显示面板及其制备方法、显示装置
专利汇可以提供显示面板及其制备方法、显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 显示面板 及其制备方法、显示装置，所述显示面板包括：在 水 平方向上被划分为显示区、换线区及弯折区；所述显示面板从下至上依次包括 基板 、阻隔层、 缓冲层 、有源层、第一栅极绝缘层、第一金属层及第二栅极绝缘层，还包括：第一通孔、第二金属层、第一有机层、第二金属层、层间绝缘层、第三金属层；其中，位于所述显示区的部分第三金属层穿过所述层间绝缘层，电连接至第二金属层。本发明的技术效果在于，提高显示面板的弯折性能，降低 电路 压降，提高显示面板的 亮度 均一性。，下面是显示面板及其制备方法、显示装置专利的具体信息内容。
1.一种显示面板，其特征在于，在水平方向上被划分为显示区、换线区及弯折区；
所述显示面板从下至上依次包括基板、阻隔层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一金属层及第二栅极绝缘层，还包括：
第一通孔，依次贯穿位于所述弯折区的所述阻隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层，作为源漏极搭接开孔；
第二金属层，部分地设于所述第一通孔的底部及内侧壁，且延伸至所述第二栅极绝缘层的表面；
第一有机层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的表面及所述第一通孔内；所述第二金属层部分地设于所述第一有机层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面；
层间绝缘层，设于所述第一有机层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面；以及第三金属层，设于所述层间绝缘层远离所述第一有机层一侧的表面；
其中，位于所述显示区的部分第三金属层穿过所述层间绝缘层，电连接至所示第二金属层。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一金属层材质包括铝或者铝合金；和/或，
所述第二金属层材质包括铝或者铝合金。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括
第二通孔，贯穿所述显示区内的第一有机层，所述第二通孔部分地连通至所述第一通孔，作为源漏极搭接开孔；另一部分与所述第一金属层驱动电路电容下电极图形相对设置，为形成电容开孔；
其中，所述第二金属层部分地设于所述第二通孔内，且设于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的表面。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括
第三通孔，贯穿于所述层间绝缘层、所述第一有机层、所述第二栅极绝缘层及第一栅极绝缘层；和/或，
第三通孔，贯穿于所述层间绝缘层及所述第一有机层；和/或，
第三通孔，贯穿于所述层间绝缘层。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第三金属层部分地设于所述第三通孔内。
6.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第三金属层通过所述第三通孔部分地搭接至所述第二金属层的网状走线，形成并联电路。
7.一种显示装置，包括如权利要求1-6中任一项所述的显示面板。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，依次包括基板提供步骤、阻隔层制备步骤、缓冲层制备步骤、有源层制备步骤、第一栅极绝缘层制备步骤、第一金属层制备步骤及第二栅极绝缘层制备步骤，还包括：
第一通孔设置步骤，穿透所述阻隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层，形成第一通孔；
第一有机层制备步骤，在所述第二栅极绝缘层的上表面及所述第一通孔内制备出第一有机层；
第二金属层制备步骤，曝光所述第一有机层，在所述第一通孔的底部及内侧壁、所述第二栅极绝缘层上表面形成第二金属层；在所述第一有机层的上表面形成第二金属层；
层间绝缘层制备步骤，在所述第一有机层及所述第二金属层的上表面制备出层间绝缘层；以及
第三金属层制备步骤，在所述层间绝缘层的上表面制备出第三金属层。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述第一有机层制备步骤之后，还包括
第二通孔设置步骤，在所述第一金属层上方的第一有机层处设置第二通孔；
在所述第二金属层制备步骤中，
部分第二金属层设于所述第二通孔内，与所述第一金属层相对设置。
10.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述层间绝缘层制备步骤之后，还包括：
第四通孔设置步骤，在所述层间绝缘层上设置第四通孔，使得所述第四通孔贯穿于所述层间绝缘层，且与所述第一通孔相对设置；以及
第二有机层制备步骤，在所述第四通孔内制备出第二有机层；
在所述第三金属层制备步骤中，
所述第三金属层部分地设于所述第二有机层的上表面。
显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
背景技术
置具有可弯折易携带的特点，成为显示技术领域研究和开发的主要领域。
发明内容
层、第一金属层及第二栅极绝缘层，还包括：第一通孔，依次贯穿位于所述弯折区的所述阻
隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层，作为源漏极搭接开孔；第
二金属层，部分地设于所述第一通孔的底部及内侧壁，且延伸至所述第二栅极绝缘层的表
面；第一有机层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的表面及所述第
一通孔内；所述第二金属层部分地设于所述第一有机层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表
面；层间绝缘层，设于所述第一有机层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面；第三金属层，
设于所述层间绝缘层远离所述第一有机层一侧的表面；其中，位于所述显示区的部分第三
金属层穿过所述层间绝缘层，电连接至所示第二金属层。
图形相对设置，为形成电容开孔；其中，所述第二金属层部分地设于所述第二通孔内，且设
