技术领域
[0001] 本
发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其断线修复方法。
背景技术
[0002]
薄膜晶体管
液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无
辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位，由于
显示面板需求等级越来越高，因此对产品的技术要求越来越严苛。
[0003] 在实际制程生产过程中，阵列基板上的线路由于受到制程异物或其他脏污的影响，容易导致扫描线断开或与公共
电极线之间发生
短路，在扫描线发生线路断路时，需要对断开点位进行长线修复，以避免线路功能失效从而导致产品的报废；
现有技术中对扫描线进行断线修复的方法是将修补长线跨到
像素内部，修补长线呈U形，容易造成位于长线区域附近的TFT受到污染；且U形的修补长线跨到像素内部时，也会对像素内
电压造成影响，导致液晶显示器进行显示时，U型长线区域形成亮点的现象。
[0004] 综上所述，需要提供一种新的阵列基板及其断线修复方法来解决上述技术问题。
发明内容
[0005] 本发明提供的阵列基板及其断线修复方法，解决了现有的阵列基板断线修复方法，对扫描线进行断线修复时，U形的修补长线跨到像素内部时，容易导致U型修补长线区域形成亮点的技术问题。
[0006] 为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
[0007] 本发明
实施例提供一种阵列基板的断线修复方法，当所述阵列基板的扫描线出现断线时，所述断线修复方法包括以下步骤：
[0008] S10：确定所述扫描线的断线点；
[0009] S20：将所述断线点两侧的所述扫描线至少与所述断线点所在像素单元对应的公共电极线连接；以及
[0010] S30：至少断开所述断线点所在像素单元的所述公共电极线与其他像素单元的所述公共电极线的连接。
[0011] 根据本发明实施例提供的阵列基板的断线修复方法，所述断线点的一部分对应于第一像素单元，另一部分对应于与所述第一像素单元相邻的第二像素单元，或者所述断线点对应于所述第一像素单元和所述第二像素单元之间；将所述断线点一侧的所述扫描线与所述第一像素单元的所述公共电极线连接，将所述断线点另一侧的所述扫描线与所述第二像素单元的所述公共电极线连接。
[0012] 根据本发明实施例提供的阵列基板的断线修复方法，断开所述第一像素单元的所述公共电极线和所述第二像素单元的所述公共电极线与其他像素单元的所述公共电极线的连接。
[0013] 根据本发明实施例提供的阵列基板的断线修复方法，所述断线点对应于所述第一像素单元，将所述断线点两侧的所述扫描线与所述第一像素单元的所述公共电极线连接。
[0014] 根据本发明实施例提供的阵列基板的断线修复方法，断开所述第一像素单元的所述公共电极线与所述第二像素单元的所述公共电极线的连接。
[0015] 根据本发明实施例提供的阵列基板的断线修复方法，所述公共电极线包括与所述扫描线平行设置的第一公共电极线和与所述扫描线垂直设置的第二公共电极线，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线相互连接围成矩形区域，所述像素单元位于所述矩形区域内，在所述步骤S20中，将所述断线点两侧的所述扫描线至少与所述断线点所在像素单元的所述第一公共电极线连接。
[0016] 根据本发明实施例提供的阵列基板的断线修复方法，所述步骤S20中，采用镭射激光方法，以使钨粉
熔化形成
连接线以连接所述断线点两侧的所述扫描线和至少与所述断线点所在像素单元的公共电极线。
[0017] 根据本发明实施例提供的阵列基板的断线修复方法，所述步骤S30中，采用
激光切割的方法，以至少断开所述断线点所在像素单元的所述公共电极线与其他像素单元的所述公共电极线的连接。
[0018] 本发明实施例提供一种阵列基板，采用上述阵列基板的断线修复方法进行修复，所述阵列基板包括：
[0019] 衬底基板；
[0020] 多条交叉设置的扫描线和数据线，设置于所述衬底基板上；
[0021]
薄膜晶体管，设置于所述扫描线和所述数据线交叉处；
[0022] 像素单元，设置于由所述扫描线和所述数据线交叉限定的像素区域，所述像素单元包括位于所述像素区域的像素电极；以及
[0023] 公共电极线，与所述扫描线同层设置。
[0024] 根据本发明实施例提供的阵列基板，所述公共电极线包括与所述扫描线平行设置的第一公共电极线和与所述扫描线垂直设置的第二公共电极线，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线相互连接围成矩形区域，所述像素单元位于所述矩形区域内。
