存储器修复启用

阅读:864发布:2020-05-08

专利汇可以提供存储器修复启用专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且在一个示例中,一种 存储器 修复方法可以包括:由存储器修复单元接收多个存储器标识符。该方法可以包括由存储器修复单元确定多个存储器标识符中的第一存储器标识符对应于多个存储器中的第一存储器。该方法可以包括由存储器修复单元确定第二存储器标识符对应于多个存储器中的第二存储器。该方法可以包括由存储器修复单元并行地:向第一存储器的修复启用输入输出第一值,以及向第二存储器的修复启用输入输出第二值。,下面是存储器修复启用专利的具体信息内容。

1.一种存储器修复的方法,包括:
解码器接收第一存储器标识符,其中所述第一存储器标识符对应于第一存储器;
由所述解码器确定所述第一存储器标识符对应于所述第一存储器;
由所述解码器基于确定所述第一存储器标识符对应于所述第一存储器,在与所述第一存储器相对应的第一导电路径上输出第一值;
由累加器在与所述第一存储器相对应的所述第一导电路径上接收所述第一值;
由所述累加器存储与所述第一存储器相对应的所述第一值;以及
由所述累加器在被连接到所述第一存储器的第一修复启用输入的第二导电路径上输出所述第一值。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在被连接到所述第一存储器的所述第一修复启用输入的所述第二导电路径上输出所述第一值包括:在被连接到所述第一存储器的所述第一修复启用输入的所述第二导电路径上输出所述第一值,以在所述第一存储器上启用存储器修复。
3.根据权利要求1所述的方法,其中处理单元或片上系统(SOC)包括存储器修复单元,其中所述存储器修复单元包括:所述解码器和所述累加器。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述累加器包括用于存储所述第一值的第一累加器电路,其中所述第一累加器电路包括触发器电路或存电路。
5.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述第一存储器标识符对应于所述第一存储器包括:
将所述第一存储器标识符输入到数据结构中,所述数据结构将多个存储器标识符映射到多个存储器。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:
缓冲器接收所述第一存储器标识符;以及
由所述缓冲器向所述解码器输出所述第一存储器标识符。
7.根据权利要求6所述的方法,其中由所述解码器接收所述第一存储器标识符包括:由所述解码器从所述缓冲器接收所述第一存储器标识符。
8.根据权利要求6所述的方法,其中所述缓冲器是移位寄存器。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一值是非零电压
10.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在接收到所述第一存储器标识符之后,由所述解码器接收第二存储器标识符,其中所述第二存储器标识符对应于第二存储器;
由所述解码器确定所述第二存储器标识符对应于所述第二存储器;
由所述解码器基于确定所述第二存储器标识符对应于所述第二存储器,在与所述第二存储器相对应的第一导电路径上输出第二值;
由所述累加器在与所述第二存储器相对应的所述第一导电路径上接收所述第二值;
由所述累加器存储与所述第二存储器相对应的所述第二值;以及
由所述累加器在被连接到所述第二存储器的第一修复启用输入的第二导电路径上输出所述第二值。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括:
由所述缓冲器接收所述第二存储器标识符;以及
在向所述解码器输出所述第一存储器标识符之后,由所述缓冲器向所述解码器输出所述第二存储器标识符。
12.根据权利要求10所述的方法,其中由所述解码器输出所述第一值和所述第二值不并行地发生,并且由所述累加器输出所述第一值和所述第二值并行地发生。
13.根据权利要求10所述的方法,其中所述累加器包括用于存储所述第一值的第一累加器电路、以及用于存储所述第二值的第二累加器电路,其中所述第一累加器电路包括第一触发器电路或第一锁存电路,并且其中所述第二累加器电路包括第二触发器电路或第二锁存电路。
14.一种用于存储器修复的装置,包括:
多个存储器,所述多个存储器包括第一存储器;
修复信息存储器,存储第一存储器标识符,所述第一存储器标识符与所述第一存储器相对应;以及
存储器修复单元,被通信地耦合到所述修复信息存储器和所述多个存储器,其中所述存储器修复单元包括解码器和累加器,
其中所述解码器被配置为:接收被存储在所述修复信息存储器中的所述第一存储器标识符;确定所述第一存储器标识符对应于所述第一存储器;以及基于确定所述第一存储器标识符对应于所述第一存储器,在与所述第一存储器相对应的第一导电路径上输出第一值;
其中所述累加器被配置为:在与所述第一存储器相对应的所述第一导电路径上接收所述第一值;存储与所述第一存储器相对应的所述第一值;以及在被连接到所述第一存储器的第一修复启用输入的第二导电路径上输出所述第一值。
15.根据权利要求14所述的装置,其中所述累加器包括第一累加器电路,被配置为存储所述第一值,其中所述第一累加器电路包括触发器电路或锁存电路。
16.根据权利要求14所述的装置,其中为了确定所述第一存储器标识符对应于所述第一存储器,所述解码器被配置为将所述第一存储器标识符输入到数据结构中,所述数据结构将多个存储器标识符映射到多个存储器。
17.根据权利要求14所述的装置,
其中所述解码器还被配置为:在接收到所述第一存储器标识符之后,接收第二存储器标识符,所述第二存储器标识符对应于第二存储器;确定所述第二存储器标识符对应于所述第二存储器;以及基于确定所述第二存储器标识符对应于所述第二存储器,在与所述第二存储器相对应的第一导电路径上输出第二值;以及
其中所述累加器还被配置为:在与所述第二存储器相对应的所述第一导电路径上接收所述第二值;存储与所述第二存储器相对应的所述第二值;以及在被连接到所述第二存储器的第一修复启用输入的第二导电路径上输出所述第二值。
18.根据权利要求17所述的装置,其中所述解码器被配置为不并行输出所述第一值和所述第二值,并且其中所述累加器被配置为并行地输出所述第一值和所述第二值。
19.根据权利要求17所述的装置,其中所述累加器包括:第一累加器电路,被配置为存储所述第一值;以及第二累加器电路,被配置为存储所述第二值,其中所述第一累加器电路包括第一触发器电路或第一锁存电路,并且其中所述第二累加器电路包括第二触发器电路或第二锁存电路。
20.一种装置,包括:
修复信息存储器;
多个存储器;以及
存储器修复单元,被通信地耦合到所述修复信息存储器和所述多个存储器,其中所述存储器修复单元被配置为:
从所述修复信息存储器接收多个存储器标识符,其中所述多个存储器标识符包括第一存储器标识符和第二存储器标识符,其中所述多个存储器标识符中的每个存储器标识符对应于所述多个存储器中的相应存储器,其中所述第一存储器标识符对应于所述多个存储器中的第一存储器,并且所述第二存储器标识符对应于所述多个存储器中的第二存储器;
确定所述第一存储器标识符对应于所述第一存储器;
确定所述第二存储器标识符对应于所述第二存储器;以及
向所述第一存储器的修复启用输入输出第一值;以及
向所述第二存储器的修复启用输入输出第二值。
21.根据权利要求20所述的装置,其中为了向所述第一存储器的所述修复启用输入输出所述第一值,所述存储器修复单元被配置为向所述第一存储器的所述修复启用输入输出所述第一值,以在所述存储器上启用存储器修复,并且其中为了向所述第二存储器的所述修复启用输入输出所述第二值,所述存储器修复单元被配置为向所述第二存储器的所述修复启用输入输出所述第二值,以在所述第二存储器上启用存储器修复。
22.根据权利要求20所述的装置,其中所述存储器修复单元被配置为:
向第三存储器的修复启用输入输出第三值,以在所述第三存储器上禁用存储器修复,其中所述多个存储器包括所述第三存储器。
23.根据权利要求22所述的装置,其中所述存储器修复单元被配置为:
不接收与所述第三存储器相对应的第三存储器标识符,其中为了向所述第三存储器的所述修复启用输入输出所述第三值以在所述第三存储器上禁用存储器修复,所述存储器修复单元被配置为基于未接收到所述第三存储器标识符,向所述第三存储器的所述修复启用输入输出所述第三值以在所述第三存储器上禁用存储器修复。
24.根据权利要求20所述的装置,其中为了确定所述第二存储器标识符对应于所述第二存储器,所述存储器修复单元被配置为在确定所述第一存储器标识符对应于所述第一存储器之后,确定所述第二存储器标识符对应于所述第二存储器。
25.根据权利要求20所述的装置,其中所述存储器修复单元的解码器被配置为执行对所述第一存储器标识符与所述第一存储器相对应的确定、以及对所述第二存储器标识符与所述第二存储器相对应的确定,其中所述存储器修复单元的累加器被配置为执行所述第一值到所述第一存储器的所述修复启用输入的所述输出、以及所述第二值到所述第二存储器的所述修复启用输入的所述输出。
26.根据权利要求20所述的装置,其中所述第一存储器和所述第二存储器与不同的功能相关联。
27.根据权利要求25所述的装置,还包括以下项中的一项:
并入所述存储器修复单元、所述第一存储器和所述第二存储器的蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、台式计算机(PC)、计算机外围设备、多媒体设备、视频设备、音频设备、全球定位系统(GPS)、无线传感器物联网设备。

说明书全文

存储器修复启用

[0002] 本专利申请要求于2017年9月22日提交的题为“MEMORY REPAIR ENABLEMENT”的美国非临时申请No.15/713,557的优先权,其被转让给本专利申请的受让人并且在此通过引用明确地并入本文。

技术领域

[0003] 本公开总体上涉及存储器系统,并且更具体地涉及被配置用于存储器修复的装置。

背景技术

[0004] 存储器被广泛用于存储信息。存储器可以包括用于存储数据的多个存储器单元,其通常被称为存储器单元阵列。存储器单元可以存储诸如二进制值“1”或二进制值“0”的值(例如,数据比特)。作为一个示例,存储器单元可以存储与第一二进制值相对应的第一电压、或与第二二进制值相对应的第二电压。存储器单元在其原始制造状态下可能有缺陷,或者在一次或多次使用之后可能变为有缺陷。有缺陷的存储器单元可以通过测试来标识。存储器可以具有可以一个或多个保留存储器单元,用于替换有缺陷的存储器单元。通常,存储器可以包括一行或多行保留存储器单元和/或一列或多列保留存储器单元。例如,一行保留存储器单元可以用于替换被确定为具有一个或多个有缺陷的存储器单元的一行存储器单元。类似地,一列保留存储器单元可以用于替换被确定为具有一个或多个有缺陷的存储器单元的一列存储器单元。
[0005] 使用保留存储器单元来修复(例如,替换)有缺陷的存储器单元是很普遍的。尽管如此,仍然存在对存储器修复技术进行进一步的改进的需要。发明内容
[0006] 以下给出了对一个或多个方面的简化总结以便提供对这样的方面的基本理解。该发明内容不是所有预期方面的详尽概述,并且既不旨在标识所有方面的关键或重要要素,也不旨在界定任何或所有方面的范围。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或多个方面的某些概念,作为稍后呈现的更详细描述的序言。
[0007] 在本公开的一方面,提供了一种方法、一种计算机可读介质和一种装置。该装置可以包括解码器和累加器。该解码器可以被配置为接收第一存储器标识符。第一存储器标识符可以对应于第一存储器。该解码器可以被配置为确定第一存储器标识符对应于第一存储器。该解码器可以被配置为基于确定第一存储器标识符对应于第一存储器,在与第一存储器相对应的第一导电路径上输出第一值。该累加器可以被配置为在与第一存储器相对应的第一导电路径上接收第一值。该累加器可以被配置为存储与第一存储器相对应的第一值。该累加器可以被配置为在连接到第一存储器的第一修复启用输入的第二导电路径上输出第一值。
[0008] 在本公开的另一方面,提供了一种方法、一种计算机可读介质和一种装置。该装置可以被配置为接收多个存储器标识符。多个存储器标识符可以包括第一存储器标识符和第二存储器标识符。多个存储器标识符中的每个存储器标识符可以对应于多个存储器中的相应存储器。第一存储器标识符可以对应于多个存储器中的第一存储器,并且第二存储器标识符可以对应于多个存储器中的第二存储器。该装置可以被配置为确定第一存储器标识符对应于第一存储器。该装置可以被配置为确定第二存储器标识符对应于第二存储器。该装置可以被配置为并行地向第一存储器的修复启用输入输出第一值、以及向第二存储器的修复启用输入输出第二值。
