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用于集成电压调节器的嵌入式薄膜磁载体

阅读:3发布:2021-08-01

专利汇可以提供用于集成电压调节器的嵌入式薄膜磁载体专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供一种电感器,其可包含第一衬底、磁件和导体。所述第一衬底可形成于第二衬底内。所述磁件可连接到所述第一衬底的第一侧。所述导体可形成于所述第二衬底内、所述第二衬底上,或既可形成于所述第二衬底内又可形成于所述第二衬底上。所述导体可具有输入和输出。所述导体可经配置以环绕所述第一衬底,但不与所述第一衬底 接触 并且不与所述磁件接触。,下面是用于集成电压调节器的嵌入式薄膜磁载体专利的具体信息内容。

1.一种电感器,其包括:
第一衬底,其形成于第二封装衬底内;
第一磁件,其连接到所述第一衬底的第一侧;
第三磁件,其连接到所述第一衬底的第二侧,所述第二侧与所述第一侧相对;和导体,其形成于所述第二封装衬底内或所述第二封装衬底上中的至少一个,具有输入和输出,并且经配置以环绕所述第一衬底,但不与所述第一衬底接触并且不与所述第一磁件或所述第三磁件接触,其中所述导体的至少一个第一部分形成于所述第二封装衬底的至少一个通孔中。
2.根据权利要求1所述的电感器,其中所述第一衬底由包括玻璃的材料制成。
3.根据权利要求1所述的电感器,其中所述第一衬底由介电材料制成。
4.根据权利要求1所述的电感器,其中所述第一衬底由有机材料制成。
5.根据权利要求1所述的电感器,其中所述第一衬底由第一材料制成并且所述第二封装衬底由第二材料制成,所述第二材料不同于所述第一材料。
6.根据权利要求1所述的电感器,其中所述第一衬底由具有小于或等于100埃的均方根轮廓粗糙度参数的材料制成。
7.根据权利要求1所述的电感器,其中所述第一磁件由包括钴钽锆、钴或镍铁合金中的至少一者的材料制成。
8.根据权利要求1所述的电感器,其进一步包括:
介电件,其连接到所述第一磁件;和
第二磁件,其连接到所述介电件。
9.根据权利要求1所述的电感器,其中所述导体的至少一个第二部分形成为至少一个传导垫,所述至少一个传导垫形成于所述第二封装衬底的第一层与所述第二封装衬底的第二层的结合部处。
10.根据权利要求9所述的电感器,其中所述导体的至少一个第三部分形成为所述第二封装衬底内或所述第二封装衬底上中的至少一者的至少一个互连件。
11.一种半导体装置,其包括:
电感器,其具有在第一磁件和第三磁件之间的第一衬底,以及导体,所述第一磁件连接到所述第一衬底的第一表面,所述第三磁件连接到所述第一衬底的第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对,所述导体经配置以环绕所述第一衬底但不与所述第一衬底接触并且不与所述第一磁件或所述第三磁件接触,其中所述导体的至少一个第一部分形成于第二封装衬底的至少一个通孔中,所述电感器嵌入于所述第二封装衬底中;和集成电路,其形成为具有电压调节器和电路,所述集成电路连接到所述第二封装衬底,所述电路经配置以从所述电压调节器接收电压,所述电压调节器连接到所述电感器。
12.根据权利要求11所述的半导体装置,其中所述第一衬底由包括以下各项的材料中的至少一者制成:玻璃、介电材料、有机材料、或具有小于或等于100埃的均方根轮廓粗糙度参数的材料。
13.根据权利要求11所述的半导体装置,其进一步包括嵌入于所述第二封装衬底中并且连接到所述电压调节器的电容器。
14.根据权利要求11所述的半导体装置,其进一步包括连接到所述第二封装衬底并且连接到所述电压调节器的电容器。
15.根据权利要求11所述的半导体装置,其中所述第二封装衬底经配置以连接到印刷电路板
16.一种用于制造电感器的方法,其包括:
形成连接到第一衬底的第一侧的第一磁件;
形成连接到所述第一衬底的第二侧的第三磁件,所述第二侧与所述第一侧相对;
形成至少部分地环绕所述第一衬底的第二封装衬底;
