功率放大电路以及功率放大器
阅读：852发布：2023-02-05
专利汇可以提供功率放大电路以及功率放大器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种功率放大 电路 以及功率 放大器 ，针对多个增益的各个增益下的放大，能够以希望的值进行设计而不会导致取舍的关系。功率放大电路具备将高频 信号 放大的第1放大部和将高频信号放大的第2放大部。第1放大部包含：第1匹配电路，进行与前级的电路的阻抗匹配；和第1放大电路，将通过了第1匹配电路之后的高频信号放大。第2放大部包含：第2匹配电路，进行与前级的电路的阻抗匹配； 电阻 ，一端与第2匹配电路电连接；和第2放大电路，与电阻的另一端电连接，将通过了电阻之后的高频信号放大。，下面是功率放大电路以及功率放大器专利的具体信息内容。
1.一种功率放大电路，其特征在于，具备：
第1放大部，将高频信号放大；和
第2放大部，将高频信号放大，
所述第1放大部包含：
第1匹配电路，进行与前级的电路的阻抗匹配；和
第1放大电路，将通过了所述第1匹配电路之后的所述高频信号放大，
所述第2放大部包含：
第2匹配电路，进行与所述前级的电路的阻抗匹配；
电阻，一端与所述第2匹配电路电连接；和
第2放大电路，与所述电阻的另一端电连接，将通过了所述电阻之后的所述高频信号放大。
2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，
所述第1放大部还包含：第3匹配电路，进行所述第1放大电路和后级的电路的阻抗匹配，
所述第2放大部还包含：第4匹配电路，进行所述第2放大电路和所述后级的电路的阻抗匹配。
3.根据权利要求1或2所述的功率放大电路，其特征在于，
所述第1放大电路以及所述第2放大电路各自包含多指晶体管，
所述第2放大电路的指数比所述第1放大电路的指数少。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率放大电路，其特征在于，
所述电阻的电阻值为4欧姆以上且250欧姆以下的范围内。
5.根据权利要求4所述的功率放大电路，其特征在于，
所述电阻的电阻值为10欧姆以上且140欧姆以下的范围内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的功率放大电路，其特征在于，
所述第1放大部的第1增益比所述第2放大部的第2增益大。
7.一种功率放大器，其特征在于，具备：
权利要求1至6中任一项所述的功率放大电路；和
匹配电路，电连接在所述前级的电路与所述第1匹配电路以及所述第2匹配电路之间，与所述第1匹配电路协作地进行所述前级的电路和所述第1放大电路之间的阻抗匹配，并且与所述第2匹配电路协作地进行所述前级的电路和所述第2放大电路之间的阻抗匹配。
8.根据权利要求7所述的功率放大器，其特征在于，
还具备：第2功率放大电路，将由所述功率放大电路放大之后的所述高频信号放大。
9.根据权利要求7或8所述的功率放大器，其特征在于，
所述第1放大部的第1增益比所述第2放大部的第2增益大。
功率放大电路以及功率放大器
技术领域
背景技术
[0002] 在搭载于无线通信终端装置的功率放大器中，为了使输出电平根据基站与终端的距离而变化，有时要求切换增益。例如，有时要求功率放大器切换相对高的第1增益(高增益)下的放大和相对低的第2增益(低增益)下的放大。
[0004] 在先技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1：日本特开2015-126411号公报
[0007] 有时放大用的晶体管在第1增益(高增益)放大时以及第2增益(低增益)放大时被共用。在该情况下，若设计晶体管的电气值或物理值(例如指数(number of fingers))以使得一方的增益成为希望的值，则另一方的增益不满足希望的特性。例如，若调整晶体管的电气值或物理值以使得第2增益(低增益)成为希望的值，则晶体管变得无法使第1增益(高增益)为希望的值。因此，成为了取舍(trade-off)的关系。
