专利汇可以提供一种III-V CMOS型高电子迁移率晶体管专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及 半导体 器件制造技术领域,具体涉及一种基于 硅 衬底的、结合了n 沟道 晶体管和p沟道晶体管的宽禁带III‑V CMOS型高 电子 迁移率晶体管,该型 异质结 场效应晶体管 材料采用MOCVD或MBE设备 外延 生长 ,由在高 电阻 率 硅衬底上依次外延生长的第一GaAsSb 缓冲层 、GaSb沟道层、AlGaSb势垒层、GaSb帽层、第二GaAsSb缓冲层、InGaAs沟道层、InXAl1‑XAs势垒层及InXGa1‑XAs帽层构成。本发明可有效地提升p沟道晶体管迁移率,以改进III‑V中n沟道晶体管和p沟道晶体管迁移率巨大差别的问题,并提供高载流子速度与高驱动 电流 的宽禁带III‑V族晶体管通道,有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应,降低功耗,克服摩尔定律,打破极限,维持半导体产业等比例缩小 进程 。,下面是一种III-V CMOS型高电子迁移率晶体管专利的具体信息内容。
1.一种III-V CMOS型高电子迁移率晶体管,其特征在于,包括P沟道晶体管和n沟道晶体管;P沟道晶体管在硅衬底上依次外延生长第一GaAsSb缓冲层、GaSb沟道层及AlGaSb势垒层,AlGaSb势垒层上方生长第一GaSb帽层和第二GaSb帽层,所述GaSb沟道层与AlGaSb势垒层形成二维空穴气;所述第一GaSb帽层上形成有第一漏极,且AlGaSb势垒层上形成有第一栅极,第二GaSb帽层上形成有第一源极;n沟道晶体管在所述第二GaSb帽层上依次外延生长第二GaAsSb缓冲层、InGaAs沟道层及InXAl1-XAs势垒层,InXAl1-XAs势垒层上方生长第一InXGa1-XAs帽层和第二InXGa1-XAs帽层,所述InGaAs沟道层与InXAl1-XAs势垒层形成二维空穴气,且第一InXGa1-XAs帽层上形成有第二源极,InXAl1-XAs势垒层上形成有第二栅极,第二InXGa1-XAs帽层上形成有第二漏极;
所述第一GaAsSb缓冲层为梯度结构,As的含量从1逐步降为0,厚度为400~800nm。
2.根据权利要求1所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管,其特征在于,所述硅衬底为p型Si衬底。
3.根据权利要求1所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管,其特征在于,所述GaSb沟道层不掺杂,厚度为50~100nm。
4.根据权利要求1所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管,其特征在于,所述AlGaSb势垒层厚度为20nm,Al含量小于30%,采用p型掺杂,体掺杂材料为Be、C或Mg,掺杂剂量为1×1018cm-3~3×1018cm-3。
5.根据权利要求1所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管,其特征在于,所述第一GaSb帽层和第二GaSb帽层的厚度为15~40nm,采用n型掺杂,体掺杂材料为Be、C或Mg,掺杂剂量为5×1018cm-3~2×1019cm-3。
6.根据权利要求1所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管,其特征在于,所述第二GaAsSb缓冲层为梯度结构,材料包括GaAs,所述第二GaAsSb缓冲层于650℃高温生长,不掺杂,厚度为400~800nm。
7.根据权利要求3-6任一权项所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管,其特征在于,所述InGaAs沟道层不掺杂,厚度为50~100nm。
8.根据权利要求3-6任一权项所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管,其特征在于,所述InXAl1-XAs势垒层的厚度为 In组分x=0~0.53。
9.根据权利要求3-6任一权项所述的III-V CMOS型高电子迁移率晶体管,其特征在于,所述第一InXGa1-XAs帽层和第二InXGa1-XAs帽层的厚度为 In组分x=0~0.52,采用n型掺杂,掺杂Si的剂量为5×1018cm-3~2×1019cm-3。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
一种LED芯片电极的制备方法 | 2020-05-08 | 297 |
一种碳化硅外延粉尘收集装置 | 2020-05-08 | 76 |
一种半导体器件结构的形成方法和焊盘结构 | 2020-05-08 | 221 |
一种紫外LED外延结构 | 2020-05-08 | 638 |
半导体外延晶片及其制造方法、以及固体摄像元件的制造方法 | 2020-05-08 | 726 |
方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺 | 2020-05-08 | 503 |
AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 | 2020-05-08 | 777 |
高压LED芯片及其制备方法 | 2020-05-08 | 154 |
一种旋钮结构及具有该旋钮结构的电热油汀 | 2020-05-08 | 646 |
一种防尘水壶盖 | 2020-05-11 | 354 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。