[0009] 为了实现前述和相关目的,一个或多个方面包括下文中充分描述并且在权利要求中特别指出的特征。以下描述和附图详细阐述了一个或多个方面的某些说明性特征。然而,这些特征仅指示在其中各个方面的原理可以被采用的各种方式中的几种方式,并且该描述旨在包括所有这样的方面及其等同物。

附图说明

[0010] 图1是图示了被配置为执行本公开的一种或多种技术的示例处理单元的图。
[0011] 图2是图示了被配置为执行本公开的一种或多种技术的示例片上系统的图。
[0012] 图3图示了根据本公开的一种或多种技术的针对修复信息存储器的示例数据结构。
[0013] 图4A图示了根据本公开的一种或多种技术的示例存储器修复单元。
[0014] 图4B图示了根据本公开的一种或多种技术的示例存储器修复单元。
[0015] 图5A和5B示出了根据本公开的一种或多种技术的存储器修复方法的示例流程图
[0016] 图6示出了根据本公开的一种或多种技术的存储器修复方法的示例流程图。

具体实施方式

[0017] 下面结合附图阐述的详细描述旨在作为对各种配置的描述,而非旨在表示在其中本文中描述的概念可以被实践的唯一配置。具体实施方式包括特定细节以用于提供对各种概念的透彻理解的目的。然而,对于本领域技术人员显而易见的是,可以在没有这些具体细节的情况下来实践这些概念。在某些实例中,众所周知的结构和组件以框图形式示出,以避免使这样的概念模糊。
[0018] 现在将参考各种装置和方法来呈现存储器修复的几个方面。这些装置和方法将在下面的详细描述中进行描述,并且在附图中通过各种框、组件、电路、过程、算法等(统称为“要素”)进行说明。这些要素可以使用电子硬件、计算机软件或其任何组合来实现。这样的要素是被实现为硬件还是软件取决于特定应用和施加在整个系统上的设计约束。
[0019] 作为一个示例,要素或要素的任何部分或要素的任何组合可以实现为包括一个或多个处理器的“处理系统”。处理器(其也可以称为处理单元)的示例包括微处理器、微控制器图形处理单元(GPU)、中央处理单元(CPU)、应用处理器、数字信号处理器(DSP)、精简指令集计算(RISC)处理器、片上系统(SOC)、基带处理器、现场可编程阵列(FPGA)、可编程逻辑器件(PLD)、状态机、门控逻辑、分立硬件电路、以及其他合适的硬件,其被配置为执行贯穿本公开所描述的各种功能性。处理系统中的一个或多个处理器可以执行软件。软件应当广义地解释为表示指令、指令集、代码、代码段、程序代码、程序、子程序、软件组件、应用、软件应用、软件包、例程、子例程、对象、可执行文件、执行线程、过程、功能等,无论其是被称为软件、固件中间件微码、硬件描述语言还是其他形式。
[0020] 因此,在一个或多个示例实施例中,所描述的功能可以以硬件、软件或其任何组合来实现。如果以软件实现,则功能可以存储在计算机可读介质上或者作为一个或多个指令或代码被编码在计算机可读介质上。计算机可读介质包括计算机存储介质。存储介质可以是可以由计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限制,这样的计算机可读介质可以包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、光盘存储器、磁盘存储器、其他磁性存储设备、上述类型的计算机可读介质的组合、或者任何其他介质,其可以用于以可以由计算机访问的指令或数据结构的形式来存储计算机可执行代码。
[0021] 如本文中描述的,存储器可以包括一个或多个有缺陷的存储器单元。存储器包括修复启用(repair enable)输入,该修复启用输入可以被配置为向存储器通知该存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元。以其他方式来描述,存储器的修复启用输入可以被配置为在存储器上启用或禁用存储器修复。随着存储器系统(例如,处理单元或片上系统)中的存储器数目的增加,修复启用输入的数目也增加。本文中描述的技术涉及减少用于启用存储器修复,以在包括有缺陷的存储器单元的多个存储器上启用存储器修复所需要的硬件。以其他方式来描述,本文中描述的技术涉及向多个存储器更高效地通知它们在某处包括缺陷。
[0022] 作为一个示例,代替使用N个1路解码器以用于服务N个存储器(其中N为正整数),本文中描述了M路(M-way)解码器(其中M为正整数),用于为M个存储器提供服务。随着1路解码器数目的增加(例如,随着N个存储器的数目的增加),因为每个存储器需要附加的1路解码器,用于实现1路解码器的栅极面积线性地增加。相反,根据本文中描述的技术,用于实现M路解码器的栅极面积不会随着M路解码器可以被配置为为其提供服务的M个存储器的数目的增加而线性地增加。在一些示例中,随着M个存储器的数目的增加,M路解码器可以被配置为M个存储器提供服务,故用于实现M路解码器的栅极面积不会增加。在一些示例中,本文中描述的存储器修复单元的解码器可以称为M路解码器。
[0023] 图1是示出被配置为执行本公开的一种或多种技术的示例处理单元100的图。在一些示例中,处理单元100可以被称为示例存储器系统。处理单元100可以包括存储器修复单元102和内部存储器105。内部存储器105可以包括多个存储器110和修复信息存储器120。
[0024] 在一些示例中,多个存储器110可以包括一个或多个易失性存储器和/或一个或多个非易失性存储器。例如,多个存储器110可以包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存存储器、磁性数据介质、光学存储介质、任何其他存储介质、或其任何组合。在图1的示例中,内部存储器105的多个存储器110被描绘为第一存储器110-1、第二存储器
110-2和第N存储器110-N,其中N是正整数。作为一个示例,第一存储器110-1可以是易失性存储器,并且第二存储器110-2可以是非易失性存储器。作为另一示例,第一存储器110-1和第二存储器110-2均可以是易失性存储器,或者均可以是非易失性存储器。多个存储器110-
1至110-N中的每个存储器可以是单独可寻址的。
[0025] 在一些示例中,内部存储器105的多个存储器110中的每个存储器可以分别对应于处理单元100的一个或多个组件。如本文中使用的,对存储器对应于组件的引用可以是指该存储器是由该组件可访问的,该存储器通信地耦合到该组件,等等。类似地,对存储器不对应于组件的引用可以是指该存储器不能由该组件可访问,该存储器通信地耦合到该组件,等等。
[0026] 例如,处理单元100可以包括多个处理核心。在这样的示例中,第一存储器110-1可以对应于处理单元100的第一处理核心,并且第二存储器可以对应于处理单元100的第二处理核心。以其他方式来描述,该示例中的处理单元100的第一处理核心可以被配置为向第一存储器110-1写入数据和/或从第一存储器110-1读取数据,并且该示例中的处理单元100的第二处理核心可以被配置为向第二存储器110-2写入数据和/或从第二存储器110-2读取数据。在这样的示例中,处理单元100的第二处理核心可能不能向第一存储器110-1写入数据和/或从第一存储器110-1读取数据。类似地,处理单元100的第一处理核心可能不能向第二存储器110-2写入数据和/或从第二存储器110-2读取数据。在其他示例中,内部存储器105的第一多个存储器(例如,存储器110-1、110-2、110-3、110-4和110-5)可以对应于第一处理核心,并且内部存储器105的第二多个存储器(例如,存储器110-6、110-7、110-8、110-9和110-10)可以对应于第二处理核心。在这样的示例中,存储器110-10可以是第N存储器;然而,在其他示例中,内部存储器105可以包括用于与第一处理核心和第二处理核心不同的一个或多个组件的多个存储器110中的一个或多个存储器,这意味着存储器110-10可能不是内部存储器105的第N存储器。作为一个示例,处理单元100的第二处理核心可能不能向内部存储器105的第一多个存储器写入数据和/或从内部存储器105的第一多个存储器读取数据,并且处理单元100的第一处理核心可能不能向内部存储器105的第二多个存储器写入数据和/或从内部存储器105的第二多个存储器读取数据。
[0027] 存储器修复单元102可以被配置为执行本文中描述的针对多个存储器110的一种或多种存储器修复技术,其在下面关于图3、4A、4B、5A、5B和6更详细地描述。存储器修复单元102可以通信地耦合到内部存储器105。例如,存储器修复单元102可以通信地耦合到多个存储器110和修复信息存储器120。在一些示例中,存储器修复单元102可以被配置为从修复信息存储器120接收信息。在一些示例中,存储器修复单元102可以被配置为在发生触发事件时,从修复信息存储器120接收信息。例如,修复信息存储器120可以被配置为响应于触发事件而向存储器修复单元102发送被存储在修复信息存储器120上的信息。在一些示例中,触发事件可以包括处理单元100的加电(power up)。存储器修复单元102可以被配置为处理从修复信息存储器120接收的信息。基于对从修复信息存储器120接收的信息的处理,存储器修复单元102可以被配置为向多个存储器110中的至少一个存储器输出信息,以在至少一个存储器上启用存储器修复。在一些示例中,术语“数据”和“信息”可以是可互换的。
[0028] 在一些示例中,术语“通信地耦合”可以是指可以是直接的或间接的通信连接。通信连接可以是有线和/或无线的。有线连接可以是指导电路径、迹线或物理介质(不包括无线物理介质),信息可以在其上行进。导电路径可以是指任何长度的任何导体,诸如导电焊盘、导电通孔、导电平面、导电迹线或任何导电介质。直接通信连接可以是指其中没有中间组件驻留在两个通信地耦合的组件之间的连接。间接通信连接可以是指其中至少一个中间组件驻留在两个通信地耦合的组件之间的连接。
[0029] 在图1的示例中,存储器修复单元102经由多个通信连接140而被通信地耦合到多个存储器110。例如,处理单元100可以被描述为包括多个通信连接140,用于通信地耦合存储器修复单元102和多个存储器110。在一些示例中,存储器修复单元102可以经由通信连接130而被通信地耦合到修复信息存储器120。例如,处理单元100可以被描述为包括通信连接
130,用于通信地耦合存储器修复单元102和修复信息存储器120。通信连接130图示了存储器修复单元102与修复信息存储器120之间的直接连接的一个示例。在该示例中,并行到串行(P2S)转换器和串行到并行(S2P)转换器可能不存在,或者以其他方式被定位在存储器修复单元102与修复信息存储器120之间。在一些示例中,通信连接130可以表示单个导电路径,诸如单个导线或单个迹线。在其他示例中,通信连接130可以表示多个导电路径(例如,
10、100、500、800、1000或更多个导电路径)。
[0030] 在其他示例中,存储器修复单元102可以经由通信连接134而被通信地耦合到串行到并行(S2P)转换器152,并且修复信息存储器120可以经由通信连接132而被通信地耦合到并行到串行(P2S)转换器150。例如,处理单元100可以被描述为包括S2P转换器152和P2S转换器150以及通信连接132、134和136。S2P转换器152和P2S转换器150可以经由通信连接136而被通信地耦合。通信连接136图示了S2P转换器152与P2S转换器150之间的直接连接的一个示例。因为在该示例中,S2P转换器152和P2S转换器150被定位在存储器修复单元102与修复信息存储器120之间,所以存储器修复单元102和修复信息存储器120可以被描述为彼此间接地通信地耦合。在一些示例中,通信连接132和134可以表示多个导电路径R,其中R是大于1的正整数。例如,R可以等于10、100、500、800或1000。通信连接136可以表示多个导电路径S,其中S是小于R的正整数。例如,假定S小于R,则S可以等于1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或更大。作为一个示例,其中S等于1,这表示通信连接136表示单个导电路径。
