本発明の実施形態は、電気光学装置に関する。

電気的に光学特性を変化させる電気光学装置の一例として、表示装置が知られている。近年、光を散乱する散乱状態と光を透過させる透過状態とを切り替え可能な高分子分散型の液晶層を有する表示装置が開発されている。この種の表示装置においては、例えば光源からの光がパネルの側面に入射して、パネルの内部を伝播する。この光が散乱状態の画素において散乱されることで、画像が表示される。

高分子分散型の液晶層は、シールで貼り合わされた一対の基板の間に配置される。光源からの光は、パネルの両面の間で全反射されながら伝播するが、一部がシールによって吸収される。これにより、画像の輝度が低下し得る。

特開2017−167527号公報

本開示の目的の一つは、シールによる光の吸収を抑制し、画像の輝度を高めることが可能な電気光学装置を提供することである。

一実施形態に係る電気光学装置は、パネルと、シールと、液晶層と、光源と、第1反射層とを備えている。前記パネルは、第1透明基材と、前記第1透明基材に対向する第2透明基材と、電気光学領域と、前記電気光学領域の周辺の周辺領域とを備えている。前記シールは、平面視において前記周辺領域に設けられ、前記第1透明基材と前記第2透明基材を接着する。前記液晶層は、高分子液晶組成物を含み、前記第1透明基材と前記第2透明基材の間において前記シールで封止されている。前記光源は、前記第1透明基材または前記第2透明基材の側面に対向する。前記第1反射層は、前記第1透明基材と前記第2透明基材の間にある。さらに、平面視において、前記パネルは第1辺を有し、前記第1反射層は前記シールの前記第1辺に沿う部分と重畳する。

図1は、第1実施形態における表示装置(電気光学装置)の構成例を示す平面図である。

図2は、第1実施形態における表示装置の概略的な断面図である。

図3Aは、第1実施形態における液晶層に適用し得る構成の一例を示す断面図である。

図3Bは、第1実施形態における液晶層に適用し得る構成の一例を示す断面図である。

図4は、第1実施形態における表示パネルの画像表示を説明するための断面図である。

図5は、第1実施形態における表示パネルの表示領域における概略的な断面図である。

図6は、図5に示した要素の一部の概略的な平面図である。

図7は、第1実施形態における表示パネルが備えるシールおよび第1反射層の形状を示す概略的な平面図である。

図8は、第1反射層の幅が部分的に異なる構成の一例を示す平面図である。

図9は、図7におけるIX−IX線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

図10は、第2実施形態における表示装置の概略的な平面図である。

図11は、図10におけるXI−XI線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

図12は、第3実施形態における表示装置の概略的な断面図である。

図13は、第4実施形態における表示装置の概略的な平面図である。

図14は、第5実施形態における表示装置の概略的な平面図である。

図15は、図14におけるXV−XV線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

図16は、第6実施形態における表示装置の概略的な平面図である。

一実施形態につき、図面を参照しながら説明する。 なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

本明細書において「αはA,B又はCを含む」、「αはA,B及びCのいずれかを含む」、「αはA,B及びCからなる群から選択される一つを含む」といった表現は、特に明示がない限り、αがA〜Cの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。

本明細書における「第1α、第2α、第3α」という表現の「第1、第2、第3」は、要素を説明のために用いる便宜的な数字に過ぎない。つまり、特に明示が無い限り、「Aが第3αを備える」という表現は、第3αの他の第1α及び第2αを、Aが備えていない場合も含む。

本明細書において、「部材αの上の部材β」や「部材αの下の部材β」という表現は、部材αと部材βが接触している場合だけでなく、部材αと部材βの間に他の部材が介在している場合を含み得る。

各実施形態においては、電気光学装置の一例として液晶表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、他種の電気光学装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。他種の電気光学装置としては、例えば、LED(Light Emitting Diode)または有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示素子を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical System)を応用した表示装置、エレクトロクロミズムを応用した表示装置等が想定される。また、電気光学装置は、パネルの背景が透けて見える状態と見えない状態とを電気的な制御で切り替え可能なスクリーン装置など、表示装置以外の装置であってもよい。

[第1実施形態] 図1は、第1実施形態における液晶表示装置DSP(以下、表示装置DSPと呼ぶ)の構成例を示す平面図である。図中において、第1方向X、第2方向Yおよび第3方向Zは互いに交差する方向である。一例では、第1方向X、第2方向Yおよび第3方向Zは互いに直交するが、90度以外の角度で交差してもよい。

表示装置DSPは、表示パネルPNLと、光源LSと、フレキシブル配線基板FPC1と、コントローラCTとを備えている。表示パネルPNLは、第1基板SUB1(対向基板)と、第2基板SUB2(アレイ基板)と、これら基板の間に封入された液晶層LCとを備えている。

図1の例において、表示パネルPNLは、第1辺E11と、第2辺E12と、第3辺E13と、第4辺E14とを有している。例えば、第1辺E11および第2辺E12は第1方向Xと平行であり、第3辺E13および第4辺E14は第2方向Yと平行である。本実施形態において、辺E11〜E14は、矩形状の第1基板SUB1の4辺に相当する。第2基板SUB2も矩形状であり、3つの辺がそれぞれ辺E12〜E14と重なっている。第2基板SUB2の図中下方の辺は、第1辺E11に対して突出している。第2基板SUB2の第1基板SUB1から突出した部分は、端子領域TAであり、外部接続用の端子Tを含む。第1フレキシブル配線基板FPC1は、端子Tに接続されている。なお、第1基板SUB1および第2基板SUB2の形状は矩形状に限られない。

