一种利用极化掺杂制备增强型GaN基晶体管的方法
专利汇可以提供一种利用极化掺杂制备增强型GaN基晶体管的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种通过极化掺杂的方法制备增强型GaN基晶体管的方法。利用AlN和GaN 的自发极化强度之间存在较大的差别，可以通过组分渐变Al x Ga 1-x N实现极化掺杂获得P型Al x Ga 1-x N层。在GaN基材料 外延 生长 Al组分逐渐减小的P-型Al x Ga 1-x N层，然后在P-型Al x Ga 1-x N层上生长Al x Ga 1-x N层，Al x Ga 1-x N层为Al组分x从0%-10%增加到15%-35%的组分渐变层或x为15%-35%的组分固定层，再制作与Al x Ga 1-x N层形成欧姆 接触 的源、漏极以及与P-型Al x Ga 1-x N层形成肖特基接触的栅极。通过改变P-型AlxGa 1-x N的组分厚度可以调节器件开启 电压 ，通过改变Al x Ga 1-x N层的厚度和组分可以调节导通 电阻 ，从而获得低导通电阻高开启电压的增强型GaN基晶体管。制作方法简单，无特殊工艺要求，可控性强。，下面是一种利用极化掺杂制备增强型GaN基晶体管的方法专利的具体信息内容。
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