发明内容
[0008] 发明要解决的课题
[0009] 本发明正是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，针对多个增益的各个增益下的放大，能够以希望的值进行设计而不会导致取舍的关系。
[0010] 用于解决课题的手段
[0011] 本发明的一个方式的功率放大电路具备将高频信号放大的第1放大部和将高频信号放大的第2放大部。第1放大部包含：第1匹配电路，进行与前级的电路的阻抗匹配；和第1放大电路，将通过了第1匹配电路之后的高频信号放大。第2放大部包含：第2匹配电路，进行与前级的电路的阻抗匹配；电阻，一端与第2匹配电路电连接；和第2放大电路，与电阻的另一端电连接，将通过了电阻之后的高频信号放大。
[0012] 发明效果
[0014] 图1是示出比较例的功率放大器的结构的图。
[0015] 图2是示出第1实施方式的功率放大器的结构的图。
[0016] 图3是示出第1实施方式的功率放大器的电路结构的图。
[0017] 图4是示出第1实施方式的功率放大器的特性的图。
[0018] 图5是示出第1实施方式的功率放大器的特性的图。
[0019] 图6是示出第1实施方式的功率放大器的特性的图。
[0020] 图7是示出第2实施方式的功率放大器的结构的图。
[0021] 符号说明
[0022] 1、1A、100 功率放大器；
[0023] 11、13、15、101、103、105 匹配电路；
[0024] 12、12A、14、16、102、104、106 功率放大电路；
[0025] 17、18、19、20 偏置电路；
[0026] 21、21A 第1放大部；
[0027] 21a 第1匹配电路；
[0028] 21b 第1放大电路；
[0029] 21c 第3匹配电路；
[0030] 31、31A 第2放大部；
[0031] 31a 第2匹配电路；
[0032] 31b 电阻；
[0033] 31c 第2放大电路；
[0034] 31d 第4匹配电路。
具体实施方式
[0035] 以下，基于附图对本发明的功率放大电路以及功率放大器的实施方式详细地进行说明。另外，并非通过该实施方式来限定本发明。各实施方式是例示，能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合，这是不言而喻的。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。
[0036] (比较例)
[0037] 图1是示出比较例的功率放大器的结构的图。功率放大器100将高频输入信号RFin放大，并输出高频输出信号RFout。功率放大器100能够切换相对高的第1增益(高增益)下的放大和相对低的第2增益(低增益)下的放大。
[0038] 功率放大器100包含匹配电路101、初级的功率放大电路102、匹配电路103、中间级的功率放大电路104、匹配电路105、和最终级的功率放大电路106。
[0039] 功率放大电路102包含第1放大部102a和第2放大部102b。第1放大部102a在第1增益下的放大时以及第2增益下的放大时动作。第2放大部102b在第2增益下的放大时动作，在第1增益下的放大时不动作。
[0040] 匹配电路101进行前级的电路(例如，信号生成电路)和功率放大电路102之间的阻抗匹配。匹配电路103进行功率放大电路102和功率放大电路104之间的阻抗匹配。匹配电路105进行功率放大电路104和功率放大电路106之间的阻抗匹配。
[0041] 箭头111示出在第1增益(高增益)下的放大时高频信号流过的路径。如箭头111所示，通过了匹配电路101之后的高频输入信号RFin输入至第1放大部102a以及第2放大部102b。
[0042] 第1放大部102a将高频输入信号RFin放大之后的高频信号输出至匹配电路103。第2放大部102b将高频输入信号RFin放大之后的高频信号输出至匹配电路103。