在所述第二封装衬底内或所述第二封装衬底上中的至少一者,形成具有输入和输出并且环绕所述第一衬底但不与所述第一衬底接触并且不与所述第一磁件或所述第三磁件接触的导体;
在所述第二封装衬底中形成至少一个通孔;和
在所述至少一个通孔中形成所述导体的至少一个第一部分。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述第一衬底由包括以下各项的材料中的至少一者制成:玻璃、介电材料、有机材料、或具有小于或等于100埃的均方根轮廓粗糙度参数的材料。
18.根据权利要求16所述的方法,其中所述第一衬底由层压层制成。
19.根据权利要求16所述的方法,其中所述第一衬底由第一材料制成,所述第二封装衬底由第二材料制成,所述第二材料不同于所述第一材料。
20.根据权利要求16所述的方法,其中所述第一磁件由包括钴钽锆、钴铁或镍铁合金中的至少一者的材料制成。
21.根据权利要求16所述的方法,其中所述形成所述第一磁件包括:
在所述第一衬底上沉积磁性材料;和
将所述磁性材料的偶极子定向。
22.根据权利要求21所述的方法,其中所述将所述偶极子定向包括将所述偶极子定向为平行于响应于电流流过所述导体所产生的磁场的方向对准。
23.根据权利要求16所述的方法,其进一步包括:
形成连接到所述第一磁件的介电件;和
形成连接到所述介电件的第二磁件。
24.根据权利要求16所述的方法,其中所述形成所述导体进一步包括形成所述导体的至少一个第二部分作为至少一个传导垫,所述至少一个传导垫形成于所述第二封装衬底的第一层与所述第二封装衬底的第二层的结合部处。
25.根据权利要求24所述的方法,其中所述形成所述导体进一步包括形成所述导体的至少一个第三部分作为所述第二封装衬底内或所述第二封装衬底上中的至少一者的互连件。

说明书全文

用于集成电压调节器的嵌入式薄膜磁载体

[0001] 相关申请案的交叉参考
[0002] 本专利申请案主张2014年12月3日申请的标题为“用于集成电压调节器的嵌入式薄膜载体(Embedded Thin Film Carrier for Integrated Voltage Regulator)”的第62/086,947号美国临时专利申请案的优先权,并且所述美国临时专利申请案转让给本受让人并特此明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

[0003] 本文中所揭示的方面大体上涉及一种用于嵌入式电感器的嵌入式薄膜磁载体,且确切地说(但非排它地),涉及一种用于集成电压调节器的嵌入式电感器的嵌入式薄膜磁载体。

背景技术

[0004] 有源装置的特征大小的减小已使得更多个有源装置能够制造于集成电路芯片上来处理数字数据。然而,有源装置的特征大小的减小同时不仅减小这些装置的操作电压,而且还使这些装置可容许的与标称操作电压的偏差程度变窄。电压调节器将外部电源电压(例如,常规交流电压、电池等)转换成供有源装置使用的直流(DC)电压并且调节这些经转换的电压。
[0005] 现代系统单芯片(SOC)通常具有多个功率域,其中每一域可需要不同的经调节电压(例如,1.0V、1.2V、1.8V等)。这使每一DC层级的SOC内的个别经调节电压轨成为必要。此外,出于功率效率,具有相同电压电平的不同域可能需要单独的电压调节以使特定域空闲或断电。虽然需要对与正在被供电的相同的裸片执行单级电压调节,但这将耗用高级节点上相当大的衬底面积,并且可能归因于相对较高电池电压和在高级节点中缺少可处置这些电压的晶体管而为不可行的。替代性方法为采用双级电压调节,其中第一转换(例如,来自电池)在专用功率管理集成电路(PMIC)内或通过使用离散组件在外部发生,并且第二级转换在SOC内部发生。在此双级方法中,净转换效率是所述级中的每一者的效率的乘积。因此,可能需要每一电压调节级具有极高效率以使功率损耗降到最低。开关电压调节器或开关模式电源(SMPS)与低压差线性调节器(LDO)相比可具有较高效率。然而,由于SMPS操作需要电感器和电容器,SMPS在SOC裸片上的实施可具挑战性。此因素和其它因素已对开关电压调节器并入到处理器芯片中造成阻碍。
