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一种像素电路驱动方法及像素电路

阅读:457发布:2022-11-30

专利汇可以提供一种像素电路驱动方法及像素电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 像素 电路 驱动方法及像素电路,所述像素电路包括 开关 管T1、T2,电容C1、C2,所述T1的栅极与扫描 信号 连接,源极与数据信号线Vdata连接,漏极与C1的一端和T2的栅极连接,所述T2的源极与片上 电压 OVDD连接,所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接,T2的漏极还与C1的另一端连接,T2的漏极接像素的正极,像素的负极与片上电压OVSS连接;本 发明 像素驱动电路TFT数量少,占用面 板面 积小,有利于高PPI设计,提高画面清晰度,同时通过电路驱动方法能够有效地消除和降低Vth差异及OVDD的RC loading所带来的影响,增强面板显示均匀性。,下面是一种像素电路驱动方法及像素电路专利的具体信息内容。

1.一种像素电路驱动方法,其特征在于,所述像素电路包括开关管T1、T2,电容C1、C2,所述T1的栅极与扫描信号连接,源极与数据信号线Vdata连接,漏极与C1的一端和T2的栅极连接,所述T2的源极与片上电压OVDD连接,所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接,T2的漏极还与C1的另一端连接,T2的漏极接像素的正极,像素的负极与片上电压OVSS连接;
所述驱动方法包括步骤,在复位阶段,扫描信号使能,片上电压OVSS从低电平变为高电平,数据信号线通入参考电压Vref;在补偿阶段,扫描信号、OVSS和数据信号线均保持;在写入阶段,数据信号线写入数据信号Vdata;在发光阶段,扫描信号、OVSS和数据信号线变为低电平。
2.根据权利要求1所述的像素电路驱动方法,其特征在于,所述开关管为薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素电路驱动方法,其特征在于,所述OVDD输入高电平。
4.一种像素电路,其特征在于,包括开关管T1、T2,电容C1、C2,所述T1的栅极与扫描信号连接,源极与数据信号线Vdata连接,漏极与C1的一端和T2的栅极连接,所述T2的源极与片上电压OVDD连接,所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接,T2的漏极还与C1的另一端连接,T2的漏极接像素的正极,像素的负极与片上电压OVSS连接。

说明书全文

一种像素电路驱动方法及像素电路

技术领域

[0001] 本发明涉及一种稳定电压补偿的像素电路及驱动方法。

背景技术

[0002] OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板具有高亮度、宽视、响应速度快、低功耗等优点,目前已被广泛地应用于高性能显示领域中。其中,如图1-1所示,在OLED显示器面板中,每一像素通常采用由两个晶体管与一个电容构成,俗称
2T1C电路,由于晶体管存在阈值电压漂移的问题以及OLED器件退化,OVDD金属走线IR_Drop等不良因素会导致OLED显示器显示不均匀,因此,OLED像素驱动电路需要相应的补偿结构。
目前,OLED像素驱动电路的补偿结构较为复杂,在面板设计布局时,像素占用大量面积,不利于高PPI(Pixels Per Inch,像素密度)显示面板的设计
[0003] 有鉴于此,如何设计一种用于高PPI显示面板,是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

发明内容

[0004] 因此,需要提供一种补偿电路结构设计,达到稳定驱动补偿电路的技术效果。
[0005] 为实现上述目的,发明人提供了一种像素电路驱动方法,所述像素电路包括开关管T1、T2,电容C1、C2,所述T1的栅极与扫描信号连接,源极与数据信号线Vdata连接,漏极与C1的一端和T2的栅极连接,所述T2的源极与片上电压OVDD连接,所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接,T2的漏极还与C1的另一端连接,T2的漏极接像素的正极,像素的负极与片上电压OVSS连接;
[0006] 所述驱动方法包括步骤,在复位阶段,扫描信号使能,片上电压OVSS从低电平变为高电平,数据信号线通入参考电压Vref;在补偿阶段,扫描信号、OVSS和数据信号线均保持;在写入阶段,数据信号线写入数据信号Vdata;在发光阶段,扫描信号、OVSS和数据信号线变为低电平。
[0007] 具体地,所述开关管为薄膜晶体管。
[0008] 具体地,所述OVDD输入高电平。
[0009] 一种像素电路,包括开关管T1、T2,电容C1、C2,所述T1的栅极与扫描信号连接,源极与数据信号线Vdata连接,漏极与C1的一端和T2的栅极连接,所述T2的源极与片上电压OVDD连接,所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接,T2的漏极还与C1的另一端连接,T2的漏极接像素的正极,像素的负极与片上电压OVSS连接。
[0010] 本发明像素驱动电路TFT数量少,占用面板面积小,有利于高PPI设计,提高画面清晰度,同时通过电路驱动方法能够有效地消除和降低Vth差异及OVDD的RC loading所带来的影响,增强面板显示均匀性。附图说明
[0011] 图1为具体实施方式所述的像素电路示意图;
[0012] 图2为具体实施方式所述的像素电路及信号示意图;
[0013] 图3为具体实施方式所述的复位阶段示意图;
[0014] 图4为具体实施方式所述的补偿阶段示意图;
[0015] 图5为具体实施方式所述的数据写入阶段示意图;
[0016] 图6为具体实施方式所述的发光阶段示意图。