表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAの周辺の周辺領域PAとを備えている。表示領域DAは、電気光学領域の一例である。周辺領域PAは、端子領域TAを含む。表示領域DAにおいて、第2基板SUB2は、複数の走査信号線Gと、複数の映像信号線Sとを備えている。複数の走査信号線Gは、第1方向Xに延びるとともに第2方向Yに並んでいる。複数の映像信号線Sは、第2方向Yに延びるとともに第1方向Xに並んでいる。

表示領域DAは、マトリクス状に配列された複数の画素PXを含む。第2基板SUB2は、各画素PXに配置された画素電極PEおよびスイッチング素子SWを備えている。第1基板SUB1は、複数の画素PXにわたって延在する共通電極CEを備えている。共通電極CEには、コモン電圧が供給される。

表示パネルPNLは、周辺領域PAにおいて、第1走査線ドライバGD1と、第2走査線ドライバGD2とを備えている。図1の例においては、第1走査線ドライバGD1が表示領域DAと第3辺E13の間に配置され、第2走査線ドライバGD2が表示領域DAと第4辺E14の間に配置されている。走査信号線Gは、周辺領域PAに延出して第1走査線ドライバGD1または第2走査線ドライバGD2に接続されている。映像信号線Sは、周辺領域PAに設けられた配線VLを介して端子Tに接続されている。

光源LSは、端子領域TAに配置されている。光源LSは、第1辺E11と対向する複数の発光素子LDを備えている。本実施形態において、複数の発光素子LDは、赤色の光を発する発光素子LDrと、緑色の光を発する発光素子LDgと、青色の光を発する発光素子LDbとを含む。ただし、光源LSは、赤色、緑色および青色以外の発光素子LDを備えてもよい。図1においては、便宜的にこれら発光素子LDr,LDg,LDbを第1方向Xに並べて示しているが、発光素子LDr,LDg,LDbは第3方向Zに並んでもよい。

コントローラCTは、第1走査線ドライバGD1、第2走査線ドライバGD2および光源LSを制御するとともに、各映像信号線Sに映像信号を供給する。図1の例においては、コントローラCTが第1フレキシブル配線基板FPC1に実装されているが、コントローラCTは他の部材に実装されてもよい。

図2は、図1に示した表示装置DSPの概略的な断面図である。ここでは、第2方向Yおよび第3方向Zによって規定されるY−Z平面における表示装置DSPの断面において、主要部のみを説明する。

光源LS(発光素子LD)は、第1辺E11において、第1基板SUB1の側面に対向している。例えば、光源LSには第2フレキシブル配線基板FPC2が接続されている。例えば、第2フレキシブル配線基板FPC2は、上述のコントローラCTにも接続されている。

第1基板SUB1および第2基板SUB2は、ガラスや樹脂材料で形成された透明基材を備えている。本実施形態においては、光源LSが対向する第1基板SUB1の透明基材を第1透明基材BS11と呼び、第2基板SUB2の透明基材を第2透明基材BS12と呼ぶ。

第2基板SUB2は、画素電極PEと、画素電極PEを覆う第1配向膜11とをさらに備えている。第1基板SUB1は、共通電極CEと、共通電極CEを覆う第2配向膜21とをさらに備えている。第1基板SUB1と第2基板SUB2は、透明なシールSEによって貼り合わされている。液晶層LCは、シールSE、第1配向膜11および第2配向膜21で囲われた空間に配置されている。

画素電極PEおよび共通電極CEは、例えばインジウム・ティン・オキサイド(ITO)などの透明導電材料によって形成することができる。第1配向膜11および第2配向膜21は、例えばポリイミドで形成することができる。第1配向膜11および第2配向膜21は、液晶層LCに含まれる液晶分子を初期配向方向に配向する配向規制力を有している。この配向規制力は、例えばラビング処理によって付与することができるが、光配向処理など他の方法で付与されてもよい。

図3Aおよび図3Bは、液晶層LCに適用し得る構成の一例を示す断面図である。液晶層LCは、高分子液晶組成物の一例である液晶ポリマー31および液晶分子32を含む。液晶ポリマー31は、例えば、液晶モノマーが第1配向膜11および第2配向膜21の配向規制力によって初期配向方向に配向した状態で高分子化されることにより得られる。液晶分子32は、液晶モノマー内に分散されており、液晶モノマーが高分子化された際に、液晶モノマーの配向方向に依存して所定の方向に配向される。

液晶分子32は、正の誘電率異方性を有するポジ型であってもよいし、負の誘電率異方性を有するネガ型であってもよい。液晶ポリマー31および液晶分子32は、それぞれ同等の光学異方性を有している。あるいは、液晶ポリマー31および液晶分子32は、それぞれ略同等の屈折率異方性を有している。また、液晶ポリマー31および液晶分子32の各々の電界に対する応答性は異なる。すなわち、液晶ポリマー31の電界に対する応答性は、液晶分子32の電界に対する応答性より低い。

