技术领域
[0001] 本
发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板及其制备方法。
背景技术
[0002] 现有的液晶显示面板一般包括TFT(
薄膜晶体管)阵列
基板、与TFT阵列基板相对贴合设置的CF(彩色滤光片)基板及设于TFT阵列基板与CF基板之间的液晶层。在液晶显示面板制造中，主要有M1/M2/ITO(第一金属层/第二金属层/
氧化铟
锡层)用作图形化
电极层。随着高规格显示器的逐步推广，各大面板厂商争相布局高解析度、低
色偏等关键显示技术，3T/3T+&8domain(畴)设计凭借其优异的色偏表现获得广泛关注，同时为降低生产成本，
4mask(掩膜板)工艺也被广泛采用。
[0003] 由于4mask工艺集成了a-Si(非晶
硅有源层)与M2为一道掩膜板，受到制程工艺的限制，a-Si层会略宽于M2层，从而限制了M2层的布局影响
开口率。同时，M2层中的Share bar(共享电极)与a-Si层直接
接触，在光照情况下将产生光生载流子，从而影响share bar的
稳定性并对
像素(pixel)正常显示产生不良影响。现有设计条件下，通过保留略宽于share bar与a-Si层的M1以进行遮光，从而避免光生载流子的产生以提升share bar稳定性。尽管通过保留share bar下M1层的设计能够改善其光学稳定性，但M1层的物理遮光性质也导致了开口率的进一步降低，从而严重限制了穿透率。
[0004] 参考图1，现有液晶显示面板结构的俯视示意图，从TFT阵列基板的基板一侧进行俯视，为方便显示及说明，图1中略去基板，主要显示液晶显示面板结构中与share bar设计相关的部分，无关的部分在此不再赘述。如图1所示，液晶显示面板主要包括：位于TFT阵列基板侧由栅极线和数据线(未图示)交叉限定的多个像素区域11和多个TFT区域12，以及位于CF基板侧的BM(黑矩阵)13。在所述像素区域11内设有像素电极110，所述像素区域11包括主(main)区111以及子(sub)区112。所述TFT区域12设置于所述主区111与所述子区112之间，在所述TFT区域12内设有TFT结构及share bar(未图示)；所述主区111的像素电极和所述子区112的像素电极分别通过第一开孔121与相应的TFT结构相连，通过第二开孔122利用ITO
导线123将三列相邻像素的share bar相连，从而实现像素间share bar共享，进而实现像素间的sub区分压设计；例如，通过开孔设计利用ITO导线将相邻R/G/B像素中R/G像素的share bar连接至B像素的share bar，从而实现RGB的sub区分压设计。所述BM13设置于CF基板上，并对应于所述数据线以及TFT区域12，即，且所述BM13(为方便显示其他结构，图中TFT区域12的BM13以虚线表示)在所述TFT阵列基板上的投影
覆盖像素区域11之间的数据线以及share bar，从而实现遮光效果。
[0005] 但是，由于BM位于CF基板上，很容易在TFT阵列基板与CF基板对组时发生偏移，影响遮光效果，特别是对数据线的遮光效果；同时在曲面屏设计中，位于CF基板上的BM更加容易在面板扭曲时发生相对偏移，从而导致实际遮光效果恶化，
对比度/色偏等重要指标都会恶化。
[0006] 因此，亟需在保留现有share bar共享设计的
基础上进行合适的遮光设计，来降低对组偏移
风险，以实现液晶显示面板在高规格显示产品特别是曲面屏产品上的广泛使用。
发明内容
[0007] 本发明的目的在于，针对
现有技术存在的问题，提供一种液晶显示面板及其制备方法，可以实现像素间share bar共享，实现遮光的同时降低对组偏移风险。
[0008] 为实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示面板，包括：像素区域，由栅极线和数据线交叉限定，所述像素区域包括主区和子区，在所述主区和所述子区内均设有像素电极；设置于所述主区与所述子区之间的TFT区域，在所述TFT区域内设有TFT结构及共享电极，所述主区的像素电极和所述子区的像素电极分别通过第一开孔与相应的TFT结构相连，同一行的三个相邻的所述共享电极通过第二开孔采用ITO导线相连；DBS公共电极走线，设置于所述液晶显示面板的阵列基板侧并与所述数据线平行设置，且所述数据线在所述DBS公共电极走线上的投影落入所述DBS公共电极走线内，所述DBS公共电极走线在所述第一开孔处和/或所述第二开孔处转折以绕过所述第一开孔和/或所述第二开孔；以及黑矩阵，用于对所述TFT区域进行遮蔽。
