专利汇可以提供一种深紫外LED晶圆级封装方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 专利 公开了一种深紫外LED 晶圆 级封装方法。封装方法包括:首先通过丝网印刷在晶圆级 石英 玻璃片上形成阵列的环状纳米 银 膏层,并经过低温 烧结 后获得环状银层结构;然后通过 半导体 微加工工艺制备平面陶瓷 基板 ,并在陶瓷基板上制作阵列的金属围坝以实现三维陶瓷基板;随后将多颗深紫外LED芯片贴装于陶瓷基板围坝腔体内的金属线路层上;接着在石英玻璃片的银层上通过印刷金属 焊料 形成焊料层,再将陶瓷基板围坝上表面与石英玻璃片的焊料层对准加压,并通过加热实现可靠 焊接 ;最后切割分片获得深紫外LED产品。通过本发明专利,实现了深紫外LED全无机 气密封装 ,提高了深紫外LED器件长期可靠性,更重要的是提出了一种低成本、规模化的封装方法,降低了深紫外LED封装制造成本。,下面是一种深紫外LED晶圆级封装方法专利的具体信息内容。
1.一种深紫外LED晶圆级封装方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:
(a)选取平面石英玻璃作为晶圆级玻璃片,通过丝网印刷在石英玻璃片上印刷出阵列的环状纳米银膏层,再将玻璃片放置于高温炉中进行烧结,由此在玻璃片上形成阵列的环状银层结构,以用于金属焊料焊接;
(b)通过半导体微加工工艺制备平面陶瓷基板,陶瓷基板拥有金属线路层和导电通孔,并在陶瓷基板上制作阵列的金属围坝以实现三维陶瓷基板;
(c)将多颗深紫外LED芯片分别贴装于陶瓷基板围坝腔体内的金属线路层上,完成固晶、打线或共晶过程;
(d)在玻璃片的银层上通过印刷金属焊料形成厚度均匀的焊料层,再将陶瓷基板围坝上表面与玻璃片的焊料层对准加压,并通过整体回流或局部加热完成焊料焊接,实现深紫外LED气密封装;
(e)将通过步骤(d)焊接完成的晶圆级玻璃片与陶瓷基板进行切割分片,获得全无机气密封装的深紫外LED产品。
2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED晶圆级封装方法,其特征在于,所述石英玻璃片上烧结纳米银膏的烧结温度为300-600℃,烧结时间为30-90min,烧结后银层的厚度为
20-100μm,银层的环状结构为正方形或圆形,且与陶瓷基板围坝上表面结构对应。
3.根据权利要求1所述的一种深紫外LED晶圆级封装方法,其特征在于,所述陶瓷基板上的金属围坝是通过直接电镀铜或焊接围坝工艺制作而成,金属围坝高度为0.5-1.5mm。
4.根据权利要求1所述的一种深紫外LED晶圆级封装方法,其特征在于,所述石英玻璃片的银层上印刷的金属焊料为金锡、锡银铜或铜锡合金焊料,焊料层厚度为30-200μm。
5.根据权利要求1所述的一种深紫外LED晶圆级封装方法,其特征在于,所述焊料焊接是在真空、氮气或惰性气体环境下完成。
6.根据权利要求1所述的一种深紫外LED晶圆级封装方法,其特征在于,所述陶瓷基板在贴装深紫外LED芯片前已进行预切割,晶圆级封装后仅对玻璃片进行切割,且切割位置与所述陶瓷基板预切割位置一致。
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