[0043] 功率放大电路104将通过了匹配电路103之后的高频信号放大，并输出至匹配电路105。功率放大电路106将通过了匹配电路105之后的高频信号放大后的高频输出信号RFout输出至后级的电路(例如，前端电路)。
[0044] 箭头112示出在第2增益(低增益)下的放大时高频信号流过的路径。如箭头112所示，通过了匹配电路101之后的高频输入信号RFin输入至第2放大部102b。
[0045] 第2放大部102b将高频输入信号RFin放大之后的高频信号输出至匹配电路103。
[0046] 功率放大电路104将通过了匹配电路103之后的高频信号放大，并输出至匹配电路105。功率放大电路106将通过了匹配电路105之后的高频信号放大后的高频输出信号RFout输出至后级的电路。
[0047] 这样，第2放大部102b在第1增益(高增益)下的放大以及第2增益(低增益)下的放大中被共用。
[0048] 若调整第2放大部102b内的晶体管的电气值或物理值(例如指数)以使得一方的放大成为希望的值，则另一方的放大会受到影响。例如，若调整第2放大部102b内的晶体管的电气值或物理值以使得第2增益(低增益)的放大成为希望的值的增益，则功率放大器100无法适当地进行第1增益(高增益)的放大。
[0049] (第1实施方式)
[0050] 图2是示出第1实施方式的功率放大器的结构的图。功率放大器1将高频输入信号RFin放大，并输出高频输出信号RFout。功率放大器1能够切换相对高的第1增益(高增益)下的放大和相对低的第2增益(低增益)下的放大。
[0051] 以后，有时将以第1增益(高增益)放大的动作模式称为高功率模式。此外，有时将以第2增益(低增益)放大的动作模式称为低功率模式。
[0052] 功率放大器1在便携式电话装置所例示的移动通信装置中能够用于向基站发送声音、数据等的各种信号。
[0053] 功率放大器1将从前级的电路输入的无线频率的高频输入信号RFin放大。然后，功率放大器1将放大后的高频输出信号RFout输出至后级的电路。关于前级的电路，可例示对调制信号的功率进行调整的发送功率控制电路，但本公开并不限定于此。关于后级的电路，虽然例示进行对高频输出信号RFout的滤波等并发送至天线的前端电路，但本公开并不限定于此。关于高频输入信号RFin以及高频输出信号RFout的频率，虽然例示几百MHz(兆赫兹)至几十GHz(千兆赫兹)程度，但本公开并不限定于此。
[0054] 功率放大器1包含匹配电路11、初级的功率放大电路12、匹配电路13、中间级的功率放大电路14、匹配电路15、和最终级的功率放大电路16。
[0055] 功率放大电路12也可以称为驱动级功率放大电路。功率放大电路16也可以称为功率级功率放大电路。
[0056] 功率放大电路12、14以及16构成三级的功率放大电路，但本公开并不限定于此。功率放大电路的级数可以为一级或者两级，也可以为四级以上。
[0057] 功率放大电路12对应于本公开的功率放大电路。匹配电路11对应于本公开的匹配电路。功率放大电路14对应于本公开的第2功率放大电路。
[0058] 功率放大电路12包含第1放大部21和第2放大部31。第1放大部21在高功率模式时动作，在低功率模式时不动作。第2放大部31在低功率模式时动作，在高功率模式时不动作。
[0059] 第1放大部21包含第1匹配电路21a和第1放大电路21b。
[0060] 第2放大部31包含第2匹配电路31a、电阻31b和第2放大电路31c。
[0061] 匹配电路11与第1匹配电路21a协作地进行前级的电路和第1放大电路21b之间的阻抗匹配。此外，匹配电路11与第2匹配电路31a协作地进行前级的电路和第2放大电路31c之间的阻抗匹配。
[0062] 匹配电路13进行第1放大电路21b与功率放大电路14之间的阻抗匹配，并且进行第2放大电路31c和功率放大电路14之间的阻抗匹配。
[0063] 匹配电路15进行功率放大电路14和功率放大电路16之间的阻抗匹配。