[0031] P2S转换器150可以被配置为对并行数据进行串行化(serialize,例如,将并行数据转换为串行数据)。P2S转换器150可以包括两个或更多个输入、以及一个或多个输出。作为一个示例,P2S转换器150可以被配置为在两个输入上接收数据,对在两个输入上接收到的数据进行串行化,并且使用单个输出来输出经串行化的数据。作为另一示例,P2S转换器150可以被配置为在四个输入上接收数据,对在四个输入上接收到的数据进行串行化,并且使用单个输出来输出经串行化的数据。作为另一示例,P2S转换器150可以被配置为在四个输入上接收数据,对在四个输入中的第一输入和第二输入上接收到的数据进行串行化,对在四个输入中的第三输入和第四输入上接收到的数据进行串行化,使用第一输出来输出与第一输入和第二输入相对应的经串行化的数据,并且使用第二输出来输出与第三输入和第四输入相对应的经串行化的数据。作为另一示例,P2S转换器150可以被配置为在X个输入上接收数据,对在X个输入上接收到的数据进行串行化,并且使用Y个输出来输出经串行化的数据,其中X和Y是正整数并且Y小于X。在这点上,通信连接136可以表示P2S转换器150的Y个输出通信地耦合到S2P转换器152的输入。
[0032] S2P转换器152可以被配置为执行P2S转换器150的逆功能。例如,S2P转换器152可以被配置为对串行数据进行解串行化(deserialize,例如,将串行数据转换为并行数据)。S2P转换器152可以包括一个或多个输入、以及两个或更多个输出。作为一个示例,S2P转换器152可以被配置为在一个输入上从P2S转换器150接收经串行化的数据,对在该输入上接收到的经串行化的数据进行解串行化,并且使用两个输出来输出经解串行化的数据。作为另一示例,S2P转换器152可以被配置为在一个输入上从P2S转换器150接收经串行化的数据,对在该输入上接收到的经串行化的数据进行解串行化,并且使用四个输出来输出经解串行化的数据。作为另一示例,S2P转换器152可以被配置为在两个输入上从P2S转换器150接收经串行化的数据,对在两个输入中的第一输入上接收到的经串行化的数据进行解串行化,对在两个输入中的第二输入上接收到的经串行化的数据进行解串行化,使用两个或更多个输出来输出与第一输入相对应的经解串行化的数据,并且使用如下两个或更多个输出来输出与第二输入相对应的经解串行化的数据,该两个或更多个输出不同于被用来输出与第一输入相对应的经解串行化的数据的两个或更多个输出。作为另一示例,S2P转换器152可以被配置为在X'个输入上接收数据,对在X'个输入上接收到的经串行化的数据进行解串行化,并且使用Y'个输出来输出经解串行化的数据,其中X'和Y'是正整数并且X'小于Y'。在一些示例中,X可以等于Y',并且Y可以等于X'。例如,通信连接136可以表示P2S转换器150的Y个输出通信地耦合到S2P转换器152的X'个输入。以其他方式来描述,用于从修复信息存储器120接收数据的P2S转换器150的输入的数目可以等于用于向存储器修复单元102发送经解串行化的数据的S2P转换器152的输出的数目。类似地,用于向S2P转换器152发送经串行化的数据的P2S转换器150的输出的数目可以等于用于从P2S转换器150接收经串行化的数据的S2P转换器152的输入的数目。
[0033] 虽然在图1中示出了存储器修复单元102与修复信息存储器120之间的通信耦合的两个示例;但是在一些方面,可以实现一个通信耦合。另外,虽然在图1中示出了存储器修复单元102与修复信息存储器120之间的通信耦合的两个示例,但是,存储器修复单元102与修复信息存储器120之间的更多或更少的通信耦合也可以存在但是未被描绘。
[0034] 关于多个通信连接140,多个存储器110中的每个存储器可以单独地被通信耦合到存储器修复单元102。如图1的示例中所示,存储器修复单元102可以经由通信连接140-1而被通信地耦合到第一存储器110-1,存储器修复单元102可以经由通信连接140-2而被通信地耦合到第二存储器110-2,并且存储器修复单元102可以经由通信连接140-M而被通信地耦合到第N存储器110-N,其中M等于N。在一些示例中,每个相应的通信连接140-1至140-M可以表示单个导电路径,诸如单个导线或单个迹线。
[0035] 如本文中使用的,存储器可以是指任何包括修复启用输入、一个或多个输入和/或输出、多个存储器单元和一个或多个保留存储器单元的存储器(例如,集成电路存储器、存储器芯片、存储器微芯片等)。例如,第一存储器110-1可以包括修复启用输入112-1、一个或多个输入和/或输出114-1、多个存储器单元116-1和一个或多个保留存储器单元118-1;第二存储器110-2可以包括修复启用输入112-2、一个或多个输入和/或输出114-2、多个存储器单元116-2和一个或多个保留存储器单元118-2;并且第N存储器110-N可以包括修复启用输入112-N、一个或多个输入和/或输出114-N、多个存储器单元116-N和一个或多个保留存储器单元118-N。
[0036] 在一些示例中,存储器的输入可以对应于存储器的导电引脚、焊盘等。例如,修复启用输入可以对应于存储器的导电引脚、焊盘等。类似地,存储器的输出可以对应于存储器的导电引脚、焊盘等。在一些示例中,存储器的一个或多个输入可以包括可以多个存储器地址输入,其用于指定存储器位置(例如,指定一个或多个存储器单元)和/或用于存储器地址解码。存储器的一个或多个输出可以包括一个或多个数据输出。例如,由存储器接收的读取指令可以使存储器在一个或多个数据输出上输出被存储在一个或多个存储器单元中的数据。
[0037] 存储器的多个存储器单元可以被配置为存储数据/信息。存储器单元可以存储诸如二进制值“1”或二进制值“0”的值(例如,表示逻辑值的数据比特)。作为一个示例,存储器单元可以存储与第一二进制值相对应的第一电压、或与第二二进制值相对应的第二电压。例如,值“0”可以对应于电压0,并且值“1”可以对应于电压1。作为另一示例,值“0”可以对应于电压-1,并且值“1”可以对应于电压1。作为另一示例,值“0”可以对应于小于或等于阈值(例如,0伏)的电压,并且值“1”可以对应于大于该阈值的电压。在一些示例中,取决于存储器的类型(例如,存储器是ROM、RAM还是另一种类型的存储器),数据可以被写入到多个存储器单元和/或数据可以从多个存储器单元读取。多个存储器单元当被布置作为阵列时,可以被称为存储器单元阵列。例如,存储器可以包括存储器单元的行和列。
[0038] 在本文中描述的存储器中,存储器单元可能是有缺陷的。例如,存储器单元在其原始制造状态下可能有缺陷,或者在使用一次或多次之后可能变为有缺陷。有缺陷的存储器单元可以通过测试来标识。在一些示例中,有缺陷的存储器单元可以是指不能正确操作的存储器单元。例如,有缺陷的存储器单元可以是指不能存储值的存储器单元。作为另一示例,有缺陷的存储器单元可以是指不能被写入和/或读取的存储器单元。作为另一示例,有缺陷的存储器单元可以是指不能存储非零电压的存储器单元。作为另一示例,有缺陷的存储器单元可以是指不能存储零电压的存储器单元。作为另一示例,有缺陷的存储器单元可以是指不能存储诸如二进制值“1”或二进制值“0”的值的存储器单元。在一些示例中,有缺陷的存储器单元驻留在其中的一行存储器单元或一列存储器单元可以被认为是有缺陷的。在一些示例中,有缺陷的存储器单元可以具有地址,并且有缺陷的存储器单元驻留在其中的行和/或列可以具有地址。
[0039] 在一些示例中,修复信息存储器120可以被配置为存储缺陷存储器地址信息,该缺陷存储器地址信息与多个存储器110中的一个或多个存储器相对应。缺陷存储器地址信息可以包括与存储器中的有缺陷的存储器单元相对应的存储器地址、与存储器中有缺陷的存储器单元驻留在其中的一行存储器单元相对应的存储器地址(例如,行地址)、和/或与存储器中有缺陷的存储器单元驻留在其中的一列存储器单元相对应的存储器地址(例如,列地址)。作为一个示例,如果第一存储器110-1包括有缺陷的存储器单元,则修复信息存储器120可以被配置为存储与第一存储器110-1中的有缺陷的存储器单元相对应的存储器地址信息。为了减少修复信息存储器120的消耗,被存储在修复信息存储器120中的信息可以进行编码。例如,缺陷存储器地址信息可以在被存储在修复信息存储器120中之前被编码或以其他方式进行压缩。
[0040] 在一些示例中,修复信息存储器120可以被配置为存储针对多个存储器110中的一个或多个存储器的相应的存储器标识符。存储器标识符可以唯一地标识存储器标识符所对应的存储器。作为一个示例,多个存储器110中的包括至少一个有缺陷的存储器单元的每个存储器可以与被存储在修复信息存储器120中的相应的存储器标识符相关联。在这样的示例中,如果特定存储器没有包括有缺陷的存储器单元,则修复信息存储器120可以不被配置为存储与特定存储器相对应的存储器标识符。在这样的示例中,存储器标识符可以指示与其相对应的存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元。例如,多个存储器110可以包括四个存储器110-1、110-2、110-3和110-4。然而,仅第一存储器110-1和第二存储器110-2可以是多个存储器之中的包括至少一个有缺陷的存储器单元的存储器。因此,与第一存储器110-1相对应的第一存储器标识符可以存储在修复信息存储器120中,并且与第二存储器110-2相对应的第二存储器标识符可以存储在修复信息存储器120中,但是第三存储器110-3和第四存储器110-4的存储器标识符可以不存储在修复信息存储器120中。
[0041] 作为另一示例,多个存储器110中的每个存储器可以与相应的存储器标识符相关联,而无论存储器是否包括有缺陷的存储器单元。例如,如果多个存储器110包括四个存储器,则第一存储器标识符可以对应于第一存储器110-1,第二存储器标识符可以对应于第二存储器110-2,第三存储器标识符可以对应于第三存储器110-3,并且第四存储器标识符可以对应于第四存储器110-4。修复信息存储器120可以被配置为存储数据结构,该数据结构包括与包括至少一个有缺陷的存储器单元的存储器相对应的每个存储器标识符。在该示例中,如果四个存储器之中仅第三存储器110-3包括至少一个有缺陷的存储器单元,则数据结构可以仅包括第三存储器标识符。在这样的示例中,被包括在数据结构中的存储器标识符可以指示与该存储器标识符相对应的存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元。在一些示例中,数据结构可以称为存储器缺陷数据结构,存储器缺陷数据结构包括标识多个存储器110之中的包括至少一个有缺陷的存储器单元的一个或多个存储器的信息。该信息可以例如包括存储器标识符。在一些示例中,数据结构可以构成查找表(LUT),其中存储器标识符的输入导致与该输入相对应的输出。
[0042] 在一些示例中,被用来表示存储器标识符的比特数目可以使用诸如对数基数2算法的算法来导出。对数基数2算法可以定义为log2(x)=z,其中z是结果log2(x),并且x可以等于多个存储器110中的存储器的总数目。在其他示例中,x可以等于包括至少一个有缺陷的存储器单元的存储器的数目。在一些示例中,z的结果可以向上取整为最接近的整数。例如,如果多个存储器110包括1012个存储器,则log2(1012)=9.983,其结果可以被取整为10。值10可以表示被用来标识多个存储器110中的每个存储器的比特数目。作为另一示例,如果多个存储器110包括52个存储器,则log2(52)=5.7,其结果可以取整为6。值6可以表示被用来标识多个存储器110中的每个存储器的比特数目。作为一个示例,多个存储器110可以包括存储器110-1、110-2、110-3和110-4。Log2(4)=2,意味着2个比特可以用作针对每个存储器的存储器标识符。在该示例中,与第一存储器110-1相对应的第一存储器标识符可以是二进制数00,与第二存储器110-2相对应的第二存储器标识符可以是二进制数01,与第三存储器110-3相对应的第三存储器标识符可以是二进制数10,并且与第四存储器110-4相对应的第四存储器标识符可以是二进制数11。类似地,如果包括至少一个有缺陷的存储器单元的存储器的数目是60,则log2(60)=5.907,其结果可以取整为6。值6可以表示被用来标识多个存储器110中的包括至少一个有缺陷的存储器单元的每个存储器的比特数目。
[0043] 保留存储器单元可以用于替换有缺陷的存储器单元。例如,存储器的一个或多个保留存储器单元可以包括一行或多行保留存储器单元和/或一列或多列保留存储器单元。例如,一行保留存储器单元可以用于替换被确定为具有一个或多个有缺陷的存储器单元的一行存储器单元。类似地,一列保留存储器单元可以用于替换被确定为具有一个或多个有缺陷的存储器单元的一列存储器单元。针对“保留”的其他术语可以包括“额外”、“冗余”、“备用”等。例如,对保留存储器单元的引用可以类似地指代存储器的额外存储器单元、冗余存储器单元或备用存储器单元。