図3Aに示した例は、例えば、液晶層LCに電圧が印加されていない透明状態(画素電極PEと共通電極CEの間の電位差がゼロである状態)に相当する。この状態においては、液晶ポリマー31の光軸Ax1および液晶分子32の光軸Ax2は、互いに平行となる。

上記の通り、液晶ポリマー31および液晶分子32は略同等の屈折率異方性を有しており、しかも光軸Ax1およびAx2は互いに平行である。そのため、第1方向X、第2方向Yおよび第3方向Zを含むあらゆる方向において、液晶ポリマー31と液晶分子32の間にほとんど屈折率差がない。これにより、第3方向Zと平行な光L1や、第3方向Zに対して傾斜した光L2,L3は、ほとんど散乱されることなく液晶層LCを透過する。

図3Bに示した例は、液晶層LCに電圧が印加されている散乱状態(画素電極PEと共通電極CEの間に電位差が形成された状態)に相当する。上記の通り、液晶ポリマー31の電界に対する応答性は、液晶分子32の電界に対する応答性より低い。そのため、液晶層LCに電圧が印加された状態では、液晶ポリマー31の配向方向がほとんど変化しないのに対して、液晶分子32の配向方向は電界に応じて変化する。そのため、光軸Ax2が光軸Ax1に対して傾斜する。これにより、第1方向X、第2方向Yおよび第3方向Zを含むあらゆる方向において、液晶ポリマー31と液晶分子32の間に大きな屈折率差が生ずる。この状態においては、液晶層LCに入射する光L1〜L3が液晶層LC内で散乱される。

なお、液晶層LCの構成は、以上説明した例に限られない。例えば、液晶層LCは、配向規制力を有する断面線状のポリマーと、このポリマーにより配向する液晶分子とを含み、液晶層LCに電圧を印加することで散乱状態となる構成であってもよい。つまり、本実施形態における液晶層LCは、画素電極PEと共通電極CEの間に形成される電界によって透過状態と散乱状態とを切り替え可能な高分子液晶組成物を用いた構成であれば、どのような構成であってもよい。

図4は、光源LSからの光を用いた画像表示を説明するための表示パネルPNLの断面図である。光源LSが発する光L10は、第1透明基材BS11の側面SF11から入射し、第1透明基材BS11、液晶層LCおよび第2透明基材BS12などを伝播する。電圧が印加されていない画素電極PE(図中のOFF)の近傍においては、光L10が液晶層LCでほとんど散乱されない。そのため、光L10は、表示パネルPNLの第1面F1(第1透明基材BS11の上面)および第2面F2(第2透明基材BS12の下面)からほとんど漏れ出すことはない。

一方、電圧が印加されている画素電極PE(図中のON)の近傍においては、光L10が液晶層LCで散乱される。この散乱光は、第1面F1および第2面F2から出射し、表示画像として視認される。

なお、電圧が印加されていない画素電極PE(図中のOFF)の近傍において、第1面F1または第2面F2に入射する外光L20は、ほとんど散乱されることなく表示パネルPNLを透過する。すなわち、第2面F2側から表示パネルPNLを見た場合には第1面F1側の背景が視認可能であり、第1面F1側から表示パネルPNLを見た場合には第2面F2側の背景が視認可能である。光源LSからの光L10を用いた画像は、このような背景に浮かび上がるように表示される。

以上のような構成の表示装置DSPは、例えばフィールドシーケンシャル方式にて駆動することができる。この方式においては、1つのフレーム期間が複数のサブフレーム期間(フィールド)を含む。例えば、本実施形態のように赤色、緑色および青色の発光素子LDr,LDg,LDbを含む場合、1つのフレーム期間には、赤色、緑色および青色のサブフレーム期間が含まれる。

赤色のサブフレーム期間においては、発光素子LDrが点灯するとともに、赤色の画像データに応じて各画素PXが制御される。これにより、赤色の画像が表示される。緑色および青色のサブフレーム期間においても同様に、それぞれ発光素子LDg,LDbが点灯するとともに、それぞれ緑色および青色の画像データに応じて各画素PXが制御される。これにより、緑色および青色の画像が表示される。このように時分割で表示される赤色、緑色および青色の画像は、互いに合成されて多色表示の画像としてユーザに視認される。

図5は、表示領域DAにおける表示パネルPNLの概略的な断面図である。第2基板SUB2は、上述の第2透明基材BS12、映像信号線S、走査信号線G、画素電極PEおよび第1配向膜11に加え、絶縁層12〜14と、金属層MLとをさらに備えている。絶縁層12は、第2透明基材BS12の上面を覆っている。映像信号線Sは、絶縁層12の上に配置されている。なお、絶縁層12は、走査信号線G、スイッチング素子SWの半導体層、および映像信号線Sを隔てる複数の層を含んでもよい。絶縁層13は、映像信号線Sおよび絶縁層12を覆っている。金属層MLは、絶縁層13の上に配置されている。絶縁層14は、金属層MLおよび絶縁層13を覆っている。画素電極PEは、絶縁層14の上に配置されている。第1配向膜11は、画素電極PEおよび絶縁層14を覆っている。