[0006] 尽管出现上文所提及的挑战,但归因于功率轨数目增加以及对功率节约的需求增加,对局部化功率域进行集成电压调节正变得必要。确切地说,对于高电流负载,如在图形操作中,在无局部化电压调节的情况下管理与负载电流的改变相关联的电压下降正变得不可行。发明内容
[0007] 本文中所揭示的方面的特征和效用可通过提供可包含第一衬底、磁件和导体的电感器达成。所述第一衬底可形成于第二衬底内。所述磁件可连接到所述第一衬底的第一侧。所述导体可形成于所述第二衬底内、所述第二衬底上,或这两者。所述导体可具有输入和输出。所述导体可经配置以环绕所述第一衬底,但不与所述第一衬底接触并且不与所述磁件接触。
[0008] 本文中所揭示的方面的特征和效用也可通过提供包含用于支撑磁体的装置和用于传导电流的装置的电感器达成。所述用于传导所述电流的装置可经配置以环绕所述用于支撑所述磁体的装置,但不与所述用于支撑所述磁体的装置接触并且不与所述磁体接触。
[0009] 本文中所揭示的方面的特征和效用也可通过提供可包含电感器和集成电路的半导体装置达成。所述电感器可具有第一衬底、磁件和导体。所述磁件可连接到所述第一衬底的表面。所述导体可经配置以环绕所述第一衬底,但不与所述第一衬底接触并且不与所述磁件接触。所述电感器可嵌入于第二衬底中。所述集成电路可形成为具有电压调节器和电路。所述集成电路可连接到所述第二衬底。所述电路可经配置以从所述电压调节器接收电压。所述电压调节器可连接到所述电感器。
[0010] 本文中所揭示的方面的特征和效用也可通过提供一种用于制造电感器的方法达成。可形成连接到第一衬底的第一侧的第一磁件。可形成至少部分地环绕所述第一衬底的第二衬底。可在所述第二衬底内、所述第二衬底上或这两者形成导体。所述导体可经形成为具有输入和输出。所述导体可经形成以环绕所述第一衬底,但不与所述第一衬底接触并且不与所述第一磁件接触。附图说明
[0011] 在详细描述、所附权利要求书和附图中描述这些和其它样本方面。
[0012] 图1是示范性电感器的示范性框图
[0013] 图2是以类似于图1中所说明的的示范性电感器的方式形成的示范性电感器的示范性图片。
[0014] 图3是以类似于图2中所说明的示范性电感器的方式形成有两个线圈但无磁件的电感器的电感对频率的示范性图表。
[0015] 图4是以类似于图2中所说明的示范性电感器的方式形成有两个线圈并且包含磁件的示范性电感器的电感对频率的示范性图表。
[0016] 图5是包含如图1中所说明的示范性电感器的示范性半导体装置的示范性框图。
[0017] 图6是用于制造示范性电感器的示范性方法的示范性流程图
[0018] 图7是用于形成示范性磁件的示范性方法的示范性流程图。
[0019] 图8是随偶极子的定向的方向而变的电感的归一化增加的示范性图表。
[0020] 图9是用于形成导体的示范性方法的示范性流程图。
[0021] 根据惯例,图式中所说明的各种特征可能并非按比例绘制。因此,为了清晰起见,可任意扩大或减小各种特征的尺寸。另外,为了清楚起见,可简化图式中所说明的方面。因此,图式可能并未说明给定设备或装置的全部组件。最后,可贯穿说明书和图式使用相同参考数字来表示相同特征。

具体实施方式

[0022] 本文中所揭示的方面大体上涉及一种用于嵌入式电感器的嵌入式薄膜磁性第一衬底,且确切地说,涉及一种用于集成电压调节器的嵌入式电感器的嵌入式薄膜磁性第一衬底。
[0023] 有源装置的特征大小的减小已使得更多个有源装置能够制造于集成电路芯片上来处理数字数据。然而,有源装置的特征大小的减小同时不仅减小有源装置的操作电压,而且还使有源装置可容许的与标称操作电压的偏差程度变窄。电压调节器将外部电源电压(例如,常规交流电压、电池等)转换成供有源装置使用的直流(DC)电压并且调节这些经转换的电压。