[0044] 关于存储器的修复启用输入,修复启用输入可以被配置为向存储器通知该存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元。例如,存储器修复单元102可以被配置为向存储器的修复启用输入发送信息,以向存储器通知该存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元。以其他方式来描述,修复启用输入可以被配置为由于存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元,而在该存储器上启用存储器修复。例如,存储器修复单元102可以被配置为由于存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元,而向该存储器的修复启用输入发送信息以在该存储器上启用存储器修复。
[0045] 在一些示例中,由存储器修复单元102发送给存储器的修复启用输入的信息可以是第一值或第二值。在一些示例中,第一值可以指示存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元,并且第二值可以指示存储器没有包括至少一个有缺陷的存储器单元。在这样的示例中,第一值可以启用在存储器上的存储器修复,而第二值可以不启用或以其他方式禁用在存储器上的存储器修复。在一些示例中,第一值可以是“1”、真值、启用值、非零电压、热信号等。第二值可以是“0”、假值、禁用值、零电压等。
[0046] 尽管以上将存储器修复单元102描述为被配置为向存储器的修复启用输入发送第一值或第二值,但是应当理解,值的传输或发送也可以是指在导电路径上的输出值。作为一个示例,存储器修复单元102可以被配置为在导电路径上输出零伏,该导电路径通信地耦合存储器的修复启用输入和存储器修复单元102。存储器可以被配置为读取在导电路径上输出的值。例如,存储器可以被配置为测量修复启用输入处的相对于地的电压。关于零电压输出示例,虽然在导电路径上输出的值是零伏,但是存储器可以被配置为读取或以其他方式测量修复启用输入处的作为零伏的值。在另一示例中,其中在导电路径上输出的值是非零电压,存储器可以被配置为读取或以其他方式测量修复启用输入处的作为非零电压的值。在这点上,关于存储器修复单元102被配置为向存储器的修复启用输入传输或发送信息,其可以是指存储器修复单元102被配置为在导电路径上输出信息,该导电路径连接存储器修复单元102和存储器的修复启用输入。类似地,关于存储器修复单元102被配置为在连接存储器修复单元102和存储器的修复启用输入的导电路径上输出信息,其可以是指存储器修复单元102被配置为使用导电路径向存储器的修复启用输入传输或发送信息。
[0047] 本文中描述的一种或多种技术可以以硬件、软件、固件或其任何组合来实现。例如,在本文中描述的一种或多种技术以硬件实现的情况下,存储器修复单元102可以是这样的硬件或多个硬件组件中的一个组件,其被配置为一起操作以执行本文中描述的一种或多种技术。在这样的示例中,硬件可以被配置为执行软件或固件,该软件或固件在被执行时可以执行本文中描述的一种或多种技术。任何软件和/或固件可以存储在诸如硬件的片上存储器的非暂态存储介质上(例如,处理单元100的内部存储器105)。
[0048] 在一些示例中,处理单元100可以被称为处理器100。在一些示例中,处理单元100可以是中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、显示处理单元、数字信号处理单元、或任何其他处理单元。在其他示例中,处理单元100可以是片上系统(SOC)或SOC的组件。
[0049] 图2是示出被配置为执行本公开的一个或多个技术的示例片上系统(SOC)200的图。在一些示例中,SOC 200可以被称为示例存储器系统。SOC 200可以包括存储器修复单元202和内部存储器205。内部存储器205可以包括多个存储器210和修复信息存储器220。
[0050] 在一些示例中,多个存储器210可以包括一个或多个易失性存储器和/或一个或多个非易失性存储器。例如,多个存储器110可以包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存存储器、磁性数据介质、光学存储介质、任何其他存储介质、或其任何组合。在图2的示例中,内部存储器205的多个存储器210被描绘为第一存储器210-1、第二存储器
210-2和第N存储器210-N,其中N是正整数。作为一个示例,第一存储器210-1可以是易失性存储器,并且第二存储器210-2可以是非易失性存储器。作为另一示例,第一存储器210-1和第二存储器210-2均可以是易失性存储器,或者均可以是非易失性存储器。多个存储器210-
1至210-N中的每个存储器可以是单独可寻址的。
[0051] 在一些示例中,内部存储器105的多个存储器210中的每个存储器可以相应地对应于SOC 200的多个组件270中的一个或多个组件。例如,多个存储器210中的每个存储器可以通信地耦合到多个组件270中的一个或多个组件。作为一个示例,多个存储器210中的第一存储器可以与多个组件270中的第一组件相关联,并且多个存储器210中的第二存储器可以与多个组件270中的第二组件相关联。
[0052] 多个组件270中的组件可以包括SOC 200的任何组件,诸如通信地耦合到多个存储器210之中的至少一个存储器的SOC 200的任何组件。例如,多个组件270中的组件可以是CPU、GPU、显示处理单元、视频处理单元、音频处理单元、数字信号处理器、视频编码器、调制解调器、基带处理器、Bluetooth无线电调制解调器、Wi-Fi无线电调制解调器、接收器、发射器、相机或任何其他组件。如本文中使用的,SOC 200的组件也可以被称为功能组件、功能、集成电路等。例如,在组件与功能块同义的情况下,多个功能块270中的功能块可以是CPU、GPU、显示处理单元、视频处理单元、音频处理单元、数字信号处理器、视频编码器、调制解调器、基带处理器、Bluetooth无线电调制解调器、Wi-Fi无线电调制解调器、接收器、发射器、相机或任何其他功能块。在一些示例中,多个组件270中的每个组件可以在不同的管芯上。在其他示例中,多个组件270可以包括在相同管芯上的至少两个组件、以及均在不同管芯上的至少两个组件。
[0053] 在图2的示例中,多个组件270被描绘为第一组件270-1、第二组件270-2和第N组件270-N,其中N是正整数。作为一个示例,第一组件270-1可以是CPU,并且第二组件270-2可以是GPU。作为另一示例,第一组件270-1可以是调制解调器(例如,无线通信调制解调器),并且第二组件270-2可以是CPU。在一个示例中,其中多个组件270包括五个组件,第一组件
270-1可以是CPU,第二组件270-2可以是GPU,第三组件270-3(在该示例中,其在图2中被图示为在两个组件270-2和270-N之间,其中N等于或大于5)可以是显示处理单元,第四组件
270-4(在该示例中,其在图2中被图示为在组件270-2和270-N之间,其中N等于或大于5)可以是相机,并且第五组件270-5(在该示例中,其在图2中被图示为在组件270-2和270-N之间,其中N大于5,或者被图示为270-N,其中N等于5)可以是无线通信调制解调器(例如,基带处理器、Bluetooth无线电调制解调器或Wi-Fi无线电调制解调器,诸如802.11无线电调制解调器)。
[0054] 多个组件270中的每个组件可以通信地耦合到多个存储器210中的一个或多个存储器。在一些示例中,多个存储器210中的一个或多个存储器可以通信地耦合到多个组件270中的仅一个组件,和/或多个存储器210中的一个或多个存储器通信地耦合到多个组件
270中的两个或更多个组件。以其他方式来描述,在一些示例中,多个存储器210中的一个或多个存储器可以在多个组件之间被共享,和/或多个存储器210中的一个或多个存储器可以不在多个组件之间被共享。
[0055] 例如,第一组件270-1可以通信地耦合到第一多个存储器,并且第二组件270-2可以通信地耦合到第二多个存储器。以其他方式来描述,第一组件270-1可以被配置为向第一多个存储器写入数据和/或从第一多个存储器读取数据,并且第二组件270-2可以被配置为向第二多个存储器写入数据和/或从第二多个存储器读取数据。第一多个存储器和第二多个存储器均是多个存储器210的子集。在一些示例中,第一多个存储器和第二多个存储器中的至少一个存储器可以相同。在其他示例中,第一多个存储器和第二多个存储器可以不包括任何共同的存储器。在一个示例中,第一多个存储器可以包括存储器210-1和210-2,并且第二多个存储器可以包括存储器210-3和210-4。在另一例子中,第一多个存储器和第二多个存储器二者均可以包括存储器210-1和210-2。在另一示例中,第一多个存储器可以包括存储器210-1、210-2和210-3;并且第二多个存储器可以包括存储器210-3和210-4。
[0056] 存储器修复单元202可以被配置为执行本文中描述的针对多个存储器210的一种或多种存储器修复技术,其在下面关于图3、4A、4B、5A、5B和6更详细地描述。存储器修复单元202可以通信地耦合到内部存储器205。例如,存储器修复单元202可以通信地耦合到多个存储器210和修复信息存储器220。在一些示例中,存储器修复单元202可以被配置为从修复信息存储器220接收信息。在一些示例中,存储器修复单元202可以被配置为在触发事件发生时,从修复信息存储器220接收信息。例如,修复信息存储器220可以被配置为响应于触发事件而向存储器修复单元202发送被存储在修复信息存储器220上的信息。在一些示例中,触发事件可以包括SOC 200的加电。存储器修复单元202可以被配置为处理从修复信息存储器220接收的信息。基于对从修复信息存储器220接收的信息的处理,存储器修复单元202可以被配置为向多个存储器210中的至少一个存储器输出信息,以在至少一个存储器上启用存储器修复。在一些示例中,术语“数据”和“信息”可以是可互换的。
[0057] 在图2的示例中,存储器修复单元202经由多个通信连接240通信地耦合到多个存储器210。例如,SOC 200可以被描述为包括多个通信连接240,其用于通信地耦合存储修复单元202和多个存储器210。在一些示例中,存储器修复单元202可以经由通信连接230而被通信地耦合到修复信息存储器220。例如,SOC 200可以被描述为包括通信连接230,其用于通信地耦合存储器修复单元202和修复信息存储器220。通信连接230图示了存储器修复单元202与修复信息存储器220之间的直接连接的一个示例。在该示例中,并行到串行(P2S)转换器和串行到并行(S2P)转换器可能不存在、或者以其他方式被定位在存储器修复单元202与修复信息存储器220之间。在一些示例中,通信连接230可以表示单个导电路径,诸如单个导线或单个迹线。在其他示例中,通信连接230可以表示多个导电路径(例如,10、100、500、800、1000或更多个导电路径)。
[0058] 在其他示例中,存储器修复单元202可以经由通信连接234而被通信地耦合到串行到并行(S2P)转换器252,并且修复信息存储器220可以经由通信连接232而被通信地耦合到并行到串行(P2S)转换器250。例如,SOC 200可以被描述为包括S2P转换器252和P2S转换器250以及通信连接232、234和236。S2P转换器252和P2S转换器250可以经由通信连接236而被通信地耦合。通信连接236图示了S2P转换器252与P2S转换器250之间的直接连接的一个示例。因为S2P转换器252和P2S转换器250在该示例中被定位在存储器修复单元202与修复信息存储器220之间,所以存储器修复单元202和修复信息存储器220可以被描述为彼此间接地通信地耦合。在一些示例中,通信连接232和234可以表示多个导电路径R,其中R是大于1的正整数。例如,R可以等于10、100、500、800或1000。通信连接236可以表示多个导电路径S,其中S是小于R的正整数。例如,假定S小于R,则S可以等于1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或更大。作为一个示例,其中S等于1,这表示通信连接236表示单个导电路径。
