技术领域
[0001] 本
发明涉及OLED领域,特别涉及一种OLED器件及其制备方法。
背景技术
[0002]
量子点(QD)是一种无机
纳米级半导体材料,可以在一定的光压和
电场,发出特定
频率的光,且其光频率会随着量子点的尺寸的改变而变化,因而可以通过精准控制量子点
的尺寸使其发出纯色RGB三原色,从而显著提高
色域,目前已在QD-LCD TV中广泛应用。OLED拥有自发光、超轻薄、响应速度快、宽视
角等特性。将QD与OLED器件结合可有效提升OLED色域从而提升产品性能,而量子点和OLED都需要进行封装减少
水汽影响提高寿命。
发明内容
[0003] 为了解决上述技术问题,本发明提供了一种OLED器件及其制备方法,用以解决量子点OLED器件及其封装技术问题。
[0004] 解决上述技术问题的技术方案是:本发明提供了一种OLED器件,包括相对设置的彩膜
基板和阵列基板;封装结构,包括第一阻水结构,覆于所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面;第二阻水结构,覆于所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面;封装胶层,封装于所述彩膜基板和所述阵列基板之间且包覆所述第一阻水结构和所述第二阻水结构。
[0005] 进一步的,所述第二阻水结构包括两层阻水层和设于两层所述阻水层之间的缓冲层。
[0006] 进一步的,所述彩膜基板包括第一衬底;色阻层,设于所述第一基板上;阻挡层,设于所述色阻层上;量子点层,设于所述阻挡层上;所述第一阻水结构
覆盖所述色阻层和所述量子层并延伸至所述第一衬底上。
[0007] 进一步的,所述色阻层包括若干色组单元和围绕所述色阻单元的遮光层;所述量子层包括量子点单元和围绕所述量子点单元的
像素定义层,其中,所述量子点单元与所述
色阻单元对应。
[0008] 进一步的,所述阵列基板包括第二衬底;
薄膜晶体管结构层,设于所述第二衬底上;OLED层,设于所述
薄膜晶体管结构层上;所述第二阻水结构覆盖所述OLED层并延伸至所述薄膜晶体管结构层上。
[0009] 进一步的,所述封装结构的材料为氮化
硅、氮
氧化硅、氧化硅、氧化
铝中的至少一种。
[0010] 本发明还提供了一种OLED器件的制备方法,包括彩膜基板和阵列基板的制备方法以及封装方法,其中所述封装方法包括在所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面沉积第一
阻水结构;在所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面沉积第二阻水结构;将封装胶材贴附
于彩膜基板朝和所述阵列基板上,通过加热或加压使封装胶材
固化形成封装胶层。
[0011] 进一步的,所述彩膜基板的制备方法包括:提供第一基板;在所述第一基板制备第一衬底;在所述第一衬底制备色阻层,包括制备若干色阻单元的围绕所述色阻单元的遮光层;在所述色阻层上制备阻挡层,所述阻挡层覆盖所述色阻层;在所述阻挡层上制备量子
层,包括在所述阻挡层上制备像素定义层,在所述像素定义层对应所述色组单元处开设像
素开孔,在所述像素开孔内通
过喷墨打印制备量子点单元,每一量子点单元均对应一色阻
单元;在所述量子层上制备第一阻隔层,所述第一阻水结构覆盖所述量子层和所述色阻层。
[0012] 进一步的,所述阵列基板的制备方法包括:提供第二基板;在所述第二基板上制备第二衬底;在所述第二衬底上制备薄膜晶体管结构层;在所述薄膜晶体管结构层通过喷墨打印方式制备OLED层。
[0013] 进一步的,所述封装方法具体步骤包括:第一阻水结构制备步骤:在所述色阻层上沉积一层无机材料,所述无机材料覆盖所述色阻层和所述量子层并延伸至所述第一衬底上形成所述第一阻水结构。
[0014] 第二阻水结构制备步骤:在所述OLED层上沉积一层无机材料,所述无机材料覆盖所述OLED层并延伸至所述第二衬底形成第一阻水层;在所述第一阻水层上制备一层缓冲
层,在所述
缓冲层上沉积一层无机材料,所述无机材料覆盖所述第一阻水层并延伸至所述
第二衬底上形成第二阻水层,所述第一阻水层、缓冲层和第二阻水层结合形成所述第二阻
水结构;
[0015] 封装胶层制备步骤:通过
真空贴合技术将封装材料的一端自所述第二阻水结构远离所述第二衬底一侧向所述第二衬底方向
挤压,通过加热加压方式将所述封装材料的一端
完全贴合于所述第二衬底;通过真空贴合技术将封装材料远离所述第二衬底一侧贴压至所
述第一衬底;将所述第一衬底与所述第一基板切割分离,并在所述第一衬底远离所述色阻
层一侧贴附一层第一保护层;将所述第二衬底与所述第二基板切割分离,并在所述第二衬
底远离所述薄膜晶体管结构层一侧贴附一层第二保护层。