第1基板SUB1は、上述の第1透明基材BS11、共通電極CEおよび第2配向膜21に加え、遮光層22と、絶縁層23とを備えている。遮光層22は、第1透明基材BS11の下面に配置されている。絶縁層23は、遮光層22および第1透明基材BS11の下面を覆っている。共通電極CEは、絶縁層23を覆っている。第2配向膜21は、共通電極CEを覆っている。

図6は、図5に示した要素の一部の概略的な平面図である。ここでは、3つの画素PXに対応する領域を示している。例えば図示したように、金属層MLは、第1方向Xに隣り合う画素PXの境界および第2方向Yに隣り合う画素PXの境界に配置されている。金属層MLは、走査信号線Gおよび映像信号線Sと重畳している。金属層MLは、例えば周辺領域PAにおいて、共通電極CEと電気的に接続されている。

スイッチング素子SWは、半導体層SCを備えている。半導体層SCは、画素電極PEと、この画素電極PEに対応する映像信号線Sとに接続されている。金属層MLは、半導体層SCの走査信号線Gと対向するチャネル領域CAを平面視で覆っている。これにより、側面から伝播する光がチャネル領域CAに入射してスイッチング素子SWの特性に影響を及ぼす不具合を抑制できる。

共通電極CEは、複数の画素電極PEと対向している。共通電極CEは、例えば表示領域DAの全体に連続的に設けられてもよい。また、表示領域DAに複数の共通電極CEが隙間を空けて配置されてもよい。

例えば図示したように、遮光層22は、第1方向Xに隣り合う画素PXの境界および第2方向Yに隣り合う画素PXの境界に配置されている。遮光層22は、走査信号線G、映像信号線Sおよび金属層MLと重畳している。遮光層22は、画素PXにおいて開口しており、この領域に画素電極PEが配置されている。画素電極PEは、例えば矩形状であるが、この例に限られない。遮光層22は、例えば金属材料で形成することができる。これにより、遮光層22を樹脂材料で形成する場合に比べて光源LSからの光が遮光層22で吸収され難くなり、光の利用効率が向上する。

図7は、シールSEの形状を示す表示パネルPNLの概略的な平面図である。シールSEは、周辺領域PAに配置され、表示領域DAを囲っている。シールSEの幅は、例えば全体にわたってW1で一定であるが、部分的に異なってもよい。

光源LSからの光の一部は、表示パネルPNLの内部を伝播する間に、シールSEによって吸収される。これにより、表示領域DAに表示される画像の輝度が低下し得る。光源LSからの光は、例えば表示領域DAと光源LSの間に延在するシールSEによって吸収されやすい。そこで、本実施形態においては、シールSEによる光の吸収を抑制するための第1反射層RL11が、表示領域DAと光源LSの間に配置されている。

図7の例において、第1反射層RL11は、シールSEの第1辺E11に沿う部分と連続的に重畳する長尺な形状を有している。ただし、第1反射層RL11は、シールSEの少なくとも一部と重畳するものであれば、他の形状であってもよい。例えば、第1反射層RL11は、第2方向Yにおける幅が全長にわたってW2で一定である。幅W2は、シールSEの幅W1より大きいことが好ましい(W2>W1)。

第1反射層RL11は、第2方向Yにおいて、光源LS側の第1端部ED11と、表示領域DA側の第2端部ED12とを有している。図7の例において、第1端部ED11は第1辺E11とシールSEの間に位置し、第2端部ED12は表示領域DAとシールSEの間に位置している。他の例として、第1端部ED11と第2端部ED12の少なくとも一方がシールSEと重畳してもよい。また、第1端部ED11が第1辺E11と重畳してもよい。

なお、第1反射層RL11の幅が部分的に異なってもよい。図8は、第1反射層RL11の幅が部分的に異なる構成の一例を示す平面図である。ここでは、第1辺E11と第3辺E13で構成される角部の近傍を示している。第1反射層RL11は、当該角部の近傍の端部において、拡大部分EXを有している。

拡大部分EXは、例えば図示したように第1辺E11に向けて第1端部ED11が突出した形状であってもよいし、これとは反対の方向に第2端部ED12が突出した形状であってもよい。また、各端部ED11,ED12の双方が突出した形状であってもよい。拡大部分EXの第2方向Yにおける幅は、W2よりも大きいW2aである(W2a>W2)。

シールSEは、第1辺E11と第3辺E13で構成される角部に沿って曲がる屈曲部分BPを有している。屈曲部分BPにおいては、シールSEの幅が大きくなり得る。拡大部分EXを設けることで、シールSEの屈曲部分BPに入射する光を好適に反射し、シールSEにて吸収される光の量を低減することができる。拡大部分EXは、第1辺E11と第4辺E14で構成される角部に沿うシールSEの屈曲部分に対し、さらに配置されてもよい。

図9は、図7におけるIX−IX線に沿う表示装置DSPの概略的な断面図である。本実施形態においては、光源LSの中心軸AXが第1透明基材BS11の側面SF11に対向している。中心軸AXは、発光素子LDが発する光(拡散光)の強度が最も大きくなる光軸であり、例えば第2方向Yと平行である。上述の発光素子LDr,LDg,LDbが第3方向Zに積まれる例のように、発光素子LDr,LDg,LDbの第3方向Zにおける位置がずれている場合、中心軸AXは、これら発光素子LDr,LDg,LDbの光軸の第3方向Zにおける平均位置であってもよいし、中央の発光素子の光軸であってもよい。