[0059] P2S转换器250可以被配置为对并行数据进行串行化(例如,将并行数据转换为串行数据)。P2S转换器250可以包括两个或更多个输入、以及一个或多个输出。作为一个示例,P2S转换器250可以被配置为在两个输入上接收数据,对在两个输入上接收到的数据进行串行化,并且使用单个输出来输出经串行化的数据。作为另一示例,P2S转换器250可以被配置为在四个输入上接收数据,对在四个输入上接收到的数据进行串行化,并且使用单个输出来输出经串行化的数据。作为另一示例,P2S转换器250可以被配置为在四个输入上接收数据,对在四个输入中的第一输入和第二输入上接收到的数据进行串行化,对在四个输入中的第三输入和第四输入上接收到的数据进行串行化,使用第一输出来输出与第一输入和第二输入相对应的经串行化的数据,并且使用第二输出来输出与第三输入和第四输入相对应的经串行化的数据。作为另一示例,P2S转换器250可以被配置为在X个输入上接收数据,对在X个输入上接收到的数据进行串行化,并且使用Y个输出来输出经串行化的数据,其中X和Y是正整数并且Y小于X。在这点上,通信连接236可以表示P2S转换器250的Y个输出被通信地耦合到S2P转换器252的输入。
[0060] S2P转换器252可以被配置为执行P2S转换器250的逆功能。例如,S2P转换器252可以被配置为对串行数据进行解串行化(例如,将串行数据转换为并行数据)。S2P转换器252可以包括一个或多个输入、以及两个或更多个输出。作为示例,S2P转换器252可以被配置为在一个输入上从P2S转换器250接收经串行化的数据,对在该输入上接收到的经串行化的数据进行解串行化,并且使用两个输出来输出经解串行化的数据。作为另一示例,S2P转换器252可以被配置为在一个输入上从P2S转换器250接收经串行化的数据,对在该输入上接收到的经串行化的数据进行解串行化,并且使用四个输出来输出经解串行化的数据。作为另一示例,S2P转换器252可以被配置为在两个输入上从P2S转换器250接收经串行化的数据,对在两个输入中的第一输入上接收到的经串行化的数据进行解串行化,对在两个输入中的第二输入上接收到的经串行化的数据进行解串行化,使用两个或更多个输出来输出与第一输入相对应的经解串行化的数据,并且使用如下两个或更多个输出来输出与第二输入相对应的经解串行化的数据,该两个或更多个输出不同于前述用于输出与第一输入相对应的经解串行化的数据两个或更多个输出。作为另一示例,S2P转换器252可以被配置为在X'个输入上接收数据,对在X'个输入上接收到的串行化的数据进行解串行化,并且使用Y'个输出来输出经解串行化的数据,其中X'和Y'是正整数并且X'小于Y'。在一些示例中,X可以等于Y',并且Y可以等于X'。例如,通信连接236可以表示P2S转换器250的Y个输出被通信地耦合到S2P转换器252的X'个输入。以其他方式来描述,用于从修复信息存储器220接收数据的P2S转换器250的输入的数目可以等于用于向存储器修复单元202发送经解串行化的数据的S2P转换器252的输出的数目。类似地,用于向S2P转换器252发送经串行化的数据的P2S转换器250的输出的数目可以等于用于从P2S转换器250接收经串行化的数据的S2P转换器252的输入的数目。
[0061] 在一些示例中,尽管在图2中示出了存储器修复单元202与修复信息存储器220之间的通信耦合的两个示例,但是可以实现仅一个示例。另外,尽管在图2中示出了存储器修复单元202与修复信息存储器220之间的通信耦合的两个示例,但是存储器修复单元202与修复信息存储器220之间的通信耦合的各种其他示例也可以存在,但是未被描绘。
[0062] 关于多个通信连接240,多个存储器210中的每个存储器可以单独地被通信耦合到存储器修复单元202。如图2的示例中所示,存储器修复单元202可以经由通信连接240-1而被通信地耦合到第一存储器210-1,存储器修复单元202可以经由通信连接240-2而被通信地耦合到第二存储器210-2,并且存储器修复单元202可以经由通信连接240-M而被通信地耦合到第N存储器210-N,其中M等于N。在一些示例中,每个相应的通信连接240-1至240-M可以表示单个导电路径,诸如单个导线或单个迹线。
[0063] 如上所述,存储器可以是指任何包括修复启用输入、一个或多个输入和/或输出、多个存储器单元和一个或多个保留存储器单元的存储器(例如,集成电路存储器、存储器芯片、存储器微芯片等)。例如,第一存储器210-1可以包括修复启用输入212-1、一个或多个输入和/或输出214-1、多个存储器单元216-1和一个或多个保留存储器单元218-1;第二存储器210-2可以包括修复启用输入212-2、一个或多个输入和/或输出214-2、多个存储器单元216-2和一个或多个保留存储器单元218-2;并且第N存储器210-N可以包括修复启用输入
212-N、一个或多个输入和/或输出214-N、多个存储器单元216-N和一个或多个保留存储器单元218-N。
[0064] 在一些示例中,修复信息存储器220可以被配置为存储缺陷存储器地址信息,缺陷存储器地址信息与多个存储器210中的一个或多个存储器相对应。缺陷存储器地址信息可以包括与存储器中的有缺陷的存储器单元相对应的存储器地址、与存储器中的有缺陷的存储器单元驻留在其中的一行存储器单元相对应的存储器地址(例如,行地址)、和/或与存储器中的有缺陷的存储器单元驻留在其中的一列存储器单元相对应的存储器地址(例如,列地址)。作为一个示例,如果第一存储器210-1包括有缺陷的存储器单元,则修复信息存储器220可以被配置为存储与第一存储器210-1中的有缺陷的存储器单元相对应的存储器地址信息。为了减少修复信息存储器220的消耗,被存储在修复信息存储器220中的信息可以进行编码。例如,缺陷存储器地址信息可以在存储在修复信息存储器220中之前被编码或以其他方式进行压缩。
[0065] 在一些示例中,修复信息存储器220可以被配置为存储多个存储器210中的一个或多个存储器的相应的存储器标识符。存储器标识符可以唯一地标识存储器标识符所对应的存储器。作为一个示例,多个存储器210中的包括至少一个有缺陷的存储器单元的每个存储器可以与被存储在修复信息存储器220中的相应的存储器标识符相关联。在这样的示例中,如果特定存储器没有包括有缺陷的存储器单元,则修复信息存储器220可以不被配置为存储与该特定存储器相对应的存储器标识符。在这样的示例中,存储器标识符可以指示与其相对应的存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元。例如,多个存储器210可以包括四个存储器210-1、210-2、210-3和210-4。然而,仅第一存储器210-1和第二存储器210-2可以是多个存储器之中包括至少一个有缺陷的存储器单元的存储器。因此,与第一存储器210-1相对应的第一存储器标识符可以存储在修复信息存储器220中,并且与第二存储器210-2相对应的第二存储器标识符可以存储在修复信息存储器220中,但是第三存储器210-3和第四存储器210-4的存储器标识符可以不被存储在修复信息存储器220中。
[0066] 作为另一示例,多个存储器210中的每个存储器可以与相应的存储器标识符相关联,而无论该存储器是否包括有缺陷的存储器单元。例如,如果多个存储器210包括四个存储器,则第一存储器标识符可以对应于第一存储器210-1,第二存储器标识符可以对应于第二存储器210-2,第三存储器标识符可以对应于第三存储器210-3,并且第四存储器标识符可以对应于第四存储器210-4。修复信息存储器220可以被配置为存储数据结构,该数据结构包括对应于包括至少一个有缺陷的存储器单元的存储器的每个存储器标识符。在该示例中,如果四个存储器之中仅第三存储器210-3包括至少一个有缺陷的存储器单元,则数据结构可以仅包括第三存储器标识符。在这样的示例中,被包括在数据结构中的存储器标识符可以指示与该存储器标识符相对应的存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元。在一些示例中,数据结构可以被称为存储器缺陷数据结构,其包括标识多个存储器210中的包括至少一个有缺陷的存储器单元的一个或多个存储器的信息。该信息可以例如包括存储器标识符。
[0067] 在一些示例中,存储器标识符的长度可以是多个比特。例如,存储器标识符的长度可以是N个比特(其中N是大于1的整数),其可以被描述为用于表示存储器标识符的比特数目。作为另一示例,如下面更详细地描述的,N可以基于诸如对数基数2算法的算法来确定。作为另一示例,N可以是固定比特数目。在这样的示例中,N可以大于log2(x),其中x可以等于多个存储器210中的存储器的总数目、或等于包括至少一个有缺陷的存储器单元的存储器的数目。例如,N可以等于任何大于log2(x)的数字。例如,在多个存储器210包括四个存储器的情况下,代替使用两比特来唯一地表示四个存储器,N可以大于2。在N=4的一个示例中,分别与第一存储器、第二存储器、第三存储器和第四存储器相对应的第一存储器标识符、第二存储器标识符、第三存储器标识符和第四存储器标识符可以具有以下相应值:
1000、0100、0010和0001。在一些示例中,N可以等于多个存储器210中的存储器的总数目。
[0068] 在一些示例中,被用来表示存储器标识符的比特数目可以使用诸如对数基数2算法的算法来导出。对数基数2算法可以定义为log2(x)=z,其中z是结果log2(x),并且x可以等于多个存储器210的存储器的总数目、或者等于包括至少一个有缺陷的存储器单元的存储器的数目。在一些示例中,z的结果可以向上取整为最接近的整数。例如,如果多个存储器210包括1012个存储器,则log2(1010)=9.983,其结果可以取整为10。值10可以表示用于标识多个存储器210中的每个存储器的比特数目。作为另一示例,如果多个存储器210包括52个存储器,则log2(52)=5.7,其结果可以取整为6。值6可以表示用于标识多个存储器210中的每个存储器的比特数目。作为一个示例,多个存储器210可以包括存储器210-1、210-2、
210-3和210-4。Log2(4)=2,意味着2比特可以用作每个存储器的存储器标识符。在该示例中,与第一存储器210-1相对应的第一存储器标识符可以是二进制数00,与第二存储器210-
2相对应的第二存储器标识符可以是二进制数01,与第三存储器210-3相对应的第三存储器标识符可以是二进制数10,并且与第四存储器210-4相对应的第四存储器标识符可以是二进制数11。类似地,如果包括至少一个有缺陷的存储器单元的存储器的数目是60,则log2(60)=5.907,其结果可以取整为6。值6可以表示用于标识多个存储器210中的包括至少一个有缺陷的存储器单元的每个存储器的比特数目。
[0069] 关于存储器的修复启用输入,修复启用输入可以被配置为向存储器通知该存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元。例如,存储器修复单元202可以被配置为向存储器的修复启用输入发送信息,以向存储器通知该存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元。以其他方式来描述,修复启用输入可以被配置为由于存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元,而在该存储器上启用存储器修复。例如,存储器修复单元202可被配置为由于存储器包含至少一个有缺陷的存储器单元,而向该存储器的修复启用输入发送信息,以在该存储器上启用存储器修复。
[0070] 在一些示例中,由存储器修复单元202发送给存储器的修复启用输入的信息可以是第一值或第二值。在一些示例中,第一值可以指示存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元,并且第二值可以指示存储器没有包括至少一个有缺陷的存储器单元。在这样的示例中,第一值可以启用在存储器上的存储器修复,而第二值可以不启用或以其他方式禁用在存储器上的存储器修复。在一些示例中,第一值可以是“1”、真值、启用值、非零电压、热信号等。第二值可以是“0”、假值、禁用值、零电压等。
[0071] 尽管以上将存储器修复单元202描述为被配置为向存储器的修复启用输入发送第一值或第二值,但是应当理解,值的传输或发送也可以是指在导电路径上的输出值。作为示例,存储器修复单元202可以被配置为在导电路径上输出零伏,该导电路径通信地耦合存储器的修复启用输入与存储器修复单元202。存储器可以被配置为读取在导电路径上输出的值。例如,存储器可以被配置为测量修复启用输入处相对于地的电压。关于零电压输出示例,虽然在导电路径上输出的值为零伏,但是存储器可以被配置为读取或以其他方式测量修复启用输入处的作为零伏的值。在另一示例中,其中在导电路径上输出的值是非零电压,存储器可以被配置为读取或以其他方式测量修复启用输入处的作为非零电压的值。在这点上,关于存储器修复单元202被配置为向存储器的修复启用输入传输或发送信息,其可以是指存储器修复单元202被配置为在导电路径上输出信息,该导电路径连接存储器修复单元202与存储器的修复启用输入。类似地,关于存储器修复单元202被配置为在连接存储器修复单元202与存储器的修复启用输入的导电路径上输出信息,其可以是指存储器修复单元