具体实施方式

[0017] 为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
[0018] 图1的实施例中展示了一种2T1C的电路示意图,在本实施例中,常用做法是保持OVSS的低电平,同时在scan扫描信号的使能区间内,Vdata线始终通入数据信号电压。
[0019] 图2展示了一种新的像素电路及驱动方法,像素电路包括开关管T1、T2,电容C1、C2。这里的开关管可以是三极管等开关功能的元件,本方案中可选为薄膜晶体管TFT。如图中所示,所述T1的栅极与扫描信号连接,源极与数据信号线Vdata连接,漏极与C1的一端和T2的栅极连接,所述T2的源极与片上电压OVDD连接,所述T2的源极和漏极之间通过电容C2连接,T2的漏极还与C1的另一端连接,T2的漏极接像素的正极,像素的负极与片上电压OVSS连接。相应的驱动方式如图2中右侧所示,在复位阶段,扫描信号使能,片上电压OVSS从低电平变为高电平,数据信号线通入参考电压Vref;在补偿阶段,扫描信号、OVSS和数据信号线均保持;在写入阶段,数据信号线写入数据信号Vdata;在发光阶段,扫描信号、OVSS和数据信号线变为低电平。
[0020] 具体的原理可以如图3-图6所示,阶段I(复位阶段):图3,Scan高电压,T1开启,Data写入Vref电压,让T2处于开启状态,由于OVSS此时写入VB电压,高于OVDD电压,这样OLED不发光;。各点对应电压:VG=Vref电路及波形如图1-3所示。
[0021] 阶段II(补偿阶段)):图4,Scan持续写入高电压,T1开启,此时data电压保持Vref高电平,T2开启。OVDD持续写入给S点充电至Vref-Vth,T2关闭,完成Vth提取。此时各个点电压为:VG=Vref,VS=Vref-Vth;电路及波形如图1-4所示。
[0022] 阶段III(data写入阶段)):图5,Scan持续写入高电压,T1开启,此时data电压写入Vdata高电平。通过电容C1及C2的耦合作用,S点变化影响G点变化。此时各个点电压为:VS=Vref-Vth+(Vdata-Vref)*C1/(C1+C2),VG=Vdata;电路及波形如图1-5所示。
[0023] 阶段IV(发光阶段)):图6,Scan写入低电压,T1关闭,此时data电压写入低电压.此时OVSS写入一个低电压保证OLED发光。由于OLED发光,这样OLED器件会有一个VOLED的压降。此时各个点电压为:VS=VOLED+OVSS,VG=Vdata+【VOLED+OVSS-{Vref-Vth+(Vdata-Vref)*C1/(C1+C2)}】;电路及波形如图3-6所示。
[0024] 那么OLED的发光电流公式如下:
[0025] IOLED=1/2μnCoxW/L(VGS-Vth)2
[0026] 将G,S电压代入公式得下:
[0027] IOLED=1/2(μnCoxW/L){(Vref–Vdata)C2/(C1+C2}2
[0028] (注μn为场效应迁移率,Cox为单位面积的绝缘层电容;W/L为TFT沟道宽度和长度)[0029] 从OLED发光电流公式可以了解OLED电流只与Vdata,Vref有关,除Vdata,Vref这二项以外,而无另外其他参数影响到电流;而且补偿电路已经消除Vth漂移,OLED寿命退化以及VDD差异的问题,达到了我们的设计目的。通过电路驱动方法能够有效地消除和降低Vth差异及OVDD的RC loading所带来的影响,增强面板显示均匀性。
[0030] 需要说明的是,尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述,但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此,基于本发明的创新理念,对本文所述实施例进行的变更和修改,或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域,均包括在本发明的专利保护范围之内。
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