[0009] 为实现上述目的，本发明还提供了一种液晶显示面板的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一基板，所述基板包括像素区域和TFT区域，所述像素区域包括主区和子区，所述TFT区域位于所述主区与所述子区之间；在所述基板上制备数据线以及栅极线，并在对应所述TFT区域制备TFT结构及共享电极；沉积绝缘保护层；在所述绝缘保护层上对应所述像素区域制备像素电极，所述主区的像素电极和所述子区的像素电极分别通过第一开孔与相应的TFT结构相连；在所述绝缘保护层上对应所述TFT区域制备ITO导线，采用ITO导线通过第二开孔将同一行的三个相邻的所述共享电极相连；在所述绝缘保护层上制备DBS公共电极走线，所述DBS公共电极走线与所述数据线平行设置，且所述数据线在所述DBS公共电极走线上的投影落入所述DBS公共电极走线内，所述DBS公共电极走线在所述第一开孔处和/或所述第二开孔处转折以绕过所述第一开孔和/或所述第二开孔；以及在对应所述TFT区域制备黑矩阵，以对所述TFT区域进行遮蔽。
[0010] 本发明的优点在于：本发明通过开孔利用ITO导线将三列相邻像素的共享电极相连，从而实现像素间共享电极共享，进而实现像素间的子区分压设计；去除了像素的主区之间、子区之间的黑矩阵，仅保留TFT区的黑矩阵以对共享电极进行遮光，避免光生载流子的产生以提升共享电极的稳定性；在去除黑矩阵的区域均采用DBS公共电极走线，并在由于共享电极的共享设计而采用的ITO导线处采用了绕线的异型DBS设计，将断开处的DBS公共电极走线跨线连至相邻的直连的DBS公共电极走线上，形成有效导通实现DBS的功能。本发明DBS公共电极走线集成于TFT阵列基板侧，可以避免TFT阵列基板与CF基板对组误差导致的漏光现象，实现优异的遮光性能，可广泛用于高规格显示产品特别是曲面屏产品。
附图说明
[0011] 为了更清楚地说明本发明
实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0012] 图1，现有液晶显示面板结构的俯视示意图；
[0013] 图2，本发明液晶显示面板结构的俯视示意图；
[0014] 图3，本发明液晶显示面板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0015] 下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。本发明所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前、后、内、外、侧面等，仅是参考附图的方向。本发明的
说明书和
权利要求书以及附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序，应当理解，这样描述的对象在适当情况下可以互换。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。此外，本发明在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
[0016] 本发明液晶显示面板，通过开孔利用ITO导线将三列相邻像素的share bar相连，从而实现像素间share bar共享，进而实现像素间的sub区分压设计；去除了像素的main区之间、sub区之间的BM，保留TFT区的BM，在去除BM的区域均采用ITO层的DBS(Data BM Less)设计，并在由于share bar的共享设计导致共享区域DBS无法上下直连而断开处采用了绕线的异型DBS设计，将断开处的DBS跨线连至相邻的直连的DBS上，形成有效导通实现DBS的功能。本发明异型DBS设计集成于TFT阵列基板侧，可以避免TFT阵列基板与CF基板对组误差导致的漏光现象，实现优异的遮光性能，可广泛用于高规格显示产品特别是曲面屏产品。
[0017] 请参阅图2，本发明液晶显示面板结构的俯视示意图，从TFT阵列基板的基板一侧进行俯视，为方便显示及说明，图2中略去基板，主要显示液晶显示面板结构中与share bar及DBS设计相关的部分，无关的部分在此不再赘述。如图2所示，所述液晶显示面板主要包括：多个像素区域21、多个TFT区域22、DBS公共电极走线23以及黑矩阵(BM)24。所述黑矩阵24用于对所述TFT区域22进行遮蔽，为方便显示其他结构，图中以虚线表示。
[0018] 所述像素区域21由栅极线和数据线(未图示)交叉限定，所述像素区域21包括主区211和子区212，在所述主区211和所述子区212内均设有像素电极210。