[0016] 本发明的优点是:本发明的OLED器件及其制备方法通过在彩膜基板的量子层上覆盖一层阻水层,在阵列基板的OLED层上覆盖一层阻水层达到保护OLED器件的目的,同时在
在OLED层采用双层阻水层加强阻水效果,缓冲层设于双层阻水层之间,用以缓冲后续封装
步骤中贴附封装
胶带来的应
力,提高所述OLED器件的使用寿命。
附图说明
[0017] 下面结合附图,通过对本
申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0018] 图1是
实施例中的OLED器件示意图。
[0019] 图2是实施例中的第一衬底制备步骤图。
[0020] 图3是实施例中的色阻层制备步骤图。
[0021] 图4是实施例中的阻隔层制备步骤图。
[0022] 图5是实施例中的量子层制备步骤图。
[0023] 图6是实施例中的第一阻水结构制备步骤图。
[0024] 图7是实施例中的第二衬底制备步骤图。
[0025] 图8是实施例中的薄膜晶体管结构层制备步骤图。
[0026] 图9是实施例中的OLED层制备步骤图。
[0027] 图10是实施例中的第一阻水层制备步骤图。
[0028] 图11是实施例中的缓冲层制备步骤图。
[0029] 图12是实施例中的第二阻水层制备步骤图。
[0030] 图13是实施例中的封装结构制备步骤图。
[0031] 图中
[0032] 10OLED器件; 110彩膜基板;
[0033] 120阵列基板; 130封装结构;
[0034] 101第一保护层; 111第一衬底;
[0035] 112色阻层; 1121色阻单元;
[0036] 1122遮光层; 113阻挡层;
[0037] 114量子层; 1141像素定义层;
[0038] 1142量子点单元; 11421像素开孔;
[0039] 102第二保护层; 121第二衬底;
[0040] 122薄膜晶体管结构层; 123OLED层;
[0041] 131第一阻水结构; 132第二阻水结构;
[0042] 133封装胶层; 1321第一阻水层;
[0043] 1322缓冲层; 1323第二阻水层;
[0044] 1101第一基板; 1102第二基板;
具体实施方式
[0045] 以下实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
[0046] 实施例
[0047] 如图1所示,本实施例中,本发明OLED器件10包括相对设置的彩膜基板110和阵列基板120以及封装结构130。
[0048] 所述彩膜基板110包括第一衬底111、色阻层112、阻挡层113和量子层114。
[0049] 所述第一衬底111为柔性衬底,其材料为聚酰亚胺材料,综合性能较强,保证了所述彩膜基板110的
质量。
[0050] 所述色阻层112设于所述第一衬底111上,具体的,所述色阻层112包括若干色阻单元,所述色阻单元为依次排列的红绿蓝三色色阻单元,
光源经过所述色阻单元后,光线被过滤成对应所述色阻单元的
颜色,从而组合形成所述OLED器件的显示画面。
[0051] 所述阻挡层113设于所述色阻层112上且覆盖所述色阻层112,所述量子层114设于所述阻挡层113上,所述量子层114包括像素定义层1141和量子点单元1142,其中,所述像素定义层1141设于所述阻挡层113上,且对应所述色阻单元处开设有若干像素开孔,所述量子点单元1142设于所述像素开孔内,每一量子点单元1142均对应一色阻单元,所述量子层114通过量子点单元1142内的量子点颗粒提升所述OLED器件10的色域。
[0052] 所述阵列基板120包括第二衬底121、薄膜晶体管结构层122和OLED层123。
[0053] 所述第二衬底121和所述第一衬底111的材料相同,均为柔性材料。
[0054] 所述薄膜晶体管结构层122设于所述第二衬底121上,所述薄膜晶体管结构层122包括若干
电路走线,用以传递电
信号提供所述OLED层123发光所需的
电能。
[0055] 所述OLED层123设于所述薄膜晶体管结构层122上,本实施例中,所述OLED层123为单色蓝光OLED,其能够发出稳定的蓝色光源。
[0056] 所述封装结构130包括第一阻水结构131、第二阻水结构132和封装胶层133。
[0057] 所述第一阻水结构131覆盖所述色阻层112和所述量子层113并延伸至所述第一衬底111上,所述第一阻水结构131采用无机材料,具有良好的隔绝水氧的能力,防止外界水汽
腐蚀所述色阻层112和所述量子层113,提高所述彩膜基板110的使用寿命。
[0058] 所述第二阻水结构132包括第一阻水层1321、缓冲层1322和第二阻水层1323。