第1反射層RL11は、第1透明基材BS11とシールSEの間に位置している。他の観点から言えば、第1反射層RL11は、中心軸AXとシールSEの間に位置している。このような位置に第1反射層RL11を配置すれば、光源LSからシールSEに向かう光を効率的に反射することができる。

例えば、第1反射層RL11は、遮光層22と同層において、遮光層22と同じ金属材料で形成することができる。この場合、遮光層22と第1反射層RL11を同一の製造工程において一括形成することができる。

第1反射層RL11の光の反射率は、シールSEの光の吸収率よりも大きい。例えば、第1反射層RL11がアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む場合、良好な反射率を得ることができる。第1反射層RL11は、単層構造である必要はなく、積層構造を有してもよい。この場合、第1反射層RL11は、例えばTAT(チタン/アルミニウム/チタン)やMAM(モリブデン/アルミニウム/モリブデン)の構造を有してもよい。その他にも、第1反射層RL11には、無機膜を含む積層構造など種々の構造を適用できる。

図9の例においては、遮光層22と第1反射層RL11が第1透明基材BS11の下面に形成されているが、この例に限られない。例えば、遮光層22および第1反射層RL11と第1透明基材BS11との間に絶縁層や導電層が介在してもよい。また、第1反射層RL11は、遮光層22と異なる層に配置されてもよい。

図9の例においては、第1反射層RL11が絶縁層23で覆われている。さらに、各配向膜11,21がシールSEの付近には存在せず、シールSEが絶縁層14,23に接している。この構成においては、第1反射層RL11とシールSEが絶縁層23を介して対向する。他の例として、第1反射層RL11は、シールSEと接してもよい。また、第1反射層RL11とシールSEの間に第2配向膜21が介在してもよい。

第1反射層RL11と共通電極CEの間や、第1反射層RL11と遮光層22の間に電界が形成されると、当該電界が液晶層LCに作用して表示に影響を与える可能性がある。そこで、第1反射層RL11と遮光層22には、共通電極CEと同じくコモン電圧が印加されることが好ましい。コモン電圧は、直流電圧であってもよいし、交流電圧であってもよい。なお、第1反射層RL11の電圧はコモン電圧に限定されず、例えば走査信号が供給されていないときの走査信号線Gと同じ低電圧(VGL電圧)やグラウンド電圧であってもよい。

第1反射層RL11は、シールSEと対向する第1領域A1を有している。上述のように第1端部ED11がシールSEと第1辺E11の間にある場合、第1反射層RL11は、第1領域A1と第1端部ED11の間の第2領域A2を有している。さらに、上述のように第2端部ED12がシールSEと表示領域DAの間にある場合、第1反射層RL11は、第1領域A1と第2端部ED12の間の第3領域A3を有している。

一例として、第2領域A2および第3領域A3の第2方向Yにおける幅は、第1領域A1の第2方向Yにおける幅よりも小さい。第2領域A2および第3領域A3を設けることで、第1反射層RL11に対するシールSEの形成位置がずれた場合であっても、シールSEの幅方向における略全域を第1反射層RL11と対向させることができる。

シールSEは透明であるが、入射した光の一部を吸収する。本実施形態においては、光源LSからシールSEに直接向かう光や、第1面F1で反射されてシールSEに向かう光は、主に第1領域A1により反射される。したがって、シールSEに吸収される光の量を低減し、結果として表示領域DAに表示される画像の輝度を高めることができる。

さらに、第2領域A2を設ける場合には、シールSEの幅にバラつきがあったとしても、適切に第1反射層RL11をシールSEと重畳させることができる。

本実施形態においては、光源LS側の第1辺E11の近傍に第1反射層RL11を配置し、他の辺E12〜E14の近傍には第1反射層RL11を配置していない。これにより、各辺E12〜E14の近傍においては、表示パネルPNLの透過率を高めることができる。

なお、本実施形態では端子領域TA側の辺に沿って光源LSおよび第1反射層RL11が配置される構成を例示した。しかしながら、光源LSおよび第1反射層RL11は、他の辺に沿って配置されてもよい。

なお、表示装置のシールとしては、紫外線硬化型樹脂を用いることが一般的である。この場合、硬化前のシールにて2つの基板を貼り合せた後、いずれかの基板側から紫外光を照射してシールを硬化させる。本実施形態のように第1基板SUB1に第1反射層RL11を設ける場合、第1基板SUB1側からシールSEに紫外光を照射しにくい。よって、第2基板SUB2側から光を照射すると好ましい。また、第2基板SUB2のシールSEと重畳する領域に金属配線が複数形成されている場合、金属配線に開口を形成して、紫外光を透過させるようにすると好ましい。また、シールSEを熱硬化型樹脂で形成し、紫外光の照射に代えて、あるいは紫外光の照射とともに、加熱によりシールSEを硬化させてもよい。この場合においては、シールSEに熱硬化剤を添加して硬化を促進してもよい。

