/改良，并且，其等价物也包含于本发明。
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