[0024] 现代系统单芯片(SOC)通常具有多个功率域,其中每一域可需要不同的经调节电压(例如,1.0V、1.2V、1.8V等)。这使每一DC层级的SOC内的个别经调节电压轨成为必要。此外,出于功率效率,具有相同电压电平的不同域可能需要单独的电压调节以使特定域空闲或断电。虽然需要对与正在被供电的块相同的裸片执行单级电压调节,但这将耗用高级节点上相当大的衬底面积,并且可能归因于相对较高电池电压和在高级节点中缺少可处置这些电压的晶体管而为不可行的。替代性方法为采用双级电压调节,其中第一转换(例如,来自电池)在专用功率管理集成电路(PMIC)内或通过使用离散组件在外部发生,并且第二级转换在SOC内部发生。在此双级方法中,净转换效率是所述级中的每一者的效率的乘积。因此,可能需要每一电压调节级具有极高效率以使功率损耗降到最低。开关电压调节器或开关模式电源(SMPS)与低压差线性调节器(LDO)相比可具有较高效率。然而,由于SMPS操作需要电感器和电容器,SMPS在SOC裸片上的实施可具挑战性。此因素和其它因素已对开关电压调节器并入到处理器芯片中造成阻碍。
[0025] 尽管出现上文所提及的挑战,但归因于功率轨数目增加以及对功率节约的需求增加,对局部化功率域进行集成电压调节正变得必要。确切地说,对于高电流负载,如在图形操作中,在无局部化电压调节的情况下管理与负载电流的改变相关联的电压下降正变得不可行。
[0026] 可通过提供可包含第一衬底、第一磁件和导体的电感器来解决这些问题。第一衬底可形成于第二衬底内。第一磁件可连接到第一衬底的第一侧。所述导体可形成于第二衬底内、第二衬底上,或这两者。所述导体可具有输入和输出。所述导体可经配置以环绕第一衬底,但不与第一衬底接触并且不与第一磁件接触。
[0027] 图1是示范性电感器100的示范性框图。图1的框图说明x-z平面中的电感器100。电感器100可包含第一衬底102、第一磁件104和导体106。第一衬底102可形成于第二衬底108内。第一磁件104可连接到第一衬底102的第一侧110。导体106可形成于第二衬底108内、第二衬底108上,或这两者。导体106可具有输入202(参见图2)和输出204(参见图2)。导体106可经配置以环绕第一衬底102,但不与第一衬底102接触并且不与第一磁件104接触。
[0028] 任选地,第一衬底102可由包含以下各项的材料制成:玻璃、介电材料、有机材料、具有小于或等于100埃的均方根轮廓粗糙度参数的材料,或以上的任何组合。第一衬底102可由层压层制成。
[0029] 第一衬底102可为载体。第二衬底108可为封装衬底。任选地,第一衬底102可由第一材料制成,第二衬底108可由第二材料制成,并且第二材料可不同于第一材料。
[0030] 任选地,第一磁件104可由包含以下项中的至少一者的材料制成:钴钽锆、钴、镍铁合金(确切地说,80%镍和20%铁或45%镍和55%铁),或类似者,或以上中的任一者。任选地,第一磁件104可由具有、磷、钨或类似者中的至少一者的额外少量组分以增加第一磁件104的电阻率的材料制成。
[0031] 任选地,导体106可由包含的材料制成。
[0032] 任选地,电感器100也可包含第一介电件112和第二磁件114。第一介电件112可连接到第一磁件104。第二磁件114可连接到第一介电件112。有利地,第一介电件112和第二磁件114可用以增加磁场的强度。在第一侧110上也可包含额外层的介电件和磁件。
[0033] 任选地,电感器100也可包含第三磁件116。第三磁件116可连接到第一衬底102的第二侧118。第二侧118可与第一侧110相对。有利地,第三磁件116可用以增加磁场的强度。
[0034] 任选地,电感器100也可包含第二介电件120和第四磁件122。第二介电件120可连接到第三磁件116。第四磁件122可连接到第三介电件116。有利地,第二介电件120和第四磁件122可用以增加磁场的强度。在第二侧118上也可包含额外层的介电件和磁件。
[0035] 模拟已经证实,当电感器100包含第一磁件104和第二磁件114两者以及第三磁件116和第四磁件122两者时,电感可增加2.3倍。