[0064] 箭头41示出在高功率模式时高频信号流过的路径。如箭头41所示，通过了匹配电路11以及第1匹配电路21a之后的高频输入信号RFin输入至第1放大电路21b。
[0065] 第1放大电路21b将高频输入信号RFin放大之后的高频信号输出至匹配电路13。
[0066] 功率放大电路14将通过了匹配电路13之后的高频信号放大后的高频信号输出至匹配电路15。功率放大电路16将通过了匹配电路15之后的高频信号放大后的高频输出信号RFout输出至后级的电路。
[0067] 箭头42示出在低功率模式时高频信号流过的路径。如箭头42所示，通过了匹配电路11以及第2匹配电路31a之后的高频输入信号RFin被电阻31b衰减。被电阻31b衰减之后的高频输入信号RFin输入至第2放大电路31c。
[0068] 第2放大电路31c将被电阻31b衰减之后的高频输入信号RFin放大后的高频信号输出至匹配电路13。
[0069] 功率放大电路14将通过了匹配电路13之后的高频信号放大后的高频信号输出至匹配电路15。功率放大电路16将通过了匹配电路15之后的高频信号放大后的高频输出信号RFout输出至后级的电路。
[0070] 这样，第1放大部21在高功率模式下被使用，第2放大部31在低功率模式下被使用。
[0071] 图3是示出第1实施方式的功率放大器的电路结构的图。
[0072] 匹配电路11包含电容器11a和电感器11b。在电容器11a的一端输入高频输入信号RFin。电感器11b电连接在电容器11a的另一端与基准电位之间。关于基准电位，虽然例示接地电位，但本公开并不限定于此。
[0073] 第1匹配电路21a包含电容器。第1匹配电路21a内的电容器的一端与电容器11a的另一端电连接。第1匹配电路21a内的电容器还发挥使交流信号(例如，高频输入信号RFin)通过并使直流电流(例如，偏置电流)截止的、DC截止电容器的作用。
[0074] 第1放大电路21b包含晶体管。关于晶体管，虽然例示异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor：HBT)，但本公开并不限定于此。例如，也可以为场效应晶体管(Field Effect Transistor：FET)。晶体管也可以为将多个单位晶体管(也称作指(finger))电并联连接的多指晶体管。单位晶体管是指构成晶体管的最小限度的结构。
[0075] 第1放大电路21b内的晶体管的发射极与基准电位电连接。第1放大电路21b内的晶体管的基极与第1匹配电路21a内的电容器的另一端电连接。在第1放大电路21b内的晶体管的基极，从偏置电路17被供给偏置电位。第1放大电路21b内的晶体管的集电极经由扼流电感器L1而与电源电位VC1电连接。
[0076] 扼流电感器L1承担不使交流电通过的功能。扼流电感器L1相对于高频输入信号RFin以及高频输出信号RFout的频带而具有充分高的阻抗。也就是说，扼流电感器L1的阻抗在考虑高频输入信号RFin以及高频输出信号RFout的频带时能够忽视。此外，扼流电感器L1抑制高频输入信号RFin以及高频输出信号RFout向电源电路的泄漏。
[0077] 第1放大电路21b内的晶体管从集电极向匹配电路13输出放大后的高频信号。
[0078] 偏置电路17包含电阻17a、晶体管17b、17c以及17e、电容器17d和电阻17f。
[0079] 在电阻17a的一端被供给恒流IB1。另外，在电阻17a的一端，也可以取代恒流IB1而被供给恒压。
[0080] 恒流IB1在高功率模式时供给至偏置电路17。由此，偏置电路17在高功率模式时将偏置电位供给至第1放大电路21b。由此，第1放大电路21b在高功率模式时进行放大。
[0081] 另一方面，恒流IB1在低功率模式时不供给至偏置电路17。由此，偏置电路17在低功率模式时不将偏置电位供给至第1放大电路21b。由此，第1放大电路21b在低功率模式时不进行放大。
[0083] 在晶体管17b的发射极电连接了晶体管17c的集电极以及基极。晶体管17c被进行了二极管连接。晶体管17c的发射极与基准电位电连接。
