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一种锐型可见光无关二合一光触媒溶液及其制备方法

阅读:45发布:2022-10-05

专利汇可以提供一种锐型可见光无关二合一光触媒溶液及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 的一种锐 钛 型可见光无关二合一光触媒溶液及其制备方法,属于光触媒技术领域,光触媒溶液的 基础 组成别是:二 氧 化钛8%~20%、负离子2%~10%、花青素4%~8%、添加物1%~2%、去离子 水 55%~90%,采用该制备方法制备的光触媒溶液,消除异味和有害气体能 力 强, 稳定性 高,能长期保存。,下面是一种锐型可见光无关二合一光触媒溶液及其制备方法专利的具体信息内容。

1.一种锐型可见光无关二合一光触媒溶液,其特征在于:所述光触媒溶液的基础组成别是:二化钛8%~20%、负离子2%~10%、花青素4%~8%、添加物1%~2%、去离子55%~90%。
2.根据权利要求1所述的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液,其特征在于:所述二氧化钛选用四代二氧化钛纳米级粉末。
3.根据权利要求1所述的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液,其特征在于:所述添加物包括但不仅限于金属有机络合物和分散剂。
4.一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括以下步骤:
S100、初液,取适量的二氧化钛加入去离子水中进行搅拌得到初液;
S200、络合,对初液中加入添加物进行金属络合和防沉防聚得到悬浊液;
S300、中和,对混合液中加入负离子进行中和酸度得到中和液;
S400、抗氧,对中和液中加入花青素进行抗氧化得到稳定剂;
S500、过滤,最后对稳定剂进行过滤得到光触媒溶液。
5.根据权利要求4所述的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液的制备方法,其特征在于:所述步骤S200络合的具体方法为将添加物加入至初液中并持续不停的搅拌,整个过程采用加热状态。
6.根据权利要求4所述的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液的制备方法,其特征在于:所述步骤S300中和的交换温度为40-60℃,反应时间为2h以上。
7.根据权利要求4所述的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液的制备方法,其特征在于:所述步骤S500过滤的具体方法为对稳定剂进行多次过滤洗涤,所得滤渣用去离子水进行溶解再过滤,最后对溶液进行静置冷却得到光触媒溶液。

说明书全文

一种锐型可见光无关二合一光触媒溶液及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明属于光触媒技术领域,更具体来说,涉及一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液及其制备方法。

背景技术

[0002] 光触媒是一种以纳米级化钛为代表的具有光催化功能的光半导体材料的总称,它涂布于基材表面,在紫外光及可见光的作用下,产生强烈催化降解功能:能有效地降解空气中有毒有害气体;能有效杀灭多种细菌,并能将细菌或真菌释放出的毒素分解及无害化处理;同时还具备除甲、除臭、抗污、净化空气等功能。
[0003] 现实中常常制作光触媒溶液来喷涂物体表面或者空气中来消除异味或者有害气体。

发明内容

[0004] 1.发明要解决的技术问题
[0005] 本发明的目的在于解决现有技术中对异味难消除的困扰,提供一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液及其制备方法,采用该制备方法制备的光触媒溶液,消除异味和有害气体能强,稳定性高,能长期保存。
[0006] 2.技术方案
[0007] 为达到上述目的,本发明提供的技术方案为:
[0008] 本发明的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液,光触媒溶液的基础组成别是:二氧化钛8%~20%、负离子2%~10%、花青素4%~8%、添加物1%~2%、去离子55%~90%。
[0009] 优选的,二氧化钛选用四代二氧化钛纳米级粉末。
[0010] 优选的,添加物包括但不仅限于金属有机络合物和分散剂。
[0011] 一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液的制备方法,制备方法包括以下步骤:
[0012] S100、初液,取适量的二氧化钛加入去离子水中进行搅拌得到初液;
[0013] S200、络合,对初液中加入添加物进行金属络合和防沉防聚得到悬浊液;
[0014] S300、中和,对混合液中加入负离子进行中和酸度得到中和液;
[0015] S400、抗氧,对中和液中加入花青素进行抗氧化得到稳定剂;
[0016] S500、过滤,最后对稳定剂进行过滤得到光触媒溶液。
[0017] 优选的,步骤S200络合的具体方法为将添加物加入至初液中并持续不停的搅拌,整个过程采用加热状态。
[0018] 优选的,步骤S300中和的交换温度为40-60℃,反应时间为2h以上。
[0019] 优选的,步骤S500过滤的具体方法为对稳定剂进行多次过滤洗涤,所得滤渣用去离子水进行溶解再过滤,最后对溶液进行静置冷却得到光触媒溶液。
[0020] 3.有益效果
[0021] 采用本发明提供的技术方案,与现有技术相比,具有如下有益效果:
[0022] (1)本发明的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液,光触媒溶液的基础组成别是:二氧化钛8%~20%、负离子2%~10%、花青素4%~8%、添加物1%~2%、去离子水55%~90%。
附图说明
[0023] 图1为本发明的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液的实施例对比图;
[0024] 图2为本发明的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液的光触媒溶液XRD图。

