专利汇可以提供一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池及其制备工艺专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种p型局部背表面场 钝化 双面太阳 电池 及其制备工艺,涉及太阳电池技术领域,本发明包括p型 硅 衬底,p型硅衬底底部从上到下设置有 氧 化硅 钝化层 、氧化 铝 钝化层和背面氮化硅减反层,p型硅衬底底部嵌设有若干条 硼 源掺杂层,硼源掺杂层底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层、氧化铝钝化层和背面氮化硅减反层的背面金属 电极 层,制备时,在背面氮化硅减反层下表面利用激光开出若干局部槽,局部槽均开至p型硅衬底底部,开槽区域印刷硼源浆料形成高低结结构,提高了双面太阳电池的背面电池的开路 电压 ,开槽硼源浆重掺杂区域与金属电极 接触 形成 欧姆接触 ,降低 串联 电阻 提高填充因子,在不降低 正面 效率的情况下,提高电池双面率。,下面是一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池及其制备工艺专利的具体信息内容。
1.一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池,包括p型硅衬底(4),p型硅衬底(4)底部从上到下设置有氧化硅钝化层(6)、氧化铝钝化层(7)和背面氮化硅减反层(8),其特征在于,p型硅衬底(4)底部嵌设有若干条硼源掺杂层(5),硼源掺杂层(5)底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层(6)、氧化铝钝化层(7)和背面氮化硅减反层(8)的背面金属电极层(9)。
2.根据权利要求1所述的一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池,其特征在于,p型硅衬底(4)顶部从下到上依次设置有磷源掺杂层(3)和正面氮化硅减反层(2),磷源掺杂层(3)上表面设置有若干与硼源掺杂层(5)位置一一对应的正面金属电极层(1),正面金属电极层(1)均贯穿正面氮化硅减反层(2)。
3.根据权利要求2所述的一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池及其制备工艺,其特征在于,正面金属电极层(1)和背面金属电极层(9)均为Ag或Ag合金或Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ni、Al、Mg、Ta、Sn至少之一所形成的合金。
4.根据权利要求2所述的一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池及其制备工艺,其特征在于,p型硅衬底(4)厚度为100-180um,磷源掺杂层(3)厚度为300-500nm,正面氮化硅减反层(2)厚度为60-100nm,氧化硅钝化层(6)厚度为1-5nm,氧化铝钝化层(7)厚度为2-10nm,背面氮化硅减反层(8)厚度为100-150nm,硼源掺杂层(5)的厚度为500-1500nm。
5.根据权利要求4所述的一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池及其制备工艺,其特征在于,背面金属电极层(9)和正面金属电极层(1)的电极栅线宽度均为40-80um,其高度均为25-50um。
6.一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1:选用一块p型硅衬底(4),对p型硅衬底(4)进行清洗,并进行表面抛光;
S2:在p型硅衬底(4)的上表面进行低压热扩散,制备出磷源掺杂层(3);
S3:在p型硅衬底(4)的下表面进行臭氧氧化,生长出氧化硅钝化层(6);
S4:在磷源掺杂层(3)上表面制备正面氮化硅减反层(2);
S5:在氧化硅钝化层(6)下表面制备氧化铝钝化层(7);
S6:在氧化铝钝化层(7)下表面制备背面氮化硅减反层(8);
S7:在背面氮化硅减反层(8)下表面利用激光开出若干局部槽,局部槽均开至p型硅衬底(4)底部,在p型硅衬底(4)底部开槽深度为500-1500nm,局部槽之间的间距为1-3um,然后在局部槽内通过丝网印刷硼源浆料制备硼源掺杂层(5),直到硼源掺杂层(5)下表面与p型硅衬底(4)下表面齐平,硼源浆料的主要成分包括浓度为50%-70%的硼酸和纯度为60%-
90%的硼酸三丁酯;
S8:在局部槽内的硼源掺杂层(5)下表面进行丝网印刷制备背面金属电极层(9),背面金属电极层(9)依次穿过氧化硅钝化层(6)、氧化铝钝化层(7)和背面氮化硅减反层(8);
S9:最后在正面氮化硅减反层(2)上表面进行丝网印刷制备正面金属电极层(1)。
7.根据权利要求6所述的一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池的制备工艺,其特征在于,在步骤S2中,磷源掺杂层(3)的掺杂浓度1016-1020/cm3。
8.根据权利要求6所述的一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池的制备工艺,其特征
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在于,在步骤S3中,臭氧氧化时臭氧的浓度为2-20g/m。
9.根据权利要求6所述的一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池的制备工艺,其特征在于,在步骤S4中,制备正面氮化硅减反层(2)时采用PECVD法,氮源为一氧化氮,等离子体功率密度为50-250mW/cm2,在步骤S6中,制备背面氮化硅减反层(8)时采用PECVD法,氮源为一氧化氮,等离子体功率密度为50-250mW/cm2。
10.根据权利要求6所述的一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池的制备工艺,其特征在于,在步骤S7中,激光开槽时采用绿光光源,激光的光斑为30-40nm,激光开槽的划线速度为20-30m/s。
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