[0085] 电容器17d电连接在晶体管17b的集电极以及基极与基准电位之间。电容器17d使晶体管17b的集电极以及基极的电位稳定。
[0086] 晶体管17e的基极与晶体管17b的集电极以及基极电连接。在晶体管17e的基极，经由电阻17a被供给基极电流。晶体管17e的基极电位与晶体管17b的集电极以及基极的电位相同。另外，晶体管17e可以为HBT，也可以为FET。
[0087] 晶体管17e的集电极与电源电位Vbat电连接。
[0088] 晶体管17e的发射极经由电阻17f而与第1放大电路21b内的晶体管的基极电连接。因此，晶体管17e作为发射极输出的发射极跟随电路动作。因此，第1放大电路21b内的晶体管的基极的电位被确保为固定。
[0089] 第2匹配电路31a包含电容器。第2匹配电路31a内的电容器的一端与电容器11a的另一端电连接。第2匹配电路31a内的电容器还发挥使交流信号(例如，高频输入信号RFin)通过并使直流电流(例如，偏置电流)截止的耦合电容器的作用。
[0090] 电阻31b的一端与第2匹配电路31a内的电容器的另一端电连接。
[0091] 第2放大电路31c包含晶体管。晶体管虽然例示HBT，但并不限定于此。例如，也可以为FET。晶体管也可以为将多个指电并联连接的多指晶体管。
[0092] 若第2放大电路31c内的晶体管的指数比第1放大电路21b内的晶体管的指数少，则能够减小输出功率，能够获得希望的增益。由此，第2放大电路31c能够降低第2增益(低增益)。
[0093] 第2放大电路31c内的晶体管的发射极与基准电位电连接。第2放大电路31c内的晶体管的基极与电阻31b的另一端电连接。
[0094] 在第2匹配电路31a和电阻31b的连接点，从偏置电路18被供给偏置电位。
[0095] 第2放大电路31c内的晶体管的集电极经由扼流电感器L2而与电源电位VC1电连接。
[0096] 扼流电感器L2承担不使交流电通过的功能。扼流电感器L2相对于高频输入信号RFin以及高频输出信号RFout的频带而具有充分高的阻抗。也就是说，扼流电感器L2的阻抗在考虑高频输入信号RFin以及高频输出信号RFout的频带时能够忽视。此外，扼流电感器L2抑制高频输入信号RFin以及高频输出信号RFout向电源电路的泄漏。
[0097] 第2放大电路31c内的晶体管从集电极向匹配电路13输出放大后的高频信号。
[0098] 偏置电路18包含电阻18a、晶体管18b、18c以及18e、电容器18d和电阻18f。
[0099] 偏置电路18的电路结构与偏置电路17的电路结构相同，因此省略说明。
[0100] 恒流IB4在低功率模式时供给至偏置电路18。由此，偏置电路18在低功率模式时将偏置电位供给至第2放大电路31c。由此，第2放大电路31c在低功率模式时进行放大。
[0101] 另一方面，恒流IB4在高功率模式时不供给至偏置电路18。由此，偏置电路18在高功率模式时不将偏置电位供给至第2放大电路31c。由此，第2放大电路31c在高功率模式时不进行放大。
[0102] 匹配电路13包含电容器13a、13c以及13e和电感器13b以及13d。
[0103] 电容器13a的一端与第1放大电路21b内的晶体管的集电极以及第2放大电路31c内的晶体管的集电极电连接。电感器13b电连接在电容器13a的另一端与基准电位之间。
[0104] 电容器13c的一端与第1放大电路21b内的晶体管的集电极以及第2放大电路31c内的晶体管的集电极电连接。电感器13d电连接在电容器13c的另一端与基准电位之间。
[0105] 电容器13e的一端与电容器13c的另一端电连接。
[0106] 功率放大电路14包含晶体管14a。晶体管14a虽然例示HBT，但并不限定于此。例如，也可以为FET。晶体管也可以为多指晶体管。
[0107] 晶体管14a的发射极与基准电位电连接。晶体管14a的基极与电容器13e的另一端电连接。在晶体管14a的基极，从偏置电路19被供给偏置电位。晶体管14a的集电极经由扼流电感器L3而与电源电位VC2电连接。
