专利汇可以提供一种InP PIN光电探测器集成器件的制作方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种InP PIN光电探测器集成器件的制作方法,即将InP PIN光电探测器、InGaP HBT 跨阻 放大器 (TIA)、GaAs PN 限幅 器和GaAs pHEMT低噪放通过 外延 层设计,实现光接收组件的器件极集成,从而使以下设想成为可能:在光纤通信中,光 信号 进入光接收机,通过PIN光电探测器,将 光信号 转化为 电流 信号,InGaP HBT TIA将电流信号放大后,通过GaAs PN限幅器,将 电信号 传输给GaAs pHEMT低噪放,最后传输给后端的 信号处理 芯片。,下面是一种InP PIN光电探测器集成器件的制作方法专利的具体信息内容。
1.一种InP PIN光电探测器集成器件的制作方法,其光电探测器集成器件的外延结构从下至上依次包括:衬底、缓冲层,spacer1隔离层、沟道层、spacer2隔离层、δ掺杂层、势垒层、N+-GaAs层、腐蚀截至层、N+-GaAs集电区、N-GaAs集电区、基区、发射区、帽层、晶体隔离层、晶体过渡层、N-InP层、i-光吸收层、P-InP层,其制作方法特征在于,包括如下步骤;
步骤1:采用离子注入或刻蚀的方法,形成隔离器件,将所述外延结构分为4个相互隔离的区域;
步骤2:采用光刻、刻蚀、金属沉积、剥离工艺形成在第一个隔离区域内的P-InP层和光吸收层;
步骤3:光刻、刻蚀形成第二个隔离区域外延结构,刻蚀深度从P-InP层深入集电区表面,留出集电区上左侧贴近隔离器件的基区部分形成HBT台面,在基区台面上腐蚀发射区和帽层两侧,留出帽层和发射区台面,腐蚀第一个隔离区域和第二个隔离区域之间的隔离器件,高度至基区上表面,并腐蚀掉第二个隔离区域和第三个隔离区域之间的隔离器件,高度至基区表面;
步骤4:腐蚀第三个隔离区域的腐蚀深度从P-InP层表面至基区表面,在第三个隔离区域右侧刻蚀基区的一部分至集电区表面;
步骤5:腐蚀第四个隔离区域,腐蚀深度至该区域N+-GaAs层,并在该区域N+-GaAs层中间刻蚀凹槽,采用光刻、金属沉积、剥离、清洗工艺在凹槽内制作T型栅;
步骤6:在第一个隔离区域P-InP层表面、N-InP层表面的i-光吸收层两侧制作电极,形成InP PIN光电探测器结构;在第二个隔离区域帽层上表面、基区两侧以及露出的集电区部分制作电极,形成异质结双极型晶体管器件;在第三个隔离区域基区上表面和露出的集电区表面制作电极,形成PN二极管限幅器器件;在第四个隔离区域内N+-GaAs层制作P型和N型电极,形成高电子迁移率晶体管器件。
2.根据权利要求1所述的InP PIN光电探测器集成器件的制作方法,其特征在于:所述δ掺杂层为二维Si掺杂,其掺杂浓度1×1011 1×1012 cm-2。
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3.根据权利要求1所述的InP PIN光电探测器集成器件的制作方法,其特征在于:所述i-光吸收层为In0.53Ga0.47As或者In0.52Al0.48As。
4.根据权利要求1所述的InP PIN光电探测器集成器件的制作方法,其特征在于:所述N型电极包括Au/Ge/Ni/Au。
5.根据权利要求1所述的InP PIN光电探测器集成器件的制作方法,其特征在于:所述P型电极包括Pt/Ti/Pt/Au。
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