具体实施方式

[0025] 为了便于理解本发明,下面将对本发明进行更全面的描述,附图中给出了本发明的若干实施例,但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例,相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
[0026] 需要说明的是,当元件被称为“固设于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件;当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件;本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0027] 除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同;本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明;本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0028] 一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液光触媒溶液的基础组成别是:二氧化钛8%~20%、负离子2%~10%、花青素4%~8%、添加物1%~2%、去离子水55%~90%。
[0029] 上述的二氧化钛选用四代二氧化钛纳米级粉末,采用该材料制备的光触媒容易长期保存不变质,同时整体的吸附异味的能力强,去除效果好。
[0030] 上述的添加物包括但不仅限于金属有机络合物和分散剂,添加金属有机络合物提高了该光触媒的稳定性,同时分散剂有效的防止沉降和凝聚进一步提高稳定性。
[0031] 一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液的制备方法,制备方法包括以下步骤:
[0032] S100、初液,取适量的二氧化钛加入去离子水中进行搅拌得到初液;
[0033] S200、络合,对初液中加入添加物进行金属络合和防沉防聚得到悬浊液;
[0034] S300、中和,对混合液中加入负离子进行中和酸碱度得到中和液;
[0035] S400、抗氧,对中和液中加入花青素进行抗氧化得到稳定剂;
[0036] S500、过滤,最后对稳定剂进行过滤得到光触媒溶液。
[0037] 上述的步骤S200络合的具体方法为将添加物加入至初液中并持续不停的搅拌,整个过程采用加热状态。
[0038] 上述的步骤S300中和的交换温度为40-60℃,反应时间为2h以上。
[0039] 上述的步骤S500过滤的具体方法为对稳定剂进行多次过滤洗涤,所得滤渣用去离子水进行溶解再过滤,最后对溶液进行静置冷却得到光触媒溶液。
[0040] 实施例1
[0041] 本实施例的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液,其特征在于:所述光触媒溶液的基础组成别是:二氧化钛8%、负离子2%、花青素5%、添加物1%、去离子水84%。
[0042] 测得采用上述配比制备的光触媒溶液降解单位体积内95%以上有害气体的时间为3h。
[0043] 实施例2
[0044] 本实施例的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液,其特征在于:所述光触媒溶液的基础组成别是:二氧化钛15%、负离子5%、花青素4%、添加物1%、去离子水75%。
[0045] 测得采用上述配比制备的光触媒溶液降解单位体积内95%以上有害气体的时间为2.5h。
[0046] 实施例3
[0047] 本实施例的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液,其特征在于:所述光触媒溶液的基础组成别是:二氧化钛20%、负离子10%、花青素8%、添加物2%、去离子水60%。
[0048] 测得采用上述配比制备的光触媒溶液降解单位体积内95%以上有害气体的时间为1h。
[0049] 实施例4
[0050] 本实施例的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液,其特征在于:所述光触媒溶液的基础组成别是:二氧化钛20%、负离子2%、花青素8%、添加物2%、去离子水68%。
[0051] 测得采用上述配比制备的光触媒溶液降解单位体积内95%以上有害气体的时间为1.7h。
[0052] 实施例5
[0053] 本实施例的一种锐钛型可见光无关二合一光触媒溶液,其特征在于:所述光触媒溶液的基础组成别是:二氧化钛20%、负离子5%、花青素8%、添加物2%、去离子水65%。
[0054] 测得采用上述配比制备的光触媒溶液降解单位体积内95%以上有害气体的时间为1.2h。
[0055] 以上所述实施例仅表达了本发明的某种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制;应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围;因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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