技术领域
[0001] 本
发明涉及用于平面显示面板技术领域，尤其是，其中涉及的一种TFT阵列基板、其显示面板，以及其可应用的终端装置。
背景技术
[0002] 已知，随着显示技术的不断发展，平面显示技术已取代了CRT(Cathode Ray Tube)显示技术成为主流显示技术。
[0003] 其中平面显示技术涉及的平面显示器最开始是
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，但随着显示技术的不断向前发展，业界又开发出了OLED Organic Light-Emitting Diode)型平面显示器。
[0004] 而OLED显示器，由于其重量轻，自发光，广视
角、驱动
电压低、
发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛。尤其是柔性OLED显示器，由于其所具有的可弯折易携带的特点，现已成为显示技术领域研究和开发的主要课题。
[0005] 目前用作驱动OLED的TFT阵列基板，其上设置的
薄膜晶体管(TFT)的栅极材料通常采用的是金属Mo材料，但是这种金属材料由于其自身的材料特性，使得其耐弯折特性较差，从而导致其在柔性显示装置中的应用受到了很大的限制。
[0006] 如此，在柔性显示装置的研发过程中，选择合适的
薄膜晶体管的栅极材料，并相应的开发结构合理的薄膜晶体管器件及其相关制程，已成为业界现在研究的重要课题。
[0007] 因此，确有必要来开发一种新型的TFT阵列基板，来克服
现有技术中的
缺陷。
发明内容
[0008] 本发明的一个方面是提供一种TFT阵列基板，其具有较为良好的自身弯折性能。
[0009] 本发明采用的技术方案如下：
[0010] 一种TFT阵列基板，其包括衬底层。所述衬底层上设置有
缓冲层，所述缓冲层上依次设置有源层(Active)、栅极绝缘层(GI)、栅极层(GE)、层间介质层(ILD)以及源漏极层(SD)。其中所述第一栅极绝缘层包括SiNx层，所述第一栅极层包括AL金属层。
[0011] 进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一栅极绝缘层为采用SiOx/SiNx双层材料构成的双叠层结构。
[0012] 进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一栅极层为Ti/Al/Ti三叠层结构、Al/Ti双叠层结构、AL
合金单层结构、AL合金/TiNx双叠层结构中任一种结构。
[0013] 进一步的，在不同实施方式中，其中所述TFT阵列基板还包括：
[0014] 第二栅极绝缘层，设置在所述第一栅极层上；
[0015] 第二栅极层，设置在所述第二栅极绝缘层上；
[0016] 所述层间介质层设置在所述第二栅极层上。
[0017] 进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二栅极绝缘层为采用SiOx/SiNx双层材料构成的双叠层结构。
[0018] 进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二栅极层为Ti/Al/Ti三叠层结构、Al/Ti双叠层结构、AL合金单层结构、AL合金/TiNx双叠层结构中任一种结构。
[0019] 进一步的，在不同实施方式中，其中所述层间介质层上还依次设置有平坦层(PLN)、
阳极(ANO)和
像素定义层(PDL)。
[0020] 进一步的，在不同实施方式中，其中所述像素定义层上还设置有
支撑柱(PS)。
[0021] 进一步的，在不同实施方式中，其中所述衬底层和所述缓冲层之间还设置有阻隔层(M/B)。
[0022] 进一步的，本发明的又一方面是提供一种显示面板，其包括本发明涉及的所述TFT阵列基板。
[0023] 进一步的，在不同实施方式中，其中所述显示面板包括：
[0024]
发光层，其设置在所述TFT列阵基板一侧；
[0025] 封装层，设置在所述发光层远离所述TFT列阵基板的一侧。
[0026] 进一步的，本发明的又一方面是提供一种终端装置，其包括本发明涉及的所述显示面板。其中所述终端装置优选为移动终端装置，包括但不限于手机、平板等等。
[0027] 相对于现有技术，本发明的有益效果是：本发明涉及的一种TFT阵列基板，其采用弯折性能较好的Ti/Al/Ti或Al/Ti作为栅极材料构成所述栅极层，从而能够有效的改善所述栅极层的弯折性能，进而改善所在TFT阵列基板的弯折性能。