202被配置为使用导电路径向存储器的修复启用输入传输或发送信息。
[0072] 本文中描述的一种或多种技术可以以硬件、软件、固件或其任何组合来实现。例如,在本文中描述的一种或多种技术以硬件实现的情况下,存储器修复单元202可以是这样的硬件或多个硬件组件中的一个组件,其被配置为一起操作以执行本文中描述的一种或多种技术的。在这样的示例中,硬件可以被配置为执行软件或固件,该软件或固件在被执行时可以执行本文中描述的一种或多种技术。任何软件和/或固件可以存储在非暂态存储介质上,诸如硬件的片上存储器(例如,SOC 200的内部存储器105)。
[0073] 图3示出了根据本文中描述的技术的针对修复信息存储器320的示例数据结构。修复信息存储器320可以是本文中描述的任何修复信息存储器,诸如修复信息存储器120或修复信息存储器220。
[0074] 在图3的示例中,修复信息存储器320包括数据结构303。数据结构303可以包括缺陷存储器地址信息305。缺陷存储器地址信息305可以包括与一个或多个存储器相对应的一个或多个缺陷存储器地址。例如,在修复信息存储器320是修复信息存储器120的情况下,缺陷存储器地址信息305可以包括与多个存储器110中的一个或多个存储器相对应的一个或多个缺陷存储器地址。作为另一示例,在修复信息存储器320是修复信息存储器220的情况下,缺陷存储器地址信息305可以包括与多个存储器210中的一个或多个存储器相对应的一个或多个缺陷存储器地址。缺陷存储器地址可以包括与存储器中的有缺陷的存储器单元相对应的存储器地址;与存储器中的一行存储器单元相对应的存储器地址(例如,行地址),其中有缺陷的存储器单元驻留在该一行存储器单元中;和/或与存储器中的一列存储器单元相对应的存储器地址(例如,列地址),其中有缺陷的存储器单元驻留在该一列存储器单元中。
[0075] 数据结构303可以包括存储器标识符信息307。存储器标识符信息307可以包括存储器标识符,该存储器标识符与包括至少一个有缺陷的存储器单元的每个存储器。例如,在修复信息存储器320是修复信息存储器120的情况下,存储器标识符信息307可以包括一个或多个存储器标识符,该一个或多个存储器标识符与多个存储器110中的包括至少一个有缺陷的存储器单元的一个或多个存储器相对应。作为另一示例,在修复信息存储器320是修复信息存储器220的情况下,存储器标识符信息307可以包括一个或多个存储器标识符,该一个或多个存储器标识符与多个存储器210中的包括至少一个有缺陷的存储器单元的一个或多个存储器
[0076] 图4A示出了根据本公开的一种或多种技术的示例存储器修复单元402。存储器修复单元402可以是本文中描述的任何存储器修复单元,诸如存储器修复单元102或存储器修复单元202。图4A和4B中的相似附图标记可以对应于诸如图1和2等其他附图中的相似附图标记。例如,多个通信连接440可以是多个通信连接140或多个通信连接240。作为另一示例,多个存储器410可以是多个存储器110或多个存储器210。
[0077] 在图4A的示例中,存储器修复单元402可以被配置为接收一个或多个存储器标识符。一个或多个存储器标识符对应于多个存储器410中的一个或多个存储器。存储器修复单元402可以被配置为确定多个存储器410之中的哪个存储器对应于所接收的每个存储器标识符。在一些示例中,诸如在图4A的所描绘的示例中,存储器修复单元402可以被配置为通过使用修复启用存储器映射409,来确定哪个存储器对应于所接收的存储器标识符。修复启用存储器映射409可以被认为是查找表,该查找表将输入(例如,存储器标识符)映射到特定存储器。例如,存储器修复单元402可以被配置为将所接收的特定存储器标识符输入到修复启用存储器映射409中,以确定与所接收的特定存储器标识符相对应的存储器。修复启用存储器映射409可以包括针对多个存储器410中的每个存储器的映射,这意味着修复启用存储器映射409可以将存储器标识符映射到多个存储器410中的每个存储器。在所示出的示例中,多个存储器410包括被映射到对应的存储器标识符MID 1、2、3和4的四个存储器。MID是存储器标识符的首字母缩写。每个MID可以是由多个比特定义的二进制值。例如,MID 1可以是00,MID 2可以是01,MID 3可以是10,并且MID 4可以是11。
[0078] 响应于确定(例如,标识)与所接收的存储器标识符相对应的存储器,存储器修复单元402可以被配置为向存储器的修复启用输入输出值,以在该存储器上启用存储器修复。其中存储器修复被启用的存储器可以被配置为使用一个或多个保留存储器单元来取代一个或多个有缺陷的存储器单元。启用在存储器上的存储器修复可以向存储器通知该存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元。
[0079] 作为一个示例,假设存储器修复单元402接收MID 1和MID 4。存储器修复单元402可以被配置为确定存储器410-1对应于MID 1,并且存储器410-4对应于MID 4。存储器修复单元402可以被配置为通过使用修复启用存储器映射409来确定存储器410-1对应于MID 1。例如,存储器修复单元402可以被配置为将MID 1输入到修复启用存储器映射409中,来确定与MID 1相对应的存储器是存储器410-1。类似地,存储器修复单元402可以被配置为通过使用修复启用存储器映射409来确定存储器410-4对应于MID 4。例如,存储器修复单元402可以被配置为将MID 4输入到修复启用存储器映射409中,来确定与MID 4相对应的存储器是存储器410-4。响应于确定存储器410-1对应于MID 1,存储器修复单元402可以被配置为向存储器410-1的修复启用输入412-1输出第一值,以在存储器410-1上启用存储器修复。类似地,响应于确定存储器410-4对应于MID 4,存储器修复单元402可以被配置为向存储器410-
4的修复启用输入412-4输出第二值,以在存储器410-4上启用存储器修复。除了第一值被输出到存储器410-1的修复启用输入412-1并且第二值被输出到存储器410-4的修复启用输入
412-4之外,第一值和第二值可以相同。
[0080] 在一些示例中,存储器修复单元402可以被配置为并行地输出第一值和第二值。在这样的示例中,存储器修复单元402可以被配置为以如下顺序来输出第一值和第二值,存储器标识符以该顺序被接收和处理。例如,存储器修复单元402可以被配置为将多个存储器标识符串行地输入到修复启用存储器映射409中。在这样的示例中,存储器修复单元402可以被配置为向这样的每个修复启用输入串行地输出值,该每个修复启用输入与接收到其存储器标识符的每个存储器相对应。然而,存储器修复单元402还可以被配置为维持每个输出。在一些示例中,存储器修复单元402可以被配置为将每个输出维持一时间段。在这样的示例中,该时间段可以是固定时间段或默认时间段。在其他示例中,存储器修复单元402可以被配置为维持每个输出直到触发事件的发生。在这样的示例中,触发事件可以包括存储器修复单元402的断电(power down)。触发事件可以包括存储器修复单元402的断电、或在其中存储器修复单元402被实现的存储器系统的断电。触发事件可以包括计时器的完成(无论是递减到某个值还是递增到某个值)。触发事件可以与本文中描述的触发事件的示例不同。因此,虽然每个输出可以串行地发生,但是每个输出的维持可以导致存储器修复单元402被配置为并行地输出多个值。例如,存储器修复单元402可以被配置为在将第二值输出给修复启用输入412-4之前,将第一值输出给修复启用输入412-1,并且存储器修复单元402可以被配置为在将第一值输出给修复启用输入412-1之后,将第二值输出给修复启用输入412-4。然而,即使第二值可能相对于第一值的输出而已经被串行地输出,存储器修复单元402可以被配置为维持第一值的输出,导致第二值与第一值并行地输出。
[0081] 在一些示例中,存储器修复单元402可以被配置为向与这样的存储器相对应的修复启用输入输出默认值,这样的存储器是其存储器标识符未被存储器修复单元402接收到的每个存储器。默认值可以禁用在不需要修复的每个存储器上的存储器修复。例如,存储器修复单元402可以没有接收到MID 2和MID 3。响应于没有接收到MID 2和MID 3,存储器修复单元402可以被配置为分别向存储器410-2和410-3的每个修复启用输入412-2和412-3输出默认值。
[0082] 在其他示例中,存储器修复单元402可以被配置为向与这样存储器相对应的修复启用输入不输出任何值,这样的存储器是其存储器标识符未被存储器修复单元402接收到的每个存储器。通过不输出值,与这样的存储器中的每个存储器相对应的修复启用输入可以处于默认值(例如,0伏),导致在这样的存储器上存储器修复被禁用。例如,存储器修复单元402可以没有接收到MID 2和MID 3。响应于未接收到MID 2和MID 3,存储器修复单元402可以被配置为不分别向存储器410-2和410-3的修复启用输入412-2和412-3中的每个输出任何值。结果,对于存储器410-2和410-3,存储器修复可以被禁用。
[0083] 图4B示出了根据本公开的一种或多种技术的示例存储器修复单元402。如上所述,存储器修复单元402可以是本文中描述的任何存储器修复单元,诸如存储器修复单元102或存储器修复单元202。
[0084] 在图4B的示例中,存储器修复单元402包括缓冲器411、解码器413和累加器415。缓冲器411可以通信地耦合到解码器413,并且解码器413可以通信地耦合到累加器415。解码器413可以包括多个累加器导电路径419。解码器413可以包括多个输出,其中每个输出通信地耦合到多个导电路径419中的相应累加器导电路径。例如,每个输出和每个累加器导电路径可以对应于多个存储器410中的相应存储器。
[0085] 在所示出的示例中,多个存储器410包括四个存储器。因此,多个累加器导电路径419可以包括与每个存储器相对应的累加器导电路径,诸如与第一存储器410-1相对应的第一累加器导电路径419-1、与第二存储器410-2相对应的第二累加器导电路径419-2、与第三存储器410-3相对应的第三累加器导电路径419-3和与第四存储器410-4相对应的第四累加器导电路径419-4。多个导电路径419的每个累加器导电路径可以通信地耦合到累加器415的存储电路,以将通过解码器的输出存储在该特定累加器导电路径上。在一些示例中,存储电路可以是存电路、触发器电路(例如,数据触发器电路,通常被称为D触发器)或任何其他存储电路。在一些示例中,术语“存储电路”也可以被称为累加器电路。每个存储电路可以包括输出,该输出通信地耦合到与存储电路相关联的存储器的修复启用输入。作为一个示例,累加器导电路径419-1可以将解码器413的第一输出通信地耦合到累加器415的第一存储电路417-1的输入。累加器导电路径419-2可以将解码器413的第二输出通信地耦合到累加器415的第二存储电路417-2的输入。累加器导电路径419-3可以将解码器413的第三输出通信地耦合到累加器415的第三存储电路417-3的输入。累加器导电路径419-4可以将解码器413的第四输出通信地耦合到累加器415的第四存储电路417-4的输入。
[0086] 累加器415的每个存储电路可以被配置为接收由解码器413在对应的累加器导电路径上所输出的值。累加器415的每个存储电路可以被配置为如下导电路径上输出所存储的值,该导电路径将存储器修复单元402(例如,存储器修复单元402的存储电路)通信地耦合到存储器的修复启用输入的。例如,导电路径440-1可以将存储电路417-1的输出通信地耦合到存储器410-1的修复启用输入412-1。导电路径440-2可以将存储电路417-2的输出通信地耦合到存储器410-2的修复启用输入412-2。导电路径440-3可以将存储电路417-3的输出通信地耦合到存储器410-3的修复启用输入412-3。导电路径440-4可以将存储电路417-4的输出通信地耦合到存储器410-4的修复启用输入412-4。