于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的表面。
述第一有机层；和/或，第三通孔，贯穿于所述层间绝缘层。
属层制备步骤及第二栅极绝缘层制备步骤，还包括：第一通孔设置步骤，穿透所述阻隔层、
所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层，形成第一通孔；第一有机层制备
步骤，在所述第二栅极绝缘层的上表面及所述第一通孔内制备出第一有机层；第二金属层
制备步骤，曝光所述第一有机层，在所述第一通孔的底部及内侧壁、所述第二栅极绝缘层上
表面形成第二金属层；在所述第一有机层的上表面形成第二金属层；层间绝缘层制备步骤，
在所述第一有机层及所述第二金属层的上表面制备出层间绝缘层；以及第三金属层制备步
骤，在所述层间绝缘层的上表面制备出第三金属层。
层制备步骤中，部分第二金属层设于所述第二通孔内，与所述第一金属层相对设置。
绝缘层，且与所述第一通孔相对设置；以及第二有机层制备步骤，在所述第四通孔内制备出
第二有机层；在所述第三金属层制备步骤中，所述第三金属层部分地设于所述第二有机层
的上表面。
中性面，降低数据信号线弯折时的断裂风险。采用网格形的金属层结构，源漏极与栅极层搭
接的结构，形成双层电源信号，可降低金属走线的电阻，进而降低显示面板的压降，改善显
示面板的亮度均一性。
附图说明
三金属层；112、第二有机层；113、平坦层；114、阳极层；115、像素定义层；116、隔垫物；117、
第三通孔。
具体实施方式
本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施
例，都属于本申请保护的范围。
定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于
描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在
本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间
接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术
人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特
征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在
第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示
第一特征水平高度小于第二特征。
且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，
这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的
关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以
意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
包括基板101、阻隔层102、缓冲层103、有源层104、第一栅极绝缘层105、第一金属层106、第
二栅极绝缘层107，还包括第二金属层108、第一有机层109、层间绝缘层110、第三金属层
111、第二有机层112、平坦层113、阳极层114、像素定义层115及隔垫物116。
酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种或多种。
SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于顶层。
者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于底层。
层106的材质为金属，在本实施例中，优选为铝或铝合金，铝或铝合金提升了第一金属层106
的电导率，改善其弯折特性，降低了第一金属层106在被弯折时的断裂风险。
单层SiO2膜层或者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于
底层。
金提升了第二金属层108的电导率，改善其弯折特性，降低了第二金属层108在被弯折时的
断裂风险。第二金属层108用以传输数据信号。
更接近于中性面，所以，在弯折时，第二金属层108不易断裂。
设置，为形成电容开孔。
中，优选为铝或铝合金，铝或铝合金提升了第二金属层110的电导率，改善其弯折特性，降低
了第二金属层110在被弯折时的断裂风险。
间绝缘层110及第一有机层109，和/或，第三通孔117贯穿于层间绝缘层110、第一有机层
109、第二栅极绝缘层107及第一栅极绝缘层105，为后续第三金属层111提供通道。
中的压降。
三通孔内，电连接至第二金属层110，在弯折区300直接换线到第二金属层108。用以走数据
信号。所以，弯折区300所有的数据信号都从第二金属层108走，二金属层108设于所述第一
通孔的底部，更接近于中性面，所以，在弯折时，第二金属层108不易断裂。
述第四通孔贯穿平坦层113，为后续膜层提供通道。
形成双层电压走线，可降低电阻，进一步降低压降，改善显示面板的亮度均一性。
114相对设置，为后续的发光层提供通道。
信号线更接近于中性面，降低数据信号线弯折时的断裂风险。采用网格形的金属层结构，源
漏极与栅极层搭接的结构，形成双层电源信号，可降低金属走线的电阻，进而降低显示面板
的压降，改善显示面板的亮度均一性。
氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于顶层。
止各金属线路之间造成短路问题。
属层。
金属层用以走初始电压信号，给整个显示面板提供初始电压信号。
率，改善其弯折特性，降低了金属层在被弯折时的断裂风险。
上表面，使得数据信号线更接近于中性面，降低数据信号线弯折时的断裂风险。采用网格形
的金属层结构，源漏极与栅极层搭接的结构，形成双层电源信号，可降低金属走线的电阻，
进而降低显示面板的压降，改善显示面板的亮度均一性。
只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其
依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同
替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案
的范围。
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