专利汇可以提供一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提出了一种具有体 电场 调制的横向双扩散金属 氧 化物 半导体 场效应管(LDMOS),该LDMOS器件主要特点是在器件漏端的下方通过 异质 外延 技术形成 宽禁带半导体 SiC埋层。通过将漏端下方体内的高电峰场引入SiC埋层中,利用SiC材料具有较高的临界击穿电场(EC‑SiC=3.0×106V/cm>EC‑Si=3.0×105V/cm)的特性,使得器件的击穿 位置 在SiC埋层中,从而有效地提高了LDMOS的击穿 电压 ,使得器件的性能大幅度提高。,下面是一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管专利的具体信息内容。
1.一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,包括:
半导体材料的衬底;
在所述衬底上生长的外延层;
在所述外延层上形成相邻接的基区和漂移区;
在所述基区上利用双扩散技术形成的沟道,同时在漂移区上远离沟道一侧形成漏区,在所述基区上形成沟道衬底接触并与靠近沟道一侧短接形成源区;
位于沟道上方的栅绝缘层以及栅极;
分别在源区和漏区上形成的源极和漏极;
其特征在于:
所述外延层为异质外延层,即形成具有宽禁带半导体材料SiC埋层的外延层,SiC埋层形成在漏区下方;
所述SiC埋层的厚度根据器件的耐压而确定;所述SiC埋层的长度LD-Op根据漂移区长度LD而确定,长度范围为LD-Op=(1/10LD-1/2LD)。
2.根据权利要求1所述的具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,其特征在于:器件耐压要求为50V-2000V,则SiC埋层厚度为1μm-2μm。
3.根据权利要求1所述的具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,其特征在于:所述SiC埋层的掺杂浓度根据衬底的掺杂浓度而确定。
4.根据权利要求3所述的具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,其特征在于:衬底的掺杂浓度为1014cm-3,则所述SiC埋层的掺杂浓度为1015cm-3。
5.一种制作权利要求1所述的具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的方法,包括以下步骤:
1)在半导体材料的衬底上形成外延层;
2)在外延层上左端形成基区;
3)从基区到右端形成漂移区;
4)形成有源区;
5)在沟道上面形成栅氧化层并淀积多晶硅、刻蚀多晶硅和栅氧化层,形成栅极;
6)在基区利用双扩散技术注入形成沟道,同时在漂移区的右端注入形成漏区;
7)在基区左端形成沟道衬底接触;
8)在器件表面淀积钝化层,并刻蚀接触孔;
9)淀积金属并刻蚀形成漏极和源极;
其特征在于:
在步骤1)完成后,在外延层右端对应于之后将形成的漏区的下方位置,通过异质外延技术形成SiC埋层;步骤3)中右端的漂移区部分是在该SiC埋层上形成。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述SiC埋层的厚度根据器件的耐压要求确定。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述SiC埋层的长度根据器件漂移区的长度确定。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述SiC埋层的掺杂浓度根据器件衬底的掺杂浓度确定。
应管
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