[第2実施形態] 第2実施形態について説明する。特に言及しない構成については、第1実施形態と同様の構成を適用し得る。図10は、本実施形態に係る表示装置DSPの概略的な平面図である。本実施形態においては、光源LSが端子領域TAの反対側に配置されている。さらに、図示したように表示パネルPNLの第1辺E21、第2辺E22、第3辺E23および第4辺E24を定義する。第1辺E21は、光源LSと表示領域DAの間における各基板SUB1,SUB2の辺に相当する。第2辺E22は、端子領域TA側における第1基板SUB1の辺に相当する。第3辺E23および第4辺E24は、各基板SUB1,SUB2の第2方向Yと平行な辺に相当する。

表示領域DAと光源LSの間には、第1反射層RL21が配置されている。第1反射層RL21の平面形状やシールSEとの位置関係は、第1実施形態における第1反射層RL11と同様のものを適用できる。

図11は、図10におけるXI−XI線に沿う表示装置DSPの概略的な断面図である。本実施形態においては、光源LSの中心軸AXが第2基板SUB2に対向している。以下、第2基板SUB2の透明基材を第1透明基材BS21と呼び、第1基板SUB1の透明基材を第2透明基材BS22と呼ぶ。図11の例においては、中心軸AXが第1透明基材BS21の側面F21に対向するが、中心軸AXは絶縁層12,13などと対向してもよい。

第1反射層RL21は、第1透明基材BS21とシールSEの間に位置している。他の観点から言えば、第1反射層RL21は、中心軸AXとシールSEの間に位置している。例えば、第1反射層RL21は、金属層MLと同層において、金属層MLと同じ金属材料で形成することができる。この場合、金属層MLと第1反射層RL21を同一の製造工程において一括形成することができる。第1反射層RL21およびシールSEの断面形状の関係は、第1実施形態における第1反射層RL11およびシールSEと同様である。

第1反射層RL21の光の反射率は、シールSEの光の吸収率よりも大きい。第1反射層RL21には、例えば第1実施形態における第1反射層RL11と同様の材料および構造を適用できる。第1実施形態における第1反射層RL11と同じく、第1反射層RL21にはコモン電圧が印加されることが好ましいが、他の電圧が印加されてもよい。

図11の例においては、金属層MLと第1反射層RL21が絶縁層13の上に形成されているが、この例に限られない。例えば、金属層MLおよび第1反射層RL21が絶縁層13の下方に配置されてもよい。また、第1反射層RL21は、金属層MLと異なる層に配置されてもよい。

図11の例においては第1反射層RL21とシールSEの間に絶縁層14が介在するが、第1反射層RL21はシールSEと接してもよい。また、第1反射層RL21とシールSEの間に第1配向膜11が介在してもよい。

光源LSの中心軸AXが第2基板SUB2と対向する場合において、本実施形態のように第1反射層RL21を設ければ、光源LSの光のシールSEへの入射を好適に抑制できる。その他、本実施形態からは第1実施形態と同様の効果を得ることができる。

なお、本実施形態では端子領域TAの反対側の辺に沿って光源LSおよび第1反射層RL21が配置される構成を例示した。しかしながら、光源LSおよび第1反射層RL21は、他の辺に沿って配置されてもよい。

なお、本実施形態のように第2基板SUB2に第1反射層RL21を設ける場合、第2基板SUB2側からシールSEに紫外光を照射しにくい。一方で、第1基板SUB1のシールSEと重畳する領域に遮光層が形成されていないことから、第1基板SUB1側からシールSEを硬化させるための紫外光を照射することが好ましい。

[第3実施形態] 第3実施形態について説明する。特に言及しない構成については、上述の各実施形態と同様の構成を適用し得る。図12は、本実施形態に係る表示装置DSPの概略的な断面図である。本実施形態においては、光源LSが第1基板SUB1および第2基板SUB2の双方に対向している。

以下第1基板SUB1の透明基材を第1透明基材BS31と呼び、第2基板SUB2の透明基材を第2透明基材BS32と呼ぶ。光源LSの中心軸は、第1透明基材BS31の側面SF31に対向してもよいし、第2透明基材BS32の側面SF32に対向してもよいし、各透明基材BS31,BS32の間の領域と対向してもよい。

光源LSは、表示パネルPNLの第1辺E31に沿って配置される。第1辺E31は、例えば図10の第1辺E21と同じく端子領域TAの反対側の辺であってもよいし、他の辺であってもよい。

光源LSと表示領域DAの間には、第1反射層RL31および第2反射層RL32が配置されている。第1反射層RL31および第2反射層RL32は、シールSEを挟んで対向している。各反射層RL31,RL32の平面形状やシールSEとの位置関係は、第1実施形態における第1反射層RL11や第2実施形態における第1反射層RL21と同様のものを適用できる。

第1反射層RL31は、第1透明基材BS31とシールSEの間に位置している。第1反射層RL31は、第1実施形態における第1反射層RL11と同じく遮光層22と同層において遮光層22と同じ金属材料で形成することができる。その他、第1反射層RL31の配置位置や構造には、第1実施形態において第1反射層RL11について述べた各種の例を適用できる。

第2反射層RL32は、第2透明基材BS32とシールSEの間に位置している。第2反射層RL32は、第2実施形態における第1反射層RL21と同じく金属層MLと同層において金属層MLと同じ金属材料で形成することができる。その他、第2反射層RL32の配置位置や構造には、第2実施形態において第1反射層RL21について述べた各種の例を適用できる。

