Manufacture of semiconductor device
专利汇可以提供Manufacture of semiconductor device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To obtain an insulation isolating region buried with metallic wire of low internal specific resistance with narrow width by forming an isolation region with high melting point metallic pattern. CONSTITUTION:An N type buried layer 1 and a molybdenum film 3' are formed on a P type silicon substrate 2, a high melting point metal pattern and hence Mo pattern 3 becoming the isolation region is formed by etching, and dioxidized silicon film 4 is formed thereon. The film 4 is retained on the exposed surface of the pattern 3 by plasma etching, an N type si epitaxial layer 5 is grown on the layer 1 and the substrate 2, and a bipolar transistor is formed by an ordinary method on the epitaxial layer isolated by the pattern 3. Since the isolation region is formed by a lithographic technique, a narrower width can be formed than the P-N junction isolation structure formed by the diffusion technique.，下面是Manufacture of semiconductor device专利的具体信息内容。
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