[0087] 在一些示例中,缓冲器411可以是移位寄存器。缓冲器411可以被配置为接收一个或多个存储器标识符。缓冲器411可以被配置为存储所接收的任何存储器标识符。在一些示例中,缓冲器411可以被配置为并行地接收一个或多个存储器标识符。在其他示例中,缓冲器411可以被配置为串行地接收一个或多个存储器标识符。在任一这样的示例中,缓冲器411可以被配置为向解码器413串行地输出被存储在缓冲器411中的一个或多个存储器标识符。例如,如果一个或多个存储器标识符的长度均是P比特(其中P是正整数),则缓冲器411可以并行地跨P个导电路径(例如,每个比特一个导电路径)将P个比特中的每个比特输出给解码器413。因此,虽然与相同存储器标识符相对应的比特可以从缓冲器411并行地输出,但是缓冲器411可以被配置为向解码器413串行地输出所接收的每个存储器标识符。
[0088] 在一些示例中,缓冲器411可以被配置为接收时钟信号。在这样的示例中,缓冲器411可以被配置为基于每个时钟周期,来输出与被存储在缓冲器411中的每个存储器标识符相对应的P个比特。例如,缓冲器411的每个输出可以由时钟信号来控制。作为一个示例,如果缓冲器411正存储有两个存储器标识符,则缓冲器411可以被配置为基于第一时钟周期(例如,响应于第一时钟周期)来输出第一存储器标识符,并且可以被配置为基于跟随第一时钟周期的第二时钟周期(例如,响应于第二时钟周期)来输出第二存储器标识符。如上所述,缓冲器411可以是移位寄存器。在这样的示例中,缓冲器411可以被称为移位寄存器411。
移位寄存器411可以被配置为基于第一时钟周期(例如,响应于第一时钟周期)来输出第一存储器标识符。移位寄存器411可以被配置为基于第二时钟周期(例如,响应于第二时钟周期)来将第二存储器标识符移位到移位寄存器中的输出位置。移位寄存器411可以被配置为基于第三时钟周期(例如,响应于第三时钟周期)来输出第二存储器标识符。第二时钟周期可以跟随在第一时钟周期之后,并且第三时钟周期可以跟随在第二时钟周期之后。在一些示例中,第一时钟周期和第二时钟周期可以在时钟信号中彼此相邻,并且第二时钟周期和第三时钟周期可以在时钟信号中彼此相邻。
[0089] 在一些示例中,移位寄存器411可以被配置为输出信息(例如,与第一存储器标识符相对应的P个比特)并且将移位寄存器中的该信息(例如,与第二存储器标识符相对应的P个比特)移位到输出位置。在一些示例中,这两个动作可以基于单个时钟周期而发生。在其他示例中,信息的输出可以基于第一时钟周期而发生,并且信息的移位可以基于第二时钟周期而发生。
[0090] 参考解码器413,解码器13可以被配置为接收被存储在缓冲器411中的每个存储器标识符。例如,解码器413可以被配置为串行地接收被存储在缓冲器411中的每个存储器标识符。如上所述,尽管解码器413可以被配置为串行地接收每个存储器标识符,但是解码器413可以被配置为并行地接收与每个存储器标识符相对应的每个比特。
[0091] 解码器413可以被配置为确定多个存储器410之中的哪个存储器对应于所接收的每个存储器标识符。在一些示例中,诸如在图4B的所描绘的示例中,存储器修复单元402可以被配置为通过使用修复启用存储器映射409,来确定哪个存储器对应于所接收的存储器标识符。修复启用存储器映射409可以被认为是查找表,该查找表将输入(例如,存储器标识符)映射到特定存储器。例如,解码器413可以被配置为将所接收的特定存储器标识符输入到修复启用存储器映射409中,以确定与所接收的特定存储器标识符相对应的存储器。修复启用存储器映射409可以包括针对多个存储器410中的每个存储器的映射,这意味着修复启用存储器映射409可以将存储器标识符映射到多个存储器410中的每个存储器。在所示出的示例中,多个存储器410包括四个存储器,其被映射到对应的存储器标识符MID 1、2、3和4(在图4A中描绘了修复启用存储器映射409的更详细版本)。每个MID可以是由多个比特定义的二进制值。例如,MID 1可以是00,MID 2可以是01,MID 3可以是10,并且MID 4可以是11。
[0092] 响应于确定(例如,标识)与所接收的存储器标识符相对应的存储器,解码器413可以被配置为向与存储器相对应的累加器415的存储电路输出值。如上所述,存储电路通信地耦合到存储器的修复启用输入。基于由存储电路输出给存储器的修复启用输入的值,存储器可以被配置为启用或禁用存储器修复。例如,如果由存储电路输出的值指示存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元,则存储器可以被配置为启用存储器修复。然而,如果由存储电路输出的值指示存储器没有包括至少一个有缺陷的存储器单元,则存储器可以被配置为禁用存储器修复。如本文中描述的,存储器修复被启用的存储器可以被配置为使用一个或多个保留存储器单元来取代一个或多个有缺陷的存储器单元。启用在存储器上的存储器修复可以向该存储器通知该存储器包括至少一个有缺陷的存储器单元。
[0093] 作为一个示例,假定解码器413接收MID 1。解码器413可以被配置为确定存储器410-1对应于MID 1。解码器413可以被配置为通过使用修复启用存储器映射409来确定存储器410-1对应于MID 1。例如,解码器413可以被配置为将MID 1输入到修复启用存储器映射
409中,以确定与MID 1相对应的存储器是存储器410-1。响应于确定存储器410-1对应于MID 
1,解码器413可以被配置为在累加器导电路径419-1上输出第一值。存储电路417-1可以被配置为接收第一值并且存储第一值。存储电路417-1可以被配置为向存储器410-1的修复启用输入412-1输出所存储的值,以在存储器410-1上启用存储器修复。
[0094] 如本文中使用的,根据一些示例,由本文中描述的解码器输出的值可以包括第一值或第二值。在一些示例中,第一值可以是“1”、真值、启用值、非零电压、热信号等。第二值可以是“0”、假值、禁用值、零电压等。尽管解码器可以被描述为被配置为发送值(例如,给累加器),但是应当理解,值的传输或发送也可以是指在导电路径上的输出值。
[0095] 如本文中使用的,根据一些示例,由累加器(例如,累加器的存储电路)输出的值可以是第一值或第二值。在一些示例中,第一值可以是“1”、真值、启用值、非零电压、热信号等。第二值可以是“0”、假值、禁用值、零电压等。尽管累加器(例如,累加器的存储电路)可以被描述为被配置为发送值(例如,给存储器,诸如给存储器的修复启用输入),但是应当理解,值的传输或发送也可以是指在导电路径上的输出值。
[0096] 如本文中使用的,根据一些示例,由存储器修复单元输出的值可以是第一值或第二值。在一些示例中,第一值可以是“1”、真值、启用值、非零电压、热信号等。第二值可以是“0”、假值、禁用值、零电压等。尽管存储器修复单元可以被描述为被配置为发送值(例如,给存储器,诸如给存储器的修复启用输入),但是应当理解,值的传输或发送也可以是指在导电路径上的输出值。
[0097] 在确定所接收的MID 1对应于存储器410-1之后、和/或在累加器导电路径419-1上输出第一值之后,解码器413可以接收MID 4。解码器413可以被配置为确定存储器410-4对应于MID 4。解码器413可以被配置为通过使用修复启用存储器映射409来确定存储器410-4对应于MID 4。例如,解码器413可以被配置为将MID 4输入到修复启用存储器映射409中,以确定与MID 4相对应的存储器是存储器410-4。响应于确定存储器410-4对应于MID 4,解码器413可以被配置为在累加器导电路径419-4上输出第二值。存储电路417-4可以被配置为接收第二值并且存储第二值。除了第一值被输出到与存储器410-1相对应的存储电路417-1、而第二值被输出到与存储器410-4相对应的存储电路417-4之外,第一值和第二值可以相同。存储电路417-4可以被配置为向存储器410-4的修复启用输入412-4输出所存储的值,以在存储器410-1上启用存储器修复。
[0098] 在一些示例中,解码器413可以被配置为串行地输出第一值和第二值。例如,解码器413可以被配置为一次在单个输出上输出值。参考上面的MID 1和MID 4的示例,解码器413可以不被配置为并行地输出第一值和第二值。然而,累加器415可以被配置为使得解码器413能够串行地输出值。例如,如上所述,累加器包括与每个存储器相对应的存储电路,并且累加器415的每个存储电路可以被配置为存储所接收的值。作为示例,每个存储电路可以被配置为存储真值,并且即使随后接收到假值的情况下仍维持对真值的存储。以其他方式来描述,累加器415的每个存储电路可以被配置为在接收到假值时不覆盖所存储的真值。在该示例中,即使解码器413可能正在向先前已经接收到真值的存储电路输出假值,该存储电路也不存储假值。代替地,存储电路维持真值的存储,并且可以继续向与其相对应的存储器的修复启用输入输出真值(例如,直到发生触发事件)。在一些示例中,累加器415的每个存储电路可以被配置为将其相应的输出维持一时间段。在这样的示例中,该时间段可以是固定时间段或默认时间段。在其他示例中,累加器415的每个存储电路可以被配置为维持每个输出直到触发事件的发生。在这样的示例中,触发事件可以包括累加器415的断电。触发事件可以包括累加器415的断电、或存储器系统的断电,其中累加器415在该存储器系统中被实现。触发事件可以包括计时器的完成(无论是递减到某个值还是递增到某个值)。触发事件可以与本文中描述的触发事件的示例不同。
[0099] 参考上面的MID 1和MID 4的示例,第一值和第二值可以分别是真值的一个示例。例如,响应于确定存储器410-4对应于MID 4,解码器413可以被配置为在累加器导电路径
419-4上输出第二值。然而,由于解码器413可能不被配置为与第一值并行地输出第二值,所以在解码器413向存储电路417-4输出第二值时,解码器413可能未向存储电路417-1输出第一值。结果,存储电路417-1的输入处的值可以从第一值(例如,真值)改变为另一值(例如,假值)。在该示例中,存储电路417-1可以被配置为不存储假值;代替地,存储电路417-1可以被配置为维持第一值的存储。以这种方式,累加器415可以被配置为累加由解码器413串行地输出的多个值。以其他方式来描述,尽管解码器413可以被配置为以串行方式输出目的地为不同存储器的值,但是累加器415可以被配置为对由解码器413串行地输出的值进行累加,并且并行地输出目的地为不同存储器的经累加的值。
[0100] 在一些示例中,解码器413可以被配置为向与这样的存储器相对应的存储电路输出默认值,这样的存储器是其存储器标识符未被解码器413接收到的每个存储器。默认值可以在每个这样的存储器上禁用存储器修复。例如,解码器413可以没有接收到MID 2和MID 3。响应于没有接收到MID 2和MID 3,解码器413可以被配置为向存储电路417-2的输入和存储电路417-3的输入输出(例如,串行地输出)默认值。在一个示例中,真值可以对应于正电压,而假值可以对应于负电压。在这样的示例中,由解码器413相应地输出给存储电路417-1和存储电路417-4的第一值和第二值可以均是真值的一个示例。
[0101] 在其他示例中,解码器413可以被配置为不向与这样的存储器相对应的存储电路输出任何值,这样的存储器是其存储标识符未被解码器413接收到的每个存储器。通过不输出值,与每个这样的存储器相对应的修复启用输入可以处于默认值(例如,0伏)。例如,与其存储器标识符未被解码器413接收到的每个存储器相对应的存储电路可以存储默认值,并且将该默认值输出给与该存储电路相关联的存储器相对应的输入。例如,解码器413可以没有接收到MID 2和MID 3。响应于没有接收到MID 2和MID 3,存储器修复单元402可以被配置为不向存储电路417-2和存储电路417-3中的每个存储电路输出任何值。存储电路417-2可以将默认值输出给存储器410-2的修复启用输入412-2。类似地,存储电路417-3可以将默认值输出给存储器410-3的修复启用输入412-3。结果,针对存储器410-2和410-3,存储器修复可以被禁用。
[0102] 图5A和5B示出了根据本公开的一种或多种技术的存储器修复方法的示例流程图500。该方法可以由处理单元(例如,处理单元100)或SOC(例如,SOC 200)的存储器修复单元(或存储器修复单元的一个或多个组件)来执行,存储器修复单元诸如存储器修复单元102、存储器修复单元202或存储器修复单元402。在一些示例中,流程图500中所示的方法可以包括未在图5A和5B中示出的本文中描述的一个或多个功能(例如,关于图1、2、3、4A和/或4B描述的一个或多个功能),和/或可以排除一个或多个示出的功能。