第1反射層RL31および第2反射層RL32には、同じ電圧が印加されることが好ましい。仮に反射層RL31,RL32の電圧が異なれば両者の間に電界が形成され、この電界が液晶層LCに作用して表示に影響し得る。一方で反射層RL31,RL32の電圧が同じであれば、両者の間に電界が形成されないので、表示への影響を抑制できる。反射層RL31,RL32に印加される電圧は、第1実施形態における第1反射層RL11と同じくコモン電圧であることが好ましいが、他の電圧であってもよい。

本実施形態のように第1反射層RL31および第2反射層RL32を設ける場合、第1透明基材BS31側からシールSEに向かう光源LSの光と、第2透明基材BS32側からシールSEに向かう光源LSの光の双方をシールSEに入射しないように反射することができる。

本実施形態のようにシールSEの両側に反射層RL31,RL32を設ける場合、シールSEに紫外光を照射しにくい。そこで、紫外光を反射層RL31,RL32の間を伝播させてシールSEに照射してもよい。また、シールSEを熱硬化型樹脂で形成し、紫外光の照射に代えて、あるいは紫外光の照射とともに、加熱によりシールSEを硬化させてもよい。この場合においては、シールSEに熱硬化剤を添加して硬化を促進してもよい。

[第4実施形態] 第4実施形態について説明する。特に言及しない構成については、上述の各実施形態と同様の構成を適用し得る。図13は、本実施形態に係る表示装置DSPの概略的な平面図である。本実施形態においては、光源LSが第1実施形態と同じく端子領域TAに配置されている。さらに、図示したように表示パネルPNLの第1辺E41、第2辺E42、第3辺E43および第4辺E44を定義する。第1辺E41は、光源LSと表示領域DAの間における第1基板SUB1の辺に相当する。第2辺E42は、端子領域TAの反対側における各基板SUB1,SUB2の辺に相当する。第3辺E43および第4辺E44は、各基板SUB1,SUB2の第2方向Yと平行な辺に相当する。

シールSEは、第1辺E41に沿う第1部分P1および第2部分P2を有している。第1部分P1は、第1辺E41と第2部分P2の間にある。第2部分P2は、第1部分P1と表示領域DAの間にある。第1部分P1と第2部分P2は、第2方向Yにおいて同じ幅を有している。ただし、これらの幅が異なってもよい。一例として、光源LSに近い第1部分P1の幅を、第2部分P2の幅より大きくしてもよい。

表示領域DAと光源LSの間には、第1部分P1、第2部分P2、第1基板SUB1および第2基板SUB2で囲われた空気層AL(大気層)が形成されている。このように空気層ALを設けることで、シールSEと空気層ALの界面が増え、両者の間で全反射が起きやすくなる。これによって、外光が第2基板SUB2の周辺領域PAにおける各種配線にて吸収または反射される不具合が防止され、光の利用効率が向上する。

表示パネルPNLは、第1部分P1と重畳する第1反射層RL41を備えている。第1反射層RL41の平面形状、シールSE(各部分P1,P2)との位置関係、および断面構造等は、第1実施形態における第1反射層RL11または第2実施形態における第1反射層RL21と同様のものを適用できる。第3実施形態の第2反射層RL32のように、第1反射層RL41に対向する第2反射層RL42が設けられてもよい。

図13の例においては、第2部分P2と重畳する反射層が設けられていない。このように、表示領域DAに近い第2部分P2に対して反射層を設けないことで、表示領域DAの周辺の透過領域を広げることができる。ただし、第2部分P2と重畳する反射層を設けてもよい。この場合には、第2部分P2による光の吸収を低減することができる。

なお、本実施形態では端子領域TA側の辺に沿って光源LS、第1部分P1、第2部分P2および第1反射層RL41が配置される構成を例示した。しかしながら、これらの要素は、他の辺に沿って配置されてもよい。

[第5実施形態] 第5実施形態について説明する。特に言及しない構成については、上述の各実施形態と同様の構成を適用し得る。図14は、本実施形態に係る表示装置DSPの概略的な平面図である。本実施形態においては、第1光源LS1が端子領域TAに配置され、第2光源LS2が端子領域TAの反対側に配置されている。

さらに、図示したように表示パネルPNLの第1辺E51、第2辺E52、第3辺E53および第4辺E54を定義する。第1辺E51は、第1光源LS1と表示領域DAの間における第1基板SUB1の辺に相当する。第2辺E52は、端子領域TAの反対側における各基板SUB1,SUB2の辺に相当する。第3辺E53および第4辺E54は、各基板SUB1,SUB2の第2方向Yと平行な辺に相当する。

表示領域DAと第1光源LS1の間には、第1反射層RL51aが配置されている。表示領域DAと第2光源LS2の間には、第1反射層RL51bが配置されている。第1反射層RL51aは、シールSEの第1辺E51に沿う部分と重畳している。第1反射層RL51bは、シールSEの第2辺E52に沿う部分と重畳している。第1反射層RL51a,RL51bの平面形状、シールSEとの位置関係、および断面構造等は、第1実施形態における第1反射層RL11または第2実施形態における第1反射層RL21と同様のものを適用できる。第3実施形態の第2反射層RL32のように、第1反射層RL51a,RL51bに対向する第2反射層RL52a,RL52bが設けられてもよい。