[0028] 进一步的，由于所述栅极层采用新型的Ti/Al/Ti或Al/Ti材质，这会在一定程度上使其具有捕获SiNx材料释放的H
原子，导致氢活化制程时所述栅极层上方的第二栅极绝缘层(GI2)构成材料SiNx释放的氢原子无法对其下方的有源层(Poly型)和第一栅极绝缘层(GI1)界面间的缺陷无法修补，导致TFT电性异常。对此，本发明将所述第一栅极绝缘层(GI1)结构更换为SiOx/SiNx双叠层结构，通过其中的SiNx膜层进行提前补氢，从而有效的改善了TFT的电性，克服了所述第一栅极层采用新
型材料所带来的缺陷。
附图说明
[0029] 为了更清楚地说明本发明
实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030] 图1为本发明涉及的一个实施方式提供的一种TFT阵列基板的结构示意图；
[0031] 图2为本发明涉及的一个实施方式提供的一种显示面板的结构示意图；以及[0032] 图3为本发明涉及的一个实施方式提供的一种终端装置的结构示意图。
具体实施方式
[0033] 以下将结合附图和实施例，对本发明涉及的一种TFT阵列基板及其显示面板的技术方案作进一步的详细描述。
[0034] 请参阅图1所示，本发明的一个实施方式提供了一种TFT阵列基板，其包括衬底层100。
[0035] 其中所述衬底层100上依次设置有阻隔层(M/B)101、缓冲层(Buf)102，所述缓冲层上依次设置有源层(Poly Active)103、栅极绝缘层(GI)、栅极层(GE)、层间介质层(ILD)108以及源漏极层(SD)109。
[0036] 进一步的，其中所述源漏极层109上还依次设置有平坦层(PLN)110、阳极(ANO)111和像素定义层(PDL)112，所述像素定义层112上设置有支撑柱(PS)114。
[0037] 进一步的，其中所述栅极绝缘层具体包括依次设置的第一栅极绝缘层114和第二栅极绝缘层116，所述栅极层包括第一栅极层115和第二栅极层117，其中所述第一栅极绝缘层114设置在所述缓冲层112上，所述第一栅极层115设置在所述第一栅极绝缘层114中，所述第二栅极层117设置在所述第二栅极绝缘层116中。
[0038] 其中所述第一栅极层115为由Ti/Al/Ti三层材料构成的三叠层结构或是由Al/Ti双层材料构成的双叠层结构。所述第二栅极层117也是优选由Ti/Al/Ti三层材料构成的三叠层结构或是由Al/Ti双层材料构成的叠层结构。
[0039] 其中所述第一栅极绝缘层114为采用SiOx/SiNx构成的双叠层结构，所述第一栅极绝缘层中的SiNx膜层与所述第一栅极层相接。而所述第二栅极绝缘层116则是优选采用SiOx单层结构。
[0040] 进一步的，本发明的又一实施方式提供了一种显示面板，其采用本发明涉及的所述阵列基板。其中所述显示面板优选为OLED显示面板，但不限于。
[0041] 如图2所示，其图示了本发明涉及的一种显示面板，其包括本发明涉及的所述TFT整列基板210以及其上设置的发光层220和封装层230。
[0042] 进一步的，本发明的又一实施方式提供了一种终端装置，请参阅图3所示，其包括本体310和设置在所述本体310上的本发明涉及的所述显示面板320。其中所述终端装置优选为移动终端装置，包括但不限于手机、平板等等。
[0043] 本发明涉及的一种TFT阵列基板，其采用弯折性能较好的TiAlTi或Al/Ti作为栅极材料构成所述栅极层，从而有效的改善栅极层的弯折性能，进而改善所在TFT阵列基板的弯折性能。
[0044] 进一步的，由于所述栅极层采用新型的Ti/Al/Ti或Al/Ti材质，这会在一定程度上使其具有捕获SiNx材料释放的H原子，导致氢活化制程时所述栅极层上方的第二栅极绝缘层(GI2)构成材料SiNx释放的氢原子无法对其下方的有源层(Poly型)和第一栅极绝缘层(GI1)界面间的缺陷无法修补，导致TFT电性异常。对此，本发明将所述第一栅极绝缘层(GI1)结构更换为SiOx/SiNx双叠层结构，通过其中的SiNx膜层进行提前补氢，从而有效的改善了TFT的电性，克服了所述第一栅极层采用新型材料所带来的缺陷。
[0045] 本发明的技术范围不仅仅局限于上述说明中的内容，本领域技术人员可以在不脱离本发明技术思想的前提下，对上述实施例进行多种
变形和
修改，而这些变形和修改均应当属于本发明的范围内。