[0036] 在一方面中,可使用多次出现的电感器100。举例来说,为在使用多次出现的电感器100的情况下使所耗用的面积降到最低,多次出现的电感器100中的每一电感器100可沿着z轴布置成邻近于多次出现的电感器100中的另一电感器100。举例来说,为减小与多次出现的电感器100相关联的总直流电阻,多次出现的电感器100中的每一电感器100可沿着x轴或沿着y轴(参见图2)布置成邻近于多次出现的电感器100中的另一电感器100。
[0037] 在一方面中,导体106的至少一个第一部分124可形成于第二衬底108的至少一个通孔126处。举例来说,图1处说明的电感器100可包含导体106的形成于第二衬底108的至少一个通孔126-a到126-f处的至少一个第一部分124-a到124-h。
[0038] 在一方面中,导体106的至少一个第二部分128可形成为至少一个传导垫130。至少一个传导垫130可形成于第二衬底108的第一层134与第二衬底108的第二层136的结合部132处。举例来说,图1处说明的电感器100可包含导体106的形成为至少一个传导垫130-a到
130-d的至少一个第二部分128-a到128-d。至少一个传导垫130-a到130-d可形成于第二衬底108的第一层134与第二衬底108的第二层136的结合部132处以及第二衬底108的第二层
136与第二衬底108的第三层140的结合部138处。
[0039] 在一方面中,导体106的至少一个第三部分142可形成为第二衬底108内、第二衬底108上或这两者的至少一个互连件144。举例来说,图1处说明的电感器100可包含形成为第二衬底108上的至少一个互连件144-a和144-b的至少一个第三部分142-a和142-b。
[0040] 图2是以类似于电感器100的方式形成的示范性电感器200的示范性图片。图2说明x-y平面中的两个电感器200。两个电感器200可包含第一电感器206和第二电感器208。两个电感器200可配置为螺线管。第一电感器206可具有输入202和输出204。输出204可接地。第二电感器208可具有输入210和输出212。输出212可接地。输出212可为输出204。第一电感器206可经配置以磁耦合到第二电感器208。与第一电感器206不磁耦合到第二电感器208的配置相比,第一电感器206和第二电感器208之间的磁耦合可增加两个电感器200的有效电感。
此外,第一电感器206和第二电感器208之间的磁耦合可减小电感器纹波,减小开关频率,以及改进装置效率。
[0041] 图3是以类似于电感器200的方式形成有两个线圈但无磁件104、114、116和122的电感器的电感对频率的示范性图表300。图表300包含针对初级线圈的曲线302、针对次级线圈的曲线304,以及针对初级线圈和次级线圈之间的互电感的曲线306。
[0042] 图4是以类似于电感器200的方式形成有两个线圈并且包含磁件104、114、116和122的示范性电感器的电感对频率的示范性图表400。图表400包含针对初级线圈的曲线
402、针对次级线圈的曲线404,以及针对初级线圈和次级线圈之间的互电感的曲线406。
[0043] 图表300和图表400两者说明电感对频率曲线是平滑曲线。平滑曲线不具有从上面安装有处理数据的芯片的衬底单独地制造的常规电感器的电感对频率发生的频率起伏。另外,图表400说明存在最小频率滚降(roll-off)。
[0044] 图5是包含电感器100的示范性半导体装置500的示范性框图。半导体装置500可包含电感器100和集成电路502。电感器100可包含第一衬底504、磁件506和导体508。磁件506可连接到第一衬底504的表面510。导体508可经配置以环绕第一衬底504,但不与第一衬底504接触并且不与磁件506接触。电感器100可嵌入于第二衬底512中。集成电路502可形成为具有电压调节器514和电路516。集成电路502可连接到第二衬底512。电路516可经配置以从电压调节器514接收电压。电压调节器514可连接到电感器100。