[0103] 在框502处,存储器修复单元的解码器可以被配置为接收一个或多个存储器标识符。一个或多个存储器标识符可以存储在存储器(例如,修复信息存储器)中,其通信地耦合到存储器修复单元。例如,解码器可以被配置为从存储器接收一个或多个标识符。所接收的每个存储器标识符可以分别对应于通信地耦合到存储器修复单元的多个存储器中的存储器。在一些示例中,关于多个存储器通信地耦合到存储器修复单元,其可以是指多个存储器通信地耦合到存储器修复单元的累加器。在一些示例中,关于多个存储器通信地耦合到存储器修复单元的累加器,其可以是指多个存储器中的每个存储器通信地耦合到累加器的相应存储电路。在一些示例中,术语“存储电路”也可以被称为累加器电路。例如,如果多个存储器包括50个存储器,则累加器可以包括50个存储电路,50个存储器中的每个存储器一个存储电路。例如,50个存储器中的第一存储器(例如,第一存储器的修复启用输入)可以通信地耦合到第一存储电路的输出,并且50个存储器中第五十存储器(例如,第五十存储器的修复启用输入)可以通信地耦合到第五十存储电路的输出。
[0104] 在所示出的示例中,在框502A处,解码器可以被配置为接收第一存储器标识符。第一存储器标识符可以对应于第一存储器。第一存储器可以是通信地耦合到存储器修复单元的多个存储器中的存储器。在框502B处,解码器可以被配置为接收第二存储器标识符。第二存储器标识符可以对应于第二存储器。第二存储器可以是通信地耦合到存储器修复单元的多个存储器中的存储器。在一些示例中,解码器可以在接收第二存储器标识符之前接收第一存储器标识符。以其他方式来描述,解码器可以在接收第一存储器标识符之后接收第二存储器标识符。
[0105] 在一些示例中,存储器修复单元可以包括缓冲器。缓冲器可以是移位寄存器。如上所述,一个或多个存储器标识符可以存储在存储器(例如,修复信息存储器)中,该存储器通信地耦合到存储器修复单元。在包括缓冲器的示例中,缓冲器可以被配置为从存储器接收一个或多个标识符。例如,在框501处,缓冲器可以被配置为接收一个或多个存储器标识符。在框501A处,缓冲器可以被配置为接收第一存储器标识符。在框501B处,缓冲器可以被配置为接收第一存储器标识符。缓冲器可以被配置为将所接收的一个或多个存储器标识符存储在缓冲器中。在框503处,缓冲器可以被配置为向解码器输出所接收的一个或多个存储器标识符。例如,缓冲器可以被配置为向解码器输出被存储在缓冲器中的、所接收的一个或多个存储器标识符。在这样的示例中,解码器可以被配置为从缓冲器接收一个或多个存储器标识符。例如,在框503A处,缓冲器可以被配置为向解码器输出第一存储器标识符。在框503B处,缓冲器可以被配置为向解码器输出第二存储器标识符。在一些示例中,缓冲器可以被配置为向解码器串行地输出所接收的每个存储器标识符。例如,缓冲器可以被配置为在将第一存储器标识符输出给解码器之后,将第二存储器标识符输出给解码器。
[0106] 在框504处,解码器可以被配置为确定(例如,标识)哪个存储器对应于所接收的存储器标识符。例如,解码器可以被配置为确定通信地耦合到存储器修复单元的多个存储器之中的哪个存储器对应于所接收的存储器标识符。在所示出的示例中,在框504A处,解码器可以被配置为确定第一存储器标识符对应于第一存储器。在框504B处,解码器可以被配置为确定第二存储器标识符对应于第二存储器。在一些示例中,为了确定哪个存储器对应于所接收的存储器标识符,解码器可以被配置为将所接收的存储器标识符输入到数据结构中,该数据结构将多个存储器标识符映射到通信地耦合到存储器修复单元的多个存储器。例如,为了确定第一存储器标识符对应于第一存储器,在框504A-1处,解码器可以被配置为将第一存储器标识符输入到数据结构中,该数据结构将多个存储器标识符映射到多个存储器。数据结构可以指代修复启用存储器映射。例如,为了确定第二存储器标识符对应于第二存储器,在框504B-1处,解码器可以被配置为将第二存储器标识符输入到数据结构中,该数据结构将多个存储器标识符映射到多个存储器。
[0107] 在框506处,解码器可以被配置为基于确定第一存储器标识符对应于第一存储器,在与第一存储器相对应的第一导电路径上输出第一值。在框508处,累加器可以被配置为在与第一存储器相对应的第一导电路径上接收第一值。在框510处,累加器可以被配置为存储与第一存储器相对应的第一值。在一些示例中,累加器包括用于存储第一值的第一累加器电路。在这样的示例中,第一累加器电路可以包括触发器电路(例如,D触发器电路)或锁存电路。在这样的示例中,与第一存储器相对应的第一导电路径可以将解码器的第一输出通信地耦合到第一累加器电路的输入。在框512处,累加器可以被配置为在第二导电路径上输出所存储的第一值,第二导电路径连接到第一存储器的修复启用输入。第一存储器可以被配置为基于在修复启用输入处接收到第一值,来执行存储器修复。例如,将第一值输出给第一存储器的修复启用输入可以在第一存储器上启用存储器修复。例如,第二导电路径可以将与第一存储器相对应的累加器的输出通信地耦合到第一存储器的修复启用输入。
[0108] 在框514处,解码器可以被配置为基于确定第二存储器标识符对应于第二存储器,在与第二存储器相对应的第一导电路径上输出第二值。在一些示例中,解码器可以不被配置为并行地输出第一值和第二值。以其他方式来描述,解码器可以被配置为串行地输出第一值和第二值。在框516处,累加器可以被配置为在与第二存储器相对应的第一导电路径上接收第二值。在框518处,累加器可以被配置为存储与第二存储器相对应的第二值。在一些示例中,累加器包括用于存储第二值的第二累加器电路。在这样的示例中,第二累加器电路可以包括触发器电路(例如,D触发器电路)或锁存电路。在这样的示例中,与第二存储器相对应的第一导电路径可以将解码器的第二输出通信地耦合到第二累加器电路的输入。在框520处,累加器可以被配置为在第二导电路径上输出所存储的第二值,该第二导电路径连接到第二存储器的修复启用输入。第二存储器可以被配置为基于在修复启用输入处接收到第二值,来执行存储器修复。例如,将第二值输出给第二存储器的修复启用输入可以在第二存储器上启用存储器修复。例如,第二导电路径可以将与第二存储器相对应的累加器的输出通信地耦合到第二存储器的修复启用输入。在一些示例中,累加器可以被配置为并行地输出第一值和第二值。在一些示例中,第一值和第二值可以是非零电压。
[0109] 图6示出了根据本公开的一种或多种技术的存储器修复方法的示例流程图600。该方法可以由处理单元(例如,处理单元100)或SOC(例如,SOC 200)的存储器修复单元(或存储器修复单元的一个或多个组件)来执行,存储器修复单元诸如存储器修复单元102、,存储器修复单元202或存储器修复单元402。在一些示例中,流程图600中所示的方法可以包括未在图6中示出的本文中描述的一个或多个功能(例如,关于图1、2、3、4A和/或4B描述的一个或多个功能),和/或可以排除一个或多个所示功能。
[0110] 在框602处,存储器修复单元可以被配置为接收多个存储器标识符。多个存储器标识符可以包括第一存储器标识符和第二存储器标识符。多个存储器标识符中的每个存储器标识符可以对应于多个存储器中的相应存储器。例如,第一存储器标识符可以对应于多个存储器中的第一存储器,并且第二存储器标识符可以对应于多个存储器中的第二存储器。
[0111] 在框604处,存储器修复单元可以被配置为确定(例如,标识)哪个存储器对应于所接收的存储器标识符。例如,存储器修复单元可以被配置为确定通信地耦合到存储器修复单元的多个存储器中的哪个存储器对应于所接收的存储器标识符。在所示出的示例中,在框604A处,存储器修复单元可以被配置为确定第一存储器标识符对应于第一存储器。在框604B处,存储器修复单元可以被配置为确定第二存储器标识符对应于第二存储器。在一些示例中,存储器修复单元可以被配置为在确定第一存储器标识符对应于第一存储器之后,确定第二存储器标识符对应于第二存储器。
[0112] 在一些示例中,为了确定哪个存储器对应于所接收的存储器标识符,存储器修复单元可以被配置为将所接收的存储器标识符输入到数据结构中,该数据结构将多个存储器标识符映射到通信耦合到存储器修复单元的多个存储器。例如,为了确定第一存储器标识符对应于第一存储器,在框604A-1处。存储器修复单元可以被配置为将第一存储器标识符输入到数据结构中,该数据结构将多个存储器标识符映射到多个存储器。数据结构可以指代修复启用存储器映射。例如,为了确定第二存储器标识符对应于第二存储器,存储器修复单元可以被配置为在框604B-1处将第二存储器标识符输入到数据结构中,该数据结构将多个存储器标识符映射到多个存储器。
[0113] 在框606处,存储器修复单元可以被配置为向多个存储器输出一个或多个值。例如,在框606A处,存储器修复单元可以被配置为与向第二存储器的修复启用输入输出第二值并行地向第一存储器的修复启用输入输出第一值。第一存储器可以被配置为基于在修复启用输入处接收到第一值,来执行存储器修复。例如,将第一值输出给第一存储器的修复启用输入可以在第一存储器上启用存储器修复。类似地,第二存储器可以被配置为基于在修复启用输入处接收到第二值,来执行存储器修复。例如,将第二值输出给第二存储器的修复启用输入可以在第二存储器上启用存储器修复。
[0114] 在一些示例中,存储器修复单元可以被配置为不输出值,以在存储器上禁用存储器修复。在这样的示例中,与存储器相对应的修复启用输入可以处于默认值(例如,零电压),导致在存储器上禁用存储器修复,除非存储器修复单元输出与默认值不同的、用以在存储器上启用存储器修复的值(例如,非零电压)。在其他示例中,存储器修复单元可以被配置为输出值以在存储器上禁用存储器修复。例如,在框606B处,存储器修复单元可以被配置为与第一值和第二值并行地将第三值输出给第三存储器的修复启用输入,以在第三存储器上禁用存储器修复。在一些示例中,存储器修复单元可以被配置为不接收与第三存储器相对应的第三存储器标识符。在这样的示例中,存储器修复单元可以被配置为基于没有接收到第三存储器标识符,而将第三值输出给第三存储器的修复启用输入,以在第三存储器上禁用存储器修复。
[0115] 在一些示例中,存储器修复单元的解码器可以被配置为执行与框602、604、604A,604B,604A-1和604B-1相对应的功能;并且存储器修复单元的累加器可以被配置为执行与框606、606A和606B相对应的功能。
[0116] 应当理解,所公开的过程/流程图中的框的特定顺序或层次是示例性方案的说明。应当理解,可以基于设计偏好来重新布置过程/流程图中的框的特定顺序或层次。此外,可以组合或省略一些框。随附的方法权利要求以示例顺序呈现了各个框的要素,而并不意味着限于所呈现的特定顺序或层次。
[0117] 本公开的另外的方面涉及一种并入上述电路块(例如,存储器修复单元)和方法的装置。例如,该装置可以是最终产品,诸如以下中的一项:并入参考图1-6描述的电路和特征的蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、台式计算机(PC)、计算机外围设备、多媒体设备、视频设备、音频设备、全球定位系统(GPS)、无线传感器物联网设备或任何其他合适的设备。
[0118] 提供先前描述以使得本领域任何技术人员能够实践本文中描述的各个方面。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员将是很清楚的,并且本文中定义的一般原理可以应用于其他方面。因此,权利要求书并非旨在限于本文中示出的各方面,而是应当被赋予与权利要求书相一致的完整范围,其中除非明确指出,否则以单数形式提及要素并不意指“一个且仅一个”,而是意指“一个或多个”。词语“示例性”在本文中用来表示“用作示例、实例或说明”。本文中被描述为“示例性”的任何方面不一定被解释为比其他方面优选或有利。除非另有明确说明,否则术语“一些”是指一个或多个。诸如“A、B或C中的至少一项”、“A、B或C中的一项或多项”、“A、B和C中的至少一项”、“A、B和C中的一项或多项”以及“A、B、C或其任何组合”的组合包括A、B和/或C的任何组合,并且可以包括多个A、多个B或多个C。具体地,诸如“A、B或C中的至少一项”、“A、B或C中的一项或多项”、“A、B和C中的至少一项”、“A、B和C中的一项或多项”以及“A、B、C或其任何组合”等组合可以是仅A、仅B、仅C、A和B、A和C、B和C、或A、B和C,其中任何这样的组合可以包含A、B或C中的一个或多个成员。本领域普通技术人员知道或以后将知道的贯穿本公开进行描述的各个方面的要素的所有结构和功能等同物通过引用明确地并入本文,并且旨在由权利要求所涵盖。此外,本文中公开的任何内容都不旨在捐献给公众,无论这样的公开在权利要求书中是否明确记载。词语“模块”、“机制”、“元件”、“设备”等可以不是用于术语“手段”的代替物。由此,除非要素明确地使用短语“用于……的手段”来列举,否则任何权利要求要素都不应当被解释为手段加功能。
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