[0108] 偏置电路19包含电阻19a、晶体管19b、19c以及19e、电容器19d和电阻19f。
[0109] 偏置电路19的电路结构与偏置电路17的电路结构相同，因此省略说明。
[0110] 恒流IB2在高功率模式时以及低功率模式时供给至偏置电路19。由此，偏置电路19在高功率模式时以及低功率模式时将偏置电位供给至功率放大电路14。由此，功率放大电路14在高功率模式时以及低功率模式时进行放大。
[0111] 匹配电路15包含电容器15a、15c以及15d和电感器15b以及15e。
[0112] 电容器15a的一端与晶体管14a的集电极电连接。电感器15b电连接在电容器15a的另一端与基准电位之间。
[0113] 电容器15c的一端与电容器15a的另一端电连接。电感器15e电连接在电容器15c的另一端与基准电位之间。
[0114] 电容器15d的一端与电容器15c的另一端电连接。
[0115] 功率放大电路16包含晶体管16a。晶体管16a虽然例示HBT，但并不限定于此。例如，也可以为FET。晶体管也可以为多指晶体管。
[0116] 晶体管16a的发射极与基准电位电连接。晶体管16a的基极与电容器15d的另一端电连接。在晶体管16a的基极，从偏置电路20被供给偏置电位。晶体管16a从集电极向后级的电路输出高频输出信号RFout。
[0117] 偏置电路20包含电阻20a、晶体管20b、20c以及20e、电容器20d和电阻20f。
[0118] 偏置电路20的电路结构与偏置电路17的电路结构相同，因此省略说明。
[0119] 恒流IB3在高功率模式时以及低功率模式时供给至偏置电路20。由此，偏置电路20在高功率模式时以及低功率模式时将偏置电位供给至功率放大电路16。由此，功率放大电路16在高功率模式时以及低功率模式时进行放大。
[0120] 另外，匹配电路11、13以及15、第1匹配电路21a、和第2匹配电路31a的电路结构为例示，本公开并不限定于此。匹配电路11、13以及15、第1匹配电路21a、和第2匹配电路31a各自能够使用电容器(C)、电感器(L)或者电阻(R)而采用各种各样的电路结构。
[0121] 此外，第1放大电路21b、第2放大电路31c、和功率放大电路14以及16的电路结构为例示，本公开并不限定于此。第1放大电路21b、第2放大电路31c、和功率放大电路14以及16各自能够使用晶体管而采用各种各样的电路结构。
[0122] 此外，偏置电路17、18、19以及20的电路结构为例示，本公开并不限定于此。偏置电路17、18、19以及20各自能够采用各种各样的电路结构。
[0123] 如以上说明的那样，第1放大部21仅在高功率模式时进行放大，在低功率模式时不进行放大。因此，即使调整第1放大电路21b内的晶体管的电气值或物理值以使得高功率模式下的放大成为希望的值的增益，基于第2放大部31的低功率模式下的放大也不受影响。
[0124] 此外，第2放大部31仅在低功率模式时进行放大，在高功率模式时不进行放大。因此，即使调整第2放大电路31c内的晶体管的电气值或物理值以使得低功率模式下的放大成为希望的值的增益，基于第1放大部21的高功率模式下的放大也不受影响。因此，高功率模式和低功率模式能够设为分别独立的关系而非取舍的关系。
[0125] 因此，功率放大器1能够适当地进行第1增益(高增益)以及第2增益(低增益)的各个增益下的放大。
[0126] 图4以及图5是示出第1实施方式的功率放大器的特性的图。详细地，图4是示出功率放大器1的高功率模式时的、高频输出信号RFout(dBm)与增益(dB)的关系的图。图5是示出功率放大器1的低功率模式时的、高频输出信号RFout(dBm)与增益(dB)的关系的图。
[0127] 在图4中，线51示出功率放大器1的高功率模式时的、高频输出信号RFout(dBm)与增益(dB)的关系。线52示出比较例的功率放大器100的高功率模式时的、高频输出信号RFout(dBm)与增益(dB)的关系。
[0128] 功率放大器1在高功率模式时具有与比较例的功率放大器1大致同样的特性。