[0045] 第一衬底504可由包含以下各项的材料制成:玻璃、介电材料、有机材料、具有小于或等于100埃的均方根轮廓粗糙度参数的材料,或以上的任何组合。第一衬底504可由层压层制成。
[0046] 第一衬底504可为载体。第二衬底512可为封装衬底。任选地,第一衬底504可由第一材料制成,第二衬底512可由第二材料制成,并且第二材料可不同于第一材料。
[0047] 任选地,半导体装置500可包含电容器518。电容器518可嵌入于第二衬底512中。替代地,电容器518可连接到第二衬底512。电容器518可连接到电压调节器514。
[0048] 任选地,第二衬底512可经配置以连接到印刷电路板(PCB)520。
[0049] 图6是用于制造示范性电感器的示范性方法600的示范性流程图。在方法600中,在操作602,可形成连接到第一衬底的第一侧的第一磁件。在操作604处,可形成至少部分地环绕第一衬底的第二衬底。在操作606处,可形成环绕第一衬底但不与第一衬底接触并且不与第一磁件接触的导体。导体可形成于第二衬底内、第二衬底上,或这两者。导体可具有输入和输出。
[0050] 任选地,第一衬底可由包含以下各项的材料制成:玻璃、介电材料、有机材料、具有小于或等于100埃的均方根轮廓粗糙度参数的材料,或以上的任何组合。第一衬底可由层压层制成。
[0051] 第一衬底可为载体。第二衬底可为封装衬底。任选地,第一衬底可由第一材料制成,第二衬底可由第二材料制成,并且第二材料可不同于第一材料。
[0052] 任选地,第一磁件可由包含以下项中的至少一者的材料制成:钴钽锆、钴铁、镍铁合金(确切地说,80%镍和20%铁或45%镍和55%铁),或类似者,或以上中的任一者。任选地,第一磁件可由具有碳、硼、磷、钨或类似者中的至少一者的额外少量组分以增加第一磁件的电阻率的材料制成。
[0053] 任选地,导体可由包含铜的材料制成。
[0054] 任选地,在操作608处,可形成连接到第一磁件的第一介电件。
[0055] 任选地,在操作610处,可形成连接到第一介电件的第二磁件。
[0056] 任选地,在操作612处,可形成连接到第一衬底的第二侧的第三磁件。
[0057] 任选地,在操作614处,可形成连接到第三磁件的第二介电件。
[0058] 任选地,在操作616处,可形成连接到第二介电件的第四磁件。
[0059] 图7是用于形成示范性磁件的操作602的示范性流程图。在操作602中,在操作702处,可在第一衬底上沉积磁性材料。在操作704处,可将磁性材料的偶极子定向。可例如在沉积过程或退火过程期间发生偶极子的定向。偶极子可经定向为例如平行于响应于电流流过导体所产生的磁场的方向对准。
[0060] 图8是随偶极子的定向的方向而变的电感的归一化增加的示范性图表800。图表800说明使偶极子的定向的方向平行于响应于电流流过导体所产生的磁场的方向对准与垂直于响应于电流流过导体所产生的磁场的方向对准相比的优点。
[0061] 图9是用于形成导体的操作606的示范性流程图。在操作606中,在操作902处,可在第二衬底中形成至少一个通孔。在操作904处,可在至少一个通孔中形成导体的至少一个第一部分。任选地在操作906处,可形成导体的至少一个第二部分作为至少一个传导垫。所述至少一个传导垫可形成于第二衬底的第一层与第二衬底的第二层的结合部处。任选地,在操作908处,可形成导体的至少一个第三部分作为至少一个互连件。所述至少一个互连件可形成于第二衬底内、第二衬底上,或这两者。
[0062] 本专利申请案与如下的后续同在申请中的美国专利申请案有关:第14/497,942号美国申请案,其标题为“用于多相功率管理集成电路的电感器系统(INDUCTOR SYSTEM FOR MULTI-PHASE POWER MANAGEMENT INTEGRATED CIRCUITS)”,在2014年9月26日申请,转让给本受让人,并且明确地以全文引用的方式并入本文中。