[0025] 本发明的有益效果为：本发明提供的阵列基板及其断线修复方法，通过将断线点两侧的扫描线至少与断线点所在像素单元的公共电极线连接，并至少断开断线点所在像素单元的公共电极线与其他像素单元的公共电极线的连接，能够保障扫描线功能得到恢复，使得整体修补长线对公共电极线影响减少到最小；修补长线走线范围大大减少，能够减少修补长线耗材的使用以及减小修补过程中钨粉溅射到像素内其他区域的概率；修补长线与像素重叠部分也大为减少，从而对像素电压影响降低到最小，能有效改善U形修补长线区域造成的亮点问题。
附图说明
[0026] 为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027] 图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；
[0028] 图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的断线修复方法的
流程图；
[0029] 图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的断线修复方法的示意图；
[0030] 图4为本发明实施例提供的再一种阵列基板的断线修复方法的示意图；
[0031] 图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板的断线修复方法的示意图。
具体实施方式
[0032] 以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0033] 本发明针对现有技术的阵列基板及其断线修复方法，对扫描线进行断线修复时，U形的修补长线跨到像素内部时，容易导致U型修补长线区域形成亮点，本实施例能够解决该
缺陷。
[0034] 如图1所示，本发明实施例提供的阵列基板，包括衬底基板(图中未示出)以及设置于所述衬底基板上的多条扫描线10和多条数据线20，所述扫描线10和所述数据线20交叉设置；由所述扫描线10和所述数据线20交叉限定的像素区域设置有多个像素单元30，所述像素单元30包括位于所述像素区域的像素电极；在所述扫描线10和所述数据线20交叉处均设置有一个薄膜晶体管40，所述扫描线10为所述薄膜晶体管40提供扫描
信号，所述数据线20为所述薄膜晶体管40提供数据信号，所述薄膜晶体管40包括栅极41、源极42以及漏极43，其中，所述栅极41连接所述扫描线10，所述源极42连接所述数据线20，所述漏极43连接所述像素电极；所述阵列基板还包括与所述扫描线10同层设置的公共电极线50，均位于第一金属层，所述数据线20和所述像素电极位于第二金属层，所述像素电极和所述公共电极线50构成存储电容。
[0035] 所述公共电极线50包括与所述扫描线10平行设置的第一公共电极线51和与所述扫描线10垂直设置的第二公共电极线52，所述第一公共电极线51和所述第二公共电极线52相互连接围成矩形区域，所述像素单元30位于所述矩形区域内。
[0036] 在阵列基板的制程中，位于所述阵列基板的线路因受到制程异物或其他脏污的影响，容易导致线路断开，当所述扫描线10发生断线情况时，需要对断线的所述扫描线10进行修复，从而使得断线的所述扫描线10恢复连接，如图2所示，本发明实施例提供的阵列基板的断线修复方法，包括以下步骤：
[0037] S10：确定所述扫描线10的断线点101。
[0038] 具体地，查找并确定所述断线点101在所述扫描线10上的具体
位置，根据所述断线点101在所述扫描线10上的位置的不同，可选择不同的断线修复方案。
[0039] S20：将所述断线点101两侧的所述扫描线10至少与所述断线点101所在像素单元30的所述公共电极线51连接。
[0040] 具体地，将所述断线点101两侧的所述扫描线10至少与所述断线点101所在像素单元30的所述第一公共电极线51连接。
[0041] 在一种实施方式中，将钨粉喷出至需要形成的修补长线处，可采用镭射激光方法，使钨粉熔化形成连接线60以连接所述断线点101两侧的所述扫描线10和至少与所述断线点101所在像素单元的公共电极线50，其中所述钨粉的材料为金属源六
碳基钨W(CO)6。
[0042] 在其他实施方式中，也可将
银墨
水涂布在需要形成的修补长线处，采用激光镭射的方法对银墨水进行高温加固，从而形成由银金属层构成的连接线60以连接所述断线点101两侧的所述扫描线和至少与所述断线点101所在像素单元30的公共电极线50。
[0043] S30：至少断开所述断线点101所在像素单元30的所述公共电极线50与其他像素单元30的所述公共电极线50的连接。
[0044] 具体地，可采用激光切割的方法，将所述断线点101上的公共电极线50与相邻两侧的像素单元30中的公共电极线50切断，从而断开所述断线点101所在像素单元30的所述公共电极线50与其他像素单元30的所述公共电极线50的连接，使得单个像素单元30的公共电极线50隔断不会对显示面板的公共电极线50整体产生明显影响。