[0019] 所述TFT区域22设置于所述主区211与所述子区212之间，在所述TFT区域22内设有TFT结构及共享电极(未图示)。所述主区211的像素电极和所述子区212的像素电极分别通过第一开孔221与相应的TFT结构相连。同一行的三个相邻的所述共享电极通过第二开孔222采用ITO导线223相连；即通过开孔利用ITO导线将三列相邻像素的共享电极相连，从而实现像素间共享电极共享，进而实现像素间的sub区分压设计；例如，通过开孔设计利用ITO导线将相邻R/G/B像素中R/G像素的共享电极连接至B像素的共享电极，从而实现RGB的sub区分压设计。其中，共享电极的作用是进行sub区的分压从而提升8domain视
角表现，本发明对共享电极的具体排布方式不做限制，只要实现分压即可。
[0020] 所述DBS公共电极走线23设置于所述液晶显示面板的阵列基板侧，并与所述数据线平行设置，且所述数据线在所述DBS公共电极走线23上的投影落入所述DBS公共电极走线23内，所述DBS公共电极走线23在所述第一开孔221处以及所述第二开孔222处转折以绕过所述第一开孔221以及所述第二开孔222；即，所述DBS公共电极走线23对所述数据线完全遮蔽，在由于共享电极的共享设计导致共享区域DBS无法上下直连而断开处采用了绕线的异型DBS设计，形成有效导通实现DBS的功能。
[0021] 利用DBS(Data BM Less)技术控制液晶电位而实现遮光的原理为：由于DBS公共电极走线23电位和对侧基板的CF com(公共电极)电位都是相同的公共电位，所以无论像素电极给的是什么
信号，夹在DBS公共电极走线23与CF com之间的液晶都不会产生转动。液晶不转动，意味着偏振光的
相位不改变，穿过第一层偏光片的偏振光，在常黑模式的
液晶显示器中，相位如果没有改变是无法穿过第二层偏光片的，起到相当于BM的作用，起到遮光的目的。
[0022] 进一步的实施例中，所述DBS公共电极走线23、所述ITO导线223与所述像素电极210由同一ITO层制作而成。
[0023] 进一步的实施例中，所述DBS公共电极走线23包括：一第一子DBS公共电极走线231，与第一数据线平行设置，并在所述TFT区域22处断开；一第二子DBS公共电极走线232，与第二数据线平行设置，并贯穿所述TFT区域22；一DBS
连接线233设置于所述TFT区域22内，所述DBS连接线233在所述第一开孔221处和/或所述第二开孔222处转折以绕过所述第一开孔221和/或所述第二开孔222，并连接相邻的所述第一子DBS公共电极走线231与所述第二子DBS公共电极走线232。即，所述DBS公共电极走线23在由于共享电极的共享设计导致共享区域DBS无法上下直连而断开处采用了绕线的异型DBS设计，将断开处的DBS跨线连至相邻的直连的DBS上，形成有效导通实现DBS的功能。
[0024] 进一步的实施例中，所述DBS连接线233自所述第二子DBS公共电极走线232引出，在临近所述第一开孔221处转折以绕过所述第一开孔221，连接至所述子区212侧(或所述主区211侧)的第一子DBS公共电极走线231。在其它实施例中，所述DBS连接线233可以自所述第二子DBS公共电极走线232引出，在临近所述第二开孔222处转折以绕过所述第二开孔222，连接至所述主区211侧(或所述子区212侧)的第一子DBS公共电极走线231。
[0025] 进一步的实施例中，所述DBS连接线233自所述第二子DBS公共电极走线232引出，在临近所述第二开孔222处分成两条分支连接线2331、2332，一条所述分支连接线2331绕过所述第二开孔222连接至所述主区211侧的第一子DBS公共电极走线231，另一条所述分支连接线2332绕过所述第一开孔221连接至所述子区212侧的第一子DBS公共电极走线231。
[0026] 进一步的实施例中，所述DBS连接线233与所述ITO导线223之间具有一预设间距。在进所述DBS公共电极走线23、所述ITO导线223与所述像素电极210由同一ITO层制作而成时，制程中需要保证成膜图形的间距，尤其是同层材料不同电极之间的安全距离，以防止短接或串扰。其中，DBS连接线的作用是将断开处的DBS跨线连至相邻的直连的DBS上，形成有效导通实现DBS的功能，本发明对DBS连接线的具体排布方式不做限制，只要实现DBS有效导通，且与共享电极间的ITO导线保持安全距离实现电气绝缘即可。
[0027] 作为可选的实施例，所述黑矩阵13可以设置于所述液晶显示面板的阵列基板一侧，也可以设置于与所述阵列基板相对应的CF基板一侧。黑矩阵的作用是对TFT区域进行遮蔽，特别是对TFT区域的共享电极进行遮蔽，从而避免光生载流子的产生以提升共享电极的稳定性。
[0028] 本发明液晶显示面板，通过开孔利用ITO导线将三列相邻像素的共享电极相连，从而实现像素间共享电极共享，进而实现像素间的子区分压设计；去除了像素的主区之间、子区之间的黑矩阵，仅保留TFT区的黑矩阵以对共享电极进行遮光，避免光生载流子的产生以提升共享电极的稳定性；在去除黑矩阵的区域均采用DBS公共电极走线，并在由于共享电极的共享设计而采用的ITO导线处采用了绕线的异型DBS设计，将断开处的DBS公共电极走线跨线连至相邻的直连的DBS公共电极走线上，形成有效导通实现DBS的功能。本发明DBS公共电极走线集成于TFT阵列基板侧，可以避免TFT阵列基板与CF基板对组误差导致的漏光现象，实现优异的遮光性能，可广泛用于高规格显示产品特别是曲面屏产品。