[0063] 如本文中所使用,术语“示范性”意指“充当实例、例子或说明”。在本文中描述为“示范性”的任何实例不必解释为比其它实例优选或有利。同样,术语“实例”不要求所有实例包含所论述的特征、优点或操作模式。在此说明书中使用术语“在一个实例中”、“一实例”、“在一个特征中”和/或“一特征”不一定指同一特征和/或实例。此外,可将特定特征和/或结构与一或多个其它特征和/或结构组合。此外,此处所描述的设备的至少一部分可经配置以执行此处所描述的方法的至少一部分。
[0064] 应注意,术语“连接”、“耦合”或其任何变体意指元件之间的直接或间接的任何连接或耦合,且可涵盖经由中间元件“连接”或“耦合”在一起的两个元件之间的中间元件的存在。元件之间的耦合和连接可为物理的、逻辑的或其组合。可例如通过使用一或多个电线、电缆、印刷电连接、电磁能以及类似者将元件“连接”或“耦合”在一起。在可行的情况下,电磁能可具有射频、微波频率、可见光学频率、不可见光学频率以及类似者下的波长。这些是若干非限制性且非穷尽性实例。
[0065] 术语“信号”可包含任何信号,例如数据信号、音频信号视频信号、多媒体信号、模拟信号数字信号以及类似者。可使用多种不同技术和技艺中的任一者表示本文中所描述的信息和信号。举例来说,在本文中引用的数据、指令、工艺步骤、过程框、命令、信息、信号、位、符号以及类似者可由电压、电流、电磁波、磁场、磁粒子、光场和光学粒子和/或其任何可行的组合表示,这至少部分地取决于特定应用,至少部分地取决于所要设计,至少部分地取决于对应技术,并且/或至少部分地取决于相似因素。
[0066] 使用例如“第一”、“第二”等名称的引用不限制那些元件的数量或次序。而是,这些名称用作区别两个或大于两个元件和/或元件的例子的方便方法。因此,对第一和第二元件的引用不意味着可使用仅两个元件,或第一元件必须一定先于第二元件。并且,除非另外说明,否则元件的集合可包括一或多个元件。另外,在说明或权利要求书中使用的术语形式“以下各项中的至少一者:A、B或C”或“A、B或C中的一或多者”或“由A、B和C组成的群组中的至少一者”可解释为“A或B或C或这些元件的任何组合”。举例来说,此术语可包含A,或B,或C,或(A和B),或(A和C),或(B和C),或(A和B和C),或2A,或2B,或2C,等。
[0067] 本文中所使用的术语仅出于描述特定实例的目的,且并不意欲是限制性的。如本文中所使用,除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式“一”、“一个”以及“所述”也包含复数形式。此外,术语“包括(comprises/comprising)”、“包含(includes/including)”规定存在特征、整数、步骤、块、操作、元件、组件以及类似者,但不必排除存在或添加另一特征、整数、步骤、块、操作、元件、组件以及类似者。
[0068] 在至少一个实例中,所提供的设备可为例如(但不限于)以下各项中的至少一者的电子装置和/或耦合到所述电子装置:移动装置、导航装置(例如,全球定位系统接收器)、无线装置、相机、音频播放器、摄录像机和游戏控制台。
[0069] 术语“移动装置”可描述且不限于以下各项中的至少一者:移动电话、移动通信装置、传呼机、个人数字助理、个人信息管理器、个人数据助理、移动手持式计算机、便携式计算机、平板计算机、无线装置、无线调制解调器、其它类型的通常由人携带并且具有通信能(例如,无线、蜂窝、红外线、短程无线电等)的便携式电子装置,和/或任何其它能够接收在确定位置定位时使用的无线通信信号的装置。此外,术语“用户设备”(UE)、“移动终端”、“用户装置”、“移动装置”和“无线装置”可为可互换的。
[0070] 此外,所属领域的技术人员将理解,在可行的情况下,在本文中所揭示的实例中描述的示范性逻辑块、模块、电路和步骤可实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。为了清楚地说明硬件与软件的此可互换性,示例性组件、块、模块、电路和步骤已在本文中大体上关于其功能性方面进行了描述。此类功能性是实施为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整个系统的设计约束。熟练的技术人员可针对每一特定应用以不同方式实施所描述的功能性,但此类实施决策不应被解释为会致使偏离本发明的范围。