[0059] 所述第一阻水层1321覆盖所述OLED层123并延伸至所述薄膜晶体管结构层122上,防止外界水汽腐蚀所述OLED层123。
[0060] 所述缓冲层1322设于所述第一阻水层1321上,在后续组立所述阵列基板120和所述彩膜基板110时以保护所述OLED层123和所述薄膜晶体管结构层122,防止在外力作用下
造成电路失效。
[0061] 所述第二阻水层1323设于所述缓冲层1322上,用以进一步防止外界水汽腐蚀所述OLED层123。
[0062] 所述封装胶层133封装于所述彩膜基板110和所述阵列基板120之间且包覆所述第一阻水结构121和所述第二阻水结构122,所述封装胶层133起到连接所述彩膜基板110和所
述阵列基板120的作用,同时可以进一步保护所述彩膜基板110和所述阵列基板120内部结
构不受外界水汽入侵,提高所述OLED器件10的使用寿命。
[0063] 所述封装结构130的各个结构可以为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或氧化铝等防水性能较好的材料。
[0064] 为了保护所述第一衬底111和所述第二衬底121,本实施例中,所述OLED器件还包括第一保护层101和第二保护层102,分别贴附于所述第一衬底111和所述第二衬底121朝外
一侧。
[0065] 为了更好的解释本发明,本实施例中的OLED器件制备方法的具体步骤包括彩膜基板和阵列基板的制备方法以及封装方法,其中,
[0066] 彩膜基板110的制备方法包括:
[0067] 提供第一基板1101。
[0068] 如图2所示,在所述第一基板1101制备第一衬底111。
[0069] 如图3所示,在所述第一衬底111制备色阻层112,包括制备若干色阻单元1121的围绕所述色阻单元1121的遮光层1122。
[0070] 如图4所示,在所述色阻层112上制备阻挡层113,所述阻挡层113覆盖所述色阻层112。
[0071] 如图5所示,在所述阻挡层113上制备量子层114,包括在所述阻挡层113上制备像素定义层1141,在所述像素定义层对应所述色组单元1121处开设像素开孔11421,在所述像素开孔11421内通过喷墨打印制备量子点单元1142,每一量子点单元1143均对应一色阻单
元1121。
[0072] 如图6所示,在所述量子层上制备第一阻水结构131,所述第一阻水结构131覆盖所述量子层114和所述色阻层112。
[0073] 所述阵列基板的制备方法包括:
[0074] 提供第二基板1102。
[0075] 如图7所示,在所述第二基板1102上制备第二衬底121。
[0076] 如图8所示,在所述第二衬底121上制备薄膜晶体管结构层122。
[0077] 如图9所示,在所述薄膜晶体管结构层122通过喷墨打印方式制备OLED层123。
[0078] 所述封装方法具体步骤包括:
[0079] 第一阻水结构131制备步骤:
[0080] 在所述色阻层112上沉积一层无机材料,所述无机材料覆盖所述色阻层112和所述量子层114并延伸至所述第一衬底上形成所述第一阻水结构131。
[0081] 第二阻水结构132制备步骤:
[0082] 如图10所示,在所述OLED层123上沉积一层无机材料,所述无机材料覆盖所述OLED层123并延伸至所述第二衬底121形成第一阻水层1321。
[0083] 如图11和图12所示,,在所述第一阻水层1321上制备一层缓冲层1322,在所述缓冲层1322上沉积一层无机材料,所述无机材料覆盖所述第一阻水层1321并延伸至所述第二衬底121上形成第二阻水层1323,所述第一阻水层1321、缓冲层1322和第二阻水层1323结合形成所述第二阻水结构132。
[0084] 封装胶层制备步骤:
[0085] 如图13所示,通过真空贴合技术将封装材料的一端自所述第二阻水结构132远离所述第二衬底121一侧向所述第二衬底121方向挤压,通过加热加压方式将所述封装材料的
一端完全贴合于所述第二衬底121。
[0086] 通过真空贴合技术将封装材料远离所述第二衬底121一侧贴压至所述第一衬底111;将所述第一衬底111与所述第一基板1101切割分离,并在所述第一衬底111远离所述色阻层112一侧贴附一层第一保护层101。
[0087] 将所述第二衬底121与所述第二基板1102切割分离,并在所述第二衬底121远离所述薄膜晶体管结构层122一侧贴附一层第二保护层102。
[0088] 以上仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何
修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。