[0045] 由于所述扫描线10和所述公共电极线50均位于同一金属层，故将所述扫描线10和所述公共电极线50之间形成的所述连接线60始终位于同一层，并不需要跨层设置，从而使得形成的修补长线走线范围大大减少，进而减少了修补长线耗材的使用；同时，能够减小断线修复过程中，钨粉溅射到像素单元30内其他区域的概率；此外，形成的修补长线与像素单元30之间的重叠部分也大为减少，从而对像素电压影响降低到最小，能够有效改善现有技术中的U形修补长线造成的亮点问题。
[0046] 以下结合图3～图5，根据位于所述扫描线10上的所述断线点101的具体位置不同，对所述扫描线10采用的断线修复方法依次进行说明，为了清楚解释本发明的技术方案，本发明实施例以位于所述阵列基板上的两个像素单元30为例进行阐述说明，两个像素单元30分别为第一像素单元31以及与所述第一像素单元31相邻的第二像素单元32，需要说明的是，所述扫描线10的信号从所述第一像素单元31传递给所述第二像素单元32。
[0047] 如图3所示，当所述断线点101的一部分对应于第一像素单元31，另一部分对应于与所述第一像素单元31相邻的第二像素单元32，则将所述断线点101的一侧的所述扫描线10与所述第一像素单元31的所述公共电极线50连接，将所述断线点101另一侧的所述扫描线10与所述第二像素单元32的所述公共电极线50连接。
[0048] 具体地，待钨粉喷出后，采用镭射激光方法在需要形成的修补长线路径下形成高温，使得钨粉在高温条件下熔化而分离形成钨金属层，从而在所述断线点101的两侧的所述扫描线10与所述第一像素单元31的所述第一公共电极线51之间分别形成第一连接线61和第二连接线62。
[0049] 进一步地，断开所述第一像素单元31的所述公共电极线50和所述第二像素单元32的所述公共电极线50与其他像素单元30的所述公共电极线50的连接，具体地，可采用激光切割的方法，分别切断所述第一连接线61远离所述断线点101的一侧的所述第一像素单元31的所述第一公共电极线51、所述第二连接线62远离所述断线点101的一侧的所述第二像素单元32的所述第一公共电极线51、所述第一连接线61靠近所述断线点101的一侧的所述第一像素单元31的所述第二公共电极线52以及靠近所述第二连接线62靠近所述断线点101的一侧的所述第二公共电极线52，分别形成切断点11、切断点12、切断点13以及切断点14，从而断开所述第一像素单元31的所述公共电极线50与其他像素单元30的所述公共电极线
50的连接，使得所述第一像素单元31和所述第二像素单元32的所述公共电极线隔断不会对显示面板的公共电极线50整体产生明显影响。
[0050] 如图4所示，与图3不同之处在于，所述断线点101对应于所述第一像素单元31和所述第二像素单元32之间，故可采用图2的断线修复方式，分别形成切断点21、切断点22、切断点23以及切断点24，具体修复方式可参考本发明实施例中对图1的描述，在此不再赘述。
[0051] 如图5所示，与图3和图4的不同之处在于，所述断线点101对应于所述第一像素单元31，则将所述断线点101两侧的所述扫描线10与所述第一像素单元31的所述公共电极线50连接。
[0052] 具体地，待钨粉喷出后，采用镭射激光方法在需要形成的修补长线路径下形成高温，使得钨粉在高温条件下熔化而分离形成钨金属层，从而在所述断线点101的两侧的所述扫描线10与所述第一像素单元31的所述第一公共电极线51之间分别形成第一连接线61和第二连接线62。
[0053] 进一步地，断开所述第一像素单元31的所述公共电极线50与所述第二像素单元32的所述公共电极线50的连接，具体地，可采用激光切割的方法，分别切断所述第一连接线61远离所述断线点101的一侧的所述第一像素单元31的所述第一公共电极线51、所述第二连接线62远离所述断线点101的一侧的所述第一像素单元31的所述第一公共电极线51、所述第一连接线61远离所述断线点101的一侧的所述第一像素单元31的所述第二公共电极线52以及所述第二连接线62远离所述断线点101的一侧的所述第二公共电极线52，分别形成切断点31、32、33、34，从而断开所述第一像素单元31的所述公共电极线50与其他像素单元30的所述公共电极线50的连接，使得所述第一像素单元31的公共电极线50隔断不会对显示面板的公共电极线50整体产生明显影响。
[0054] 需要说明的是，本发明实施例仅列举了依据所述断线点101在所述扫描线10的三种不同位置的情况所采用的不同的断线修复方法，对于除此之外的情况，均在本发明的保护范围之内。
[0055] 有益效果为：本发明实施例提供的阵列基板及其断线修复方法，通过将断线点两侧的扫描线至少与断线点所在像素单元的公共电极线连接，并至少断开断线点所在像素单元的公共电极线与其他像素单元的公共电极线的连接，能够保障扫描线功能得到恢复，使得整体修补长线对公共电极线影响减少到最小；修补长线走线范围大大减少，能够减少修补长线耗材的使用以及减小修补过程中钨粉溅射到像素内其他区域的概率；修补长线与像素重叠部分也大为减少，从而对像素电压影响降低到最小，能有效改善U形修补长线区域造成的亮点问题。
[0056] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以
权利要求界定的范围为准。