[0071] 结合本文中所揭示的实例描述的方法、序列和/或算法的至少一部分可直接实施于硬件中,实施于由处理器(例如,此处描述的处理器)执行的软件中,或这两者的组合中。在一实例中,处理器包含多个离散硬件组件。软件模块可驻存于例如以下各项的存储媒体(例如,存储器装置)中:随机存取存储器(RAM)、快闪存储器、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸式磁盘、压缩光盘只读存储器(CD-ROM)、订户身份模块(SIM)卡、通用订户身份模块(USIM)卡和/或任何其它形式的存储媒体。示范性存储媒体(例如,存储器装置)可耦合到处理器,使得处理器可从所述存储媒体读取信息和/或将信息写入到所述存储媒体。在一实例中,存储媒体可与处理器成一体式。
[0072] 此外,此处提供的实例在由例如计算装置的元件执行的动作序列方面进行描述。本文中所描述的动作可由特定电路(例如,专用集成电路(ASIC))、由一或多个处理器正执行的程序指令或由两者的组合执行。另外,本文中所描述的动作序列可被视为是完全在任何形式的其中存储有对应计算机指令集的计算机可读存储媒体内,所述计算机指令集在执行时将致使相关联处理器(例如,专用处理器)执行本文中所描述的功能的至少一部分。因此,实例可以许多不同形式,其全部预期在本发明的范围内。另外,对于本文中所描述的实例中的每一者,任何此类实例的对应电路可这本文中描述为例如经配置以执行所描述的动作的“逻辑”。
[0073] 所揭示的装置和方法可经设计并且可经配置到计算机可执行文件中,所述计算机可执行文件呈图形数据库系统二(GDSII)兼容格式、开放作品系统互换标准(OASIS)兼容格式和/或GERBER(例如,RS-274D、RS-274X等)兼容格式,其存储于非暂时性(即,非瞬态)计算机可读媒体上。所述文件可提供到基于所述文件以光刻装置制造集成装置的制造处置者。可使用例如物理气相沉积(PVD,例如溅)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积(热CVD)和/或旋涂以及类似者的沉积技术执行沉积材料以形成本文中所描述的结构的至少一部分。可使用例如等离子蚀刻的蚀刻技术执行蚀刻材料以形成本文中所描述的结构的至少一部分。在一实例中,所述集成装置在半导体晶片上。半导体晶片可切割为半导体裸片且封装到半导体芯片中。所述半导体芯片可以用于本文中所描述的装置(例如,移动装置、存取装置和/或类似者)中。
[0074] 此处提供的至少一个实例可包含存储处理器可执行指令的非暂时性(即,非瞬态)机器可读媒体和/或非暂时性(即,非瞬态)计算机可读媒体,所述处理器可执行指令经配置以致使处理器(例如,专用处理器)将处理器和任何其它协作装置转换成经配置以执行此处描述的功能和/或此处描述的方法的至少一部分的机器(例如,专用处理器)。执行此处描述的功能的至少一部分可包含起始此处描述的功能的至少一部分。非暂时性(即,非瞬态)机器可读媒体特别地排除暂时传播信号。此外,本发明的至少一个实施例可包含体现本文中所描述的方法的至少一部分的计算机可读媒体。因此,任何用于执行本文中所描述的功能的装置包含在本发明的至少一个实施例中。非暂时性(即,非瞬态)机器可读媒体特别地排除暂时传播信号。
[0075] 本申请案中所陈述或所描绘的任何事物都不意图使任何组件、步骤、块、特征、对象、益处、优点或等效物专用于公众,无论所述组件、步骤、块、特征、对象、益处、优点或等效物是否在权利要求书中陈述。
[0076] 虽然以上描述提供本文中所揭示的方面的说明性方面,但应注意,可在不脱离由所附权利要求书界定的范围的情况下对这些说明性实施方案做出各种改变和修改
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