[0129] 在图5中，线61示出功率放大器1的低功率模式时的、高频输出信号RFout(dBm)与增益(dB)的关系。线62示出比较例的功率放大器100的低功率模式时的、高频输出信号RFout(dBm)与增益(dB)的关系。
[0130] 功率放大器1在低功率模式时，与比较例的功率放大器1相比，能够大幅降低增益。关于其理由，第1是，第2放大部31在高功率模式时不进行放大，因此能够设置电阻31b。第2放大部31通过该电阻31b能够使高频输入信号RFin衰减的缘故。第2是，第2放大部31在高功率模式时不进行放大，因此能够使第2放大电路31c内的晶体管的指数比第1放大电路21b内的晶体管的指数减少的缘故。
[0131] 如图4以及图5所示，功率放大器1能够使第1增益(高增益)以及第2增益(低增益)的各个增益下的放大为希望的值的增益。
[0132] 图6是示出第1实施方式的功率放大器的特性的图。详细地，图6是示出功率放大器1的低功率模式时的、电阻31b的电阻值(欧姆)与增益(dB)的关系的图。此外，图6是示出功率放大器1的低功率模式时的、电阻31b的电阻值(欧姆)与输入侧的电压驻波比(Voltage Standing Wave Ratio：VSWR)的关系的图。
[0133] 在图6中，线71示出电阻31b的电阻值与增益的关系。线72示出电阻31b的电阻值与输入侧的电压驻波比(VSWR)的关系。
[0134] 如线71所示，随着电阻31b的电阻值变大，增益单调减少。也就是说，越增大电阻31b的电阻值，越能够降低增益(dB)。
[0135] 但是，如线72所示，关于输入侧的电压驻波比(VSWR)，在电阻31b的电阻值为40欧姆附近时变为极小，但此后上升。
[0136] 因此，在抑制输入侧的电压驻波比(VSWR)的情况下，优选规定电阻31b的电阻值的范围。
[0137] 例如，在将输入侧的电压驻波比(VSWR)抑制为2.5以下的情况下，电阻31b的电阻值优选设为4欧姆以上且250欧姆以下的范围内。
[0138] 此外，例如，在将输入侧的电压驻波比(VSWR)抑制为2以下的情况下，电阻31b的电阻值优选设为10欧姆以上且140欧姆以下的范围内。
[0139] (第2实施方式)
[0140] 图7是示出第2实施方式的功率放大器的结构的图。功率放大器1A与第1实施方式的功率放大器1(参照图2)相比较，取代功率放大电路12而包含功率放大电路12A。此外，功率放大器1A与第1实施方式的功率放大器1相比较，不包含匹配电路13。
[0141] 功率放大电路12A包含第1放大部21A和第2放大部31A。第1放大部21A在高功率模式时动作，在低功率模式时不动作。第2放大部31A在低功率模式时动作，在高功率模式时不动作。
[0142] 第1放大部21A除了第1匹配电路21a以及第1放大电路21b以外，还包含第3匹配电路21c。
[0143] 第3匹配电路21c进行第1放大电路21b和功率放大电路14之间的阻抗匹配。
[0144] 第2放大部31A除了第2匹配电路31a、电阻31b以及第2放大电路31c之外，还包含第4匹配电路31d。
[0145] 第4匹配电路31d进行第2放大电路31c和功率放大电路14之间的阻抗匹配。
[0146] 功率放大器1A具备第3匹配电路21c以及第4匹配电路31d。由此，功率放大器1A能够单独地调整第1放大电路21b和功率放大电路14之间的阻抗匹配、以及第2放大电路31c和功率放大电路14之间的阻抗匹配。因此，功率放大器1A能够更有效地实现第1放大电路21b内的晶体管的电气值或物理值的调整、和第2放大电路31c内的晶体管的电气值或物理值的调整。由此，功率放大器1A能够独立地调整第1增益(高增益)以及第2增益(低增益)的各个增益下的放大。
[0147] 另外，上述的实施方式用于使本发明容易理解，而非用于对本发明进行限定和解释。本发明能够不脱离其主旨地进行变更/改良，并且在本发明中还包括其等价物。
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