[0029] 基于同一发明构思，本发明还提供一种液晶显示面板的制备方法。请参阅图3，本发明液晶显示面板的制备方法的流程示意图。本发明液晶显示面板的制备方法，具体包括以下步骤：S31：提供一基板，所述基板包括像素区域和TFT区域，所述像素区域包括主区和子区，所述TFT区域位于所述主区与所述子区之间；S32：在所述基板上制备数据线以及栅极线，并在对应所述TFT区域制备TFT结构及共享电极；S33：沉积绝缘保护层；S34：在所述绝缘保护层上对应所述像素区域制备像素电极，所述主区的像素电极和所述子区的像素电极分别通过第一开孔与相应的TFT结构相连；S35：在所述绝缘保护层上对应所述TFT区域制备ITO导线，采用ITO导线通过第二开孔将同一行的三个相邻的所述共享电极相连；S36：在所述绝缘保护层上制备DBS公共电极走线，所述DBS公共电极走线与所述数据线平行设置，且所述数据线在所述DBS公共电极走线上的投影落入所述DBS公共电极走线内，所述DBS公共电极走线在所述第一开孔处和/或所述第二开孔处转折以绕过所述第一开孔和/或所述第二开孔；以及S37：在对应所述TFT区域制备黑矩阵，以对所述TFT区域进行遮蔽。所述TFT结构、共享电极、像素电极、黑矩阵的制备工艺可参考现有技术，此处不再赘述。
[0030] 作为可选的实施例，所述黑矩阵可以设置于所述液晶显示面板的阵列基板一侧，也可以设置于与所述阵列基板相对应的CF基板一侧。黑矩阵的作用是对TFT区域进行遮蔽，特别是对TFT区域的共享电极进行遮蔽，从而避免光生载流子的产生以提升共享电极的稳定性。
[0031] 进一步的实施例中，所述共享电极与所述TFT结构中的有源层采用同一道掩膜板制成，从而有效降低生产成本。
[0032] 进一步的实施例中，所述DBS公共电极走线、所述ITO导线与所述像素电极由同一ITO层制作而成，从而节省工艺制程并有效降低生产成本。
[0033] 进一步的实施例中，请同时参阅图2，所述DBS公共电极走线23包括：一第一子DBS公共电极走线231，与第一数据线平行设置，并在所述TFT区域22处断开；一第二子DBS公共电极走线232，与第二数据线平行设置，并贯穿所述TFT区域22；一DBS连接线233设置于所述TFT区域22内，所述DBS连接线233在所述第一开孔221处和/或所述第二开孔222处转折以绕过所述第一开孔221和/或所述第二开孔222，并连接相邻的所述第一子DBS公共电极走线231与所述第二子DBS公共电极走线232。即，所述DBS公共电极走线23在由于共享电极的共享设计导致共享区域DBS无法上下直连而断开处采用了绕线的异型DBS设计，将断开处的DBS跨线连至相邻的直连的DBS上，形成有效导通实现DBS的功能。
[0034] 进一步的实施例中，请同时参阅图2，所述DBS连接线233自所述第二子DBS公共电极走线232引出，在临近所述第一开孔221处转折以绕过所述第一开孔221，连接至所述子区212侧(或所述主区211侧)的第一子DBS公共电极走线231。在其它实施例中，所述DBS连接线
233可以自所述第二子DBS公共电极走线232引出，在临近所述第二开孔222处转折以绕过所述第二开孔222，连接至所述主区211侧(或所述子区212侧)的第一子DBS公共电极走线231。
[0035] 进一步的实施例中，请同时参阅图2，所述DBS连接线233自所述第二子DBS公共电极走线232引出，在临近所述第二开孔222处分成两条分支连接线2331、2332，一条所述分支连接线2331绕过所述第二开孔222连接至所述主区211侧的第一子DBS公共电极走线231，另一条所述分支连接线2332绕过所述第一开孔221连接至所述子区212侧的第一子DBS公共电极走线231。
[0036] 进一步的实施例中，请同时参阅图2，所述DBS连接线233与所述ITO导线223之间具有一预设间距。在进所述DBS公共电极走线23、所述ITO导线223与所述像素电极210由同一ITO层制作而成时，制程中需要保证成膜图形的间距，尤其是同层材料不同电极之间的安全距离，以防止短接或串扰。其中，DBS连接线的作用是将断开处的DBS跨线连至相邻的直连的DBS上，形成有效导通实现DBS的功能，本发明对DBS连接线的具体排布方式不做限制，只要实现DBS有效导通，且与共享电极间的ITO导线保持安全距离实现电气绝缘即可。
[0037] 以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