図15は、図14におけるXV−XV線に沿う表示装置DSPの概略的な断面図である。なお、図15においては、第1実施形態における第1反射層RL11と同じく第1基板SUB1に第1反射層RL51a,RL51bが設けられ、第2反射層RL52a,RL52bが設けられていない場合の断面を例示する。第1光源LS1の中心軸AX1および第2光源LS2の中心軸AX2は、いずれも第1基板SUB1に対向している。以下、第1基板SUB1の透明基材を第1透明基材BS51と呼び、第2基板SUB2の透明基材を第2透明基材BS52と呼ぶ。

第1反射層RL51a,RL51bは、第1透明基材BS51とシールSEの間に位置している。第1反射層RL51a,RL51bは、第1実施形態における第1反射層RL11と同じく遮光層22(図9参照)と同層において遮光層22と同じ金属材料で形成することができる。その他、第1反射層RL51a,RL51bの配置位置や構造には、第1実施形態において第1反射層RL11について述べた各種の例を適用できる。

図15の例のように、第1基板SUB1に第1反射層RL51a,RL51bを設ける場合、シールSEを硬化させるための紫外光を第2基板SUB2側から照射すれば、容易にシールSEを硬化させることができる。

本実施形態のように、表示パネルPNLの対向する2辺に沿って光源LS1,LS2を設ければ、表示領域DAの輝度を均一化することができる。また、第1反射層RL51a,RL51bを設けることで、光源LS1,LS2の近傍のシールSEによる光の吸収を低減することができる。

なお、本実施形態では端子領域TA側の辺とその反対側の辺に沿って第1光源LS1、第2光源LS2、第1反射層RL51aおよび第1反射層RL51bが配置される構成を例示した。しかしながら、これらの要素は、他の辺に沿って配置されてもよい。

[第6実施形態] 第6実施形態について説明する。特に言及しない構成については、上述の各実施形態と同様の構成を適用し得る。図16は、本実施形態に係る表示装置DSPの概略的な平面図である。本実施形態においては、第1光源LS1が端子領域TAに配置されている。破線で示すように、第2光源LS2が端子領域TAの反対側に配置されてもよい。

さらに、図示したように表示パネルPNLの第1辺E61、第2辺E62、第3辺E63および第4辺E64を定義する。第1辺E61は、第1光源LS1と表示領域DAの間における第1基板SUB1の辺に相当する。第2辺E62は、端子領域TAの反対側における各基板SUB1,SUB2の辺に相当する。第3辺E53および第4辺E54は、各基板SUB1,SUB2の第2方向Yと平行な辺に相当する。

表示領域DAと第1辺E61の間には、シールSEの第1辺E61に沿う部分と重畳する第1反射層RL61aが配置されている。表示領域DAと第2辺E62の間には、シールSEの第2辺E62に沿う部分と重畳する第1反射層RL61bが配置されている。表示領域DAと第3辺E63の間には、シールSEの第3辺E63に沿う部分と重畳する第1反射層RL61cが配置されている。表示領域DAと第4辺E64の間には、シールSEの第4辺E64に沿う部分と重畳する第1反射層RL61dが配置されている。第1反射層RL61a〜RL61dの平面形状、シールSEとの位置関係、および断面構造等は、第1実施形態における第1反射層RL11または第2実施形態における第1反射層RL21と同様のものを適用できる。

図16の例においては、第1反射層RL61a〜RL61dが互いに接続されている。ただし、第1反射層RL61a〜RL61dは、例えばシールSEの屈曲部分において互いに離れていてもよい。

第3実施形態の第2反射層RL32のように、第1反射層RL61a〜RL61dにそれぞれ対向する第2反射層RL62a,RL62b,RL62c,RL62dが設けられてもよい。この場合、第1反射層RL61a〜RL61dと同様に、第2反射層RL62a〜RL62dが互いに接続されてもよいし、互いに離れていてもよい。

本実施形態のように、シールSEの各部分と重畳する第1反射層RL61a〜RL61dや第2反射層RL62a〜RL62dを設けることで、第1光源LS1からの光のシールSEによる吸収を抑制することができる。第2光源LS2を設ける場合も同様に、第2光源LS2からの光のシールSEによる吸収を抑制することができる。

なお、本実施形態では端子領域TA側の辺に沿って第1光源LS1が配置される構成を例示した。しかしながら、第1光源LS1は他の辺に沿って配置されてもよい。第2光源LS2についても同様に、端子領域TAの反対側の辺に沿って配置される必要はなく、他の辺に沿って配置されてもよい。

本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置や電気光学装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

DSP…表示装置、PNL…表示パネル、SUB1…第1基板、SUB2…第2基板、LC…液晶層、BS11,BS21,BS31…第1透明基材、BS12,BS22,BS32…第2透明基材、LS…光源、LD…発光素子、DA…表示領域、PA…周辺領域、TA…端子領域、22…遮光層、ML…金属層、PE…画素電極、CE…共通電極、G…走査信号線、S…映像信号線、SE…シール、RL11,RL21,RL31,RL41,RL51,RL61…第1反射層、RL32,RL42,RL52,RL62…第2反射層。